WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

загрузка...
   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

[3] Schuller, S Optical and structural properties of -FeSi2 precipitate layers in silicon / S. Schuller [et al.] // J. Appl. Phys. – 2003. - V.94. - P.207–211.

[4] Kveder, V. Room-temperature silicon light-emitting diodes based on dislocation luminescence / V. Kveder [et al.] // Appl. Phys. Lett. – 2004. - V.84. - P. 2106-2108.

[5] Steinman, E.A. Dislocation structure and photoluminescence of partially relaxed SiGe layers on Si(001) substrates / E.A. Steinman [et al.] // Semicond.

Sci. Technol. – 1999. –V. 14. P.582-586.

[6] Kenyon, A.J. Erbium in silicon / A. J. Kenyon // Semicond. Sci. Technol. - 2005. - V. 20. - R. 65-84.

[7] Franzo, G. Room-temperature electroluminescence from Er-doped crystalline Si / G. Franzo [et al.] // Appl. Phys. Lett. – 1994. - V 64, iss. 17. - P. 2235-2237.

[8] Stimmer, J. Electroluminescence of erbium-oxygen-doped silicon diodes grown by molecular beam epitaxy / J. Stimmer [et al.] // Appl. Phys. Lett. - 1996. - V. 68. - P. 3290-3292.

[9] Sobolev, N. A. Avalance breakdown-related electroluminescence in single cystal Si:Er:O / N. A. Sobolev [et al.] // Appl. Phys. Lett. - 1997. - V. 71. - P. 1930-1932.

Основные публикации автора по теме диссертации [A1] Shmagin, V. B. Effect of the breakdown nature on Er-related electroluminescence intensity and excitation efficiency in Si:Er light emitting diodes grown with sublimation MBE technique / V. B. Shmagin, V. P. Kuznetsov, D. Yu. Remizov, Z. F. Krasil’nik, L. V. Krasil’nikova, D. I. Kryzhkov // Materials Science and Engineering B. - 2003. - V. 105. - P. 70-73.

[A2] Шмагин, В. Б. Влияние характера пробоя p-n перехода на интенсивность и эффективность возбуждения электролюминесценции ионов Er3+ в эпитаксиальных слоях Si:Er, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии / В. Б. Шмагин, Д. Ю. Ремизов, З. Ф. Красильник, В. П. Кузнецов, В. Н. Шабанов, Л. В. Красильникова, Д. И. Крыжков, М. Н. Дроздов // ФТТ. – 2004. - Т. 46, вып. 1. - С. 110-113.

[A3] Ремизов, Д. Ю. Эффективное сечение возбуждения и время жизни ионов Er3+ в светодиодах на основе Si:Er, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии / Ремизов Д. Ю., В. Б. Шмагин, А. В. Антонов, В. П. Кузнецов, З. Ф. Красильник // ФТТ. – 2005. - Т. 47, вып. 1. - С. 95-98.

[A4] Шмагин, В. Б. Электролюминесценция ионов Er3+ в режиме пробоя диодной структуры p+-Si/n-Si:Er/n+-Si / В. Б. Шмагин, Д. Ю. Ремизов, С. В. Оболенский, Д. И. Крыжков, М. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник // ФТТ. – 2005. - Т. 47, вып. 1. - С. 120-123.

[A5] Krasilnik, Z. F. Erbium doped silicon single- and multilayer structures for LED and laser applications / Z.F. Krasilnik, B.A. Andreev, T. Gregorkievicz, W. Jantsch, D.I. Kryzhkov, L.V. Krasilnikova, V.P. Kuznetsov, H. Przybylinska, D.Yu. Remizov, V.B. Shmagin, M.V. Stepikhova, V.Yu. Timoshenko, N.Q. Vinh, A.N. Yablonskiy, D.M. Zhigunov // Journal of Materials Research. – 2006. – V. 21, № 3. - P. 574-583.

[A6] Obolensky, S.V. A simple approach to the simulation of impact excitation of erbium in silicon light-emitting diodes / S. V. Obolensky, V. B. Shmagin, V. A. Kozlov, K. E. Kudryavtsev, D. Yu. Remizov, Z. F. Krasilnik // Semicond.

Sci. Technol. - 2006. - V. 21. - P. 1459-1463.

[A7] Shmagin, V.B. Effect of space charge region width on Er-related luminescence in reverse biased Si:Er-based light emitting diodes / V.B. Shmagin, S.V. Obolensky, D.Yu. Remizov, V.P. Kuznetsov, Z.F. Krasilnik // IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. – 2006. – V. 12. – P. 1556-1560.

[A8] Кузнецов, В. П. Электролюминесценция на длине волны 1.54 мкм в структурах Si:Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярнолучевой эпитаксии / В. П. Кузнецов, Д. Ю. Ремизов, В. Н. Шабанов, Р. А. Рубцова, М. В. Степихова, Д. И. Крыжков, А. Н. Шушунов, О. В. Белова, З. Ф. Красильник, Г. А. Максимов. // ФТП. - 2006. - Т. 40, вып. 7. - С. 868-875.

[A9] Кузнецов, В. П. Электролюминесценция ионов эрбия в кремниевых диодных структурах p++/n+/n-Si:Er/n++ / В. П. Кузнецов, Д. Ю. Ремизов, В. Б. Шмагин, К. Е. Кудрявцев, В. Н. Шабанов, С. В. Оболенский, О. В. Белова, М. В. Кузнецов, А. В. Корнаухов, Б. А. Андреев, З. Ф. Красильник // ФТП. - 2007. - Т. 41, вып. 11. - С. 1329-1332.

[A10] Krasilnik, Z. F. Erbium doped silicon single- and multilayer structures for LED and laser applications / Z. F. Krasilnik, B. A. Andreev, T. Gregorkiewicz, W. Jantsch, M. A. J. Klik, D. I. Kryzhkov, L. V. Krasil’nikova, V. P. Kuznetsov, H. Przybylinska, D. Yu. Remizov, V. G. Shengurov, V. B. Shmagin, M. V. Stepikhova, V. Yu. Timoshenko, N. Q. Vinh, A. N. Yablonskiy, D. M. Zhigunov // in “Rare-Earth Doping for Optoelectronic Applications”, Eds.

T. Gregorkiewicz, Y. Fujiwara, M. Lipson, J.M. Zavada, Mat. Res. Soc. Proc. - 2005. - V. 866. - P. 13-24.

[A11] Krasilnik, Z. F. Single- and multilayer Si:Er structures for LED and laser applications grown with sublimation MBE technique / Z. F. Krasilnik, B. A. Andreev, T. Gregorkievicz, L. V. Krasil’nikova, V. P. Kuznetsov, H. Przybylinska, D. Yu. Remizov, V. B. Shmagin, V. G. Shengurov, M. V. Stepikhova, V. Yu. Timoshenko, D. M. Zhigunov // in “Photonics, Devices, and Systems III”, Eds. Pavel Tomanek, Miroslav Hrabovsky, Miroslav Miler, Dagmar Senderakova, Proc. of SPIE. – 2006. – V. 6180. - P. 61800L1-61800L8.

[A12] Shmagin, V.B. Si:Er-based light emitting diodes grown with sublimation MBE technique for optoelectronic applications / V.B. Shmagin, D.Yu. Remizov, V.P. Kuznetsov, V.N. Shabanov, Z.F. Krasilnik. // Proceedings of SPIE, vol. 6180, 6180-08 (2006).

[A13] Shmagin, V. The influence of breakdown conditions on Er3+ electroluminescence in Si:Er grown with sublimation MBE technique / V. Shmagin, V. Kuznetsov, D. Remizov, B. Andreev, Z. Krasil’nik // 22st International Conference on Defects in Semiconductors, Arhus, Denmark, 28 July - 1 August 2003, Book of Abstracts II (Poster), PA92.

[A14] Шмагин, В.Б. Влияние характера пробоя p-n перехода на интенсивность и эффективность возбуждения электролюминесценции ионов Er3+ в эпитаксиальных слоях Si:Er, полученных методом сублимационной МЛЭ / В. Б. Шмагин, Д. Ю. Ремизов, З. Ф. Красильник, Л. В. Красильникова, Д. И. Крыжков, М. Н. Дроздов, В. П. Кузнецов, В. Н. Шабанов. // Нанофотоника: Материалы всероссийского совещания, Нижний Новгород, Россия, 17–20 марта 2003. – Нижний Новгород:

ИФМ РАН, 2003. – С. 107–110.

[A15] Шмагин, В. Б. Влияние механизма пробоя p-n перехода на излучательные свойства диодных электролюминесцентных структур Si:Er/Si, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. // VI Российская конференция по физике полупроводников / В. Б. Шмагин, Д. Ю. Ремизов, З. Ф. Красильник, В. П. Кузнецов, В. Н. Шабанов // Санкт-Петербург. 27-31 октября 2003г. - С.93-94.

[A16] Шмагин, В. Б. Электролюминесценция ионов Er3+ в режиме пробоя диодной структуры p+/n-Si:Er/n+ / В. Б. Шмагин, Д. Ю. Ремизов, М. Н. Дроздов, Д. И. Крыжков, З. Ф. Красильник, С. В. Оболенский // Нанофотоника: Материалы всероссийского совещания, Нижний Новгород, Россия, 2–6 мая 2004. – Нижний Новгород: ИФМ РАН, 2004. – С. 97–99.

[A17] Шмагин, В.Б. Электролюминесцентные диодные структуры на основе Si:Er, выращенные методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии / В. Б. Шмагин, Д. Ю. Ремизов, З. Ф. Красильник, В. П. Кузнецов, С. В. Оболенский, В. Н. Шабанов // Международное совещание “Кремний-2004”. Иркутск. 5-9 июля 2004г.

[A18] Оболенский, С.В. Численное моделирование ударного возбуждения ионов эрбия горячими носителями в режиме электрического пробоя диодной светоизлучающей структуры Si:Er/Si / С.В. Оболенский, В.Б. Шмагин, В.П. Кузнецов, В.Н. Шабанов, В.А. Козлов, Д.Ю. Ремизов, З.Ф. Красильник // Нанофизика и наноэлектроника: Материалы всероссийского симпозиума, Нижний Новгород, Россия, 25–29 марта 2005.

– Нижний Новгород: ИФМ РАН, 2005. – С. 407–408.

[A19] Шмагин, В. Б. Диодные светоизлучающие структуры на основе Si:Er, излучающие при обратном смещении в режиме пробоя p-n перехода / В. Б. Шмагин, Д.Ю. Ремизов, В.П. Кузнецов, В.Н.Шабанов, З.Ф. Красильник. // VII Российская конференция по физике полупроводников: Тезисы докладов, Звенигород, Россия, 18–23 сентября 2005. – М.: ФИАН, 2005. – С. 322.

[A20] Оболенский, С.В. Численное моделирование ударного возбуждения ионов эрбия горячими электронами в режиме электрического пробоя диодной светоизлучающей структуры Si:Er/Si / С.В. Оболенский, В.Б. Шмагин, В.П. Кузнецов, В.Н. Шабанов, В.А. Козлов, Д.Ю. Ремизов, З.Ф. Красильник. // VII Российская конференция по физике полупроводников: Тезисы докладов, Звенигород, Россия, 18-23 сентября 2005. – М.: ФИАН, 2005. – С. 323.

[A21] Ремизов, Д.Ю. Светоизлучающие диодные туннельно-пролетные структуры на основе Si:Er / Д.Ю. Ремизов, З.Ф. Красильник, В.П. Кузнецов, В.Б. Шмагин // Школа-семинар «Наноматериалы и нанотехнологии.

КоМУ-2005». Ижевск. 5 - 8 декабря 2005 г, с. 49.

[A22] Ремизов, Д.Ю. Светоизлучающие диодные туннельно-пролетные структуры на основе Si:Er / Д.Ю. Ремизов, З.Ф. Красильник, В.П. Кузнецов, В.Б. Шмагин // “XVI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников”. Екатеринбург-Кыштым. 27 февраля – 4 марта 2006г., с.162.

[A23] Андреев, Б.А. Люминесцентные свойства редкоземельных элементов в кремнии / Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник, Л.В. Красильникова, Д.И. Крыжков, В.П. Кузнецов, Д.Ю. Ремизов, М.В. Степихова, В.Ю. Чалков, В.Г. Шенгуров, В.Б. Шмагин, А.Н. Яблонский // Нанофизика и наноэлектроника: Материалы всероссийского симпозиума, Нижний Новгород, Россия, 13–17 марта 2006. – Нижний Новгород: ИФМ РАН, 2006.

– С. 55.

[A24] Ремизов, Д.Ю. О возможности расширения области пространственного заряда в диодной структуре Si:Er/Si, излучающей в режиме пробоя p/n-перехода / Д.Ю. Ремизов, З.Ф. Красильник, В.П. Кузнецов, С.В. Оболенский, В.Б. Шмагин. // Нанофизика и наноэлектроника: Материалы всероссийского симпозиума, Нижний Новгород, Россия, 13–17 марта 2006. – Нижний Новгород: ИФМ РАН, 2006.

– С. 348-349.

[A25] Shmagin, V. B. Si:Er-based light emitting diodes with extended space charge region / V.B. Shmagin, D.Yu. Remizov, V.P. Kuznetsov, S.V. Obolensky, and Z.F. Krasil'nik // 28th International Conference on the Physics of Semiconductors, Vienna, Austria, July 24-28, 2006, WeA2q.6.

[A26] Ремизов, Д.Ю. Эффективность возбуждения ионов Er3+ в диодных туннельно-пролетных структурах на основе Si:Er / Д.Ю. Ремизов, В.Б. Шмагин, В.П. Кузнецов, З.Ф. Красильник // Нанофизика и наноэлектроника: Материалы всероссийского симпозиума, Нижний Новгород, Россия, 10–14 марта 2007. – Нижний Новгород: ИФМ РАН, 2007.

– С. 422-423.

[A27] Ремизов, Д.Ю. Диодные туннельно-пролетные структуры на основе Si:Er, полученные методом сублимационной МЛЭ / Д.Ю. Ремизов, В.Б. Шмагин, В.П. Кузнецов, З.Ф. Красильник. // VIII Российская конференция по физике полупроводников. Екатеринбург. 2007. - С.417.

[A28] Шмагин, В.Б. Диодные туннельно-пролетные структуры на основе Si:Er/Si, излучающие в диапозоне 1.54 мкм при комнатной температуре / В.Б. Шмагин, Д.Ю. Ремизов, В.П. Кузнецов, С.В. Оболенский, В. А. Козлов, З.Ф. Красильник // Нанофизика и наноэлектроника:

Материалы всероссийского симпозиума, Нижний Новгород, Россия, 10-14 марта 2008. – Нижний Новгород: ИФМ РАН, 2007. – С. 135-138.

РЕМИЗОВ Дмитрий Юрьевич УДАРНОЕ ВОЗБУЖДЕНИЕ ИОНОВ ЭРБИЯ В КРЕМНИЕВЫХ СВЕТОДИОДНЫХ СТРУКТУРАХ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ СУБЛИМАЦИОННОЙ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ Автореферат Подписано к печати 25.09.2008 г. Тираж 100 экз.

Отпечатано в Институте физики микроструктур РАН 603950, Нижний Новгород, ГСП-

Pages:     | 1 | 2 ||






© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»