WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

загрузка...
   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

- система неисправна: система переходит в данный режим в случае обнаружения ошибки в ходе начальной диагностики и при отказе АЦП или ЦАП в процессе измерения.

Данная система может использоваться в промышленных условиях для мониторинга прочности ответственных конструкций и объектов повышенной опасности, а также при проведении натурных испытаний изделий на прочность.

В приложении приведены технологический процесс изготовления полупроводникового ТЧЭ, компьютерная программа расчетов технологических режимов, акты о внедрении результатов работы.

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ И РЕЗУЛЬТАТЫ 1. Проведен информационный анализ применяемых в настоящее время тензочувствительных элементов и тензопреобразователей, подтвердивший актуальность разработки ТЧЭ на основе новых полупроводниковых монокристаллических материалов и структур, позволяющих улучшить метрологические характеристики существующих систем НК НДС материалов.

2. Исследовано влияние деформации на основные параметры МДП- структур, выполненных на различных монокристаллических полупроводниках, и выявлены возможности их использования в качестве ТЧЭ.

3. Разработана математическая модель физических процессов, происходящих при одноосной упругой деформации и устанавливающ ая взаимосвязь выходного сигнала с топологическими, электрическими и электрофизическими параметрами МДП-структуры, являющаяся теоретической базой для создания методики разработки полупроводниковых ТЧЭ с заданными метрологическими характеристиками.

4. На основе результатов исследований математической модели создана методика разработки полупроводниковых ТЧЭ, позволяющая прогнозировать метрологические характеристики на этапе проектиров ания.

5. Разработан полупроводниковый ТЧЭ, содержащий на пов ерхности монокристалла кремния n-типа проводимости диэлектрический слой двуокиси кремния, а также изолированный электрод, что позволяет повысить чувствительность и точность определения параметров НДС материалов и изделий.

6. Проведены экспериментальные исследования и анализ погрешностей измерений разработанных полупроводниковых ТЧЭ. Результаты исследований подтв ердили адекватность предложенной математической модели и корректность основных теоретических выводов, положенных в основу разработки ТЧЭ на основе МДП-структур и их применимость при создании ПИП механических величин.

7. Разработан интегральный тензопреобразователь, в котором реализована возможность управления выходным сигналом за счет изменения потенциалов на изолированных электродах. Применение ТЧЭ на основе МДП-структуры в составе тензопреобразователя обеспечивает повышение его надежности и точности балансировки мостовой схемы.

8. Разработана и принята к использованию в промышленном производстве микропроцессорная система НК НДС материалов, включающая в свой состав ТЧЭ на основе МДП-структуры, позволяющая повысить оперативность и достоверность контроля.

ОСНОВНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ 1. Озаренко, А.В. Особенности тензорезистивного эффекта в структурах металл-диэлектрик-полупроводник при статической и переменной деформации / А.В. Озаренко, Ю.А. Брусенцов, А.П. Королев // Вестник Тамбовского государственного технического университетата. – 2008. – Т. 14, № 1. – С. 158 – 163.

2. Озаренко, А.В. Цифровое устройство измерения деформаций на базе полупроводниковых управляемых тензорезисторов / А.В. Озаренко, Ю.А. Брусенцов, А.П. Королев // Вопросы современной науки и практики.

Университет им. В.И. Вернадского. – 2007. – № 3(9). – С. 187 – 192.

3. Озаренко, А.В. Исследование влияния деформации на сопротивление полупроводниковых управляемых тензорезисторов / А.В. Озаренко // Наука и устойчивое развитие общества. Наследие В.И. Вернадского : сб.

материалов II Междунар. науч.-практ. конф. – Тамбов, 2007. – С. 76 – 78.

4. Озаренко, А.В. Устройство повышенной точности для измерения деформаций / А.В. Озаренко, Ю.А. Брусенцов // Высокие технологии.

Фундаментальные и прикладные исследования, образование : сб. трудов IV Междунар. науч.-практ. конф. «Исследование, разработка и применение высоких технологий в промышленности». – СПб., 2007. – Т. 11. – С. 361 – 362.

5. Озаренко, А.В. Температурная коррекция интегральных тензопреобразователей / А.В. Озаренко, Ю.А. Брусенцов // Теплофизика в энергосбережении и управлении качеством : материалы Шестой междунар. теплофизической школы. – Тамбов, 2007. – Т. 2. – С. 98 – 101.

6. Озаренко, А.В. Интегральный полупроводниковый тензопреобразователь / А.В. Озаренко // Составляющие научно-технического прогресса : сб.

материалов III Междунар. науч.-практ. конф. – Тамбов, 2007. – С. 138 – 140.

7. Озаренко, А.В. Деформационная зависимость подвижности и концентрации носителей в полупроводниковых датчиках / А.В. Озаренко, Ю.А. Брусенцов, А.П. Королев // Проблемы автоматизации и управления в технических системах : труды междунар. науч.-техн. конф. – Пенза, 2007. – С. 63 – 65.

8. Озаренко, А.В. Способ компенсации температурной погрешности тензопреобразователей / А.В. Озаренко // Глобальный научный потенциал :

сб. материалов междунар. науч.-практ. конф. – Тамбов, 2007. – С. 112 – 114.

9. Озаренко, А.В. Математическая модель процесса проводимости полупроводника при воздействии ультразвука / А.В. Озаренко, Ю.А. Брусенцов, А.П. Королев // Высокие технологии. Фундаментальные и прикладные исследования, образование : сб. трудов III Междунар. науч.-практ.

конф. «Исследование, разработка и применение высоких технологий в промышленности». – СПб., 2007.– Т. 8. – С. 123–124.

10. Озаренко, А.В. Проектирование первичного измерительного преобразователя для определения деформаций возникающих при ультразвуковом воздействии / А.В. Озаренко, Ю.А. Брусенцов, А.П. Королев // Высокие технологии. Фундаментальные и прикладные исследования, образование : сб. трудов III Междунар. науч.-практ. конф. «Исследование, разработка и применение высоких технологий в промышленности». – СПб., 2007.– Т. 8.– С. 125–126.

11. Моделирование процессов проводимости в полупроводниковых структурах при ультразвуковом воздействии / Ю.А. Брусенцов, А.В. Озаренко, А.П. Королев, С.А. Попов // Вестник Тамбовского государственного технического университета. – 2007. – Т. 13, № 1А. – С. 164 – 169.

12. Попов, С.А. Применение полевых структур для измерения деформаций возникающих при ультразвуковых воздействиях / С.А. Попов, А.В. Озаренко // Сборник статей магистрантов Тамбовского государств енного технического университета. – Тамбов, 2006. – Вып. IV. – С. 137 – 140.

13. Брусенцов, Ю.А. Исследование электрофизических процессов в полевых полупроводниковых структурах для измерения теплофизических характеристик / Ю.А. Брусенцов, А.В. Озаренко, А.П. Королев // Вестник Тамбовского государственного технического университета. – 2006. – Т. 12, № 1А. – С. 122 – 128.

14. Озаренко, А.В. Применение полевых структур в измерениях разности температур / А.В. Озаренко, Ю.А. Брусенцов, А.П. Королев // Высокие технологии. Фундаментальные и прикладные исследования, образование : сб. трудов II Междунар. науч.-практ. конф. «Исследование, разработка и применение высоких технологий в промышленности». – СПб., 2006. – Т. 5. – С. 150–151.

15. Решение о выдаче патента РФ на изобретение. Устройство для измерения давления / А.В. Озаренко, Ю.А. Брусенцов, А.И. Фесенко, А.П. Королев. –128640/28(031192) ; Заявл. 25.07.2007.

Pages:     | 1 | 2 ||






© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»