WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

загрузка...
   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 | 3 |

На правах рукописи

ОЗАРЕНКО Александр Валентинович РАЗРАБО ТКА ПО ЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТЕНЗО ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕН ТО В ДЛЯ СИСТЕМ НЕРАЗРУШАЮЩЕГО КОНТРО ЛЯ НАПРЯЖЕННО-ДЕФО РМИРОВАННО ГО СОСТО ЯНИЯ МАТЕРИАЛОВ Специальность 05.11.13 – Приборы и методы контроля природной среды, веществ, материалов и изделий

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

Тамбов 2008

Работа выполнена на кафедре «Материалы и технология» ГОУ ВПО «Тамбовский государственный технический университет».

Научный руководитель кандидат технических наук, профессор Брусенцов Юрий Анатольевич

Официальные оппоненты: доктор технических наук, профессор Чернышов Владимир Николаевич кандидат технических наук, доцент Ивановский Василий Андреевич Ведущая организация ОАО «Холдинговая компания «Ленинец», г. Санкт-Петербург

Защита диссертации состоится 5 февраля 2009 г. в 15 ч 00 мин на заседании диссертационного сов ета Д 212.260.01 Тамбовского государственного технического унив ерситета по адресу: г. Тамбов, ул. Советская, 106, Большой актовый зал.

Отзывы на автореферат в двух экземплярах, зав еренные гербовой печатью, просим направлять по адресу: 392000, г. Тамбов, ул. Советская, 106, ТГТУ, ученому секретарю диссертационного совета Д 212.260.01.

С диссертацией можно ознакомиться в научной библиотеке Тамбовского государственного технического университета по адресу: 393032, г. Тамбов, ул. Мичуринская, 112, корп. «Б», а с авторефератом дополнительно – на сайте www.tstu.ru.

Автореферат разослан 27 декабря 2008 г.

Ученый секретарь диссертационного совета, доктор технических наук, профессор А.А. Чуриков Подписано в печать 25.12.2008 Формат 60 84 / 16. 0,93 усл. печ. л. Тираж 100. Заказ № 598 Издательско-полиграфический центр ТГТУ 392000, Тамбов, Советская, 106, к. 14

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность работы. Разрушения изделий, аппаратов, конструкций, связанны е с нарушением прочности материалов, приводят к серьезным последствиям, а в некоторых отраслях и технологических процессах они просто недопустимы. Следовательно, при эксплуатации таких изделий, особенно в условиях интенсивных термосиловых воздейств ий, необходимо обеспечить периодический или непрерывный контроль состояния применяемых материалов.

В этой связи широкое распространение получают методы и средства неразрушающего контроля (НК) напряженно-деформированного состояния (НДС) материалов и изделий, применяемых в различных отраслях народного хозяйства. Однако используемые в них в качестве первичных измерительных преобразователей (ПИП) неэлектрических величин (механического напряжения, деформации, перемещения и т.д.) тензочувств ительные элементы (ТЧЭ) и тензопреобразователи далеко не всегда удовлетворяют современным требованиям. К их недостаткам, прежде всего, стоит отнести низкую чувствительность и точность, сложность настройки и балансировки при изготовлении, нестабильные выходные характеристики.

Применение ТЧЭ и тензопреобразователей, созданных на основе новых полупроводниковых материалов и структур, благодаря высокой чувствительности полупроводников к механическим воздействиям, позволит улучшить ряд параметров существующих измерительных устройств: повысит чувствительность и точность измерений, расширит рабочий диапазон, позволит упростить аппаратуру и легче совместить ее с современными средствами вычислительной техники.

Поэтому задача разработки ПИП с улучшенны ми метрологическими характеристиками для систем НК НДС материалов на основе новых полупроводниковых ТЧЭ является весьма актуальной.

Цель работы: исследов ание физических процессов, возникающих в структурах металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-структурах) при деформации, и разработка на их основ е ТЧЭ и тензопреобразователей с улучшенными метрологическими характеристиками для систем НК НДС материалов и изделий.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

- исследование влияния деформации на электрофизические параметры МДП-структур на основ е монокристаллических полупроводников для выявления возможности их использования в качеств е ТЧЭ;

- разработка математической модели физических процессов, происходящих в ТЧЭ на основе МДП-структуры при одноосной упругой деформации;

- создание методики разработки полупроводниковых ТЧЭ с заданными метрологическими характеристиками на основе результатов исследования полученной математической модели;

- разработка, экспериментальное исследование полупроводниковых ТЧЭ на основе МДП-структуры и создание на их базе интегральных тензопреобразователей механических величин;

- разработка микропроцессорной системы НК НДС материалов и изделий, в которой качестве ПИП используются ТЧЭ на основе МДП-структуры.

Методы и методики исследования. Результаты исследований, включенные в диссертацию, базируются на теоретических основах физики полупроводников, математическом моделировании, основах интегральных полупроводниковых технологий, физическом эксперименте с использованием опытных образцов, а также на экспериментальных исследованиях, проведенных на кафедре «Материалы и технология» ТГТУ.

Научная новизна диссертационной работы заключается в следующем:

- разработана математическая модель физических процессов, происходящих при деформации в полупроводниковых ТЧЭ на основе МДПструктуры, учитывающая влияние основных топологических, электрических и электрофизических параметров, на основе которой создана методика разработки ТЧЭ с заданными метрологическими характеристиками;

- проведены экспериментальные исследования влияния деформации на параметры МДП-структур, подтв ердившие возможность их использования в качестве ТЧЭ;

- на основе созданной методики и проведенных исследований разработан новый полупроводниковый ТЧЭ, содержащий на поверхности монокристалла кремния n-типа проводимости диэлектрический слой двуокиси кремния, а также изолированный электрод, что позволяет повысить чувствительность и точность определения параметров НДС материалов и изделий;

- разработан интегральный тензопреобразователь, который, в отличие от известных тензорезисторных ПИП, является прибором с двойным управлением. Двойное управление выходным сигналом, осуществляемое как за счет деформации полупроводникового кристалла, так и изменения потенциалов на изолированных электродах МДП-структуры, позволяет повысить точность балансировки и упростить процедуру настройки тензопреобразователя;

- разработана микропроцессорная система НК НДС материалов и изделий, включающая в свой состав ТЧЭ на основе МДП-структуры и позволяющая проводить компенсацию разбаланса тензосхем в автоматическом режиме.

Практическая ценность работы заключается в том, что на основе созданной методики и проведенных исследований разработаны конструкции интегральных тензопреобразователей и микропроцессорная система НК НДС материалов, применение которых позволяет повысить точность измерений и достоверность мониторинга прочностных характеристик изделий. Используемые при их создании оригинальные технические решения признаны изобретением, подтвержденны м положительным решением о выдаче патента РФ на изобретение.

Результаты работы приняты к использованию на ОАО «Тамбовский завод «Электроприбор», ОАО «Тамбовский завод «Ревтруд», а также в учебном процессе ТГТУ.

Апробация работы. Основные научные и практические результаты исследований по теме диссертации докладывались на II, III, IV Международных научно-практических конференциях «Исследование, разработка и применение высоких технологий в промышленности» (Санкт-Петербург, 2006–2007 гг.); Международной научно-технической конференции «Проблемы автоматизации и управления в технических системах – 2007» (Пенза, 2007 г.); III Международной научно-практической конференции «Составляющие научно-технического прогресса» (Тамбов, 2007 г.); III Международной научно-практической конференции «Глобальный научный потенциал» (Тамбов, 2007 г.); II Международной научно-практической конференции «Наука и устойчивое развитие общества. Наследие В.И. Вернадского» (Тамбов, 2007 г.); Шестой Международной теплофизической школе «Теплофизика в энергосбережении и управлении качеством» (Тамбов, 2007 г.).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 15 печатных работ, из которых 4 статьи в ведущих рецензируемых научных журналах, 1 положительное решение о выдаче патента РФ на изобретение.

Личный вклад автора. В работах, опубликованных в соавторстве, при непосредственном участии автора были получены основные теоретические и экспериментальны е результаты, предложена математическая модель процессов, происходящих в ТЧЭ при деформации. Предложено алгоритмическое, технологическое и конструкторское обеспечение разработки и изготовления полупроводниковых ТЧЭ и тензопреобразователей. Разработана структурная схема микропроцессорной системы.

Объем и структура работы. Диссертация содержит введение, 4 главы, заключение, список используемых источников и приложения, изложенные на 131 странице машинописного текста, 38 рисунках, 8 таблицах.

Автор выражает благодарность кандидату технических наук, доценту кафедры «Материалы и технология» ТГТУ А.П. Королеву за активную консультационную помощь при решении теоретических и экспериментальных вопросов диссертации.

СОДЕРЖАНИЕ ДИССЕРТАЦИИ Во введении обоснована актуальность темы диссертации, сформулированы цель и задачи работы, изложены основные положения, выносимые на защиту, научная новизна и практическая значимость диссертации.

В первой главе проведен обзор и анализ существующих систем контроля напряженно-деформиров анного состояния материалов и изделий, тензометрических устройств для измерения деформаций, перемещений, давлений и т.п. Отмечено, что используемые в их составе в качестве тензочувствительных элементов проволочные и фольговые тензорезисторы обладают рядом серьезных недостатков, таких как невысокая чувств ительность, относительно большие массогабаритны е характеристики, слабый выходной сигнал.

Проведенный срав нительный анализ показал, что наиболее перспективным, с точки зрения улучшения метрологических характеристик систем контроля, является направление разработки и создания ТЧЭ и тензопреобразователей на основе полупроводниковых монокристаллических материалов. Полупроводниковые ТЧЭ имеют значительно большую тензочувствительность и высокий уровень выходного сигнала измерительных схем, что позволяет упростить схемотехническую реализацию устройств.

Важнейшей особенностью полупроводниковых тензорезисторов является возможность изменения в широких пределах их электрофизических свойств, что принципиально не осуществимо в проволочных и фольговых.

При их производств е применима высокопроизводительная микроэлектронная технология.

Однако серийно выпускаемы е полупроводниковые тензорезисторы и тензопреобразов атели имеют низкую точность, узкий рабочий диапазон и нестабильны е выходные характеристики, требуют сложной процедуры настройки при изготовлении.

В связи с этим целесообразна разработка полупроводниковых ТЧЭ и тензопреобразователей на основе прогрессивных конструкторско-технологических решений, позволяющих создавать полупроводниковые структуры с заданными метрологическими характеристиками: чувствительностью, уровнем выходного сигнала, линейностью выходной характеристики, что в целом приведет к расширению диапазона и повышению точности измерений.

В результате пров еденного анализа определены цель и задачи исследования.

Во второй главе проведены исследование и анализ влияния одноосной упругой деформации на основные параметры МДП-структур с целью выявления возможности их использования в качестве ТЧЭ и получения аналитических зависимостей этих параметров от деформации, которые использовались при построении математической модели.

Структура разрабатываемого ТЧЭ представляет собой МДП-резистор в монокристалле кремния n-типа проводимости, управляемый электрическим полем потенциала на изолированном электроде.

При деформации полупроводника происходит изменение расстояний между атомами, что приводит к изменению ширины запрещенной зоны.

В этом случае ширина запрещенной зоны может быть выражена следующим соотношением:

ЕG (X ) = EG (0) - X, (1) где EG (0) – ширина запрещенной зоны недеформированного полупроводника, эВ; – барический коэффициент, эВ/Па; X – механическое напряжение, Па.

Концентрация электронов проводимости, учитывающая изменение ширины запрещенной зоны при деформации, определяется по уравнению N ND D n0 = + + N NV exp- (EG (0) - X ), (2) C 2 2 kT где N – концентрация донорной примеси, м–3; N, NV – эффективные D С плотности состояний в зоне проводимости и валентной зоне соответств енно, м–3; k – постоянная Больцмана, эВ/К; T – температура, К.

Деформация вызывает изменение подвижности основных носителей заряда в структуре полупроводникового ТЧЭ. Для расчета полупроводниковых структур с произвольными уровнями легирования использовалось обобщенное соотношение для подвижности основных носителей заряда с учетом рассеяния на акустических фононах, рассеяния на ионизированных атомах примеси, механического напряжения и поперечного электрического поля:

2 2 QS + USD 0Si L0(1+ X C) -1 = -1 + i-1 +, (3) n l VS 8eh4C где l = ; (4) 3 / 2(X )m2 (kT) n - 64 2 (2kT)2 ln 12SikT, (5) Si i = 1+ 1 N e3m 2 eND D n здесь l – подвижность, определяемая рассеянием на акустических фононах; i – подвижность, связанная с рассеянием на ионах примеси; QS – пространственный заряд, Кл/м2; 0 – абсолютная диэлектрическая проницаемость вакуума, Ф/м; Si – относительная диэлектрическая проницаемость кремния; USD – разность потенциалов между входом и выходом ТЧЭ, В; L0 – длина канала до деформации, м; С – средний продольный модуль упругости полупроводника, Па; VS – максимальная скорость электронов, м/с; e – заряд электрона, Кл; h – постоянная Дирака, эВ·с; m – n эффективная масса электрона, кг.

Таким образом, проведенные исследования позволяют сделать следующие выводы:

- деформация оказывает влияние на электрофизические параметры предлагаемой полупроводниковой структуры, что говорит о возможности ее применения в качестве ТЧЭ;

- полученные зависимости являются основой для разработки математической модели физических процессов, происходящих в полупроводниковом ТЧЭ при деформации.

Pages:     || 2 | 3 |






© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»