WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

загрузка...
   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 | 3 | 4 | 5 |
РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК Ордена Ленина Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе _ УДК 538.958 на правах рукописи Кудинов Алексей Валерьевич ЭФФЕКТЫ АНИЗОТРОПИИ И МЕЖЧАСТИЧНЫЕ ОБМЕННЫЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОСТРУКТУРАХ А2В6 Специальность 01.04.07 – физика конденсированного состояния АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук Санкт-Петербург 2008 Работа выполнена в Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе РАН Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук, профессор Е.Л. Ивченко доктор физико-математических наук, профессор В.Д. Кулаковский доктор физико-математических наук, профессор Б.В. Новиков Ведущая организация:

Санкт-Петербургский Государственный Политехнический Университет Защита состоится «» 2008 г. в _ часов на заседании совета Д 002.205.01 по защите докторских и кандидатских диссертаций при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе РАН по адресу:

194021, Санкт-Петербург, ул. Политехническая, 26.

С диссертацией можно ознакомиться в научной библиотеке Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН.

Автореферат разослан «» 2008 г.

Ученый секретарь диссертационного совета, кандидат физико-математических наук А.А. Петров 2 ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ Актуальность темы. Спиновые явления в полупроводниках на протяжении нескольких десятилетий вызывают интерес исследователей. Помимо фундаментального аспекта, связанного с выявлением закономерностей спиновых и спин-зависимых явлений, этот интерес имеет и значительный прикладной аспект. Полупроводники и полупроводниковые наноструктуры играют важнейшую и все увеличивающуюся роль в жизни общества.

Совершенствование полупроводниковых микросхем, создание новых микро- и нанотехнологий немыслимы без детального понимания физических процессов, протекающих в полупроводниковых кристаллах под действием света, электрического тока, внешних полей. Беспрецедентно важную роль в изучении свойств полупроводников играла и играет оптическая спектроскопия.

Свет является во многих отношениях идеальным агентом, через посредство которого можно не только оказывать контролируемое воздействие на электронную подсистему полупроводника, но и выносить из кристалла информацию о происходящих в нем процессах. Хотя световая волна представляет собой векторное поле, во многих разновидностях оптической спектроскопии регистрируется лишь интенсивность световых колебаний в оптическом отклике кристалла, а информация об их направлении (о поляризации света) утрачивается. Полностью извлечь информацию, содержащуюся в оптическом отклике, позволяет лишь поляризационночувствительная оптическая спектроскопия. Здесь и проявляется важность спиновой физики – благодаря глубокой связи, существующей между спином, угловым моментом и поляризацией света.

Новый импульс исследованиям физики спина в полупроводниковых объектах придали в последнее десятилетие идеи спинтроники и квантового компьютера. В их основе лежит естественная аналогия между спином электрона, характеризующимся двумя возможными проекциями на ось квантования («вверх» и «вниз»), и битом информации, принимающим в классической постановке два значения («ноль» и «единица»). В действительности электрон подчиняется законам квантовой механики и может находиться не только в двух чистых состояниях «спин вверх» и «спин вниз», но и в бесконечно большом разнообразии смешанных (суперпозиционных) состояний. В развитие упомянутой выше аналогии ему сопоставляют квантовый бит информации, или кубит. Элементарные операции над кубитами лежат в основе квантовой логики и квантовых алгоритмов обработки данных.

Теоретически доказано, что при решении некоторых важных типов задач квантовые алгоритмы принципиально эффективнее классических.

Представляется очевидным, что для «приборной» реализации функциональных элементов электронных устройств, базирующихся на спиновых переменных, необходимо глубокое понимание физики спиновых явлений в твердом теле – подобно тому, как хорошее понимание физических основ кинетики носителей заряда в полупроводниковых гомо- и гетеропереходах, достигнутое в 60-е – 70-е годы XX века, привело к бурному развитию микро- и оптоэлектроники в 80-х – 90-х годах. При этом особенно важно, что интенсивно развивающаяся с начала 90-х годов нанотехнология полупроводников открыла возможность создавать объекты с управляемыми спиновыми свойствами. Такими объектами, в первую очередь, являются квантовые ямы (КЯ) и квантовые точки (КТ). Квантовые точки образно называют «искусственными атомами», и эта аналогия оказывается вполне оправданной в области спиновых свойств. При этом параметрами и тонкой структурой спектра в КТ можно управлять, меняя ее размеры и форму.

С учетом перспективы практического применения ключевую роль играют следующие аспекты спиновых свойств наноструктур: (а) возможность сохранения спиновой поляризации в течение достаточно долгого времени, (б) способы произвольного изменения (записи) и детектирования (считывания) спинового состояния частицы, (в) способы вовлечения двух или более частиц в спин-зависимые взаимодействия с контролируемыми параметрами.

Исследования, составившие основу настоящей диссертационной работы, в той или иной мере затрагивают все три перечисленные проблемы. В части (а) это спиновая релаксация, динамика спина в квантовых ямах и квантовых точках, в части (б) – оптическая ориентация спинов в наноструктурах, поляризованная люминесценция наноструктур, рассеяние света с переворотом электронного спина, в части (в) – магнитооптические проявления межчастичных обменных взаимодействий в наноструктурах.

Целью работы являлось исследование влияния структурной анизотропии и межчастичных обменных взаимодействий на спиновые свойства и оптический отклик полупроводниковых нанообъектов – квантовых ям и квантовых точек.

Научная новизна работы определяется последовательным применением средств поляризационной оптической спектроскопии, в том числе метода угловых гармоник поляризации, для изучения эффектов спиновой анизотропии и обменных взаимодействий в наноструктурах А2В6. Говоря об анизотропии, здесь мы в первую очередь подразумеваем анизотропию свойств дырочных и экситонных состояний в плоскости планарных полупроводниковых наноструктур. Найденные нами проявления этой анизотропии в спектрах поляризованной люминесценции, в излучении одиночных квантовых точек и в спектрах резонансного комбинационного рассеяния света многочисленных и довольно разнообразных образцов свидетельствуют о том, что анизотропия подобного рода органически присуща реальным современным наноструктурам – даже в тех случаях, когда номинально они выращиваются как изотропные.

Соответственно обнаруженные нами с применением различных магнитооптических методик эффекты анизотропии могут служить основой для дальнейшего исследования этого фундаментального явления, его причин, форм и механизмов, для характеризации образцов и т.п.

В части, касающейся магнитооптических проявлений межчастичных обменных взаимодействий в полупроводниковых квантовых ямах и квантовых точках, новизна обусловлена предельно выраженной ролью этих взаимодействий в наноструктурах А2В6. Большая сила электрон-дырочного обменного взаимодействия, характерная для полупроводников семейства А2В6, в совокупности с конфайнментом экситонов в наноструктурах и с эффектами анизотропии в плоскости слоя приводит к тому, что в ряде экспериментов реализуются режимы спиновой динамики, соответствующие теоретическому пределу сильного обменного взаимодействия. В одних случаях можно вести речь о сильном изотропном, в других – о сильном анизотропном обменном взаимодействии между электроном и дыркой.

Непосредственно научная новизна работы обеспечивается тем обстоятельством, что все ее основные результаты, перечисленные в конце автореферата, получены впервые.

Достоверность и надежность результатов обеспечивается тщательной проработкой инженерно-технического обеспечения экспериментов, проведением тестовых измерений, проверкой экспериментов на воспроизводимость, сопоставлением с результатами других авторов. Основные положения диссертации обоснованы экспериментально и теоретически.

Результаты исследований опубликованы в авторитетных реферируемых журналах и докладывались на различных семинарах, конференциях и симпозиумах. Некоторые ключевые результаты были воспроизведены в зарубежных лабораториях, в том числе с использованием наноструктур, не принадлежащих к семейству А2В6.

Практическая значимость работы заключается в том, что в ней получена новая информация о полупроводниковых наноструктурах, их оптических и магнитных свойствах, статических и динамических характеристиках.

Экспериментальные данные по оптической поляризационной спектроскопии квантовых ям и квантовых точек стимулировали теоретическую разработку проблемы влияния структурной анизотропии нанообъектов на их спиновые свойства. Это позволило выявить важные закономерности, установить механизмы ряда оптических и спин-зависимых явлений.

Научные выводы носят общий характер и не ограничиваются объектами, непосредственно исследованными в работе. Часть их относятся к классу наноструктур с полумагнитными слоями, другая часть – к еще более широкому классу полупроводниковых наноструктур. Результаты работы могут быть полезны для разработки оптических методов характеризации наноструктур.

Основная научная и практическая значимость работы заключается в фундаментальном характере исследованных явлений и установленных закономерностей.

Положения, выносимые на защиту.

I) Излучение одиночной однократно заряженной полупроводниковой квантовой точки (одиночного триона) частично линейно поляризовано в направлении, определяемом анизотропией этой квантовой точки в плоскости слоя наногетероструктуры. Во внешнем магнитном поле, параллельном плоскости слоя, спектральная линия одиночного триона расщепляется на квартет линий различной интенсивности. Излучение в каждой из четырех линий полностью линейно поляризовано, причем направления поляризации также определяются анизотропией квантовой точки и не зависят от направления магнитного поля.

II) Магнитное поле, приложенное в плоскости слоя квантовой ямы или структуры с квантовыми точками, индуцирует линейную поляризацию люминесценции системы. Поляризация содержит несколько вкладов, разделить которые позволяют зависимости степени поляризации от угла поворота кристалла в азимутальной плоскости. Для наноструктур, выращенных в направлении [001], характерны вклады, имеющие симметрию нулевой, второй и четвертой угловых гармоник. За каждым из этих вкладов стоит механизм, связанный с расщеплением и/или смешиванием состояний валентной зоны.

III) Промежуточными состояниями резонансного спин-флип комбинационного рассеяния света квантовой ямой могут быть как экситонные, так и трионные состояния. Механизм рассеяния для этих двух случаев существенно различается даже для реплик, имеющих одинаковые стоксов сдвиг и уширение. Наблюдается зависимость интенсивности рассеяния от ориентации осей кристалла. Факторами анизотропии интенсивности рассеяния являются, в зависимости от типа реплики и типа промежуточного состояния, энергетическое положение вовлеченных спиновых подуровней и паулиевская блокада в трионе при низкой температуре.

IV) В квантовых ямах CdTe/(Cd,Mn)Te наблюдается изменение интенсивности резонансного оптического отклика при дополнительном освещении светом с большой энергией квантов. Эффект наиболее выражен в спин-флип комбинационном рассеянии света, интенсивность которого может при подсветке меняться на порядок величины, причем (в зависимости от образца) как увеличиваться, так и уменьшаться. Действие подсветки обусловлено модуляцией нерадиационного однородного уширения экситонных состояний.

V) В условиях оптической ориентации экситонов в квантовой яме при сильном обменном взаимодействии между электроном и дыркой контур кривой деполяризации фотолюминесценции (эффекта Ханле) содержит две составляющие, которые можно отождествить с электронным и дырочным вкладами в поляризацию. Электронная компонента деполяризации имеет лоренцевскую форму, а ее ширина зависит от величины обменного взаимодействия, времени жизни и времени спиновой релаксации дырки.

VI) При оптической ориентации экситонов в анизотропных квантовых точках (001)-CdSe/ZnSe наблюдаются магнитооптические межполяризационные конверсии. Наиболее адекватное описание комплекса эффектов конверсии дает двухступенчатая модель, учитывающая спиновую эволюцию в короткоживущем возбужденном состоянии экситона. Оси удлинения квантовых точек в плоскости слоя тяготеют к направлениям типа {110}, в особенности к одному из них (направлению [110]).

VII) В образцах с наноструктурами A2B6 в обычных условиях низкотемпературного оптического эксперимента наблюдаются эффекты нагрева под лучом. Локальная температура внутри освещенного пятна превышает температуру гелиевой ванны (~ 2 K) и составляет при умеренных плотностях засветки ~ 5-7 K.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на ряде отечественных и международных конференций, в том числе на V, VI и VII Российских конференциях по физике полупроводников, 10-м и 13-м Международных симпозиумах «Наноструктуры: физика и технология», 26-й Международной конференции по физике полупроводников, 13-й Международной конференции по полупроводникам А2В6, XI Международном симпозиуме «Нанофизика и наноэлектроника», Международном симпозиуме «Свет и спин» памяти Б.П. Захарчени. Работы докладывались на семинарах различных лабораторий ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, а также в С.Петербургском государственном университете, университетах Бат (Великобритания) и Нотр-Дам (США). Цикл работ А.В. Кудинова и Ю.Г.

Кусраева «Наблюдение новых магнитооптических эффектов в наноструктурах методом экситонной спектроскопии» в 2003 г. был удостоен премии им. Я.И.

Френкеля, присуждаемой Ученым Советом ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН.

Публикации. Основные результаты диссертации отражены в 15 публикациях в отечественных и зарубежных изданиях [Д1–Д15].

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения. Объем диссертации составляет 256 страниц, включая 58 рисунков и список литературы из 214 наименований, в том числе работы автора.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ ДИССЕРТАЦИИ Введение Во введении изложена мотивировка к проведению данного исследования, включая обоснование его актуальности, научной и практической значимости результатов. Приведен список основных положений, выносимых на защиту.

Дана необходимая информация о первичных публикациях, результаты которых составили содержание диссертационной работы. Наконец, кратко обрисована структура диссертации.

Pages:     || 2 | 3 | 4 | 5 |






© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»