WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

загрузка...
   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

вой толщины составляла <1нм/мин. Для реактора МОГФЭ в диапазоне Acher, and P. Bove// Applied Physics Letters – 1989. V. 55 - P.1677 –1679.

температур 500600°С и давлении 100 мБар уточнено значение энергии 4. Crowe, T.W. Progress toward solid - state local oscillators at 1 THz/ T.W.

активации разложения адсорбированных молекул ТМГ в присутствии ар- Crowe, T.C. Grein, R. Zimmermann, and P. Zimmermann// IEEE Microwave сина (Еа=33 кКал/моль). and Guided Wave Letters – 1996. V.6 - P. 207 – 208.

5. Crowe, T.W. GaAs Schottky diodes for THz mixing applications/ T.W.

3. Впервые исследованы закономерности осаждения алюминия на GaAs Crowe, R.J. Mattauch, H.P. Roser, W.L. Bishop, W.C.B. Peatman, X. Liu//.

при пиролизе ТМАА и ДМЭАА в реакторе МОГФЭ пониженного давлеProceedings of the IEEE. – 1992. V.80 P. 1827 - 1841.

ния “in situ”. Определена структура, морфология и электрофизические 6. Sassen, S. Barrier height engineering on GaAs THz shottky diodes by means характеристики плёнок разной толщины. При температурах 150250°С of high – low doping, InGaAs - and InGaP – layers/ S. Sassen, B. Witzigmann, формируются чистые и гладкие плёнки алюминия. Значения удельного -C. Wolk, H. Brugger// IEEE Transaction on Electron Devices – 2000. V. 47 – сопротивления 68 мкОм·см и температурного коэффициента 3·10 Ом/°С P. 24 - 32.

близки к параметрам объёмного материала.

7. Schubert, E.F. Delta-doped ohmic contacts to n-GaAs/ E.F. Schubert, J.E.

4. Впервые методом МОГФЭ изготовлены эпитаксиальные стpуктуpы на Cunningham, W.T. Tsang, and T.H. Chiu// Applied Physics Letters - 1986.

основе GaAs с металлическим контактом Al. При оптимальных темпераV. 49 - P. 292-294.

турах осаждения алюминия 150200°С формируются барьеры Шоттки с высотой ~0,7 эВ и фактоpом неидеальности 1,021,06. За счёт Список работ автора по теме диссертации легирования кремнием пpиповеpхностного слоя GaAs можно управлять А 1. Дроздов, М.Н. Сверхвысокое разрешение при послойном оже-анализе эффективной высотой баpьеpа Шоттки в диапазоне 0,20,7 эВ. При высо13 -гетероструктур InGaAs/GaAs c глубоко залегающими квантовыми ямами/ кой поверхностной концентрации ~10 см получены невплавные омичеМ.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, Ю.Н. Дроздов, Д.В. Мастеров, О.И. Хрыские контакты к n-GaAs с контактным сопротивлением -5 кин, В.И. Шашкин// Письма в ЖТФ. – 1996. - Т.22. - Вып.18. - С.61-66.

<10 Ом·см.

А 2. Дроздов, М.Н. Субнанометровое разрешение по глубине при послой5. На основе структур Al-(In)GaAs-(Si)–GaAs с пониженной эффективной ном анализе с использованием скользящих Оже-электронов/ М.Н. Дрозвысотой барьера Шоттки изготовлены детекторные диоды, работающие дов, В.М. Данильцев, Ю.Н. Дроздов, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин без постоянного смещения. Применение таких диодов в детекторах мил//Письма в ЖТФ. - 2001. - Т.27. - Вып.5. – С. 59-66.

лиметрового диапазона обеспечивает низкий шум и высокую чувствиА 3. Дроздов, М.Н. Новый метод определения резкости гетеропереходов тельность приёма. При детектировании сигналов в диапазоне 80140 ГГц InGaAs/GaAs при послойном Оже–анализе/ М.Н. Дроздов, В.М. Данильполучены рекордные значения вольт-ваттной чувствительности цев, Ю.Н. Дроздов, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин// Письма в ЖТФ. – 2001. - -12 -1/=5000 В/Вт и пороговой мощности NEP=3·10 Вт·Гц.

Т.27. - Вып. 20. – С. 51-56.

А 4. Drozdov, Yu.N. Cross-Sectional AFM of GaAs-based Multilayer Heterostructure with Thin AlAs Marks /Yu.N. Drozdov, V.M.Danil’tsev, N.V.

15 Vostokov, G.L. Pakhomov, V.I. Shashkin //Physics of Low-Dimensional Struc- пpоцессе металлооpганической газофазной эпитаксии с использованием tures. – 2003. - Vol.3/4. - P. 49-54. тpиметиламиналана / В.М. Данильцев, С.А. Гусев, М.Н. Дpоздов, Ю.Н.

A 5. Данильцев, В.М. Применение АСМ для исследования режимов эпи- Дроздов, О.И. Хpыкин, В.И. Шашкин, Б.М. Булычев// Повеpхность.

таксиального роста гетероструктур AlGaAs / GaAs/ В.М. Данильцев, Н.В. РСНИ. –1996. №1. - С. 36-41.

Востоков, Д.М. Гапонова, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, Д.А. А 14. Востоков, Н.В. Формирование и исследование металлических наноПряхин, О.И. Хрыкин. В.И. Шашкин// Всероссийский Симпозиум «Нано- объектов Al на GaAs /Н.В.Востоков, В.М.Данильцев, Ю.Н. Дроздов, физика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 25 –29 марта, 2005, Мате- А.В.Мурель, О.И.Хрыкин, В.И.Шашкин //Поверхность. РСНИ. – 2000. - риалы Cимпозиумa. – C. 118-119. №11. - C.84-88.

A 6. Болдыревский, П.Б. Формирование селективных структур GaAs в А 15. Востоков, Н.В. Формирование нанокластеров Al и их заращивание процессе обработки анодных окисных пленок/ П.Б. Болдыревский, В.М. слоем GaAs в условиях металлоорганической газофазной эпитаксии /Н.В.

Данильцев, А.А. Краснов, В.А. Соловьев// Электронная техника - сер.6, Востоков, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, ”Материалы” - 1984. - вып.7 (192). – C. 76 – 78. В.И. Шашкин //Известия Академии Наук: Серия физическая – 2004. - A 7. Болдыревский, П.Б. Исследование процессов получения и термообра- Т. 68. – №1. - С.55-57.

ботки анодных окисных пленок на GaAs/ П.Б. Болдыревский, В.М. Да- A 16. Шашкин, В.И. Управление характером токопереноса в барьере нильцев, В.Н. Кванин, А.А. Краснов// 1 Всесоюзная конференция “Физика Шоттки с помощью – легирования: расчет и эксперимент для Al/GaAs/ окисных пленок”, Петразаводск, 24-25 февраля, 1982, Тезисы докладов. – В.И. Шашкин, А.В. Мурель, В.М. Данильцев, О.И. Хрыкин// Физика и С. 77-78. техника полупроводников – 2002. - Т. 36. Вып. 5, с. 537-542.

А 8. Данильцев, В.М. Применение метода брюстеровской рефлектометрии А 17. Востоков, Н.В. Изучение свойств структур с нанокластерами Al, внедля контроля состояния поверхности GaAs в MOCVD реакторе атмосфер- дренными в матрицу GaAs/ Н.В. Востоков, С.А. Гусев, В.М. Данильцев, ного давления/ В.М. Данильцев, А.Ю. Лукьянов, М.А. Новиков, О.И. Хры- М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.И. Корытин, А.В. Мурель, В.И. Шашкин// кин, В.И. Шашкин// Заводская лаборатория - 1995. - № 10. - С. 16 –19. Физика и техника полупроводников –2005. - Т.39. №1. - С.92-95.

А 18. Molodnyakov, S.P. Submicron Planar Schottky Diodes for Submillimeter А 9. Данильцев, В.М. Получение предельно резких профилей распределе- Wavelengths/ S.P. Molodnyakov, V.I. Shashkin, D.G. Paveliev, L.V. Sukhodoev, ния примесей в дельта - легированных слоях GaAs при металлоорганиче- V.M. Daniltsev, A.S. Molodnyakov// International Semiconductor Device Reской газофазной эпитаксии/ В.М. Данильцев, И.В. Ирин, А.В. Мурель, search Symposium, Charlottesville, USA, December 1-3, 1993. Proceedings. – В.И. Шашкин// Неорганические материалы – 1994. - Т. 30. №8. – P. 377-380.

С. 1026 - 1029. А 19. Шашкин, В.И. Разработка технологии встречно включённых торцевых диодов для терагерцовых умножителей частоты/ В.И. Шашкин, В.Л.

А 10. Алешкин, В.Я. Глубокие состояния в - легированном кремнием Вакс, Е.А. Вопилкин, В.М. Данильцев, А.Ю. Климов, М.И. Кузнецов, А.В.

GaAs. В.Я. Алешкин, В.М. Данильцев, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, В.И.

Мурель, В.В. Рогов, О.И. Хрыкин// 11-ая международная микроволновая Шашкин// Физика и техника полупроводников – 1998. - Т.32. - №6. – конференция "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии", СеваС. 733-738.

стополь, Крым, Украина, 10-14 сентября 2001. Материалы конференции. - А 11. Востоков, Н.В. Исследование структур со сдвоенными слоями InС. 430 - 431.

GaAs вблизи перехода через критическую толщину /Н.В.Востоков, А 20. Шашкин, В.И. Микроволновые детекторы на основе низкобарьерных Д.М.Гапонова, В.М.Данильцев, М.Н.Дроздов, Ю.Н.Дроздов, А.В.Мурель, планарных диодов Шоттки и их характеристики/ В.И.Шашкин, В.Л.Вакс, О.И.Хрыкин, В.И.Шашкин //Микросистемная техника. – 2001. - №12. - В.М.Данильцев, А.В.Масловский, А.В. Мурель, С.Д.Никифоров, О.И. ХрыC. 18-22.

кин, Ю.И. Чеченин// Известия вузов. Радиофизика – 2005. – Т. XLVIII. №6.

A 12. Шашкин, В.И. Управление эффективной высотой барьера в эпитак- С. 544 – 551.

сиальных структурах Al/ n-GaAs, изготовленных в едином цикле металлоорганической газофазной эпитаксии/ В.И. Шашкин, А.В. Мурель, Ю.Н.

Дроздов, В.М. Данильцев, О.И. Хрыкин// Микроэлектроника – 1997. - Т. 26. №1. – С. 57 –61.

А 13. Данильцев, В.М. Осаждение пленок алюминия на аpсенид галлия в 17 Данильцев Вячеслав Михайлович МЕТАЛЛООРГАНИЧЕСКАЯ ГАЗОФАЗНАЯ ЭПИТАКСИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ Al – In – Ga - As ДЛЯ ПРИБОРОВ МИЛЛИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА ДЛИН ВОЛН Автореферат Подписано к печати 13.11.2006 г. Тираж 100 экз.

Отпечатано на ризографе в Институте физики микроструктур РАН, 603950, г. Н. Новгород, ГСП-

Pages:     | 1 | 2 ||






© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»