WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

загрузка...
   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 | 3 |

На правах рукописи

ШЕСТАКОВ ДМИТРИЙ КОНСТАНТИНОВИЧ Процессы электронного обмена при рассеянии отрицательного иона водорода на наносистемах Специальность 01.04.04 – физическая электроника

АВТОРЕФЕРАТ

Диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Москва – 2008

Работа выполнена на физическом факультете Московского государственного университета имени М. В. Ломоносова Научные руководители:

доктор физико-математических наук, профессор Александров Андрей Федорович кандидат физико-математических наук Гайнуллин Иван Камилевич

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук, профессор Рудый Александр Степанович кандидат физико-математических наук, доцент Буханов Владимир Михайлович

Ведущая организация: Московский инженерно-физический институт

Защита диссертации состоится 18 декабря 2008г. в 15-00 часов на заседании диссертационного совета Д 501.001.66 в МГУ по адресу: 119991, ГСП-1, Москва, Ленинские горы, физический факультет, аудитория 5-19.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке физического факультета МГУ имени М.В. Ломоносова.

Автореферат разослан 11 ноября 2008 г.

Ученый секретарь диссертационного совета доктор физико-математических наук Ершов А.П.

2

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность работы В настоящее время нанообъекты (фуллерены, нанотрубки, нанопленки, атомные кластеры, цепочки атомов и т.п.) и композитные наноструктурированные материалы являются объектом растущего интереса для фундаментальной и прикладной науки, поскольку при переходе к наноразмерам происходят существенные изменения свойств материалов. Кроме того, при переходе к наноразмерам число атомов на поверхности становится соизмеримо с количеством атомов в объеме, поэтому роль поверхности как более активной составляющей существенно возрастает [1]. Под терминами “поверхность” или “межфазная граница” обычно понимают слой вещества конечной толщины, разделяющий различные объемные фазы. Толщина слоя, как правило, составляет несколько атомных слоев вещества.

Благодаря развитию нанотехнологий особое внимание уделяется исследованию процессов, происходящих при взаимодействии атомных и молекулярных частиц с поверхностью твердого тела. Такое внимание объясняется широким применением упомянутых процессов для разработки новых наноэлектронных устройств в информационных технологиях. При этом формирование зарядового состояния рассеянных или распыленных с поверхности частиц является предметом многих исследований. Это обусловлено тем, что зарядовое состояние отлетающей частицы содержит информацию как о составе и структуре, так и об электронных свойствах поверхности. Кроме того, процесс электронного обмена является определяющим для многих явлений, происходящих на поверхности при вторичной ионной эмиссии, рассеянии, десорбции, катализе, модификации поверхности [2-4].

При взаимодействии атомной частицы с металлической поверхностью важную роль играет резонансное туннелирование [5]. Если энергетические ограничения отсутствуют, то именно этот процесс доминирует в обмене зарядом, т. к. его вероятность велика по сравнению с нерезонансными переходами и Оже-процессами [6,7].

Для описания одноэлектронных процессов электронного обмена наиболее часто используется нестационарная модель Андерсона-Ньюнса [8], где задача определения зарядового состояния атомной частицы может быть решена аналитически в приближении широкой зоны; при этом предполагается, что плотность электронных состояний () и матричные элементы Vk в гамильтониане Андерсона-Ньюнса не зависят от энергии во всем бесконечном интервале энергий. Однако непосредственное вычисление заселенности атомного уровня с использованием аналитической формулы затруднительно ввиду наличия интегралов, не берущихся в квадратурах. Поэтому развиваются численные методы решения задачи.

На данный момент в литературе описано несколько методов определения положения и ширины атомного уровня (ширина уровня определяет эффективность электронного перехода). Исторически первым был предложен метод, использующий теорию возмущений. Он может применяться, если возмущения, создаваемые в атоме из-за присутствия поверхности твердого тела, малы по сравнению с потенциалом ионизации атома. Но это приближение не оправдано при малых расстояниях между атомом и поверхностью металла. Впоследствии были развиты методы, не использующие теорию возмущений. Один из них – метод Распространения Волновых Пакетов [9]. Суть метода заключается в прямом решении на пространственно-временной сетке нестационарного уравнения Шредингера для активного электрона, находящегося в поле атомного остова и металлической поверхности. Также метод может быть использован для двух различных ситуаций: статический случай, когда частица находится на фиксированном расстоянии от поверхности; динамический случай, когда частица приближается к поверхности с постоянной скоростью по классической траектории. В статическом случае мы можем получить характеристики атомного уровня - его энергию и ширину, а в динамическом случае можно прямо исследовать динамику процесса обмена зарядом, прослеживая эволюцию волнового пакета при движении атома над поверхностью.

В настоящее время большой интерес представляет изучение процессов зарядового обмена атомных частиц с наносистемами, и, в частности, с островковыми пленками, которые широко используются в микро - и нано-электронике. На текущий момент хорошо изучен обмен зарядом между атомной частицей и полубесконечным металлическим образцом (полупространство, заполненное металлом) [5]. Туннелируя вдоль нормали к поверхности (именно это направление энергетически выгодно) электрон атома неограниченно распространяется в глубину металла. При этом возможность обратного перехода электрона на атом практически отсутствует. Если ограничить движение электрона перпендикулярное поверхности, то характер электронного перехода существенно изменится [10,11]. Примером поверхностей с ограниченным движением электрона являются грань {111} монокристалла меди, а также, наносистемы – тонкие металлические пленки, островковые пленки на поверхности (их модель – тонкий металлический диск), нанотрубки и кластеры атомов. Электронный обмен атомных частиц с системами пониженной размерности (наносистемами) демонстрирует квантово размерный эффект, который появляется, когда линейные размеры системы становятся сравнимыми с длиной волны Де Бройля. Квантово-размерный эффект проявляется в сильном немонотонном влиянии размеров и конфигурации системы на процесс электронного обмена.

Другой важной особенностью зарядового обмена атомной частицы с поверхностью твердого тела является перезарядка при скользящем рассеянии. Суть проблемы состоит в том, что в этом случае, вследствие наличия параллельной поверхности составляющей скорости атомной частицы v|| изменяется электронная структура твердого тела в системе координат, связанной с частицей. Эффект “параллельной скорости” проявился в экспериментах по нейтрализации щелочных ионов, а также по формированию фракции ионов H при их скользящем рассеянии на поверхности металла [12,13]. Влияние v|| при рассеянии на наносистемах отличается от случая полубесконечного металлического образца и заведомо представляет интерес для исследований.

Цель диссертационной работы Целью настоящей работы является численное моделирование процессов электронного обмена отрицательного иона водорода с некоторыми перспективными для наноэлектроники системами (тонкий диск и кластер атомов алюминия) и выяснению условий, необходимых для проявления квантово-размерного эффекта.

На защиту выносятся следующие основные положения, определяющие научную новизну полученных в диссертации результатов.

- Результаты численного исследования электронного обмена между отрицательным ионом водорода и кластером атомов алюминия. Численные исследования, проведенные с помощью метода Распространения Волновых Пакетов, позволяют определить, что переход электрона из отрицательного иона водорода в кластер атомов алюминия в статическом случае характеризуется формированием дискретного распределения плотности волновой функции, содержащей максимумы по координатам (r, ).

- Квантово-размерный эффект при электронном обмене между отрицательным ионом H и кластером атомов Al выражается в немонотонном поведении эффективности электронного перехода при изменении радиуса кластера.

- В динамическом случае, в зависимости от скорости налетающей частицы при электронном обмене с атомной частицей, кластер атомов Al может вести себя как массивный образец или квантовая структура с дискретностью энергии по двум координатам.

- Эффект “параллельной скорости” при скользящем рассеянии отрицательного иона водорода на тонком диске и кластере атомов Al. Получена зависимость вероятности формирования отрицательных ионов от величины параллельной поверхности составляющей скорости. Вид рассчитанной зависимости имеет куполообразную форму, соответствующую экспериментальным данным для массивного образца. Абсолютная величина и положение максимума на кривой зависимости выхода ионов H определяется уровнем Ферми в рассматриваемой наносистеме.

Научная и практическая ценность В результате моделирования процессов электронного обмена были развиты численные методы, которые позволяют рассчитывать основные интегральные параметры, характеризующие процесс электронного обмена, от конфигурации и размеров наносистемы. Выявлены условия появления квантово-размерного эффекта. Также был исследован эффект “параллельной скорости” при скользящем рассеянии ионов водорода на островковой пленке и кластере атомов алюминия. Полученные результаты существенно расширяют представление о механизме электронного обмена с наносистемами и могут быть использованы для создания наноэлектронных приборов, имеющих в качестве активного элемента металлоорганическую гранулу сферической или дискообразной формы.

Апробация работы По теме диссертации опубликовано 5 печатных работ, 2 из которых – в центральных реферируемых журналах. Основные результаты диссертационных исследований были доложены на следующих конференциях:

- Международная конференции по атомным столкновениям в твердых телах “ICACS-2006” (Германия, Берлин, 2006).

- Международная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых “Ломоносов” (Россия, Москва, 2008).

- Международная конференции по атомным столкновениям в твердых телах “ICACS-2008” (Южная Африка, Фалаборва, 2008).

Структура и объем работы Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения. Работа содержит страниц текста, включая 25 рисунков. Список литературы включает 105 наименований.

Личный вклад автора Определение цели работы и постановка задач осуществлены автором совместно с д.ф.-м.н., профессором Уразгильдиным И.Ф. Проведение конкретных расчетов, численное моделирование, анализ результатов и выводы сделаны автором самостоятельно. Ряд результатов, вошедших в диссертацию, получены в соавторстве c к.ф.-м.н., Гайнуллиным И.К. и Магуновым А.А., которым автор благодарен за плодотворное сотрудничество.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Введение Во введении дана общая характеристика работы. Обоснована актуальность темы;

сформулирована цель и определены задачи исследования; кратко изложена научная новизна и практическая ценность работы; описана структура и объем диссертации.

Глава Первая глава представляет собой литературный обзор по теме диссертации. В первой части главы рассматриваются основные процессы зарядового обмена между атомной частицей и поверхностью твердого тела. Приводятся основные характеристики этого процесса. Дается описание нестационарной модели Андерсона-Ньюнса, часто используемой при рассмотрении одноэлектронных процессов. Указывается способ задания матричных элементов и приводится аналитическое решение в приближении широкой зоны. При скользящем рассеянии атомной частицы на поверхности металла рассматривается влияние на процесс перезарядки наличия у частицы параллельной поверхности компоненты скорости.

Вторая часть главы посвящена описанию модели электронной структуры металла, отрицательного иона водорода, тонкого металлического диска и шарового кластера атомов алюминия.

Глава Вторая глава посвящена описанию применяемых численных методов для расчета основных характеристик процесса зарядового обмена с наносистемами.

Для исследования статического и динамического случая применяется метод Распространения Волновых пакетов (РВП). Предполагается, что эволюция волнового пакета происходит под действием потенциала, который является суперпозицией потенциалов атомного остова Ve- H и поверхности наносистемы Ve-Surf. Зависящая от времени электронная волновая функция (r,t), является решением нестационарного уравнения Шредингера (r,t) i = [T +Ve-H +Ve-Surf + VSurf ](r,t), (1) t где Ve- H - потенциал взаимодействия электрона с атомным остовом, Ve-Surf – потенциал взаимодействия электрона с поверхностью наносистемы, а VSurf – потенциал сил изображения; T – кинетическая энергия электрона. Начальная электронная волновая функция (r,0) берется равной a (r) - собственной функции потенциала атомного остова. При расчетах используется атомная система единиц ( me = e = h = 1; 1 aт. ед.

расстояния = 5.292 10-11 м, 1 aт. ед. времени = 2.419 10-17 с, 1 aт. ед. скорости = 2.188 106 м/с). Процесс распространения волновой функции электрона с течением времени описывается посредством оператора эволюции U (t) (r,t + t) = U (t)(r,t) (2) % U (t) = exp(-iHt), % здесь H – гамильтониан системы.

В статическом случае (фиксированное расстояние между ионом и поверхностью) гамильтониан не зависит от времени. В динамическом случае он становится зависимым от времени через временную зависимость потенциалов (рассматривается случай движения иона по классической траектории над поверхностью).

Таким образом, метод Распространения Волновых Пакетов позволяет наблюдать эволюцию волновой функции (r,t). Используя ее, можно получить электронную автокорреляционную функцию:

A(t) = a (r,t), (3) которая может быть использована для получения резонансных характеристик перезарядки: положение энергетического уровня E и его ширины Г.

Pages:     || 2 | 3 |






© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»