WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

загрузка...
   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 |   ...   | 2 | 3 ||

Так же моделирование показало, что при увеличении длительности импульса в диапазоне от до 250 мкс (плотность энергии 5 Дж/см2) максимальные значения переключающего Epyr значительно уменьшаются как вдали от границ, так и на Рис. 16. Максимальные зна- краю покрытия (Рис. 16). Было показано, что при чения Epyr вдали от границ увеличении длительности импульса тепло успевает (пунктир) и на краю покрытия более однородно перераспределиться в объеме и (сплошная линия).

после окончания импульса образуются меньшие температурные градиенты.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ РАБОТЫ В результате изучения нано-доменных структур в монокристаллах ниобата лития могут быть сделаны следующие основные выводы:

1. Обнаружен эффект перестройки доменной структуры в сегнетоэлектрике, индуцированный селективным химическим травлением на примере MgO:SLT.

Предложен оригинальный метод исследования, позволяющий извлекать детальную информацию об эволюции доменной структуры с нанометрическим пространственным разрешением из измеренного рельефа травления.

2. Сформулирован новый подход к описанию формы изолированного домена при неэффективном экранировании деполяризующих полей и эволюции формы при слиянии нескольких изолированных доменов, в рамках которого удалось объяснить все известные формы доменов и существование стенок с аномальной ориентацией.

3. Показано, что переключение поляризации в результате облучения LN импульсным лазерным ИК излучением происходит под действием пироэлектрического поля во время охлаждения. Получено объяснение наблюдаемых краевых эффектов при неоднородном облучении.

4. Предложена модель электростатического взаимодействия цепей нанодоменов, растущих при облучении поверхности образца лазерным излучением с учетом эффекта коррелированного зародышеобразования, которая позволила объяснить кинетику формирования нано-доменных структур, наблюдаемых после облучения.

5. Изученный механизм создания нано-доменных структур с заданной геометрией, под действием пироэлектрического поля в результате воздействия импульса лазерного облучения открывает возможности для развития методов нано-доменной инженерии в сегнетоэлектриках.

ЦИТИРУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА 1 В. Я. Шур, Доменная структура одноосных сегнетоэлектриков и процессы экранирования: Дис. док.физ.-мат. наук., УрГУ, Свердловск, 1990.

2 G. Rosenman, A. Skliar, A. Arie, Ferroelectrics Review, 1999, V. 1, pр. 263-326.

3 V.Ya. Shur, Fast Polarization Reversal Process: Evolution of Ferroelectric Domain Structure in Thin Films // Ferroelectric thin films: synthesis and basic properties. - NY:

Gordon&Breach, 1996. - Ch.6. - рр. 153 - 192.

4 V.Ya. Shur, in Nucleation Theory and Applications (WILEY-VCH, Berlin-Weinheim, 2004), Ch.6, 226.

5 K. Kitamura, Y. Furukawa, K. Niwa, V. Gopalan, T. Mitchell, Appl. Phys. Lett. 73, (1998).

6 X. Zhang, D. Xue, K. Kitamura, Materials science & engineering. B, V. 120, pp. 21-(2005) 7 K. Nassau, M.E. Lines, J. Appl. Phys., 1970, V.41, p.533.

8 V. Zhdanova, V. Klyuev, V.V. Lemanov, I.A. Smirnov, V.V. Tikhonov, Sov. Phys. Solid State, 1968, V.10, p.1360.

9 T. Bartholomaus, K. Buse, C. Deuper, E. Kratzig, Phys. Stat. Sol. (a), 1994, V.K55, p.142.

10 В.П. Исаченко, В.А. Осипова, А.С. Сукомел, Теплопередача, 1975, изд. “Энергия”, Москва.

11 C.C. Battle, S. Kim, V. Gopalan, K. Barkocy, M.C. Gupta, Q. X. Jia, T. E. Mitchell, Appl.

Phys. Lett., 2000, V.76, p.2436.

12 H. Ishizuki, I. Shoji, T. Taira, Appl. Phys. Lett., 2003, V.82, p.4062.

СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

1. V.Ya. Shur, A.I. Lobov, A.G. Shur, S. Kurimura, Y. Nomura, K. Terabe, X.Y. Liu, and K.

Kitamura, Appl. Phys. Lett., 2005, V.87, N.2, p.022905.

2. V.Ya. Shur, D.K. Kuznetsov, A.I. Lobov, E.V. Nikolaeva, M.A. Dolbilov, A.N. Orlov, and V.V. Osipov, Ferroelectrics, 2006, V.341, pp.85-93.

3. A.I. Lobov, V.Ya. Shur, I.S. Baturin, E.I. Shishkin, D.K. Kuznetsov, A.G. Shur, M.A. Dolbilov, and K. Gallo, Ferroelectrics, 2006, V.341, pp.109-116.

4. V.Ya. Shur, A.I. Lobov, A.G. Shur, E.L. Rumyantsev, and K. Gallo, Ferroelectrics, 2007, V.360, pp.111-119.

5. V.Ya. Shur, E.L. Rumyantsev, A.G. Shur, A.I. Lobov, D.K. Kuznetsov, E.I. Shishkin, E.V.

Nikolaeva, M.A. Dolbilov, P.S. Zelenovskiy, K. Gallo, and M.P. De Micheli, Ferroelectrics, 2007, V.354, pp.145-157.

6. В.Я. Шур, Д.К. Кузнецов, А.И. Лобов, Е.И. Шишкин, П.С. Зеленовский, В.В. Осипов, М.Г. Иванов, А.Н. Орлов, В.В. Платонов, Известия РАН серия физическая, 2008, 72, №2, С.198-200.

7. В.Я. Шур, Д.К. Кузнецов, А.И. Лобов, Д.В. Пелегов, Е.В. Пелегова, В.В. Осипов, М.Г. Иванов, А.Н. Орлов, ФТТ, 2008, 50, №4, С.689-695.

Подписано в печать Формат 6084/Печать офсетная. Бумага типографская.

Заказ Усл. печ.л. Тираж Уральский государственный университет 620000, г. Екатеринбург, К-83, Ленина, Типолаборатория УрГУ

Pages:     | 1 |   ...   | 2 | 3 ||






© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»