WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

загрузка...
   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 | 3 | 4 |
РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК СИБИРСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ ИНСТИТУТ СИЛЬНОТОЧНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

На правах рукописи

Соловьев Андрей Александрович УСТРОЙСТВА СО СКРЕЩЕННЫМИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИМ И МАГНИТНЫМ ПОЛЯМИ ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ПОКРЫТИЙ НА ПОДЛОЖКИ БОЛЬШОЙ ПЛОЩАДИ.

05.27.02 - Вакуумная и плазменная электроника

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

Томск-2007

Работа выполнена в Институте сильноточной электроники СО РАН

Общая характеристика работы

Научный консультант: кандидат физико-математических наук Актуальность темы Н.С. Сочугов Проблема нанесения тонкопленочных покрытий, в которой переплетаются научные аспекты, относящиеся к физике, химии, механике является едва ли не самой обширной среди современных актуальных

Официальные оппоненты: доктор технических наук Н.Н. Коваль направлений технологии и материаловедения. Хорошим примером важности (Институт сильноточной электроники применения тонкопленочных покрытий являются полупроводниковая и СО РАН, г. Томск) оптическая промышленности. Высокие темпы развития этих наукоемких отраслей промышленности требуют непрерывного повышения качества, и доктор физико-математических наук, эксплуатационных свойств покрытий. Реализация этих требований напрямую профессор В.П. Кривобоков зависит от достижений в конструировании оборудования и совершенствования (НИИ ядерной физики при Томском технологий получения тонких пленок.

Политехническом Университете, г. Томск) В настоящее время наиболее перспективными методами нанесения покрытий являются вакуумные ионно-плазменные методы. Это обусловлено их экологической безопасностью, высокой чистотой технологических процессов и качеством продукции. Также известно, что в ионизованном или возбужденном

Ведущая организация: Институт Электрофизики РАН, г. Екатеринбург состоянии атомы и молекулы легче взаимодействуют друг с другом, делая процесс нанесения покрытий более эффективным.

Проблемой существующих методов нанесения покрытий является либо

Защита состоится: “ “ 2007г. в час. на заседании высокая стоимость оборудования и небольшие скорости осаждения покрытий диссертационного совета Д.003.41.01. в Институте сильноточной электроники как в случае ВЧ или СВЧ разрядов, плохая однородность наносимых покрытий, СО РАН по адресу: 634055, г. Томск, пр. Академический, 2/3 как при использовании дугового распыления либо небольшие площади обрабатываемых поверхностей как при лазерной абляции, либо низкая адгезия,

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института сильноточной как при термическом испарении. Пожалуй, только магнетронное распыление в электроники СО РАН какой-то степени лишено этих недостатков, поскольку использующийся в нем дрейфовый ток электронов в скрещенных электрическом и магнитном полях дает возможность получать протяженные потоки достаточно плотной плазмы с Автореферат разослан “ “ 2007г. контролируемыми в широком диапазоне характеристиками. Магнетронные распылительные системы были изобретены еще в 70-х годах прошлого столетия, Отзывы на автореферат в одном экземпляре, заверенные ученым секретарем и однако их конструкции совершенствуются до сих пор. Имеется ряд проблем, скрепленные гербовой печатью, прошу присылать по адресу: 634055, г. Томск, касающихся коэффициента использования мишени, однородности наносимых пр. Академический, 2/3, ИСЭ СО РАН. покрытий, плотности плазмы и т.д., которые остаются не решенными полностью.

Помимо магнетронов существуют другие устройства, в которых

Ученый секретарь используется дрейф электронов в скрещенных ЕВ полях. Это ионные диссертационного совета источники с анодным слоем. В технологии нанесения тонких пленок они нашли доктор физико-математических наук применение для очистки поверхности подложек, травления, ионного профессор Д.И. Проскуровский ассистирования. Известны данные, что эти устройства могут также использоваться непосредственно для нанесения покрытий. Однако в настоящее время данная область не является всесторонне изученной, о чем говорит небольшое количество публикаций по данной теме. Поэтому необходимо более Цель работы:

подробно исследовать возможности ионных источников с анодным слоем Повышение эффективности технологических устройств со скрещенными применительно для осаждения покрытий. электрическим и магнитным полями для промышленного нанесения Примером тонких пленок, для нанесения которых могут использоваться перспективных тонкопленочных покрытий на подложки большой площади и вышеуказанные устройства, являются твердые аморфные углеродные покрытия исследование технологий с их использованием.

и ультратонкие пленки серебра. Этот выбор не случаен, поскольку данные Для достижения этой цели в работе поставлены следующие задачи:

пленки обладают уникальными свойствами и вызывают непрекращающийся 1) Исследовать протяженную магнетронную распылительную систему с интерес к ним со стороны исследователей. цилиндрическим вращающимся катодом с точки зрения однородности Аморфные углеродные пленки обладают высокой твердостью и нанесения покрытий, коэффициента использования материала катода, износостойкостью, низким коэффициентом трения, диэлектрическими параметров создаваемой плазмы и стабильности работы в режимах с свойствами, химической инертностью, оптической прозрачностью, реактивными газами. На основе анализа полученных данных предложить биологической совместимостью и гладкостью поверхности. Тем не менее, для конструктивные изменения, позволяющие улучшить работу магнетрона по более эффективного использования этих пленок в промышленности необходимо указанным показателям.

снижать стоимость их производства за счет повышения производительности 2) Сравнить характеристики твердых аморфных углеродных пленок, оборудования, использующегося для их нанесения и более совершенных наносимых методом импульсного сбалансированного и несбалансированного технологий их производства. Для нанесения твердых аморфных углеродных магнетронного распыления с использованием усовершенствованной покрытий предлагается использовать комбинирование импульсного и конструкции цилиндрического магнетрона с вращающимся катодом.

несбалансированного магнетронного распыления, достоинства которых при 3) Разработать конструкцию ионного источника с анодным слоем и использовании по отдельности хорошо известны. Для получения исследовать процесс нанесения с его помощью аморфных углеводородных углеводородных покрытий с умеренной твердостью (~ 10 ГПа) предлагается пленок на подложки большой площади Найти оптимальные для получения использовать осаждение их из плазмы углеводородного газа, генерируемой с покрытий режимы работы ионного источника.

помощью ионного источника с анодным слоем. 4) Исследовать влияние модификации поверхности подложки и Ультратонкие пленки серебра обычно входят в состав многослойных параметров ионно-плазменных потоков на механизм роста и свойства пленочных структур. В качестве примера их практического применения можно ультратонких пленок серебра, наносимых магнетронным распылением.

привести низкоэмиссионные покрытия на архитектурных стеклах. В этом и 5) На основе разработанных конструкций устройств со скрещенными других приложениях необходимы пленки с заданными структурными, электрическим и магнитным полями, а также исследованных технологий электрическими, оптическими и иными характеристиками, достижение которых нанесения твердых углеродных и углеводородных покрытий создать вакуумную требует глубокого понимания процессов их нуклеации и роста. Поэтому технологическую установку для нанесения пленок на подложки большой существует необходимость углубления понимания связей между параметрами площади.

ионно-плазменного воздействия и свойствами пленок, что является необходимым шагом на пути создания покрытий с новыми функциональными Научная новизна работы:

свойствами. Основные результаты работы относятся к категории полученных Широкое использование твердых углеродных и углеводородных впервые:

покрытий в промышленности обуславливает необходимость разработки 1. Впервые предложен способ модификации магнитной системы высокотехнологичной установки для их нанесения. Такая установка должна магнетронного распылительного устройства, позволяющий за счет увеличения отвечать современным требованиям по производительности, что может быть на 10-15 % магнитного поля на концевых участках длиной 10-12 см магнитной достигнуто за счет использования усовершенствованных конструкций устройств системы и включения дополнительного магнита в ее поворотную часть для с замкнутым дрейфом электронов и технологий, разработанных на базе этих увеличения радиуса кривизны линий магнитного поля над поворотной частью приборов. эрозионной канавки расширить область нанесения покрытий с однородностью ± 1 % и устранить ускоренную эрозию на концах катода.

2. Впервые разработана магнетронная распылительная система, в которой цилиндрическими магнетронами с вращающимся катодом. Простота реализации несбалансированная конфигурация магнитного поля реализуется за счет данных способов позволяет использовать их и в магнетронах с плоскими использования замкнутого контура дополнительных постоянных магнитов, прямоугольными катодами, которые также широко используются в расположенных в пространстве между магнетроном и подложкой. Это промышленности.

устройство позволяет в 3-6 раз увеличить отношение потока ионов к потоку 2. Создано оборудование и в лабораторном масштабе реализована осаждаемых атомов и плотность плазмы в области подложки по сравнению с малоисследованная технология нанесения аморфных углеводородных покрытий обычным сбалансированным магнетроном. с помощью ионного пучка, создаваемого ионным источником с анодным слоем.

3. Исследован процесс нанесения аморфных а-С:Н пленок с помощью Конструкция ионного источника позволяет масштабировать данную технологию протяженного ионного источника с анодным слоем на диэлектрические и на подложки большой площади.

легкоплавкие подложки. Определены оптимальные режимы работы ионного 3. Создано оборудование и в лабораторном масштабе впервые источника с точки зрения формирования покрытий. Полученные пленки при реализована технология нанесения аморфных углеродных покрытий методом низких коэффициенте трения (0.05), скорости износа (0.001 мкм3м-1Н-1) и импульсного несбалансированного магнетронного распыления, совмещенного с шероховатости поверхности (~ 0.13 нм) имели твердость 11 ГПа и хорошую подачей импульсного потенциала смещения на обрабатываемую подложку.

адгезию к подложке. По трибологическим свойствам такие пленки не уступают Конструкция несбалансированного магнетрона позволяет масштабировать покрытиям, полученным другими PACVD методами, однако преимуществом данную технологию на подложки большой площади.

исследованного метода является возможность наносить их на подложки 4. Показано, что использование импульсного магнетронного распыления большой площади. и предварительной имплантации поверхности подложки ионами титана 4. Исследован процесс нанесения а-С пленок методом импульсного позволяет повысить качество ультратонких пленок серебра. Это может быть магнетронного распыления графита, отличающегося тем, что использовалось использовано для улучшения характеристик многослойных низкоэмиссионных несбалансированная конструкция магнетрона. Пленки с наилучшими покрытий с серебряным функциональным слоем.

характеристиками и твердостью 26 ГПа были получены при использовании 5. На базе проведенных исследований создана вакуумная низковольтного высокочастотного напряжения смещения подложки. Показано, технологическая установка для нанесения твердых углеродных и что чередование углеродных нанослоев с разной твердостью, получаемых углеводородных покрытий на подложки большой площади в посредством изменения амплитуды импульсов напряжения смещения подложки, полупромышленном масштабе. Установка оснащена усовершенствованными позволяет вырастить толстые пленки толщиной > 1 мкм. Исследованный метод конструкциями магнетронных распылительных систем и ионных источников с дает возможность получать пленки с твердостью, уступающей только твердости анодным слоем, современными источниками питания с дугогашением и покрытий наносимых методом вакуумного дугового распыления, но в отличие автоматизированной системой откачки.

от последнего позволяет обрабатывать подложки большой площади.

5. Впервые показано, что импульсное магнетронное распыление Положения, выносимые на защиту:

позволяет вдвое уменьшить толщину образования сплошной пленки серебра, 1. Расширение области нанесения покрытий с однородностью ± 1 % и увеличить плотность ее структуры и значительно уменьшить шероховатость устранение ускоренной эрозии на поворотных частях зоны распыления в поверхности, по сравнению с пленками серебра, получаемыми на постоянном магнетронных распылительных устройствах с цилиндрическим вращающимся токе. катодом достигается с помощью магнитной системы с увеличенным на ее 6. Впервые показано, что предварительная ионная имплантация концевых участках магнитным полем и имеющей на поворотной части поверхности подложки ионами титана с дозой порядка 1014 ион/см2 дает дополнительный магнит для увеличения радиуса кривизны силовых линий возможность существенно снизить деградацию ультратонких пленок серебра, магнитного поля над поворотной частью зоны распыления.

находящихся длительное время на открытом воздухе. 2. Использование замкнутого контура из постоянных магнитов, расположенных в пространстве между магнетронным распылительным Практическая значимость работы: устройством и подложкой, и имеющих полярность, обратную полярности 1. Предложены и реализованы способы повышения эффективности внешних магнитов магнитной системы магнетрона, позволяет реализовать нанесения покрытий на подложки большой площади протяженными несбалансированную конфигурацию магнитного поля и тем самым увеличить отношение потока ионов к потоку атомов и концентрацию плазмы в области Основное содержание работы

:

подложки в 3-6 раз по сравнению с магнетроном без дополнительных магнитов. Во введении кратко обоснована актуальность работы, сформулирована 3. Импульсное несбалансированное магнетронное распыление графита цель, основные решаемые задачи и научно-практическая значимость совместно с подачей на подложку низковольтных импульсов высокочастотного полученных результатов. Перечислены положения, выносимые на защиту. Дано напряжения смещения позволяет формировать твердые (26 ГПа) аморфные краткое содержание работы.

Pages:     || 2 | 3 | 4 |






© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»