WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

загрузка...
   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 |   ...   | 3 | 4 || 6 |

Адекватность моделейдля этапа поискового проектированиядоказывается совпадением результатовсинтеза (интегральный микромеханическийтензорезисторный акселерометр-клинометр,совмещенный волоконно-оптический датчикдавления и температуры) с ФПД известныхтехнических устройств (Semiconductor acceleration sensorавтора Nishimura Hitoshi и Self-excitation in fibre-optic microresonatorsensors авторов N. A. D. Stokes, R. M. A. Fatah and S. Venkatesh,соответственно).

Для этапа эскизногопроектирования адекватность модели деформацииплоской мембраны для разных вариантов еенагрузки устанавливается на основесравнения результатов ее расчета сиспользованием разработанных моделей срезультатами применения классическихметодоврасчета:

  • определена погрешность расчетаплоской мембраны, нагруженнойсосредоточенной в центре силой, на основеразработанной модели линии сраспределенными параметрами по сравнениюс классическим методом расчета длинныхлиний (рис. 14);
  • определена погрешность расчета плоскоймембраны из изотропного материала поддавлением на основе разработанной моделиидеальной упругой линии сраспределенными параметрами ираспределенными величинами по сравнению срезультатами расчета на основеклассического метода (рис. 15).

Для проведениявычислительного эксперимента былоразработано алгоритмическое и программноеобеспечение.

Рис. 14. Графикзависимости выходной величины U вых от коэффициента

Рис. 15. Графикидеформаций плоской
мембраны

По результатамвычислительного эксперимента погрешность расчета является приемлемой наранних стадиях проектирования (до 30%).

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫРАБОТЫ И ВЫВОДЫ.

Главным итогомдиссертационной работы является решениекомплексной научно-технической проблемыпоискового проектирования ЧЭД на основетеоретических положений моделирования ихФПД, инвариантного к физической природе истепени детализации процессов,протекающих в ТУст, позволяющегоалгоритмизировать процесс поиска новыхтехнических решений. При решении даннойпроблемы получены следующие основныерезультаты:

  1. Создана концепция моделированияФПД ЧЭД на основефрактального подхода к описанию явлений и процессов,позволяющая повыситькачество и эффективность их проектирования засчет расширения области синтезируемыхрешений, повышения точности вычислениякритериев выбора и сокращения объемамакетирования и натурных испытаний припроектировании.
  2. На основе развития общей теории ЧЭсоздана концептуальная модельпреобразователей информации дляформализованного описания явлений ипроцессов различной физической природы,отличительной особенностью которойявляется инвариантность к степени ихдетализации, что позволило разработатьэффективную структуру базы данных,алгоритмы для машинного синтеза новыхтехнических решений и расчета их выходныхпараметров, а также модели конкретныхпреобразователей.
  3. Получены новые расчетныесоотношения для определения критериевкачества, отождествляемых с эксплуатационнымихарактеристиками, для элементарныхтиповых соединений звеньев, используемые вэффективном универсальном рекурсивномалгоритме расчета выходных параметровпреобразователя.
  4. Разработан новый комплексный методфрактальной интерпретации ФПД датчиков иих элементов на основе анализаретроспективной и текущей информации,который позволил создать модели плоскоймембраны и ВОД ФМ давления на основефрактального подхода
  5. Разработана универсальная модельплоской мембраны, учитывающая различныевиды нагрузки и анизотропность свойствматериала, на основе которой созданоалгоритмическое и программное обеспечениедля ее расчета.
  6. Разработан новыйчисленный метод расчета линии с распределеннымивеличинами ираспределенными параметрами на основеиспользования матриц сэлементамифрактальной структуры,позволивший применить табличный процессор.
  7. Разработано информационное, алгоритмическое и программноеобеспечение для анализа и синтеза ФПДЧЭД,позволяющее повыситькачество научных изысканийи сократить время проведениянаучно-исследовательских работ.
  8. Использование новой информационнойтехнологии поискового проектированияпозволило разработать конструкциипреобразователей с улучшеннымиэксплуатационными характеристиками:интегральный микромеханическийтензорезисторный акселерометр-клинометр исовмещенный волоконно-оптический датчикдавления и температуры.

Содержаниедиссертации отражено в следующих основныхпубликациях автора по темедиссертации: (всего 61работа)

Мoнoграфии

  1. Шикульская О.М. Фрактальноемоделирование упругих элементовмикроэлектронных преобразователей сучетом распределенных параметров: мoнoгр. /О.М. Шикульская; Астрахан. гoс. тeхн. ун-т.– Астрахань:Изд-вo АГТУ, 2006, - 128 с. — ISBN 5-89154-202-1
  2. Шикульский М.И. Фрактальноемоделирование микроэлектронных датчиковдав­ления:моногр. / М.И. Шикульский, О.М. Шикульская;Астрахан. гос. техн. ун-т. - Астрахань: Изд-воАГТУ, 2008. - 144 с. —
    ISBN 978-5-89154-261-7
  3. Шикульская О.М. Анализ и синтез преобразователейинформации на основе фрактального подхода:моногр. / О.М. Шикульская. - Астрахань: ООО«Типография«Нова», 2009. - 309 с. - ISBN 978-5-902175-39-1

Статьи в журналах,рекомендованных ВАК

  1. Петрова И.Ю. Универсальнаяструктурно-параметрическая модель плоскоймембраны / Петрова И.Ю., Шикульская О.М. //Датчики и системы. 2000 № 2– с.14-16. — ISBN 1992-7185
  2. Шикульская О.М. Математическаямодель расчета микроэлектронных емкостныхдатчиков давления. / Шикульская О.М.,Шикульский М.И. // Известия вузов.Сев.-Кавк. Регион Техн. Науки-2005г.– Приложение № 1-с.23-26 — ISSN0321-2653.
  3. Шикульская О.М. Разработкаэнерго-информационной модели цепимикроэлектронных тензорезисторныхдатчиков давления / Шикульская О.М.,Шикульский М.И. // Известия вузов.Сев.-Кавк. Регион Техн. Науки-2005 г. – Приложение № 1- с.27-30 — ISSN0321-2653.
  4. Шикульская О.М.Структурно-параметрическое моделированиемикроэлектронных резонаторных датчиковдавления / Шикульская О.М.,Шикульский М.И. //Известия вузов. Сев.-Кавк. Регион Техн.Науки-2005 г. –Приложение № 1- с. 30-33— ISSN0321-2653.
  5. Шикульская О.М. Концептуальноемоделирование принципа действияпреобразователя на основе SADT-технологии /Шикульская О.М., Шикульский М.И. // Изв.вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн.науки.-2005.-Приложение   2.- c. 52-54 — ISSN 0321-2653.
  6. Шикульская О.М.Система автоматизированного расчетамикроэлектронных датчиков давления/ Шикульская О.М., ШикульскийМ.И. // Изв. вузов. Сев.-Кавк.регион. Техн. науки.-2005.-Приложение   3.-с. 3-5 — ISSN 0321-2653.
  7. Шикульская О. М.  Определениепогрешностей длинной линии по параметрической структурнойсхеме (ПСС)/ ШикульскаяО. М. // Изв. вузов. Сев.-Кавк.регион. Техн. науки.-2006.-Приложение  5.-с. 7-10 —ISSN0321-2653.
  8. Шикульская. О.М. Определениепогрешностей различных структур цепей сприменением аппарата параметрическихструктурных схем / О.М. Шикульская, Э.Р.Незаметдинова // Известия высших учебныхзаведений. Северо-Кавказский регион.Технические науки. — 2006. —Прил. № 5. — с.11—14. — ISSN 0321-2653.
  9. Шикульская О. М.  Расчетпогрешностей линии с распределеннымипараметрами и величинами методомпараметрических структурных схем /Шикульская О. М.  Плешакова Л.А. // Изв.вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн.науки.-2006.-Приложение   5 - с. 14-17— ISSN 0321-2653.
  10. Шикульская О. М.  Анализ алгоритмоврасчета однородных длинных линий /Шикульская О. М.  // Изв. вузов. Сев.-Кавк.регион. Техн. науки.-2006 - Специальный выпуск.Математическое моделирование икомпьютерные технологии – с. 35-37— ISSN 0321-2653.
  11. О. М Шикульская.  Математическаямодель оптоволоконной линии сраспределенными параметрами / О. МШикульская // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион.Техн. науки.-2006 - Специальный выпуск.Математическое моделирование икомпьютерные технологии – с. 37- 39 — ISSN 0321-2653.
  12. Шикульская О. М.  Анализдостоверности расчета линии сраспределенными параметрами методомпараметрических структурных схем /Шикульская О. М.  // Изв. вузов. Сев.-Кавк.регион. Техн. науки.-2006 - Специальный выпуск.Математическое моделирование икомпьютерные технологии – с. 39-40 — ISSN 0321-2653.
  13. Шикульская О. М. Концепция блочногосинтеза новых технических решений. /Шикульская О. М. // Изв. вузов. Сев.-Кавк.регион. Техн. науки.-2006.-Приложение   7-с. 30-32— ISSN0321-2653.
  14. Шикульская О. М. Математическаямодель определения чувствительностиэлементов по линии с распределеннымипараметрами и величинами / Шикульская О. М.,Незаметдинова  Э.Р. // Изв. вузов. Сев.-Кавк.регион. Техн. науки.-2006.-Приложение   8-с. 14-16— ISSN0321-2653.
  15. О.М. Шикульская. Классификацияметодов достижения требуемыхэксплуатационных характеристикмикроэлектронных датчиков параметровдвижения / О.М. Шикульская, Незаметдинова //Приборы и системы. Управление, контроль,диагностика. – 2006. –№ 11. –С.63-65.
  16. Шикульская О.М. Модернизацияконцептуальной модели банка данных пофизико-техническим эффектам на базесовременных информационных технологий /Шикульская О.М., НезаметдиноваЭ.Р.//Измерительная техника – 2007 – №1.с.7-9.
  17. Шикульская О. М. Рекурентная модельлинии с распределенными параметрами ивеличинами / Шикульская О. М. //Измерительная техника – 2007. – №3. с. 20-22
  18. Шикульская О.М. Блочный анализ исинтез новых технических решений на основеэнерго-информационного метода /  Шикульская О. М. //Изв. вузов. Поволж. регион. Техн. науки.-2006.-№ 6.- с. 287-292 - ISSN 1728-628X
  19. Шикульская О. М. Расчет диапазонаизмерения преобразователей и их элементов/ Шикульская О. М, Незаметдинова Э.Р. //Изв. вузов. Поволж. регион. Техн. науки.-2006.-№ 6 - с. 263-270 - ISSN 1728-628X
  20. О. М.  Шикульская/ Расчетчувствительности элементов сраспределенными параметрами / О. М. Шикульская, Л.А. Плешакова //Авиакосмическое приборостроение,-2006.- №11-с. 17-18
  21. Шикульская. О.М. Расчетчувствительности энергоинформационныхмоделей цепей произвольной структуры / О.М.Шикульская, Э.Р. Незаметдинова //Авиакосмическое приборостроение. – 2006. – № 12. – С.59-60
  22. О.М. Шикульская. Моделированиекоррекции аддитивной температурнойпогрешности / О.М. Шикульская, А.И. Куксин //Авиакосмическое приборостроение. – 2007. – № 8. – С.27-29
  23. Шикульская О. М.  Расчетпогрешности и чувствительностиполупроводникового тензорезистора наоснове энерго-информационного метода //Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки.-2009- № 2 – с. 44-47—
    ISSN 0321-2653.
  24. О.М. Шикульская. Концепцияавтоматизированного синтеза физическогопринципа действия датчиков новогопоколения / О.М. Шикульская, КонстантиноваО.С. // Приборы и системы. Управление,контроль, диагностика. – 2009 – №5. – С.27-29 —ISSN 2073-0004.
  25. О.М. Шикульская. Расчет погрешностии чувствительности моста Уитстона на основеэнерго-информационного метода // Приборы исистемы. Управление, контроль, диагностика. – 2009 – №7. – С.33-35 —ISSN2073-0004.

Сборники трудов

  1. Петрова И. Ю. Анализпогрешности расчета упругихэлементов микроэлектронных преобразователейметодом ПСС. / Петрова И. Ю.,Шикульская О.М. // Новыеинформационные технологии в региональнойинфраструктуре НИТ РИ 97: Материалы IIIМеждународной науч. – техконф./Астрахан. Гос. тех. Ун-т. — Астрахань: изд-во АГТУ,1997, с. 221-225.
  2. Петрова И. Ю. Анализ состояния,тенденций развития и методов достижения требуемыхэксплуатационных характеристикмикроэлектронных датчиков давления./ / Петрова И. Ю., ШикульскаяО.М. // Вестник АГТУ. 3/96Автоматика иприкладные вопросы математики и физики /Астрахань, 1997 г. с. 83-89.
  3. Зарипов М.Ф. Описание модели плоскоймембраны как линии с распределеннымипараметрами / Зарипов М.Ф., Шикульская О.М..//Труды Международного форума по проблемамнауки, техники и образования, под ред.Савиных В.П. и Вишневского В.В. // М.: 1999 г.с. 78-79
  4. Шикульская О.М. Математическоемоделирование деформации плоской мембраныс применением метода ПСС / Шикульская О.М. //Вестник
    АГТУ.Телекоммуникации, новые информационныетехнологии и связь Астрахань.2000,с.112-115
  5. Шикульская О.М. Автоматизациярасчета деформации плоской мембраны наначальном этапе проектирования датчиковдавления. / Шикульская О.М. // Материалычетвертой международнойнаучно-методической конференции Новыеинформационные технологии в региональнойинфраструктуре и образовании. Астрахань-2001с.191-193
  6. Шикульская О.М. Математическаямодель прогиба плоской мембраны. /Шикульская О.М., Шикульский М.И. //Математические методы в технике итехнологиях —ММТТ-17: Сб. трудов XVII Международ. научн.конф.: В 10 т., Т.8 Секции 9, 10 / Под общ. ред. В.С.Балакирева. —Кострома: Изд-во Костромского гос. технол.ун-та, 2004. 243 с.
  7. Шикульская О.М. Концептуальнаямодель деформации плоской мембраны каклинии с распределенными параметрами /Шикульская О.М., Шикульский М.И. //Информационные технологии в образовании,технике и медицине: Материалымеждународной конференции. В 3-х томах/ВолгГТУ. - Волгоград, 2004.-333с. т. 2 с. 308-313..– ISBN5-230-04819-0.
  8. Шикульская О.М.Анализ волоконно-оптических датчиков,используемых в интеллектуальныхсистемах. / Шикульская О.М.,Плешакова Л.А. //Информационные технологии в образовании,технике и медицине: Материалы международнойконференции.В 3-х томах / ВолгГТУ.-Волгоград, 2004.-333с. т. 2,с.303-307. – ISBN 5-230-04819-0.
  9. Шикульская О.М. Исследованиесовременного состоянияволоконно-оптических датчиков и влияниеиспользуемых материалов на достижениятребуемыххарактеристик/ Шикульская О.М., ПлешаковаЛ.А.// Информационные технологии вобразовании,технике и медицине. Сб. материаловМеждународн. науч. конф.: В. 3 т. Т.2. – Волгоград. – 2004.– С.303-304. – ISBN 5-230-04819-0.
  10. О.М. Шикульская. Моделированиепрогиба плоской мембраны методомпараметрических структурных схем / О.М.Шикульская, М. И. Шикульский // Технологииинформатизации профессиональнойдеятельности (в науке, образовании,промышленности): Сб. трудов науч.-техн.конференции с междунар. участием в рамкахфорума «Высокие технологии-2004» Ижевск:НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика»,2005. 408 с.
  11. Шикульская О.М.Энерго-информационный метод моделированияемкостныхдатчиков давления / О.М.Шикульская, М. И. Шикульский // Математические методы в технике итехнологиях — ММТТ-18: Сб. трудов XVIIIМеждународ.научн. конф.: В 10т. Т.8 Секции 4, 9 / Под общ.
    Pages:     | 1 |   ...   | 3 | 4 || 6 |






© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»