WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

загрузка...
   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 |   ...   | 2 | 3 ||

На основе анализа полученных экспериментальных данных сформулировано положение о локализации дырок в минимумах потенциального рельефа, определяемого примесным флуктуационным потенциалом вблизи – слоев, которое позволяет объяснить с единой точки зрения все отмеченные особенности наблюдаемой экспериментальной картины, а также многочисленные результаты исследования ФЛ в –слоях, представленные в литературе и демонстрирующие существенное различие спектров ФЛ n-i-p-i и n-i-n-i структур, а также одиночных – слоев.

6. Проведено систематизированное исследование влияния слабого внутреннего поперечного электрического поля на процессы ФЛ в КЯ. В результате экспериментов с применением спектрально-корреляционного метода исследования, а также экспериментов по прямому воздействию поперечного электрического поля на структуры с квантовыми ямами установлено, что поперечное электрическое поле относительно низкой напряженности (~ 103 В/см) может сильно влиять на интенсивность ФЛ наноструктур в связи с полевой зависимостью процессов релаксации фотогенерированных носителей.

Впервые получена подробная картина изменения параметров фотолюминесценции модуляционно легированная квантовой ямы в электрическом поле, содержащая ряд особенностей, характеризующих как процессы полевого обеднения двумерного электронного газа, так и процессы релаксации фотогенерированных носителей в КЯ.

7. Предложен новый принцип построения азотных криогенных систем для исследования полупроводниковых пластин, основанный на охлаждении и защите поверхности исследуемого образца динамической атмосферой испаряющегося азота, на его основе создан оптический криостат, ориентированный на проведение исследований спектрально-корреляционным методом.

8. Проанализированы методологические, технологические, аппаратурные аспекты реализации спектрально-корреляционного метода исследования наноструктур и результаты его применения в конкретных задачах. Проведенный анализ показывает, что разработанный метод является эффективным средством исследования физических процессов в наноструктурах, позволяет существенно дополнить возможности существующих способов их исследования и может служить основой для нового направления при исследовании физических свойств наноструктур. Рассмотрены возможные аспекты развития этого направления.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

А1. Хабаров Ю.В., Спектрально-корреляционный способ исследования слоевых полупроводниковых структур // Патент РФ на изобретение № 2168238, (2001).

А2. Хабаров Ю.В., Исследования физических явлений в полупроводниковых наноструктурах с использованием планарно-неоднородных слоев. 1. Фотолюминесценция. // ФТП, 2003, т. 37, вып. 3, с. 339-345.

А3. Хабаров Ю.В., Капаев В.В., Петров В.А., Исследования физических явлений в полупроводниковых наноструктурах с использованием планарно-неоднородных слоев. Фотолюминесценция туннельно-связанных квантовых ям. // ФТП, 2004, т. 38, вып. 4, с. 455-464.

А4. Хабаров Ю.В., Капаев В.В., Петров В.А., Галиев Г.Б., Исследования физических явлений в полупроводниковых наноструктурах с использованием планарно-неоднородных слоев. Фотолюминесценция структур с электронными -легированными слоями. // ФТП, 2006, т. 40, вып. 5, с. 572-583.

А5. Хабаров Ю.В., Новый метод исследования полупроводниковых наноструктур с использованием фотолюминесцентной спектроскопии планарно-неоднородных полупроводниковых слоев // Труды Международной конференции “Оптика, оптоэлектроника и технологии”. Ульяновск, 2002. c. 66. 

А6. Khabarov Yu.V., Velikovsky L.E., Photoluminescence spectroscopy of quantum well GaAs/InGaAs/GaAs in electrical field // Abstracts of International Conference «Micro- and nanoelectronics – 2003», Moscow-Zvenigorod, Russia, 2003, P2-84.

А7. Хабаров Ю.В., Фотолюминесцентная спектроскопия модуляционно легированной квантовой ямы AlGaAs/GaAs/AlGaAs в электрическом поле // Тезисы докладов Всероссийской научно-технической конференции "Микро- и наноэлектроника-2001", Звенигород, 2001, Р2-30

А8. Khabarov Yu., Kapaev V., Petrov V., Galiev G., Photoluminescence of 2D Electron -layers in Laterally Nonuniform Nanostructures based on GaAs // Abstracts of International Conference «Micro- and nanoelectronics – 2005», Moscow Zvenigorod, Russia, 2005, P2-84.

А9. Хабаров Ю.В., Капаев В.В., Петров В.А., Галиев Г.Б. Фотолюминесценция 2D электронных -слоев в латерально-неоднородных наноструктурах на основе GaAs // Тезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников "Полупроводники 2005", Москва, Звенигород, 2005, с. 199.

А10. Khabarov Yu., Kapaev V., Petrov V., Galiev G., Photoluminescence of 2D electronic -layers in lateral non-homogeneous nano-structures based on GaAs // Proceeding of SPIE. Micro- and Nanotechnologies 2005, V. 6260, р. 626018-1 – 626018-9, 2006.

А11. Хабаров Ю.В., Галиев Г.Б., Сарайкин В.В., Слепнев Ю.В., Исследование возможности образования самоорганизующихся наноструктур в неоднородных слоях InxGa1-xAs с низким содержанием In // Труды Международной конференции “Оптика, оптоэлектроника и технологии”. Ульяновск, 2002. c. 8.

А12. Кульбачинский В.Ф., Лунин Р.А., Рогозин В.А., Мокеров В.Г., Федоров Ю.В., Хабаров Ю.В., Нарюми Е., Киндо К., А. де Виссер, Латеральный электронный транспорт в короткопериодных сверхрешетках InAs/GaAs на пороге образования квантовых точек // ФТП, 2003, Т. 37, Вып. 1, c. 70-76.

А13. Гук А.В., Великовский Л.Е., Каминский В.Э., Мокеров В.Г., Федоров Ю.В., Хабаров Ю.В. Влияние электрического поля на спектры фотолюминесценции двумерного электронного газа высокой плотности в гетероструктурах N-AlGaAs/GaAs/AlGaAs // ДАН, 2000, т. 374, №1, с. 31-34.

А14. Мокеров В.Г., Федоров Ю.В., Гук А.В., Хабаров Ю.В. Фотолюминесцентная спектроскопия квазидвумерного электронного газа в -легированных слоях GaAs (100) //ДАН, 1998, т.36, N1, с.40-44.

А15. Евстегнеев С.В., Имамов Р.М, Ломов А.А., Садофьев Ю.Г., Хабаров, Ю.В., Шипицин Д.С. Исследование InGaAs/GaAs квантовых ям, выращенных методом молекулярно -лучевой эпитаксии // Тезисы докладов Российской конференции «Полупроводники-99», Новосибирск, 1999.

А16. Евстегнеев С.В., Имамов Р.М., Ломов А.А., Садофьев Ю.Г., Хабаров Ю.В., Чуев М.А., Шипицин Д.С. Исследование квантовых ям InGaAs/GaAs методами низкотемпературной фотолюминесценции и рентгеновской дифракции // ФТП, 2000, т. 34, вып. 6, с.719-725.

А17. Галиев Г.Б., Гук А.В., Мокеров В.Г., Слепнёв Ю.В., Фёдоров Ю.В., Хабаров Ю.В., Ярёменко Н.Г. Фотолюминесценция однородно- и -легированных кремнием слоёв GaAs, выращенных методом МЛЭ на подложках с ориентацией (100), (111)А, (111)В // III Всероссийская конференция по физике полупроводников “Полупроводники 97”. Тезисы докладов. Москва, 1997. С. 306.

А18. Галиев Г.Б., Мокеров В.Г., Ляпин Э.Р., Сарайкин В.В., Хабаров Ю.В. Исследование электрофизических и оптических свойств -легированных кремнием слоёв GaAs, выращенных методом МЛЭ на разориентированных в направлении [2] поверхностях (111)А GaAs // ФТП. 2001. т. 35. Вып. 4. с. 421-426.

А19. Галиев Г.Б., Мокеров В.Г., Хабаров Ю.В. Влияние угла разориентации на спектры фотолюминесценции -легированных кремнием слоёв арсенида галлия (111)А, выращенных методом МЛЭ // ДАН. 2001. Т. 376. № 6. С. 749-752.

А20 Ломов А.А., Имамов Р.М., Гук, А.В., Федоров Ю.В, Хабаров Ю.В., Мокеров В.Г. Влияние параметров структуры отдельных слоев на фотолюминесцентные свойства системы InxGa1-xAs-GaAs// Микроэлектроника, 2000, т. 29, № 6, с. 410-416.

А21 Ломов А.А., Сутырин А.Г., Прохоров Д.Ю., Галиев Г.Б. Хабаров Ю.В., Чуев М.А., Имамов Р.М. Структурная характеристика межслойных границ в системе AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs методами высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии и рефлектометрии// Кристаллография, 2005, т. 50, №4, с. 587-594.

А22. Хабаров Ю.В., Смирнов В.И., Чернов А.Н., Термостолик для проведения низкотемпературных зондовых измерений // Авторское свидетельство на изобретение № 1641146, 1990.

Цитированная литература

1. M.A. Herman, D. Bimberg, J. Christen. Heterointerfaces in quantum wells and epitaxial growth processes: Evaluation by luminescence techniques. //J. Appl. Phys., 70 (2), R1-R52, (1991).

2. G. Bastard, C. Delalande, Y. Guldner, P. Voison. Advances in Electronics and Electron Physics, ed. By Peter W. Hawkes (Boston-San Diego-New York-Berkeley-London-Sydney-Tokyo-Toronto, Academic Press, 1988) v.72.

3. Er-Xuan Ping, Vikram Dalal. Exciton photoluminescence of quantum wells affected by thermal migration and inherent intrrface fluctuation// J. Appl. Phys., 1993, V. 74, No. 9, 5349-5353.

4. J.C.M. Henning, Y.A.R.R. Kessener, P.M. Koenraad, M.R. Leys, W. Van Vleuten, J.H. Woller, A.M. Frens. Photoluminescence study of Si delta-doped GaAs// Semicond. Sci.Technol., 1991, v.6, p. 1079-1087.

5. J.Wagner, A. Fischer end K. Ploog. Photoluminescence from the quasi-two-dimensional electron gas at a single silicon -oped layer in GaAs// Phys. Rev. B, 1990-1, v. 42, No. 11, p. 7280-7283.

6. А.М. Васильев, П.С. Копьев, М.Ю Надточий, В.М. Устинов. Переходы с участием размерно-квантованных подзон в спектре фотолюминесценции -легированного GaAs// ФТП, 1998, т. 23, вып. 12, с. 2133-2137.

7. J.Wagner, A.Fischer, K.Ploog. Fermy edge singularity and screening effects in the absorption and luminescence spectrum of Si -doped GaAs // Appl. Phys. Lett., 1991, v. 59, No. 4, p. 482-430.

8. A.C. Maciel, M. Tatham, J.F. Ryan, J.M. Worlok R.E. Nahori, J.P. Harbison, L.T. Florez. Raman scattering from electronic excitations in periodically -doped GaAs // Surf. Sci., 1990, v. 228, No. 1-3, p. 251-254.

Pages:     | 1 |   ...   | 2 | 3 ||






© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»