WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

загрузка...
   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 | 3 | 4 |

На правах рукописи

ХАБАРОВ Юрий Васильевич

ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОСТРУКТУР С

ПЛАНАРНО-НЕОДНОРОДНЫМИ СЛОЯМИ

Специальность 01.04.10 – физика полупроводников

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени

кандидата физико-математических наук

Москва - 2007

Работа выполнена в Институте сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, г. Москва

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук

Э.А Ильичев;

кандидат физико-математических наук,

старший научный сотрудник

И.Н Котельников

Ведущая организация: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН

Защита состоится 21.09.2007 г., в 1130 на заседании диссертационного совета Д 002.231.01 при Институте радиотехники и электроники РАН по адресу: 125009, Москва, ГСП-9, ул.Моховая, д.11, корп.7.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института радиотехники и электроники РАН

Автореферат разослан «___» _____________2007 г.

Ученый секретарь диссертационного совета

доктор физико-математических наук, профессор С.Н.Артеменко

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Диссертационная работа посвящена разработке, обоснованию и применению нового подхода к исследованию физических свойств квантово-размерных структур различных типов. Этот подход основан на использовании планарно-неоднородных структур и разработанного в диссертации спектрально-корреляционного метода (СКМ) их исследования и обеспечивает возможность прецизионного изменения в процессе эксперимента технологически сформированных параметров этих структур, таких, как толщины квантово-размерных слоев, их компонентный состав. Продемонстрирован ряд конкретных вариантов применения предложенного метода при исследовании наноструктур на основе системы AlGaAs-GaAs-InGaAs. В качестве инструмента измерений использовалась фотолюминесцентная спектроскопия при температуре 77 К.

Актуальность темы

В настоящее время продолжаются интенсивные теоретические и экспериментальные исследования твердотельных структур, размеры которых в одном, двух или трех направлениях сравнимы с де-бройлевской длиной волны носителей заряда. В таких структурах (наноструктурах) энергетический спектр носителей становится квазидискретным или полностью дискретным. Это приводит к проявлению в таких структурах ряда физических эффектов, которые широко исследуются и используются во многих направлениях твердотельной электроники. Экспериментальная возможность таких исследований обеспечена современными успехами нанотехнологии.

Основой создания большого класса наноструктур является технология молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), позволяющая выращивать полупроводниковые слои с толщинами порядка нескольких моноатомных слоев. При большом разнообразии эпитаксиальных наноструктур особое значение приобретают исследования влияния параметров, определяющих слоевую конфигурацию структуры и сформированных технологически (например, толщины квантово – размерных слоев, состава отдельных слоев, уровня их легирования и т. д.) на ее физические свойства. Такие параметры определяют вид потенциала, ограничивающего движение носителей заряда и, таким образом, непосредственно влияют на экспериментальные проявления процессов размерного квантования.

Как правило, для исследования в полупроводниковых наноструктурах зависимостей какой – либо физической величины от меняющихся параметров структуры используют ограниченную серию планарно-однородных образцов с вариацией какого – либо параметра. Такой подход традиционно имеет место при исследованиях с вариацией технологически формируемых параметров независимо от используемого физического метода исследования. Как правило, в экспериментальных работах такого плана объем эксперимента с изменением одного параметра ограничиваются серией из нескольких образцов. При этом дискретный набор значений варьируемого параметра не всегда достаточно полно выявляет особенности исследуемого явления.

Следует отметить, что возможности такого эксперимента существенно отличают его от ситуации, когда варьируемый в процессе исследования параметр может изменяться непрерывным образом, или с достаточно малым шагом дискретности. В таких случаях появляется возможность получать информацию о физических процессах в исследуемой структуре, анализируя относительно слабо выраженные особенности получаемых в эксперименте зависимостей.

Результаты диссертации показывают, что возможность прецизионной вариации в процессе экспериментов тех параметров наноструктур, которые прямо определяют условия квантово-размерных явлений, может дать важную информацию об этих явлениях. В условиях большого многообразия различных типов наноструктур, исследуемых и используемых в настоящее время, развитие нового альтернативного метода их исследования может представлять интерес для изучения различных физических процессов в таких структурах.

Настоящая работа посвящена разработке и применению такого альтернативного подхода, на основе использования планарно-неоднородных слоев и разработанного в диссертации спектрально-корреляционного метода исследования наноструктур. Рассмотрены варианты применения предложенного метода к исследованию ряда наноструктур (изолированных квантовых ям, туннельно-связанных квантовых ям, структур с электронными -сломи), созданных по технологии МЛЭ на основе системы AlGaAs-GaAs-InGaAs, которая в настоящее время активно исследуется. Актуальность проведенных в диссертации исследований определяется новыми возможностями, возникающими в рамках предложенного в диссертации метода исследования.

Цель работы

Целью настоящей работы является:

  • поиск и обоснование нового эффективного подхода к исследованию широкого класса наноструктур, дающего возможность их изучения с прецизионным изменением их параметров, формируемых технологически;
  • изучение возможностей разработанного в рамках нового подхода спектрально-корреляционного метода исследования на примере исследования фотолюминесценции (ФЛ) наноструктур различных типов, созданных на основе GaAs;
  • изучение природы экспериментальных проявлений, анализ которых становится возможным с применением разработанного метода исследования.

Научная новизна работы

  1. Предложен, разработан и экспериментально продемонстрирован новый спектрально-корреляционный метод исследования физических процессов в квантово-размерных структурах. Этот метод позволяет осуществлять в процессе спектроскопического исследования специально создаваемых планарно-неоднородных структур контролируемое прецизионное изменение технологически сформированных параметров, таких, как толщины, квантово-размерных слоев, их компонентный состав. Этим обеспечивается возможность получения и анализа экспериментальных зависимостей квазинепрерывного характера, при исследовании каждого экспериментального образца.
  2. На основе разработанного метода проведен комплекс исследований квантово-размерных структур различных классов (изолированных квантовых ям (КЯ), туннельно-связанных КЯ, структур с электронными -слоями) для которых экспериментально получены зависимости параметров фотолюминесценции от параметров их полупроводниковой структуры (толщин и компонентного состава наноразмерных слоев). Эти зависимости получены впервые, характеризуются прецизионным изменением варьируемых параметров и имеют квазинепрерывный характер.
  3. Впервые обнаружен ряд особенностей полученных экспериментальных зависимостей, которые объяснены влиянием физических процессов различной природы на параметры фотолюминесценции исследованных структур.
  4. Предложена и впервые исследована при помощи спектрально-корреляционного метода полупроводниковая структура, содержащая два близко расположенные -слоя n-типа в слое GaAs и внедренную симметрично между ними узкую InGaAs квантовую яму. При исследовании этой структуры в условиях прецизионной вариации ее структурных параметров впервые удалось наблюдать интенсивные многокомпонентные спектры ФЛ, связанные с системой 2D электронных подзон в -легированных слоях n-типа и обнаружить ряд экспериментальных эффектов, проявляющихся в фотолюминесцентных свойствах такой структуры.

Сформулировано положение о латеральной локализации дырок в минимумах потенциального рельефа, определяемого примесным флуктуационным потенциалом вблизи – слоев, которое позволяет объяснить с единой точки зрения все отмеченные особенности наблюдаемой экспериментальной картины, а также многочисленные результаты исследования ФЛ в –слоях, представленные в литературе и демонстрирующие существенное различие спектров ФЛ n-i-p-i и n-i-n-i структур, а также одиночных – слоев.

5. Проведено систематизированное исследование влияния слабого внутреннего поперечного электрического поля на процессы ФЛ в КЯ. В результате экспериментов с применением СКМ, а также экспериментов по прямому воздействию поперечного электрического поля на структуры с квантовыми ямами установлено, что поперечное электрическое поле относительно низкой напряженности (~ 103 В/см) может сильно влиять на интенсивность ФЛ наноструктур в связи с полевой зависимостью процессов релаксации фотогенерированных носителей.

6. Проанализированы методологические, технологические, аппаратурные аспекты реализации СКМ для исследования наноструктур и результаты его применения для конкретных задачах. Показано, что разработанный спектрально-корреляционный метод является эффективным средством исследования физических процессов в наноструктурах, позволяет существенно дополнить возможности существующих способов их исследования. Он может также служить основой для развития нового направления при исследований физических свойств наноструктур. Рассмотрены возможные аспекты развития этого направления.

Практическая значимость работы

1. Предложен и методологически разработан новый, доступный практически и эффективный спектрально-корреляционный метод исследования слоевых полупроводниковых структур, позволяющий изучать влияние технологически сформированных параметров квантово-размерных структур на их свойства в условиях прецизионного изменения значений этих параметров.

2. С использованием разработанного метода

- продемонстрирована возможность получения в процессе исследования каждой исследуемой полупроводниковой пластины серий экспериментальных зависимостей квазинепрерывного характера при вариации параметров, определяющих конфигурацию квантово-размерных слоев исследуемой структуры и ее пространственный энергетический профиль;

- получены экспериментальные зависимости, определяющие возможность разработки новых методов оценки физических параметров полупроводниковой структуры, таких, как параметры рельефа гетегограниц, отношение разрывов энергетических зон на гетерогранице, величина внутреннего электрического поля полупроводниковой структуры, характеристики примесного флуктуационного потенциала, продемонстрированы некоторые примеры таких оценок;

  • проведен комплекс исследований наноструктур различных классов, иллюстрирующий возможности метода, многообразие методологических вариантов его применения, широкий спектр явлений, при исследовании которых он может быть эффективно применен.

Проанализированы технологические, методологические, аппаратурные аспекты применения и дальнейшего развития метода.

3. Предложена и исследована структура состоящая из двух Si -легированных слоев n-типа и расположенной симметрично между ними узкой квантовой ямы. Такая структура позволяет наблюдать и исследовать интенсивные многокомпонентные спектры ФЛ, связанные с системой 2D электронных подзон в -легированных слоях n-типа. На примере исследования этой структуры впервые продемонстрирована возможность регистрации экспериментальных зависимостей при прецизионном независимом изменении двух параметров исследуемой структуры в условиях двухпараметрической латеральной неоднородности ее слоев.

4. Проведено систематизированное исследование влияния слабого поперечного электрического поля на процессы релаксации фотогенерированных носителей в КЯ, проявляющиеся в параметрах фотолюминесценции наноструктур.

5. Предложен новый принцип построения азотных криогенных систем для исследования полупроводниковых пластин, основанный на охлаждении и защите исследуемого образца динамической атмосферой испаряющегося азота, на его основе создан оптический криостат, ориентированный на проведение исследований спектрально-корреляционным методом.

Основные положения, выносимые на защиту

1. Разработан новый спектрально-корреляционный метод исследования квантово-размерных структур, позволяющий на основе использования специально создаваемых экспериментальных планарно-неоднородных полупроводниковых структур получать экспериментальные данные, осуществляя в процессе эксперимента контролируемое прецизионное изменение параметров квантово-размерных структур, сформированных технологически и определяющих конфигурацию их слоев и их пространственный энергетический профиль.

  1. Разработанный метод характеризуется значительным разнообразием методологических вариантов применения и обеспечивает возможность в процессе исследования каждого экспериментального образца (полупроводниковой пластины) получать статистически представительную совокупность экспериментальных данных, которые могут быть представлены в виде серии (серий) экспериментальных зависимостей квазинепрерывного характера.
  2. Результаты проведенного при помощи спектрально-корреляционного метода исследования изолированных и туннельно-связанных КЯ, проявившиеся в виде ряда зафиксированных особенностей полученных зависимостей, отражают:
  • влияние процессов рекомбинации экситонов, особенностей рельефа гетерограниц, параметров зонной структуры слоев, величины внутреннего поперечного электрического поля полупроводниковой структуры на вид взаимных зависимостей энергетических положений линий фотолюминесценции изолированных КЯ с технологически заданным отношением значений их ширины;
  • влияние процессов релаксации фотогенерированных носителей, их латерального движения в слое КЯ, структуры квантовых подзон КЯ на зависимости интенсивности фотолюминесценции КЯ от их ширины;

- влияние процесса туннелирования электронов, «прямых» и «непрямых» (в координатном пространстве) оптических переходов, внутреннего поперечного электрического поля структуры, экситонных рекомбинационных процессов на зависимости параметров ФЛ системы двух туннельно-связанных КЯ от ширины туннельного барьера.

Pages:     || 2 | 3 | 4 |






© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»