WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

загрузка...
   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 |   ...   | 6 | 7 ||
  • На примере высокотемпературного газового и плазмо-химического травления монокристаллического кремния, а также фотостимулированной сублимации матричных атомов кремния экспериментально подтверждена общность концепции и развитые положения модели Шоттки, включая факт генерации неравновесных V и зависимость эффективности их введения в кристаллическую решетку от кристаллографической разориентации поверхности кристалла относительно направления атомарно гладкой сингулярной поверхности. Показано, что достигаемая степень вакансионного пересыщения кристалла в случае этих воздействий не превышает 102 и, следовательно, на несколько порядков ниже, чем в среднем аналогичные вакансионные пересыщения при твердофазных реакциях.
  • Получены новые примеры, подтверждающие «эффект дальнодействия» неравновесных вакансий в кремнии далеко за пределами диффузионного фронта их распространения. Показано, что вакансии, вводимые за счет плазмо-химического травления или образования силицидов металла (на примере силицидов хрома) с обратной стороны кремниевой пластины, способны оказывать влияние на динамику отжига ионно-имплантированных слоев и на экзоэлектронную эмиссию с лицевой стороны пластины толщиной в несколько сотен микрометров.
  • Установлены эффекты в объеме кристаллов Si, обусловленные изменением состояния подсистемы собственных ТД за счет исследованных физико-химических воздействий на кристалл: изменение скорости диффузии примесных атомов в ионно-имплантированных слоях и на границе раздела подложка – эпитаксиальный слой; ускоренная электрическая активация внедренной примеси и отжиг сопутствующих имплантации радиационных дефектов; изменение спектра комплексов дефектов и эволюция кластеров, включая ускоренный распад термостабильных кластеров внедренного типа различной природы. Установленные эффекты могут быть использованы при разработке низкотемпературных технологий создания легированных слоев и технологий геттерирования.
  • Обнаружен технологически значимый эффект понижения температуры начала твердофазных реакций за счет in situ введения в кристалл ТД, природа которых противоположна природе ТД, генерация которых должна сопровождать эту реакцию. Эффект продемонстрирован на примере образования начальных фаз силицидов хрома при температуре 3000С, которая примерно на 100оС ниже характерных температур образования этих фаз в стандартных условиях эксперимента.
  • Представлен комплекс практически значимых эффектов улучшения структурного совершенства, люминесцентных и электрофизических характеристик исходных кристаллов полуизолирующего GaAs и ионно-легированных Si+ слоев на его основе. Показано, что за счет предварительного введения в кристалл вакансий по подрешеткам Ga и As при газовом химическом травлении поверхности исходных кристаллов в условиях поддержания стехиометрии их состава, может быть достигнуто увеличение подвижности электронов в них более, чем на 25%.
  • Разработанные теоретические представления отличаются универсальностью с точки зрения широты охвата разновидностей внешних воздействий на кристалл, а также с точки зрения набора параметров и характеристик процессов в кристалле, которые они описывают. Важный результат диссертационной работы заключается в возможности теоретического прогноза перечисленных параметров. Созданный комплекс численных оценок может быть использован не только для анализа уже экспериментально известных ситуаций, но также для прогноза еще не изученных или даже гипотетических сочетаний воздействий и кристаллов. Он позволяет предвидеть важнейшие положительные или негативные эффекты в объеме кристалла.

    С точки зрения практической полезности важно отметить, что исследованные подходы к целенаправленному раздельному введению в кристалл вакансий или собственных междоузлий хорошо совместимы с известными технологическими приемами. В силу этого, полученные результаты могут быть использованы для совершенствования технологии в области микроэлектроники или в других областях современной техники, например, при разработке новых покрытий, слоистых систем, в том числе на основе новых или малоизученных кристаллических материалов.

    Полученные в рамках диссертационной работы результаты опубликованы в следующих статьях, материалах конференций и авторских свидетельств:

    1. Итальянцев А.Г., Мордкович В.Н. Трансформация размеров кластеров собственных точечных дефектов в полупроводниках. Физика и техника полупроводников, 1983, т.17, в.2, с.217-222.
    2. Итальянцев А.Г., Мордкович В.Н. Эмиссионная модель аннигиляции агломератов точечных дефектов в условиях быстрого нагрева кристалла. Журнал технической физики, 1983, т.53, в.5, с.937-939.
    3. Смульский А.С., Итальянцев А.Г., Авдеев И.И., Мордкович В.Н. Термообработка кремния и проблема ликвидации дефектов его структуры при создании полупроводниковых приборов и ИС. Электронная техника, 1983, сер.2, в.3/162/, с.62-69.
    4. Итальянцев А.Г., Мордкович В.Н., Темпер Э.М. О роли атермических процессов в импульсном отжиге ионно-имплантированных слоев кремния. Физика и техника полупроводников, в.5, 1984, с.928-930.
    5. Вяткин А.Ф., Итальянцев А.Г., Копецкий Ч.В., Мордкович В.Н., Темпер Э.М. Перестройки дефектов структуры полупроводников, стимулированные химическими реакциями на поверхности кристалла. Поверхность, 1986, №11, с.67-72.
    6. Итальянцев А.Г., Митюхляев В.Б., Пащенко П.Б., Файфер В.Н. Влияние химически стимулированного введения вакансий в GaAs на свойства ионно-легированных кремнием слоев. Поверхность, 1988, №11, с.93-98.
    7. Ерохин Ю.Н., Итальянцев А.Г., Мордкович В.Н. Новый механизм ионизационно-стимулированного воздействия на радиационные дефекты в имплантированных полупроводниках. Письма в Журнал технической физики, 1988, т.14, в. 9, с.835-838.
    8. Итальянцев А.Г., Краснобаев Л.Я., Кузнецов А.Ю., Мордкович В.Н. Стимулированный отжиг ионно-имплантированного кремния при твердофазной реакции силицидообразования металлов. Письма в Журнал технической физики, 1988, т.14, в.13, с.1178-1182.
    9. Итальянцев А.Г., Краснобаев Л.Я., Кузнецов А.Ю., Омельяновская Н.М., Хмельницкий С.Г. Эффекты в полупроводниках при введении неравновесных вакансий. Электронная техника, сер.6, вып.4(241), 1989, с.43-48.
    10. Итальянцев А.Г., Кузнецов А.Ю., Пантелеев В.А. Экзоэлектронная эмиссия с поверхности кремния, стимулированная образованием силицидов металлов. Эффект дальнодействия. Письма в Журнал технической физики, т.15, вып.11, 1989, с.27-30.

    11. Омельяновская Н.М., Итальянцев А.Г., Краснобаев Л.Я., Астахова Е.Ф. Глубокие уровни в n-Si, вводимые при высокотемпературном газовом травлении. Физика и техника полупроводников, т.23, в.8, 1989, с.1503-1505.

    12. Омельяновская Н.М., Итальянцев А.Г., Краснобаев Л.Я., Астахова Е.Ф. Образование глубоких уровней в р-Si при газовом травлении в хлорсодержащей атмосфере. Физика и техника полупроводников, т.24, в.11, 1990, с.2040-2043.

    13. Итальянцев А.Г. Генерация вакансий, стимулированная химическим травлением поверхности кристалла. Поверхность, 1991, в.10, с.122-127.

    1. Итальянцев А.Г., Лойко Н.Н. Эффект фотостимулированной диффузии примеси в объеме кремния. Письма в Журнал технической физики, т.20, вып.23, 1994, с.26-29.
    2. Buravlev A.V., Vjatkin A.F., Italyantsev A.G., Krasnobaev L.Y., Mordkovich V.N. Solid phase epitaxial regrowth of amorphus ion implanted Si layers in the presence of point defects flow. Nuclear Instruments and Metods in Physics Research, B39 (1989), pp.366-369.

    16. Italyantsev A.G. Solid-phase reaction on silicon surface. Accompanying processes.

    J. Appl. Phys., 79 (5), 1996, pp.2369-2375.

    1. Italyantsev A.G., Kuznetsov A.Yu. Possible mechanism of the stress evolution and point defects generation during the solid phase epitaxial silicides growth. Mat. Res.Soc.Symp.Proc., 1990, v.238, pp.90-96.
    2. Italyantsev A.G., Kuznetsov A.Yu. Point defects generation at the silicon-growing silicide layer interface. Proc. Thir. Int.Conf. «Metallization in ULSI Application», Murray Hill, NJ, 1991, pp.181-187.

    19. Итальянцев А.Г. Взаимодействие собственных точечных дефектов с их кластерами в элементарных полупроводниках при внешних воздействиях. В сб.: «VI Конференция по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок», Новосибирск, 1982, т.II, с.19-20.

    20. Итальянцев А.Г., Мордкович В.Н., Смульский А.С., Темпер Э.М. Химическая стимуляция перестройки дефектов в кремнии. В сб.: Всесоюзная конференция по радиационной физике полупроводников и родственных материалов, Ташкент, 1984, с.179.

    21. Итальянцев А.Г., Мордкович В.Н., Ерохин Ю.Н. Роль индуцированных светом электрических полей в фотостимулированных перестройках радиационных дефектов в полупроводниках. В сб.: Всесоюзная конференция «Ионно-лучевая модификация материалов», Черноголовка, 1987, с.127.

    22. Мордкович В.Н., Итальянцев А.Г., Кузнецов А.Ю., Краснобаев Л.Я. Взаимное влияние отжига ионно-имплантированных слоев и образования силицидов металлов. В сб.: Всесоюзная конференция «Ионно-лучевая модификация материалов», Черноголовка, 1987, с.129.

    23. Итальянцев А.Г., Митюхляев В.Б., Пащенко П.Б., Файфер В.Н. Свойства ионно-легированных слоев GaAs, подвергнутого предварительному термохимическому воздействию. В сб.: Всесоюзная конференция «Ионно-лучевая модификация материалов», Черноголовка, 1987, с.130.

    24. Итальянцев А.Г., Краснобаев Л.Я., Мордкович В.Н., Омельяновская Н.М., Пащенко П.Б. Влияние предварительно сформированного фона собственных дефектов на характеристики ионно-имплантированных полупроводников. В сб.: Всесоюзная конференция «Ионно-лучевая модификация материалов», Черноголовка, 1987, с.132.

    25. Мордкович В.Н., Итальянцев А.Г., Краснобаев Л.Я., Кузнецов А.Ю. Особенности формирования силицидов металлов при сильном пересыщении кристалла собственными точечными дефектами. В сб.: XII Всесоюзная конференция по микроэлектронике, Тбилиси, 1987, т.VII, с. 71-72.

    26. Итальянцев А.Г. Условия легирования полупроводников неравновесными термохимическими вакансиями. В сб.: Всесоюзная конференция по физико-химическим основам легирования. Москва, 1988.

    27. Итальянцев А.Г., Краснобаев Л.Я., Кузнецов А.Ю., Мордкович В.Н., Хмельницкий С.Г. Эффекты в полупроводниках при введении неравновесных вакансий. В сб.: Всесоюзная конференция по физико-химическим основам легирования. Москва, 1988.

    28. Итальянцев А.Г., Михайлов Г.Б., Мордкович В.Н. О трансформации дефектов структуры в ионно-имплантированных полупроводниках при импульсном отжиге. В сб.: « 7 Международная конференция по ионной имплантации в полупроводниках и других материалах», Вильнюс, 1983, с.127-128.

    29. Итальянцев А.Г. Эффекты в кремнии, обусловленные химическими реакциями на его поверхности. В сб.: « 5 Международная конференция по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностике кремния, нанолегированных структур и приборов на его основе «Кремний – 2008», Черноголовка, 2008, с.159.

    30. Italyantsev A.G., Mordkovich V.N. Peculiarities of defect rearrgement in semiconductor structure upon pulse photon annealing. International Conf. EPM-87, Dresden, GDR, 1987, p.4.15.

    31. Italyantsev A.G., Mordkovich V.N., Krasnobaev L.Y. The effect of chemical action on the impurity behavior in highly irradiated in implanted layers. International Conference EPM-87, Dresden, GDR, 1987, p.10.7.

    32. Italyantsev A.G., Mordkovich V.N. Chemical stimulated defect rearrgement in GaAs structure. International Conf. E-MRS-87, Strasbourg, France, 1987, p.B-1.6.

    33. Italyantsev A.G., Mordkovich V.N. Photoinduced defect rearrgement in ion-implanted silicon. International Conf. E-MRS-87, Strasbourg, France, 1987, p.A-1.5.

    34. Buravlev A.V., Vjatkin A.F., Italyantsev A.G., Krasnobaev L.Y., Mordkovich V.N. Solid phase epitaxial regrowth of amorphus ion implanted Si layers in the presence of point defects flow. Thesises of Reports International Conf. IBMM-88, Japan.

    35. Buravlev A.V., Italyantsev A.G., Vasin A.S. A new solid-phase recrystallisation effect of ion amorfphized Si under high pressure. Internation Conference on ion implantation and ion beam equipment (I3BE), 1990, Elenita, Bulgaria.

    36. Italyantsev A.G., Kuznetsov A.Yu. Computer simulation of the point defects distribution, injected into silicon through the advancing silicide-silicon interfase. CAMCE-92, 1992, p.127, Yokogava, Japan.

    37. Italyantsev A.G., Kuznetsov A.Yu. Vacancy flux enhanced diffusion of Sb in n+-n-Me structures during surface silicides formation: new experimental data and quantitative model. MRS Spring Meeting, 1992, p.91.

    38. Еnisherlova К.L., Italyantsev A.G., Tkacheva T.M. The thermodynamical model of the internal guttering in Si. 11th Scintific and Business Conference “Silicon 2008”, November, 2008, pp.257-269.

    39. Смульский А.С., Мордкович В.Н., Итальянцев А.Г. Авторское свидетельство № 820528, приоритет от 21.12.1979. Способ создания структур Si-SiO2.

    40. Итальянцев А.Г., Мордкович В.Н., Смульский А.С., Енишерлова К.Л., Иноземцев С.А. Авторское свидетельство №1088593 с приоритетом от 19.11.1982. Способ термообработки кремния и кремниевых структур.

    41. Курбаков А.И., Трунов В.А., Рубинова Э.Э. Итальянцев А.Г., Мордкович В.Н., Смульский А.С., Вахрушев С.Б., Квятковский Б.Е. Авторское свидетельство №1195831 с приоритетом от 07.04.1984. Способ изготовления монохроматоров тепловых нейтронов из монокристаллического кремния.

    42. Аветесян Г.Х., Кузнецов Ю.А., Итальянцев А.Г. Авторское свидетельство №257176 с приоритетом от 27.03.1986. Способ изготовления мишеней видиконов на основе фосфида галлия.

    43. Итальянцев А.Г., Мордкович В.Н., Вяткин А.Ф., Копецкий Ч.В., Пащенко П.Б. Авторское свидетельство с приоритетом от 18.11.1986. Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического GaAs.

    44. Смульский А.С., Итальянцев А.Г., Мордкович В.Н. Новая методика ликвидации ростовых и технологически вносимых дефектов структуры кремния при создании ПЗС. В сб.: «Приборы с зарядовой связью. Технология и применение», Москва, 1983, с.32-33.

    45. Итальянцев А.Г., Мордкович В.Н. Ускоренный распад кластеров собственных точечных дефектов при импульсном нагреве кристалла. Препринт Института проблем технологии микроэлектроники АН СССР. Черноголовка, 1986, 25 с.

    Pages:     | 1 |   ...   | 6 | 7 ||






    © 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»