WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

загрузка...
   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 |   ...   | 2 | 3 ||

3. Величко А. А., Кулдин Н. А.,  Путролайнен В. В., Черемисин А. Б., Пергамент А. Л. // Модель переключения в диоксиде ванадия. // Фундаментальные исследования  №.7, C. 60. (2008).

4. Черемисин А. Б., Величко А. А., Путролайнен В. В., Пергамент А. Л., Кулдин Н. А. // Механизм лазерно-индуцированной модификации физико-химических свойств тонких аморфных пленок пентаоксида ванадия, синтезированных методом импульсного лазерного испарения // Фундаментальные исследования. №.6. С. 105-107. (2008).

5. Путролайнен В. В., Величко А. А., Черемисин А. Б.,  Пергамент А. Л., Кулдин Н. А. // Модификация и селективное жидкофазное химическое травление пленок. // Фундаментальные исследования  №.7, C.62-63. (2008).

6. Cheremisin А. B., Loginova S. V., Velichko А. А., Putrolaynen V. V., Pergament А. L., Grishin А. М. // Modification of Atomic Structure of Thin Amorphous V2O5 Films under UV Laser Irradiation // J. Phys.: Conf. Ser. 100. 052096 (4pp), 2008. doi:10.1088/1742-6596/100/5/052096.

7. Черемисин А. Б.,  Величко А. А., Пергамент А. Л., Стефанович Г. Б. // Исследование модификации электрофизических и оптических свойств анодных  оксидов переходных металлов при ионно-плазменном воздействии. // Фундаментальные исследования  №.7., C. 65-66. (2008).

8. Putrolaynen V. V., Velichko A. A., Pergament A. L., Cheremisin A. B. and Grishin A. M. // UV patterning of vanadium pentoxide films for device applications // J. Phys. D: Appl. Phys 40. 5283–5286 (2007)

9. Черемисин А. Б., Путролайнен В. В., Величко A. A., Пергамент A. Л., Стефанович Г. Б. // Неорганический резист на основе оксидов ванадия для нанолитографии. // Сборник трудов Десятой Межд. науч. конф. и школы-семинара "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (ПЭМ-2006). Ч.2. – Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2006. 278 с., – с.68-71

10. Пергамент А. Л., Величко А. А., Кулдин Н. А., Путролайнен В. В., Черемисин А. Б. // Фазовый переход металл-изолятор и низкотемпературное электронное переключение в диоксиде ванадия. // Труды 34 совещания по физике низких температур (НТ-34). Том 1.-стр. 91-92 - Ростов-на-Дону, п. Лоо, 26-30 сентября 2006г. - Ростов н/Д: Изд-во РГПУ, 2006. - 260с. ISBN 5-8480-0563-X.

11. Пергамент А. Л., Стефанович Г. Б., Величко А. А., Путролайнен В. В., Черемисин А. Б., Артюхин Д. В, Стрелков А. Н. // Эффекты переключения и памяти в структурах на основе оксидов переходных металлов. // Сборник трудов Десятой Межд. науч. конф. и школы-семинара "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (ПЭМ-2006). Ч.1. – Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2006. 278 с., – с.96-99

12. Черемисин А. Б., Путролайнен В. В., Величко А. А., Пергамент А. Л., Стефанович Г. Б., Grishin А. М. // Модификация физико-химических свойств тонких аморфных пленок оксидов ванадия под действием излучения эксимерного лазера // Сборник трудов. V Межд. Конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники". Санкт-Петербург.- 2006.- С. 317 - 318.

13. Путролайнен В. В., Черемисин А. Б., Величко А. А., Пергамент А. Л., Стефанович Г. Б., Grishin А. М. // Получение тонких пленок оксида ванадия методом лазерной абляции // Сборник трудов. V Межд. Конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники". Санкт-Петербург.- 2006.- С. 285 - 286.

14. Величко А. А., Пергамент А. Л., Стефанович Г. Б., Путролайнен В. В., Черемисин А. Б., Мануилов С. А., Кулдин Н. А., Логинов Б. А. // Получение наноструктур на основе оксидов переходных металлов // Нанотехника, N.2. В.6, (2006), С.89-96

15. Стефанович Г. Б., Пергамент А. Л., Величко А. А., Кикалов Д. О., Путролайнен В. В., Черемисин А. Б., Мануилов С. А. // Наноструктуры на основе материалов с переходом металл-изолятор // Тез. докл. «Нанотехнологии -производству 2005». г. Фрязино. (2005), С. 25-27.

16. Путролайнен В. В., Стефанович Г. Б., Величко A. A., Стефанович Л. A., Черемисин A. Б. // Термохромный индикатор на основе диоксида ванадия // Фундаментальные исследования. 2005. N.2. С. 50-51.

17. Стефанович Г. Б., Величко A. A., Путролайнен В. В., Стефанович Л. A., Черемисин A. Б. // Проявление неорганического резиста на основе метастабильного аморфного оксида ванадия.// Фундаментальные исследования. 2005. N.2. С. 51-53.

18. Черемисин А. Б., Пергамент А. Л., Величко А. А., Яковлева Д. С., Березина О. Я., Стефанович Г. Б. // Электрические свойства планарных структур на основе V2O5-геля // Сборник трудов. IV Межд. конф. "Аморфные и микрокристаллические полупроводники". СПб., 2004. С. 240 - 241.

19. Стефанович Г. Б., Казакова Е. Л., Величко А. А., Пергамент А. Л., Черемисин А. Б., Яковлева Д. С., Березина О. Я. // Электронные и ионные процессы в гидратированном пентаоксиде ванадия // Материалы X Межд. Конф. Диэлектрики-2004. С-Пб. (2004), С.274 - 276.

20. Мануилов С. А., Величко А. А., Кулдин Н. А., Черемисин А.Б. // Электрические свойства структур Si – VO2 – Me // Тезисы докл. ВНКСФ-8. – Екатеринбург. – 2002. – C.257 – 259.

21. Черемисин А.Б., Величко А.А., Кулдин Н.А., Мануилов С.А. // Датчик с частотным выходом на основе диоксида ванадия // Тезисы докл. ВНКСФ-8. – Екатеринбург. – 2002. – C.276 –278.

22. Величко А.А., Черемисин А.Б. // Влияние одноосного сжатия на параметры переключения в структурах на основе анодных пленок оксида ванадия // Тезисы докл. Международной конференции студентов и аспирантов по фундаментальным наукам «Ломоносов-2002». – Москва. – 2002. – C.190.

ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА

1. Materials Surface Processing by Directed Energy Techniques. – Под ред. Pauleau Y., Elsevier Ltd. 2006. – 722p.

2. Стефанович Г. Б. Переход металл-изолятор в пленочных структурах на основе оксидов переходных металлов. – дисс. д.ф.-м.н. Санкт-Петербург, 1997. – 360 с.

3. Ария С.М., Семёнов И.Н. Краткое пособие по химии переходных элементов. Изд. ЛГУ, 1972. - 141 с.

4. Lambrechtts W., Djafari-Rouhanil B., Lannoof M., Vennik J. The energy band structure of V2O5:I. Theoretical approach and band calculations. – J. Phys. C: Solid St. Phys., V.13, 1980, p.2485-2501.

5. Lambrecht W., Qjafari-Rouhaniff B., LannooJ M., Clauwst P., Fiermanst L., Vennikt J.. The energy band structure of V2O5:II. Analysis of the theoretical results and comparison with experimental data. – J. Phys. C: Solid St. Phys., V. 13, 1980, p. 2503-2517.

6. Лагукова Н.И., Мокеров В.Г., Губанов В.А. Электронные оптические переходы в монокристаллах V2O5. – ФТТ, т.17, в.12, 1975,с. 3696.

7. Аронов Б. А., Ковалев Д. Ю., Рыльков В. В.. Неомическая прыжковая квазидвумерная проводимость и кинетика ее релаксации. – ФТП, т. 39, в. 7, 2005, с.844-852.

8. Шкловский Б. И., Эфрос А. Л. Электронные свойства легированных полупроводников. Монография. – М.: Наука, Глав. Ред. Физ.-мат. Литературы, 1979, 416 с.

9. Одынец Л. Л., Орлов В. П. Анодные окисные плёнки. Л.: Наука, 1990.-200 с.;

10. Данилин Б. С., Киреев В. Ю. Ионное травление микроструктур. – М.: Сов. Радио, 1979. – 104 с.

11. Данилин Б. С., Киреев В. Ю. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов. – М.: Энергоатомиздат, 1987. –264с.

12. PMMA resists [электронный ресурс]: доступен в главном меню MicroChem Corp (MCC) – раздел Products, PMMA & Copolymer Resists. Ссылка: http://www.microchem.com/products/pdf/ PMMA_Data_Sheet.pdf

13. Bozler C., et al., US Patent 4619894; 1986.

14. Pang S. W., Kunz R. R., Rothschild M., Goodman R. B., Horn M. W. Aluminum oxides as imaging materials for 193-nm eximer laser lithography. – J. Vac. Sci. Technol. B. v.7, n.6, 1989, p.1624.

Подписано в печать 26.12.08.
Формат 60х84 1/16. Бумага офсетная.
Уч-изд. л. 1. Тираж 100 экз. Изд. № 2.

Государственное образовательное учреждение
высшего профессионального образования
ПЕТРОЗАВОДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

Типография Издательства ПетрГУ
185910, г. Петрозаводск, пр. Ленина, 33.

Pages:     | 1 |   ...   | 2 | 3 ||






© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»