WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

загрузка...
   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

Средства проектирования реализованы на базе высокопроизводительных серверов Sun Sparc, работающих под управлением операционной системы Unix (Solaris 8 v.7), рабочих станций и Х-терминалов с использованием серверов баз данных и приложений.

Для оценки точности были проведены экспериментальные исследования поведения изделий при воздействии одиночных событий на моделирующих установках, которые в дальнейшем сравнивались с результатами расчета. Расчет проводился на СБИС нескольких серий микросхем. Расхождение результатов расчета и экспериментальных данных не превышало погрешности оценки дозиметрии – 20 %.

Проведенные исследования позволили создать иерархическую библиотеку типовых и функциональных элементов с учетом радиационного воздействия, что явилось основой для проектировать СБИС: микропроцессорных комплектов серий 1867, 1882, 1874, 1830 и др. Результаты работ по проектированию и созданию СБИС показали высокую эффективность разработанных средств.

Разработанные средства рекомендованы к распространении для предприятий аналогичного профиля и внедрены на ОАО «ВЗПП-С», ФГУП «НИИЭТ», Воронежском институте высоких технологий в виде программно-аппаратного комплекса.

Экономический эффект от внедрения данных средств составляет несколько миллионов рублей (акт внедрения ФГУП НИИЭТ (г. Воронеж).

В заключении приведены основные результаты диссертационной работы.

Основные результаты работы:

  1. Проведён анализ САПР, учитывающих моделирование радиационных эффектов, физических процессов в КМОП микросхемах при возникновении одиночных событий, и определены проблемы и направления их развития.
  2. Разработана методика проектирования СФ блоков КМОП СБИС, позволяющая моделировать одиночные радиационные эффекты космического характера с учетом современных конструктивных решений и субмикронной технологии, а также требований комплекса государственных стандартов «Климат-7».
  3. Обоснованы требования и выбор структуры проблемно-ориентированной программной платформы автоматизации проектирования СФ блоков специализированных КМОП СБИС, обеспечивших учет радиационных эффектов, требований стандарта «Климат-7» и унификацию программных средств.
  4. Разработаны математические модели физических процессов одиночных событий в КМОП полупроводниковых структурах, позволяющие учесть радиационные эффекты субмикронных технологий в соответствии с КГС «Климат-7».
  5. Разработаны математические модели прогнозирования поведения типовых элементов СФ блоков КМОП СБИС при возникновении одиночных событий в соответствии с требованиями КГС «Климат-7» с учетом современных конструктивных решений субмикронной технологии, универсальностью и адекватностью описания их характеристик на всех этапах иерархического процесса проектирования.
  6. Разработано алгоритмическое обеспечение расчета стойкости СФ блоков КМОП микросхем в процессе их проектирования, включающее в себя все предложенные математические средства, позволяющие учитывать одиночные события в комплексе, выявить наиболее чувствительные к данным эффектам области СФ блока, и тем самым, дать возможность повысить стойкость с помощью специальных мер.
  7. Разработано методическое обеспечение средств комплексной автоматизации проектирования, проведена программная реализация разработанных средств и их интеграция в единую программную среду проектирования КМОП СБИС.
  8. С помощью разработанных средств создана библиотека типовых элементов специализированных КМОП СБИС, на основе которой проектируются радиационно-стойкие микросхемы.
  9. Определены методы повышения радиационной стойкости СФ блоков КМОП СБИС к одиночным событиям.
  10. Анализ поведения СБИС в условиях радиации позволил создать несколько серий микросхем, с повышенной радиационной стойкостью, которые нашли применение в космических летательных аппаратах и ракетной технике.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ ОПУБЛИКОВАНЫ
В СЛЕДУЮЩИХ РАБОТАХ

Публикации в изданиях, рекомендованных ВАК

1. Стариков, А.В. Унифицированный информационный интерфейс и его реализация в комплексной САПР [Текст] / А.В. Стариков, П.П. Куцько, И.П.Потапов // Программные продукты и системы – 2007 – № 2. – С.37 - 38.

2. Потапов, И.П. Кинетика накопления зарядов в структуре Si/SiO2 [Текст] / И.П. Потапов // Системы управления и информационные технологии. - N4.2(26), 2006. - С. 266-268.

3. Потапов И.П. Средства автоматизации проектирования радиационно-стойкой элементной базы [Текст] / И.П.Потапов, А.В.Ачкасов, В.К.Зольников // Вопросы атомной науки и техники. Серия 8. 2006. – Вып.1-2. – С.147 - 149.

4. Зольников, В.К. Создание отечественной проектной среды разработки микроэлектронных систем [Текст] / В.К.Зольников, В.Н.Ачкасов, П.Р.Машевич, И.П.Потапов // Вестник ВГТУ. Системы автоматизации проектирования. 2006. Вып.2. - №3. – С.9 – 11.

5. Зольников, В.К. Моделирование физических процессов в конструкции микроэлектронных приборов после воздействия радиации [Текст] / В.К.Зольников, В.Н.Ачкасов, И.П.Потапов, Д.Г.Хорюшин // Вопросы атомной науки и техники. Серия 8. 2006. – Вып.1-2. – С.58 - 62.

6. Ачкасов, В.Н. Технические средства дизайн центра проектирования универсальных и специализированных радиационно стойких микросхем [Текст] / В.Н. Ачкасов, И.П. Потапов, А.В. Ачкасов // Приводная техника – 2006 – №4. - с. 52-55.

Монография

7. Потапов, И.П. Автоматизация проектирования комплементарных микросхем с учетом одиночных событий [Текст]: монография / И.П.Потапов, В.М.Антимиров, Ю.К.Фортинский, К.И.Таперо – Воронеж: Воронеж. гос. ун-т, 2007.- 165 с.

Статьи и материалы конференций

8. Потапов, И.П. Проектирование элементной базы нового поколения. [Текст] / И.П.Потапов, В.К.Зольников // Труды всероссийской конференции «Новые технологии в научных исследованиях, проектировании, управлении, производстве». – Воронеж. ГОУВПО «Воронежский государственный технический университет». – 2008. – С. 59-60.

9. Потапов, И.П. Моделирование воздействия тяжелых заряженных частиц [Текст] / И.П.Потапов, В.Н.Ачкасов, К.И.Таперо // Материалы Российской конференции «Стойкость-2008». – Москва: МИФИ. - 2008.- С.122-123.

10. Потапов, И.П. Моделирование воздействия тяжелых заряженных частиц на микросхемы [Текст] / И.П.Потапов // Труды всероссийской конференции «Новые технологии в научных исследованиях, проектировании, управлении, производстве». – Воронеж. ГОУ ВПО «Воронежский государственный технический университет». – 2007. –С. 32-33.

11. Потапов, И.П. Методика оценки стойкости изделий микроэлектроники [Текст] /И.П.Потапов // Труды международной конференции «Математические методы в технике и технологиях» Воронеж. Воронежская государственная технологическая академия. – 2007. – Т.6. –С. 46 – 48.

12. Таперо, К.И. Моделирование воздействия тяжелых заряженных частиц [Текст] /К.И.Таперо, И.П.Потапов // Труды российской конференции «Стойкость-2007». Москва: МИФИ. – 2007. –С. 63-64.

13. Потапов, И.П. Методика оценки стойкости изделий микроэлектроники [Текст] /И.П.Потапов // Математическое моделирование, компьютерная оптимизация технологий, параметров оборудования и систем управления: Межвуз. сб. науч. тр. – Воронеж: ВГЛТА, 2007. - С. 46-48.

14. Потапов, И.П. Методика оценки стойкости изделий микроэлектроники [Текст] /И.П.Потапов, В.К.Зольников // Межвузовский сборник научных трудов «Моделирование систем и информационные технологии».– Воронеж: Издательство «Научная книга» - 2007. Вып. 4. – С. 229 - 231.

15. Потапов, И.П. Обоснование архитектуры интегрированной информационной среды проектирования радиационно-стойкой элементной базы [Текст] / И.П.Потапов, П.Р.Машевич // Информационные технологии моделирования и управления. 2007. – № 3(37). – С.354 - 356.

16. Потапов, И.П. Моделирование радиационных эффектов в структуре Si/SiO2 [Текст] /И.П.Потапов, // Моделирование систем и процессов – Воронеж: Издательство воронежский госуниверситет - 2006. Вып.1. – С. 49 - 53.

17. Потапов, И.П. Архитектурные решения для проектирования радиационно-стойкой элементной базы [Текст] / И.П. Потапов // Труды международной конференции «Математические методы в технике и технологиях» Воронеж. Воронежская государственная технологическая академия. Том 10. – 2006. –С. 164-165.

18. Потапов, И.П. Средства проектирования радиационно-стойкой элементной базы [Текст] / И.П. Потапов // Труды всероссийской конференции «Новые технологии». – Воронеж. Воронежский государственный технический университет. – 2006. –С. 11.

19. Потапов, И.П. Архитектура САПР радиационно-стойкой элементной базы [Текст] / И.П. Потапов // Межвузовский сборник научных трудов «Моделирование систем и информационные технологии».– Воронеж: Издательство «Научная книга» - 2006. Вып.3. Ч.2. – С. 226 - 227.

20. Потапов, И. П. Модели учета импульсных видов радиации для СБИС систем контроля безопасности [Текст] / И.П.Потапов, А.И.Яньков // Материалы международной научно-практической конференции «Современные проблемы борьбы с преступностью. Радиотехнические науки». – Воронеж: Воронежский институт МВД. - 2006. Выпуск 2.- С.62.

21. Потапов, И.П. Моделирование статических радиационных эффектов в КМОП приборах [Текст] / И.П.Потапов, В.Н. Ачкасов, П.Р.Машевич // Межвузовский сборник научных трудов «Моделирование систем и информационные технологии».– Воронеж: Издательство «Научная книга» - 2006. Вып.3. Ч.2. – С. 221 - 223.

22. Потапов, И.П. Архитектура интегрированной информационной среды дизайн-центра проектирования элементной базы [Текст] / И.П.Потапов, В.К.Зольников, А.Н.Зольникова, В.И.Анциферова // Материалы X Международной конференции «Системные проблемы надёжности, качества, информационных и электронных технологий. – М: Издательство «Радио и связь». – 2006. Часть 1 – С.25.

23. Ачкасов, В.Н. Библиотека элементов для проектирования радиационно-стойких изделий [Текст] / В.Н.Ачкасов, И.П.Потапов// Материалы Российской конференции «Стойкость-2006». – Москва: МИФИ. - 2006.- С.123-124.

24. Ачкасов, В.Н. Процессы перераспределения тепла после воздействия импульса излучения [Текст] / В.Н.Ачкасов, И.П.Потапов// Материалы Российской конференции «Стойкость-2006». – Москва: МИФИ. - 2006.- С.125-126.

25. Ачкасов А.В. Проектирование радиационно-стойких изделий в САПР ИЭТ [Текст] / А.В.Ачкасов, И.П.Потапов, Д.Г.Хорюшин, В.К.Зольников // Материалы Российской конференции «Стойкость-2006». – Москва: МИФИ. - 2006.- С.127-128.

26. Яньков, А. И. Методы оценки стойкости СБИС, применяемых для систем контроля безопасности [Текст] / И.П.Потапов, А.И.Яньков // Материалы международной научно-практической конференции «Современные проблемы борьбы с преступностью. Радиотехнические науки». – Воронеж: Воронежский институт МВД. - 2006. Выпуск 2.- С.97.

27. Зольников, В.К. Создание микроэлементной базы двойного назначения [Текст] /В.К.Зольников, И.П.Потапов, А.Н.Зольникова, В.И.Анциферова // Материалы X Международной конференции «Системные проблемы надёжности, качества, информационных и электронных технологий. – М: Издательство «Радио и связь». – 2006. Часть 1 – С.26.

28. Потапов, И.П. Современное состояние проектирования элементной базы [Текст] /И.П.Потапов, А.В. Ачкасов // Информационные технологии моделирования и управления. 2005. – № 7(25). – С.1039 - 1042.

29. Потапов, И.П. Обоснование архитектуры интегрированной информационной среды проектирования радиационно-стойкой элементной базы [Текст] / И.П.Потапов, П.Р.Машевич // Информационные технологии моделирования и управления. 2005. – № 7(25). – С.1002 - 1005.

30. Потапов, И.П.Энергосберегающая информационная среда проектирования радиационно-стойкой элементной базы [Текст] /И.П. Потапов, В.К.Зольников, С.В.Светов // Материалы международной конференции «Высокие технологии энергосбережения». – Воронеж: Издательство ВГТУ, 2005. С.11-12.

31. Потапов, И.П. Микропроцессор на одном кристалле для создания отказоустойчивых высокопроизводительных масштабируемых однородных вычислительных систем бортовых радиоэлектронных комплексов авиационных и космических аппаратов [Текст] / Потапов И.П., Данильченко Н.В.// Тезисы докладов 4-ой международной конференции «Авиация и космонавтика – 2005». – М: Издательство МАИ, 2005. С.36.

32. Потапов, И.П. Архитектура и структура информационной среды проектирования радиационно-стойкой элементной базы [Текст] /И.П. Потапов // Промышленная информатика ВГТУ. – 2005. – С.45 - 46.

Просим Ваши отзывы на автореферат в двух экземплярах с подписями, заверенными гербовой печатью, направлять по адресу: 394613, г.Воронеж, ул.Тимирязева, 8, ГОУ ВПО «ВГЛТА», ученому секретарю. Тел / Факс (4732)-53-67-05.

Потапов Игорь Петрович

Разработка средств автоматизации проектирования сложных функциональных блоков микроэлектроники с учетом воздействия отдельных ядерных частиц

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

Подп. в печать17 ноября 2008г. Формат 60*841/18. Обьем 1 п.л. Заказ № 935
Тираж 100 УОП ВГЛТА 394613, г. Воронеж, ул. Тимирязева, 8.

Pages:     | 1 | 2 ||






© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»