WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

загрузка...
   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||
  1. на основе исследования плёнок BaxSr1-xTiO3 определён состав твёрдого раствора, соответствующий наилучшим СВЧ параметрам плёнок, и с помощью разработанных методик измерения получены зависимости их диэлектрических потерь от частоты в диапазоне (160) ГГц;
  2. разработана конструкция сегнетоэлектрического конденсатора с напряжениями управления, не превышающими 30 В, оценён вклад различных источников СВЧ потерь, изготовлены и экспериментально исследованы образцы МДМ конденсаторов на основе структуры Pt/Ba0.3Sr0.7TiO3/Cr/Cu;
  3. с помощью разработанной методики СВЧ резонанса исследовано быстродействие сегнетоэлектрических конденсаторов, полученных в различных технологических условиях, показан технологический способ увеличения порогового напряжения появления замедленной релаксации;
  4. определена связь между СВЧ параметрами сегнетоэлектрической плёнки и устройствами (фазовращателями) на её основе, определены требования к параметрам сегнетоэлектрической плёнки, изготовлен фазовращатель на основе плёнки Ba0.3Sr0.7TiO3 для работы на частоте 60 ГГц.

Опубликованные работы по теме диссертации.

  1. Козырев А.Б. 60 ГГц фазовращатели на основе (Ba,Sr)TiO3 сегнетоэлектрической пленки / А.Б. Козырев, М.М. Гайдуков, А.Г. Гагарин, А.В. Иванов, О.И. Солдатенков, А.В. Тумаркин, С.В. Разумов, Н.В. Самойлов // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии: материалы 16-й Международной конференции «КрыМиКо'2001», г. Севастополь, 10-14 сент. 2001 г. – Севастополь, 2001. – С.478-480.
  2. Козырев А. Волноводно-щелевой 60 GHz фазовращатель на основе (Ba,Sr)TiO3 сегнетоэлектрической пленки / А. Козырев, М. Гайдуков, А. Гагарин, А. Тумаркин, С. Разумов // Письма в ЖТФ. – 2002. – Т. 28, Вып. 6. – С.51-56.
  3. Razumov S.V. Characterisation of quality of BaxSr1-xTiO3 thin film by the commutation quality factor measured at microwaves (Определение качества тонких плёнок BaxSr1-xTiO3 с помощью коммутационного параметра качества, измеренного на СВЧ) / S.V. Razumov, A.V. Tumarkin, M.M. Gaidukov, A.G. Gagarin, A.B. Kozyrev, O.G. Vendik, A.V. Ivanov, O.Y. Buslov, V.N. Keys, L.C. Sengupta, X. Zhang // Appl. Phys. Lett. – 2002. – V. 81. – N. 9. – P. 1675-1677.
  4. Котельников И.В. Измерения параметров сегнетоэлектрических плёнок в диапазоне (2070) ГГц / И.В. Котельников, А.Г. Гагарин, П.В. Кулик // Молодые учёные – науке, технологиям и профессиональному образованию: материалы международной научно-технической школы-конференции, Москва, 1-4 окт. 2002 г. – Москва, 2002. – С.231-233.
  5. Разумов С.В. Электрофизические свойства тонких пленок BaxSr1-xTiO3, выращенных на подложках диоксида кремния / С.В. Разумов, А.В. Тумаркин, М.В. Сыса, А.Г. Гагарин // Письма в ЖТФ. – 2003. – Т. 29, Вып. 5. – С.1-7.
  6. Гагарин А.Г. Измерения параметров сегнетоэлектрических плёнок с применением частично заполненных волноводных резонаторов / А.Г. Гагарин, М.М. Гайдуков // Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ». Сер. Физика твёрдого тела и электроника. – 2003. – Вып. 1. – С.25-28.
  7. Гагарин А.Г. Параметр качества перестраиваемого элемента на основе сегнетоэлектрической плёнки при разработке СВЧ-устройств / А.Г. Гагарин, М.М. Гайдуков // Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ». Сер. Физика твёрдого тела и электроника. – 2003. – Вып. 2. – С.38-41.
  8. Razumov S.V. Microwave Properties of Thin BSTO Films Based Varactors for High Frequency Applications (СВЧ свойства высокочастотных конденсаторов на основе тонких плёнок BSTO) / S.V. Razumov, A.V. Tumarkin, A.G. Gagarin, M.V. Sysa, M.M. Gaidukov, P.V. Mironenko, A.V. Zemtsov // Integrated Ferroelectrics. – 2003. – V. 55. – P. 871-876.
  9. Самойлова Т.Б. Преобразователь частоты диапазона СВЧ на нелинейном сегнетоэлектрическом конденсаторе / Т.Б. Самойлова, А.Б. Козырев, А.В. Тумаркин, А.М. Николаенко, А.Г. Гагарин // ЖТФ. – 2005. – Т. 75, Вып. 10. – С.85-93.
  10. Alford N. McN. Enhanced electrical properties of ferroelectric thin films by ultraviolet radiation (Электрические свойства тонких сегнетоэлектрических плёнок улучшенные ультрафиолетовым облучением) / N.McN. Alford, P.Kr. Petrov, A.G. Gagarin, A.B. Kozyrev, A.I. Sokolov, O.I. Soldatenkov, V.A. Volpyas // Appl. Phys. Lett. – 2005. – V. 87. – P. 222904.
  11. Козырев А.Б. СВЧ МДМ конденсаторы на основе сегнетоэлектрических тонких плёнок / А.Б. Козырев, М.М. Гайдуков, А.Г. Гагарин, А.В. Тумаркин, С.В. Разумов, А.Г. Алтынников // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии: материалы 16-й Международной конференции «КрыМиКо'2006», г. Севастополь, 10-14 сент. 2006 г. – Севастополь, 2006. – С.598-599.
  12. Козырев А.Б. Резонансная методика измерения времён медленной релаксации в сегнетоэлектрических плёнках / А.Б. Козырев, М.М. Гайдуков, А.Г. Гагарин, А.Г Алтынников // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии: материалы 16-й Международной конференции «КрыМиКо'2006», г. Севастополь, 10-14 сент. 2006 г. – Севастополь, 2006. – С.778-779.
  13. Вольпяс В.А. Распределение неравновесных носителей заряда в нелинейном тонкопленочном конденсаторе / В.А. Вольпяс, А.Г. Гагарин, А.Б. Козырев, А.Г. Алтынников // Письма в ЖТФ. – 2007. – Т. 33, Вып. 19. – С.80-87.
Pages:     | 1 | 2 ||






© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»