WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

На правах рукописи

КУЗЬМИНА ЛАРИСА ВЛАДИМИРОВНА

ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ, ПРОТЕКАЮЩИЕ В КРИСТАЛЛАХ АЗИДОВ СЕРЕБРА И СВИНЦА ПОД ДЕЙСТВИЕМ МАГНИТНОГО ПОЛЯ

Специальность 02.00.04 «Физическая химия»

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Кемерово 2011

Работа выполнена на кафедре химии твердого тела Федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Кемеровский государственный университет»

Научный консультант: доктор физико-математических наук, профессор Крашенинин Виктор Иванович

Официальные оппоненты: Заслуженный деятель науки, доктор физико-математических наук, профессор Громов Виктор Евгеньевич доктор физико-математических наук, профессор Журавлев Юрий Николаевич доктор химических наук, профессор Уваров Николай Фавстович

Ведущая организация: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (г. Томск)

Защита диссертации состоится 2 марта 2012 г. в 10-00 часов на заседании Совета по защите диссертаций Д212.088.03 при ФГБОУ ВПО «Кемеровский государственный университет» (650043, г. Кемерово, ул. Красная, 6).

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке КемГУ.

Автореферат разослан “___” января 2012 г.

Ученый секретарь Совета Д212.088.доктор физико-математических наук А. Г. Кречетов

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность работы.

Одной из важных задач химии твердого тела является разработка эффективных способов управления скоростью химических реакций наиболее экономичными и интенсивными путями. Среди многих способов энергетического стимулирования химических реакций воздействие магнитных полей практически не рассматривалось по причине незначительной энергии данного вида воздействия (в постоянном магнитном поле с индукцией 1 Тл энергия, передаваемая парамагнитной частице, составляет 10-4 эВ).

В настоящей работе впервые использовано слабое магнитное поле в качестве фактора, инициирующего химическую реакцию разложения. Кроме того, впервые обнаружены магнитные эффекты в нитевидных кристаллах азида серебра, исследованы закономерности их проявления в данных материалах и установлена связь со скоростью разложения, инициированного магнитным полем.

Также достаточно остро стоят проблемы стабильности энергетических материалов по отношению к внешним энергетическим воздействиям. Применение и хранение таких материалов предполагает воздействие электромагнитных полей, которые вызывают необратимые физико-химические превращения, приводящие к изменению некоторых свойств, а иногда сопровождаются несанкционированными взрывами. Это подчеркивает особую важность разработки новых эффективных способов управления стабильностью энергетических материалов, к которым относятся азиды тяжелых металлов (АТМ).

Настоящая работа является продолжением цикла экспериментальных работ, направленных на поиск методов управления долговременной стабильностью таких высокочувствительных материалов, как АТМ.

Исследования проведены на наиболее совершенных нитевидных кристаллах азидов серебра (AgN3) и свинца (PbN6). Интерес к нитевидным кристаллам в настоящей работе определен тем, что они могут существовать в двух принципиально разных состояниях: без подвижных дислокаций (недеформированные) и с определенным числом способных к движению дислокаций, введенных пластической деформацией. А также для данных материалов достаточно хорошо изучены физико-химические свойства, зонная, кристаллическая и дефектная структуры.

Целью работы является изучение физико-химических процессов в кристаллах азидов серебра и свинца, протекающих под действием магнитного поля, а также разработка способов управления стабильностью данных материалов к внешним энергетическим воздействиям (электрическому полю, УФ-облучению).

Для достижения поставленной цели потребовалось выполнить комплекс исследований кристаллов азидов серебра и свинца и решить следующие конкретные задачи:

1. Исследовать медленное разложение, инициированное действием постоянного и переменного магнитных полей в кристаллах азидов серебра и свинца (по внешнему газовыделению, пост-процессы).2. Исследовать взаимосвязь изменения дислокационной структуры, обратимой деформации и реакции разложения, инициированные действием постоянного и переменного магнитных полей в кристаллах азида серебра.3. Исследовать связь магнитных эффектов (магнитоэлектрического и пьезомагнетизма) с изменением дислокационной структуры кристаллов азида серебра в магнитном поле.4. Установить закономерности влияния постоянного и переменного магнитных полей на процесс кристаллизации и некоторые физико-химические свойства (прозрачность в видимой области спектра, дисперсность, дефектная структура, реакционная способность) выращенных кристаллов азида серебра.5. Разработать способы управления скоростью разложения в кристаллах азидов серебра и свинца с помощью постоянного и переменного магнитных полей.Научная новизна:

1. Впервые обнаружено и изучено медленное разложение кристаллов азидов серебра и свинца, инициированное постоянным и переменным магнитными полями.2. Впервые обнаружена обратимая деформация кристаллов азида серебра под действием постоянного и переменного магнитных полей. 3. Исследовано движение краевых дислокаций в кристаллах азидов серебра и свинца в электрическом поле; определена их подвижность в двух кристаллографических направлениях.4. Впервые проведены исследования магнитных эффектов (магнитоэлектрического и пьезомагнетизма) и установлена их связь с изменением дислокационной структуры кристаллов азида серебра в магнитном поле.5. Показана взаимосвязь изменения дислокационной структуры и деформации кристаллической решетки с пространственным распределением газообразных продуктов и скоростью разложения, инициированного действием постоянного и переменного магнитных полей в кристаллах азида серебра6. Впервые предложен способ выращивания кристаллов азида серебра в магнитном поле, позволяющий получать кристаллы с заданными свойствами (прозрачные в видимой области спектра, монодисперсные, бездислокационные, с пониженным содержанием примеси, стабильные к действию контактного электрического поля напряженностью до 3 кВ/см и УФ-облучению в области собственного поглощения).7. Предложены способы управления скоростью разложения в кристаллах азидов серебра и свинца постоянным и переменным магнитными полями.Положения, выносимые на защиту:

1. Инициирование реакции разложения азидов серебра и свинца магнитным полем (постоянным с индукцией 510-5 0,6 Тл и переменным с индукцией 0,1 Тл и частотой до 10 кГц).2. Взаимосвязь изменения дислокационной структуры и деформации кристаллической решетки с пространственным распределением газообразных продуктов и скоростью медленного разложения, инициированного действием постоянного и переменного магнитных полей в кристаллах азида серебра.3. Магнитные эффекты (пьезомагнетизм, магнитоэлектрический) и их связь с изменением дислокационной структуры кристаллов азида серебра в магнитном поле.4. Способ выращивания в магнитном поле кристаллов азида серебра с заданными свойствами (прозрачные в видимой области спектра, монодисперсные, бездислокационные, с пониженным содержанием примеси, стабильные к действию контактного электрического поля напряженностью до 3 кВ/см и УФ-облучению в области собственного поглощения).5. Способы управления скоростью разложения в кристаллах азида серебра постоянным и переменным магнитными полями.Научная значимость работы определяется тем, что впервые проведен комплекс экспериментальных исследований процессов, протекающих под действием магнитных полей в кристаллах азидов серебра и свинца, результаты которых создают основу для развития экспериментально обоснованных механизмов разложения в энергетических материалах.

Практическая значимость работы определяется тем, что исследованные процессы в азидах тяжелых металлов моделируют реальные условия хранения и эксплуатации высокочувствительных энергетических материалов под действием электромагнитных полей. Предложенные, метод управления скоростью твердофазной реакции разложения и способ задания реакционной способности кристаллов азидов серебра и свинца, позволяют управлять долговременной стабильностью данных материалов при неконтролируемых воздействиях электромагнитных полей.

Личный вклад автора. В работу вошли результаты, полученные автором самостоятельно и совместно с дипломниками, магистрантами, аспирантами, соискателями и сотрудниками, выполнявшими под научным руководством автора диссертационные, дипломные, исследовательские работы.

Часть результатов вошла в кандидатские диссертации Храмченко В. Е., Дорохова М. А. и Добрынина Д. В., выполненные под научным руководством автора. Постановка задач, разработка положений, выносимых на защиту, руководство циклом обобщенных в диссертации работ принадлежат автору.

Основания для выполнения работы. Данная работа проводилась в системе научно-исследовательских работ в Кемеровском госуниверситете в лабораториях кафедры «Химии твердого тела».

Работа была выполнена в соответствии с Тематическим планом НИР по заданию Министерства образования РФ (№ гос. Регистрации 01.2.00310200) в период с 1995 по 2010 годы, а также при поддержке фонда РФФИ (гранты №96-03-32620; №99-03-32723; №03-03-32590), программы “Университеты России” (УР.06.01.016), научно-технической программы “Боеприпасы” (код НИР 003 34 040113), федеральной целевой программы “Интеграция науки и высшего образования России” в период с 1998 по 2004 годы (проекты А0044, Б0021).

Апробация работы. Материалы диссертации доложены на: 1-м Всероссийском симпозиуме по твердотельным детекторам ионизирующих излучений (Екатеринбург, 1998), на IX и X Международных конференциях «Физико-химические процессы в неорганических материалах» (Кемерово, 2004, 2007); 4-й Международной конференции «Рост монокристаллов и тепломассоперенос» (Обнинск, 2001); Международной конференции «Эволюция дефектных структур в конденсированных средах» (Барнаул, 2004, 2005, 2006, 2008, 2009) IX Международной научно-практической конференции «Химия21 ВЕК: Новые технологии, новые продукты» (Кемерово, 2006); Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» (Кисловодск, 2005, 2006, 2007, 2008, 2009); VI Международной научной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах» (Томск, 2008); Всероссийской конференции «Исследования и достижения в области теоретической и прикладной химии» (Барнаул, 2009); Proceeding International Conference on Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows: Proceedings (Томск, 2008, 2010); IV Всероссийской научно-практической конференции с международным участием (Красноярск, 2011); ХVIII и ХIX Менделеевском съезде по общей и прикладной химии (Москва, 2007, Волгоград, 2011).

Публикации. Результаты диссертации изложены в 80 научных работах, из них – 35 статей в реферируемых журналах (22 статьи в журналах, рекомендованных ВАК для опубликования основных научных результатов диссертации).

Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, семи глав, основных результатов и выводов, заключения, списка литературы;

содержит 359 страниц машинописного текста, 145 рисунков (и фотографий), 7 таблиц. Список литературы содержит 237 наименований.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении изложена суть проблемы, краткий обзор ее современного состояния, рассмотрена актуальность темы, определены цель и задачи исследования, сформулированы защищаемые положения, а также научная и практическая значимость исследования.

Первая глава является обзорной, в которой рассмотрены некоторые известные физико-химические свойства азидов серебра и свинца (кристаллическая, энергетическая и дефектная структуры, электропроводность). Также содержится аналитический обзор известных механизмов разложения АТМ. В настоящее время известны два режима разложения АТМ – медленное и взрывное. В механизме медленного разложения азида серебра роль внешнего энергетического воздействия сводится к генерации неравновесных электронов и дырок ( N0). Рост ядер металла осуществляется по схеме Герни-Мотта с участием неравновесных электронов и межузельных катионов серебра ( Ag+ ).

i В анионной подрешетке после локализации двух дырок на одной катионной вакансии происходит образование трех молекул азота по схеме:

0 - 0 N3 + Vk N3Vk 0 - 0 0 - (1) N Vk + N3 N3Vk NN VkN3 A 3N0 - где Vk катионная вакансия, А* активированный комплекс, N2 молекула азота. В последней стадии выделяется 10,4 эВ [1], что в данном механизме не учитывается. Генерированные внешним воздействием неравновесные электроны и дырки расходуются по двум каналам: рекомбинация и химическая реакция. Считается, что газообразный продукт разложения в анионной подрешетке образуется на внешней поверхности или на внутренней. В первом случае степень и кинетика разложения оценивается по изменению давления в системе. Во втором случае применяют метод Хилла, который заключается в наблюдении процесса растворения образца под микроскопом после энергетического воздействия и фиксировании пузырьков газообразного продукта, выделяющегося с поверхности в растворитель (так называемый «удержанный» газ). По объему последнего оценивается степень разложения вещества.

Данный метод прост, обладает высокой чувствительностью (1013моля), позволяет наблюдать топографию продуктов разложения, но носит полуколичественный характер, однако, является практически единственным при оценке степени разложения нитевидных кристаллов АТМ [2]. Взрывное разложение азидов рассматривается или с точки зрения теплового взрыва или как цепная реакция [3-7]. В литературе известны две группы моделей разветвленных твердофазных цепных реакций. В первом случае в стадии развития цепи участвуют свободные реагенты (бимолекулярная модель), во втором – локализованные на собственном дефекте (собственно-дефектная модель). Бимолекулярная и собственно-дефектная модели разветвленной твердофазной цепной реакции инициирования взрывного разложения АТМ импульсным излучением были предложены Кригером В. Г. и сотрудниками [4,5]. В бимолекулярной модели предполагается, что реакция протекает с образованием молекул азота при взаимодействии свободных азидрадикалов. Собственнодефектная модель предполагает, что реакция образования N2 происходит за счет взаимодействия азид–радикалов, локализованных на катионных вакансиях. Показано, что критическим параметром системы, определяющим переход медленного разложения во взрывное, является полная концентрация катионных вакансий в различных зарядовых состояниях. Сделан вывод о том, что процессы, лежащие в основе данной модели, могут привести как к инициированию образца при низких плотностях возбуждения анионной подрешетки при стационарном воздействии, так и к взрыву, при быстром нагреве кристаллов. Также Кригером В. Г. и сотрудниками введено понятие очага цепной реакции при разложении азидов, и высказано предположение об ингибирующем влиянии поверхности кристалла азида серебра, так как скорость рекомбинации электрон-дырочных пар на ней выше, следовательно, более высокий темп реакции будет в объеме образца. В работе [7] Ципилев В. П. и Лисицин В. М. показали, что тепловая модель наиболее полно согласуется с результатами эксперимента и адекватно отражает процессы взрывного разложения, стимулированного лазерным пучком. Использование метода спектроскопии с высоким временным разрешением для исследования взрывного разложения азида серебра позволило Алукеру Э. Д. и сотрудникам обнаружить новые явления: предвзрывную проводимость и предвзрывную люминесценцию, которые авторы рассматривают как доказательство цепной природы протекающего процесса. Были предложены монодырочная и дивакансионная модели [6]. В основе механизма лежит процесс размножения электронных возбуждений. В качестве модели элементарного акта цепной реакции предполагается взаимодействие двух радикалов N3, что приводит к образованию дырочного центра, который образует квазилокальный уровень в валентной зоне. Дырки, делокализующиеся с этого уровня, имеют достаточную энергию для ударной ионизации, что позволяет реализовать цепной процесс размножения дырок. Таким образом, существуют два механизма, основанных на представлении о бимолекулярном характере реакции (1) и на мономолекулярном характере медленного разложения АТМ, и оба описываются кинетикой первого порядка. Согласно реакции (1) в кристалле в процессе разложения должен накапливаться азот, хотя экспериментальные работы опровергают это положение. Установлено, что реакция в газовой фазе протекает через образование стабильного интермедиата, для распада которого требуется преодоление потенциального барьера. Полная энергия, выделяемая в этой реакции, составляет 12,69 эВ и достаточна для продолжения цепной реакции размножения дырок.

Вторая глава посвящена краткому описанию методик синтеза кристаллов азидов серебра и свинца, методикам исследования магнитных эффектов и процесса разложения при различных энергетических воздействиях (электрическое и магнитное поля, механическое нагружение, УФ-облучение, тепловое воздействие). В работе использованы выращенные по методике Ф. И. Иванова [8] нитевидные кристаллы азидов серебра и свинца со средними размерами 100,10,01 мм3 и 100,070,03 мм3 и наиболее развитыми гранями (010) (100) соответственно. Исходная концентрация основных примесей (Cu2+, Fe2+, Al3+, Bi3+, Pb2+, Ca2+, Si2+,Ti2+, Mg2+ ) не превышает 1017 см-3 (определено методом спектрального эмиссионного анализа). Для исследований применялась планарная геометрия образцов (кристаллы помещали на слюдяную или стеклянную подложку), что дает возможность фиксировать выделяющийся при разложении газообразный продукт и проводить наблюдения за топографией его распределения. В качестве электрических контактов использовали галлий, который наносили под микроскопом на кристалл в виде шариков диаметром 0,7 мм. Межэлектродное расстояние составляло 1 мм. Для электрофизических измерений использовали серебряные контакты, которые наносили термическим напылением в вакууме на установке ВУП-4 с применением маски из алюминиевой фольги, затеняющей от напыления межэлектродное пространство. В экспериментах использовали образцы либо с двумя контактирующими электродами, либо бесконтактный вариант, когда образец помещали между пластинами конденсатора (массивными одинаковыми металлическими электродами). Электрическое сопротивление образцов измеряли терраометром, погрешность которого на интервале измерения от 31011 до 1012 Ом составляла ± 6%. Постоянное магнитное поле создавали электромагнитом марки ЭМ-1, позволяющим создавать регулируемые поля до 12 кЭ (1,2 Тл). Переменное магнитное поле создавали тремя способами: вращением образца, приклеенного за оба конца на слюдяную подложку, в специально изготовленной ячейке из оргстекла между полюсами электромагнита; вращением постоянных магнитов, вокруг неподвижно закрепленной ячейки, в которую помещали кристалл. На данных установках можно исследовать физико-химические процессы, инициированные переменным магнитным полем до 10 кЭ (1 Тл) и частотой до 100 Гц. Третий способ позволяет создавать переменные магнитные поля с индукцией до 0,1 Тл и частотой 100 104 Гц, для чего использовали трансформатор, состоящий из двух обмоток, в магнитопроводе (изготовлен из железа с коэрцитивной силой 0,7 Э) которого сделан зазор со встроенным микроскопом, куда помещали образец или ячейку. Измерение магнитного поля осуществляли с помощью измерителя магнитной индукции Ш 1-8 либо миллитесламетра (точность измерения 10-5 Тл). Механическое напряжение в кристаллах азида серебра создавалось путём одноосного сжатия образцов вдоль оси [010] в специальной ячейке, изготовленной из оргстекла или посредством индентора из вольфрама (радиус закругления 10 мкм, локальное давление 5105 Н/м2), который выставляли на образец в течение нескольких секунд. В качестве источника УФ-излучения использовали ртутную лампу ДРШ-100. Интенсивность освещения составляла 1.92410квант/(см2с). Кристаллы ориентировали нормально к световому потоку широкой гранью. Расстояние между лампой и образцом было постоянным. Для исследования магнитных свойств кристаллов азидов серебра и свинца был использован классический метод Фарадея, а также разработана методика, основанная на прямом измерении величины индукции магнитного поля. Для измерения электрического поля поляризации использовали метод гармонической модуляции. Регистрация стрикционных процессов исследуемых образцов выполнялась методом оптической микроскопии (погрешность измерений составляла 3,5 мкм) и проверялась стандартным тензометрическим методом.

Исследование дислокационной структуры азидов серебра и свинца осуществлялось методами ямок травления и порошковых фигур. Контрастные ямки травления получались при травлении кристаллов азида серебра в 1N водном растворе тиосульфата натрия и в 3N водном растворе уксуснокислого аммония для азида свинца. Время травления составляло 310 с (погрешность измерения составляла 3,5 мкм). Порошковые фигуры получали при нанесении водной суспензии мелкодисперсного ферромагнитного порошка (Fe, Co) диаметром частиц 5 мкм на развитую грань (010) кристалла азида серебра.

Осевший порошок очерчивает границы доменов, которые наблюдали в микроскоп с увеличением 120. Для получения образцов с пониженным содержанием примеси использовали метод электроочистки. Для визуализации влияния магнитного поля на рост кристаллов использовали методику микрокристаллоскопических исследований, которая состояла в следующем: предметное стекло, на которое капали 0,2N растворы дважды перекристаллизованного азида натрия и соли серебра, помещали между полюсами магнитов либо в зазор магнитопровода со встроенным микроскопом с увеличением 100 и наблюдали процесс роста кристаллов. Количественный анализ продуктов разложения в анионной подрешетке (молекулярного азота) азидов серебра и свинца проводили двумя методами: Хилла и внешнего газовыделения. Преимуществом метода является высокая чувствительность (1013 моля).

Выбор данного метода обусловлен тем, что появляется возможность исследовать топографию распределения образующихся продуктов в пространственных координатах. Сущность метода заключается в том, что после энергетического воздействия кристалл AgN3 растворяли в водном 0,38N растворе тиосульфата натрия, PbN6 – в 1,17 N водном растворе уксуснокислого аммония. Процесс растворения наблюдали в замкнутом объеме под микроскопом «Биолам 120» со шкалой микрометра в проходящем красном свете, при этом фиксировали диаметр и пространственные координаты выделяющегося газообразного продукта разложения – азота. Предварительные эксперименты показали, что статистический разброс уменьшается, если объем удержанного газа (V) относить к площади поверхности кристалла (S), подвергнутого энергетическому воздействию. Это связано с тем, что реакция протекает в приповерхностной области кристалла с плохо контролируемой глубиной. Внешнее газовыделение наблюдали под микроскопом в проходящем красном свете в открытой кювете во время энергетического воздействия, когда кристалл покрывался слоем вазелинового масла толщиной 1 мм. Как показали предварительные эксперименты, вазелиновое масло не растворяет газообразные продукты, выделяющиеся из кристалла, и не разлагается при действии поля.

Выбранная конструкция ячейки позволила при среднем увеличении 1наблюдать выделения в масло пузырьков газа – азота и определять их объем и скорость. В конце главы приведено описание способов обработки полученных экспериментальных результатов. На каждую точку экспериментальных кривых брали не менее 10 образцов. Все эксперименты проводили при комнатной температуре (кроме экспериментов по определению магнитной восприимчивости). Таким образом, для успешного решения поставленных задач в данной работе имеется все необходимое оборудование.

В третьей главе впервые показана возможность инициирования реакции медленного разложения постоянным магнитным 0,5 Э 6 кЭ (510-50,6 Тл) и бесконтактным электрическим 0,015 В/см полями в кристаллах азидов серебра и свинца. Проведено исследование разложения кристаллов азидов серебра и свинца по внешнему газовыделению (во время воздействия фиксируется скорость выделения пузырьков газа в масло, покрывающее кристалл). На рисунке 1а,б показаны типичные зависимости скорости газовыделения в кристаллах азидов серебра и свинца от времени воздействия постоянного магнитного поля. В кристаллах азида серебра газовыделение начинается через 3040 минут воздействия и происходит в течение небольшого промежутка времени (1 минуту) с поверхности (110). В кристаллах азида свинца газовыделение начинается через больший промежуток времени и происходит с поверхности (001) в течение 4-х минут. Линии напряженности магнитного поля направлены по нормали к этим граням. Из полученных результатов следует, что разложение кристаллов азидов серебра и свинца в магнитном поле (во всем исследуемом диапазоне) происходит с постоянной скоростью.

а) б) Рис. 1. Типичные зависимости скорости внешнего газовыделения в кристаллах азида серебра (а) и в кристаллах азида свинца (б) от времени воздействия постоянного магнитного поля, направленного вдоль оси [100]:

1 – Н=3 кЭ (0,3 Тл); 2 – H= 0,1 кЭ (0,01 Тл) Установлено, что от индукции магнитного поля сложным образом зависит время начала интенсивного газовыделения (Рис. 2). Экспериментально показано, что в магнитных полях до 0,1 Тл данная зависимость носит линейный характер, чего нельзя сказать о более слабых полях. Вероятно, в различных диапазонах магнитного поля действуют свои принципы магнитной “рецепции” данными объектами.

а) б) Рис. 2. Зависимость времени начала интенсивного газовыделения в кристаллах азида серебра (а) и азида свинца (б) от величины индукции магнитного поля Следует отметить, что газовыделение пространственно ограничено и происходит из определенных реакционных областей, плотность которых составляет (45)103 см-2 (отношение количества мест газовыделения к площади поверхности). Такие области в кристалле (реакционные области) визуализируются химическим травлением.

Экспериментально показано, что действие постоянного магнитного поля можно компенсировать бесконтактным электрическим полем. Каждой величине напряженности магнитного поля были подобраны величины напряженности бесконтактного электрического поля, при которых газовыделения не наблюдалось (см. таблицу 1). В этом случае можно предположить, что бесконтактное электрическое поле компенсирует внутреннее электрическое поле, возникающее при включении магнитного поля. Кроме того, бесконтактные электрические поля соответствующих напряженностей также инициируют медленное разложение кристаллов. В этом случае величины максимальной скорости газовыделения и время начала интенсивного газовыделения хорошо совпадают с таковыми при воздействии магнитными полями. Из представленных в таблице результатов следует, что реакцию разложения в кристаллах азидов серебра и свинца можно запустить с помощью даже энергетически слабых электрического и магнитного полей при условии соблюдения соответствующих времен воздействия и ориентации относительно линий магнитной индукции.

Таблица 1.

Величины индукции внешнего магнитного поля и напряженности внутреннего электрического поля, компенсирующего разложение и соответствующее им время воздействия возд.(мин) возд.(мин) В (Тл) Е (В/см) для азида серебра для азида свинца 5 20 0,60,4 30 0,30, 3 40 2,5 40 0,140,0,5 60 10,090,0,1 60 10,010,00,01 6000 600,510-Переменное магнитное поле также инициирует реакцию разложения в кристаллах азидов серебра и свинца: количество выделившегося газа увеличивается с ростом частоты, изменяется топография газообразных продуктов разложения (газовыделение наблюдается с боковых граней, хотя вектор индукции переменного магнитного поля совпадал с нормалью к грани (010) азида серебра), что является характерным для действия вихревого электрического поля. После выключения магнитного поля (постоянного и переменного) в течение нескольких минут (до 6 минут) наблюдаются пост-процессы разложения, фиксируемые по выделению газа при растворении кристалла (метод Хилла). В дальнейшем каких-либо признаков протекания физико-химических процессов не наблюдается (с применением известных и перечисленных в данной работе методик). Можно отметить характерную особенность кинетики пост-процессов: кривые хорошо воспроизводимы.

В четвертой главе описаны экспериментально обнаруженные магнитные эффекты и особенности их проявления в нитевидных кристаллах азидов серебра и свинца. Выделяются 3 экспериментальных факта, которые свидетельствуют в пользу диамагнитных свойств азидов серебра и свинца: вектор намагниченности J направлен против внешнего магнитного поля (Н) и связан c H линейной зависимостью; независимость намагниченности от температуры (50343 К) и характерная для диамагнетиков величина удельной магнитной восприимчивости (AgN3 =-(9,13±0,15)·10-6 см3/г и PbN6 =-(10,97±0,15)·10-6 см3/г). Но, несмотря на диамагнитные свойства бездислокационных кристаллов азида серебра, в них обнаружены магнитные эффекты. Экспериментально показано, что в постоянном магнитном поле кристаллы азида серебра испытывают “гигантское” изменение линейных размеров (явление деформации). Максимальное изменение размеров кристаллов достигает значения ()100=(2,50,5)10-2 вдоль оси 100 после 5 и 28 минут воздействия постоянным магнитным полем с индукцией 0,5 Тл (рис 3). С запаздыванием в 1 минуту наблюдается изменение плотности дислокаций, определяемое по ямкам травления (рис. 4). Относительное изменение размеров кристаллов вдоль оси [001] не зависит от времени воздействия и величины приложенного поля и достигает значения ()001=0,510-2.

Различие в абсолютном значении и знаке деформации образца в зависимости от кристаллографического направления свидетельствует о наличии анизотропии обнаруженного эффекта. В переменном магнитном поле также обнаружено изменение размеров кристаллов азида серебра, которое наблюдается только в момент действия поля и зависит от частоты, но практически не зависит от величины индукции переменного магнитного поля. В этом случае максимальное значение относительного изменения размеров соответствует величине ()100 = (2 0,5)·10-2 вдоль оси [100].

Рис. 3. Типичные зависимости отно- Рис. 4. Зависимость плотности краесительного изменения размеров кри- вых дислокаций в кристаллах азида сталлов азида серебра вдоль оси [100] серебра от времени воздействия поот времени воздействия постоянного стоянного магнитного поля:

магнитного поля: 1 – В=0,3 Тл; 1 – В=0,3 Тл; 2 – В=0,01 Тл 2 – В=0,01 Тл Подобные эксперименты были выполнены с использованием кристаллов азида калия и азида свинца, в которых эффект «магнитострикции» не обнаруживается. Полученные результаты позволяют сделать вывод об определяющей роли катионной подрешетки азида серебра в данном эффекте. Установлено, что изменение линейных размеров азида серебра происходит посредством скольжения упругих доменов, ориентированных под углом 45 к оси [100]. Состояние кристалла с измененными размерами не является энергетически выгодным, так как через 40 часов наблюдается самопроизвольная релаксация его к первоначальным размерам, а точечное индентирование кристалла уже за несколько секунд возвращает его в первоначальное состояние.

В связи с этим, можно ожидать эффект намагничивания азида серебра при механическом воздействии. Экспериментально получена зависимость намагниченности кристаллов азида серебра от приложенного механического напряжения (пьезомагнетизм) (рис. 5). Показано, что одновременно с эффектом намагничивания при механическом нагружении образца наблюдается увеличение плотности дислокаций (методом ямок травления) (рис. 6).

Рис. 5. Зависимость намагниченности Рис. 6. Зависимость плотности дискристаллов азида серебра от механи- локаций в кристаллах азида серебра от времени воздействия механичеческого напряжения (возд 8 с) ского напряжения 5105 Н/мИз графика на рисунке 7 видно, что намагниченность линейно зависит от плотности дислокаций в кристаллах азида серебра.

Установлено, что за время 7 с, которое требуется для наблюдения максимальной намагниченности образцов при механическом напряжении 5105 Н/м2, достигается и максимальная плотность дислокаций в исследуемых кристаллах. В кристаллах азида свинца при аналогичРис. 7. Зависимость намагниченных механических нагружениях также ности кристаллов азида серебра фиксируется накопление дислокаций. Но от плотности дислокаций изменений намагниченности и размеров кристаллов в магнитном поле не наблюдается. Таким образом, явление деформации кристаллов азида серебра в магнитном поле и появление намагничивания при действии упругих напряжений в азиде серебра можно было бы трактовать как проявление прямого и обратного пьезоэффектов. Но пьезоэффект – это линейный эффект, при котором деформация прямо пропорциональна полю, что в наших экспериментах не наблюдается. Это означает, что наблюдаются аналоги данных эффектов, связанные со спецификой структурных элементов азида серебра (краевых дислокаций). Используя результаты измерения намагниченности (J) кристаллов азида серебра с введенными дислокациями, определим магнитный момент (М) кристалла азида серебра с дислокациями по формуле М=JVд = JdSсз, (2) где: d – толщина кристалла, Sсз – сечение захвата дислокации.

а) 12 штук дислокаций: М= 610-20 А·м2;

б) 5 штук дислокаций: М=2,610-20 А·м2;в) 8 штук дислокаций: М=3,910-А·м2;Магнитный момент линии краевой дислокации 510-21 А·м2. Следовательно, на линии дислокации максимальное количество атомов, имеющих магнитный момент 7102 шт.

Также автором данной работы совместно с Крашенининым В. И. были исследованы поверхности кристаллов азидов серебра и свинца методом «порошковых фигур». На кристаллах азида серебра получены порошковые фигуры, соединяющие выходы дислокаций на поверхность, видимые в микроскоп с увеличением 120. Если кристалл подвергнуть кратковременному (не более 1 с) действию магнитного поля, то «порошковые фигуры» сдвигаются в направлении линий напряженности. Этот экспериментальный факт является подтверждением, того, что линия дислокации в азиде серебра обладает магнитным моментом.

Ранее автором настоящей работы совместно с В. И. Крашенининым экспериментально показано смещение свежевведенных краевых дислокаций в кристаллах азида серебра, помещенных в "слабое" магнитное поле (B<1 Тл) в отсутствие механической нагрузки. Следует отметить, что смещение дислокаций происходит направленно вдоль вектора напряженности магнитного поля и может быть компенсировано антипараллельным бесконтактным электрическим полем. Предполагалось, что включение магнитного поля приводит к возникновению электрического поля, вектор напряженности которого параллелен вектору напряженности магнитного поля (обратный магнитоэлектрический эффект). А линия краевой дислокации имеет электрический заряд.

В настоящей работе был измерен обратный магнитоэлектрический эффект методом гармонической модуляции. Напряжение U, измеренное на образце в направлении [001] составило 2,0 0,5 В; в направлении [100] 0,02 0,005 В. Средняя величина напряженности внутреннего электрического поля Е, создаваемого при включении магнитного, составила 2 0,5 В/см.

Используем простые формулы:

Е = Н·Н (3) Н =U/Hd, (4) где Е –напряженность электрического поля, U – напряжение, d – ширина образца; Н – напряженность магнитного поля; H – коэффициент обратного магнитоэлектрического эффекта. Найдем Н 410-4 В/см·Э.

Природа магнитоэлектрического эффекта в азидах тяжелых металлов может быть связана со следующими эффектами: в магнитном и электрическом полях вследствие магнито- и электрострикции в кристаллах возникают механические колебания, которые благодаря пьезоэффекту, вызывают поляризацию и намагниченность. Также в настоящей работе показано, что введение максимального числа дислокаций в кристалл с помощью индентора в слабом контактном электрическом поле приводит к резкому возрастанию электрического тока I за время t. При этом наблюдается смещение ямок травления к положительному контакту. По формуле, приведенной ниже, можно грубо оценить величину электрического заряда линии краевой дислокации -Qдисл =I·t/ N10 Кл (5)Дрейф дислокаций в электрическом r поле позволяет определить их подвижность по соотношению , Е (6) r где величина смещения ямок травления (определяется из графика на рис. 7), время действия магнитного (электрического) поля, Е напряженность электрического поля.

Рис. 8. Зависимость средней длины пробега дислокаций, определяемое по ямкам травления в кристаллографических направлениях [100] (а) и [001] (б), от времени экспозиции кристаллов азида серебра в постоянном магнитном (электрическом) поле: 1 – 0,1 Тл (2,5 В/см); 2 – 0,3 Тл (4 В/см); 3 – 0,5 Тл (5 В/см); (обозначения: – ввод дислокаций; – селективное травление) Значение подвижности дислокаций в азиде серебра в кристаллографическом направлении [100] составило (3,5 ± 0,5)·10-4 см2В-1с-1, в направлении [001] – (9,6 ± 0,5)·10-4 см2В-1с-1. В кристаллах азида свинца в направлении [100] =(6,5 ±0,5) 10-4 см2В-1с-1. Из полученных результатов следует, что краевые дислокации в азиде серебра могут перемещаться в двух кристаллографических направлениях. На Фото 9 представлена дислокационная структура кристаллов азида серебра, выявленная 3 методами. Ямки травления, вершины порошковых фигур и места газовыделения совпадают с точностью до 5 мкм.

Перемещение краевых дислокаций в электрическом и магнитном полях дает возможность задавать нужное пространственное распределение продуктов разложения; а в случае полного вывода дислокаций из кристалла, делать его более стабильным и устойчивым к УФ - облучению и действию контактного электрического поля 3 кВ/см.

Если дислокации в кристаллах азидов серебра и свинца переместить на новое место, то по истечении одной минуты можно вновь обнаружить ямки травления в местах, куда были перемещены дислокации, а также «удержанный» газ.

В пятой главе рассмотрены модельные представления процесса разложения кристаллов азида серебра в Рис. (Фото) 9. Дислокационная магнитном поле.

структура азида серебра, выявлен- В настоящей работе обнаружены и ная методами: 1 – ямок травления; исследованы физико-химические процессы, протекающие в кристаллах 2 – «порошковых фигур».

3 – Газовыделение из реакционных азида серебра под действием магнитобластей, совпадающих с выходами ного поля: медленное разложение дислокаций на поверхность (010) (определяется по выделению газа), кристаллов азида серебра деформация (определяется по изменению размеров); магнитоэлектрический эффект наличие электрического поля поляризации (определено прямым измерением и подтверждено методом компенсации разложения); магнитный момент и электрический заряд линии краевой дислокации; изменение плотности краевых дислокаций в магнитном поле. Установлены определенные закономерности и взаимосвязь наблюдаемых явлений. Так при сопоставлении изменения линейных размеров (рис. 3) и плотности дислокаций (рис. 4) с кинетикой внешнего газовыделения (рис. 1) становится очевидным, что изменение размеров кристаллов азида серебра предшествует и далее коррелирует по времени с максимальной плотностью дислокаций и с максимальной интенсивностью газовыделения.

Можно предположить, что внешние энергетические воздействия на исходно бездислокационные кристаллы сопровождаются возникновением внутреннего упругого поля, приводящего к эволюции дислокаций, которые в свою очередь обеспечивают протекание химической реакции.

Среди авторов, исследующих медленное разложение кристаллов азидов тяжелых металлов, существует представление о том, что реакция разложения в анионной подрешетке происходит при локализации двух дырок на катионной вакансии. Азид серебра дефектен по Френкелю с преимущественно подвижными междоузельными катионами серебра. Поверхность азида серебра заряжена положительно, а приповерхностная область обогащена отрицательно заряженными катионными вакансиями. Почему же разложение азида серебра не происходит без внешнего энергетического воздействия? Следует отметить, что длительное хранение данных материалов все же приводит к их медленному старению и потере некоторых рабочих характеристик.

Поскольку реакция разложения наиболее интенсивно протекает не по всей поверхности, а в определенных областях (реакционных) (РО), образованных краевыми дислокациями, имеющих отрицательный заряд и атмосферой Коттрелла, состоящей из положительно заряженных точечных дефектов, в приповерхностной области кристалла (рис. 10), Следовательно, в этих РО должна быть повышена концентрация катионных вакансий. В свою очередь, концентрация катионных вакансий определяется концентрацией примеси в азиде серебра и должна определяться концентрацией двухзарядных катионов, например, Pb2+. В азиде серебра концентрация таких примесей составляет не более 1017 см3.

Рис. 10. Процесс формирования реакционной области в кристаллах AgN3:

1 – поверхность кристалла AgN3, 2 – линия краевой дислокации, 3 – атомы заряженной примеси, 4 – реакционная область, Ag+ - катионы серебра, Vk – катионные вакансии, С+ Vk – комплекс примесь – катионная вакансия Известно, что необходимым условием для реализации разложения в анионной подрешетке азидов тяжелых металлов является поставка в реакционные области дырок, которая возможна при действии электрического поля [2]. Следовательно, появляется возможность объяснить наблюдаемое инициирование химической реакции магнитным полем с помощью магнитоэлектрического эффекта. В этом случае разложение кристаллов происходит благодаря поставке дырок внутренним электрическим полем, возникающим изза поляризующего действия внешнего магнитного поля.

В шестой главе предложены способы получения кристаллов азида серебра, стабильных к внешним воздействиям. Первый способ электроочистка. Ранее было установлено, что в кристаллах АТМ реакционные области (вакансионный кластер) формируются в течение одной минуты [2]. Поскольку в формировании реакционной области большую роль играет облако Коттрелла, состоящее из точечных дефектов, в том числе и примесных, то, уменьшая количественно эту атмосферу с помощью электроочистки, можно изменять время образования вакансионного кластера в пределах 1 40 мин (рис. 11 кривая 1).

Концентрация примеси от времени электроочистки в кристаллах азида серебра контролировалась методом эмиссионного спектрального анализа. После 70 часов электроочистки концентрация примеси снижалась на 30%.Второй способ выращивания кристаллов Рис. 10. Зависимость времени образоазида серебра в магнитных полях вания реакционной области от времени (Н-кристаллы).

электроочистки: 1 – в кристаллах Как показали исследования, AgN3; 2 – в Н – кристаллах AgNвыращенные таким способом кристаллы азида серебра отличались от кристаллов, выращенных обычным способом: по степени оптической чистоты (Н-кристаллы обычно более прозрачные, без видимых макродефектов); времени старения (остаются прозрачными без видимого почернения поверхности более длительное время (не менее 6 месяцев)); по размерам (cредние размеры обычных кристаллов составляют 100,10,03 мм3, в то время как Н-кристаллы вырастают более мелкими, и их размеры зависят от напряженности магнитного поля).

Как показано на рис. 12, размеры кристаллов уменьшаются ( в 6 раз) с увеличением магнитного поля до 1,5 кЭ (0,15 Тл), после чего кривая выходит на стационар, и размеры кристаллов не зависят от величины магнитного поля (в области исследуемых полей). Результаты эмиссионного спектрального анализа показали, что содержание примеси в Н-кристаллах качественно осталось прежним (Тi2+, Cu2+, Fe3+, Al3+, Bi3+, Pb2+, Ca2+, Si4+), а количественно уменьшилось на 15 30% при исходной концентрации С=1016 1017 см-(рис. 13).

Рис. 12. Зависимость размеров кри- Рис. 13. Зависимость концентрации сталлов азида серебра в кристалло- примесей в кристаллах азида серебра от графическом направлении [001] от напряженности магнитного поля, в коиндукции магнитного поля, в кото- тором проводилась кристаллизация ром проводилась кристаллизация Уменьшение количества примеси неплохо согласуется с изменением размеров кристаллов, выращенных в магнитном поле (кристаллы, выращенные при различных напряженностях магнитного поля, имеют размеры меньше обычных кристаллов на 20% - 70%, как видно из графика на рис. 12. Экспериментально показано, что Н-кристаллы являются не чувствительными (в анионной подрешетке) к действию контактного электрического поля (кВ/см) и УФ-облучению в области собственного поглощения (365 нм). Также не наблюдается термолиз (t < 1200С, tвозд~1 час). Вышеописанные свойства Н-кристаллов азида серебра сохраняются не менее 6 месяцев.

Для кристаллов, выращенных в магнитном поле, после 6 месяцев хранения также можно изменять время образования реакционных областей. Результаты отражены на кривой 2 рис. 11. Из графика видно, что временем образования реакционных областей в Н-кристаллах можно варьировать от минут до 1 часа. В течение этого времени кристаллы являются стабильными к внешним энергетическим воздействиям. Данный результат также не противоречит нашим модельным представлениям о реакционных областях (вакансионных кластерах), образующихся более длительное время в Н-кристаллах, поскольку такие кристаллы еще до процесса электроочистки имеют меньшее содержание примеси. Полученные экспериментальные результаты свидетельствуют о том, что выращивание кристаллов азида серебра в магнитном поле является новым методом управления содержанием некоторых типов дефектов (линейных и примесных) и подтверждают ранее установленную связь реакционной способности азида серебра и дефектной структуры (дислокаций и примеси).

Седьмая глава. Из полученных результатов в главе 3 следует, что кристаллы азидов серебра и свинца в магнитном поле разлагаются с постоянной скоростью, а от напряженности зависит только время начала интенсивного газовыделения.

В данной главе предложено использовать магнитное поле (постоянное и переменное) в качестве инструмента управления скоростью разложения, инициированного контактным электрическим полем (3 кВ/см) в режиме монополярной инжекции дырок и УФ-облучением в области собственного поглощения (на примере кристаллов азидов серебра и свинца).

Для наглядного представления влияния магнитного поля на электрополевое разложение кристаллов азида серебра построен график зависимости скорости внешнего газовыделения от напряженности магнитного поля (рис.

14). Рассмотрен вариант параллельного приложения магнитного и контактного электрического полей (ЕН). Следует отметить: эффект влияния слабых магнитных полей в интервале напряженностей H=0,51 кЭ, эффект усиления разложения (Н=3 кЭ) и при Н> 4 кЭ реакция разложения заканчивается взрывом. Отмечено, что перед взрывом образца наблюдается увеличение плотности дислокаций, определяемое по ямкам травления. В магнитном поле дислокации срываются со стопоров, а затем при наличии магнитоэлектрического эффекта движутся в электрическом поле поляризации. В данном случае магнитное поле создает электрическое поле, которое суммируется с приложенным к галлиевым контактам электрическим полем. При напряженности магнитного поля более 4 кЭ достигается максимально возможное суммарное электрическое поле, в котором смещаются дислокации.

Из формулы определения подвижности LЕ, найдем время , в течение которого дислокация проходит межэлектродное расстояние L=0,см, при напряженности электрического поля E=3 кВ/см, которое соответственно равно 1 с. Дислокации в силу их Рис. 14. Зависимость скорости внешнего гаотрицательного заряда конзовыделения от напряженности магнитного центрируются у положительполя при совместном действии с контактного электрода, то есть возным электрическим полем: прямая 1 – соотникает скопление реакционветствует Е=3 кВ/см и Н=0; прямая 2 – соотных областей, которое привоветствует параллельным электрическому дит к локальному выделению (3 кВ/см) и магнитному полям (Е||Н) тепла в результате химической реакции и медленное разложение переходит во взрывное. Таким образом, роль магнитного поля состоит в усилении электрического, а причина перехода реакции во взрыв в параллельных электрическом и магнитном полях заключается в концентрировании реакционных областей в активной зоне кристалла.

Экспериментально установлено влияние переменного магнитного поля (ПМП), направленного по нормали к грани (010), на разложение, инициированное действием контактного электрического поля (Е=3 кВ/см, межэлектродное расстояние 1 мм) в кристаллах азидов серебра и свинца. Визуальные наблюдения показа ли, что газообразный продукт в кристаллах азидов серебра и свинца выделяется на грани (110) и (001) соответственно, куда выходят дырки под действием магнитной составляющей силы Лоренца. В то время как в отсутствие ПМП, газ выделяется с развитой грани кристаллов (010) и (100) соответственно для азидов серебра и свинца.

Следует отметить, что варьирование напряженности переменного магнитного поля (в рамках возможностей используемых установок) не привело к значительным изменениям топографии продуктов разложения. Но на кристаллах азидов серебра и свинца обнаружена зависимость количество выделившегося газа от частоты переменного магнитного поля. С увеличением частоты ПМП наблюдается плавное усиление медленного разложения (фиксируемого по выделению газообразного продукта), которое при частоте более кГц переходит во взрывное с вероятностью около 80%. Причиной перехода медленного разложения во взрыв является увеличивающееся с частотой вихревое электрическое поле.

Таким образом, экспериментально показано влияние магнитных полей (постоянного и переменного) на скорость реакции разложения, инициированного электрическим полем в режиме монополярной инжекции дырок в кристаллах азидов серебра и свинца. Основные закономерности влияния магнитных полей также распространяются и на разложение, инициированное УФ-облучением в области собственного поглощения.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ 1..Впервые экспериментально обнаружено и исследовано медленное разложение кристаллов азидов серебра и свинца, инициированное постоянным с индукцией 510-5 0,6 Тл и переменным с индукцией 0,1 Тл и частотой до 10 кГц магнитными полями, необходимым условием для которого является организация диффузионно-дрейфовой стадии доставки положительных носителей заряда (дырок) в реакционные области, пространственно совпадающие с выходом краевых дислокаций на поверхность кристалла.2. После прекращения воздействия магнитных (постоянного и переменного) полей в кристаллах азидов серебра и свинца наблюдаются кратковременные (до 6 минут) пост-процессы разложения в анионной подрешетке. 3. Обнаружено явление обратимой деформации в кристаллах азида серебра в постоянном и переменном магнитных полях. Максимальное изменение размеров кристаллов соответствует значению =(2,5±0,5)·10-2 в постоянном и =(2,0·±0,5)·10- в переменном магнитных полях. Определено время релаксации, которое составляет не менее 40 часов в постоянном магнитном поле. Изменение размеров в переменном магнитном поле наблюдается только во время воздействия. На солях с другим катионом (азидах свинца и калия) эффект обратимой деформации не наблюдается. Полученные результаты позволяют сделать вывод об определяющей роли катионной подрешетки азида серебра в данном эффекте, а изменение линейных размеров происходит посредством скольжения упругих доменов, ориентированных под углом 45 к оси [100].4. Разложение кристаллов азидов серебра и свинца в магнитном поле обусловлено наличием электрического поля поляризации. 5. Экспериментально установлено направленное движение краевых дислокаций в кристаллах азида серебра в электрическом поле с подвижностью (9,6 ±0,9)·10-4 см2В-1с-1 и (3,±0,7)·10-4 см2В-1с-1 в кристаллографических направлениях [001] и [100] соответственно. Для азида свинца подвижность дислокаций в направлении [100] составляет (6,5 ±0,5) 10-4 см2В-1с-1.6. Экспериментально обнаружен пьезомагнитный эффект в кристаллах азида серебра, особенность проявления которого связана со свойствами краевых дислокаций: наличием электрического заряда (~10-16 Кл ) и магнитного момента (510-21 А·м2). Установлена связь данного эффекта с изменением дислокационной структуры кристаллов азида серебра в магнитном поле (с увеличением плотности дислокаций увеличивается намагниченность).7. Установлено влияние постоянного магнитного поля на скорость реакции твердофазного разложения, инициированного электрическим полем в режиме монополярной инжекции дырок. Эффект влияния магнитного поля на скорость химической реакции в кристаллах азида серебра связан с генерацией дислокаций, образованием новых реакционных областей и развитием реакции в новых реакционных областях. Установлено эффективное действие слабых магнитных полей до 0,005 Тл, осуществляющих запрет на протекание химической реакции. 8. Обнаружено эффективное влияние переменного магнитного поля на электрополевое разложение кристаллов азида серебра; с увеличением частоты возрастает вероятность взрыва.9. Проведены систематические исследования процесса кристаллизации азида серебра в постоянном магнитном поле. Показано, что выращивание кристаллов азида серебра в магнитном поле (0,040,09 Тл с неоднородностью не более 1,5 %) дает возможность получать кристаллы с заданными свойствами: прозрачные в видимой области спектра, бездислокационные, с уменьшенным содержанием примесей (не более чем на 30%), стабильные к действию электрического поля в режиме монополярной инжекции дырок и УФ-облучению в области собственного поглощения.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ В данной диссертационной работе в большей степени на примере кристаллов азида серебра обнаружено достаточно большое количество явлений и эффектов, как инициированных действием магнитного поля, так и инициированных другими видами воздействий, на которые магнитное поле оказывает эффективное влияние. Но объяснить разнообразие эффектов, каким либо одним механизмом вряд ли возможно, каждый из них максимально проявляется в определенной узкой области напряженностей магнитного поля. Как показали многочисленные эксперименты, относительно сильные магнитные поля редко вызывают заметный отклик в изучаемых объектах. Поэтому диапазон магнитных полей был сужен до 6 кЭ (0,6 Тл). Как показали многочисленные эксперименты, относительно сильные магнитные поля редко вызывают заметный отклик в изучаемых объектах (азидах серебра и свинца). Поэтому диапазон магнитных полей был сужен до Н=6 кЭ (0,6 Тл). С точки зрения временных характеристик все обнаруженные магнитные эффекты в кристаллах азида серебра можно разбить на две основные группы: 1 – эффекты, проявляющиеся только во время действия поля (изменение линейных размеров при действии переменного магнитного поля); 2 – эффекты длительного последействия, которые могут быть полностью необратимыми (разложение и движение краевых дислокаций в постоянном и переменном магнитных полях), либо медленно релаксирующими со временем (изменение линейных размеров в постоянном магнитном поле). Также наблюдаются и более сложные временные зависимости отклика на действие магнитного поля. Учитывая исследования, проведенные ранее в нашей лаборатории, а также полученные экспериментальные результаты настоящей работы, можно заключить, что между магнитными, электрическими и механическими свойствами кристаллов азида серебра существует взаимосвязь, которую можно изобразить следующим образом. В магнитном поле происходит поляризация и в кристалле возникает внутреннее электрическое поле, и наоборот (прямой и обратный магнитоэлектрический эффект); в магнитном и электрическом полях наблюдается пластическая деформация; при механическом нагружении появляется намагниченность (пьезомагнетизм) и наблюдается деформация.

СПИСОК ЦИТИРУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 1. Кригер, В. Г. Квантово-химическое моделирование реакции 2N3 3N2 / В. Г. Кригер, А. В. Каленский, Л. Г. Булушева // Тезисы докладов 9 Международной конференции по радиационной физике и химии неорганических материалов РФХ-9. – Томск, 1996. – С. 224–225.

2. Захаров, В. Ю. Медленное разложение азидов тяжелых металлов / В. Ю. Захаров, В. И. Крашенинин. – Томск.: Изд-во научно-технической литературы, 2006. – 168 с.

3. Боуден, Ф. Быстрые реакции в твердых телах / Ф. Боуден, А. Иоффе. – М.:

Изд-во иностранной литературы, 1962. – 243 с.

4. Кригер, В. Г. Инициирование азидов тяжелых металлов импульсным излучением / В. Г. Кригер, А. В. Каленский // Химическая физика. – 1995. – Т. 14. – № 4. – С. 152–160.

5. Кригер, В. Г. Собственно-дефектная модель разложения азидов тяжелых металлов / В. Г. Кригер, А. В. Каленский, В. В. Вельк // Изв. Вузов, сер.

Физика. – 2000. – Т. 43. – № 11. – С. 118–123.

6. Захаров, Ю. А. Предвзрывные явления в азидах тяжелых металлов / Ю.

А. Захаров, Б. П. Адуев, Э. Д. Алукер, Г. М. Белокуров, А. Г. Кречетов. – М.: ЦЭИ “Химмаш”, 2002. – 115 с.

7..Ципилев, В. П. К вопросу о механизмах зажигания азидов тяжелых металлов лазерным моноимпульсным излучением / В. П. Ципилев, В. М.

Лисицин, В. И. Корепанов, В. И. Олешко, А. Н. Яковлев // Известия Томского политехнического университета. 2003. Т. 306. №6. С. 4653.

8. Иванов, Ф. И. Дислокационная структура и некоторые физикохимические свойства НК азидов тяжелых металлов / Ф. И. Иванов, М. А.

Лукин, Г. В. Назарова // Матер. 3 Всесоюз. конф. “Нитевидные кристаллы для новой техники”. – Воронеж, 1979. – С. 181–184.

ОСНОВНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ Статьи, опубликованные в журналах, рекомендованных ВАК Минобрнауки России:

1. Картужанский, А. Л. Подвижность носителей заряда в азиде серебра / А. Л. Картужанский, В. И. Крашенинин, Л. В. Кузьмина, А. Ю. Сталинин // Письма в ЖТФ. – 1994. – Т. 20. – Вып. 8. – С. 1–3.

2. Крашенинин, В. И. Электрополевое разложение азида серебра: влияние поперечных электрического и магнитного полей / В. И. Крашенинин, Л. В. Кузьмина, В. Ю. Захаров, А. Ю. Сталинин // Химическая физика. – 1995. – Т. 14. – № 4. – С. 126–135.

3. Крашенинин, В. И. Физико-химические процессы, инициированные постоянным электрическим полем в нитевидных кристаллах азида серебра / В. И. Крашенинин, Л.В. Кузьмина, В. Ю. Захаров // Журнал прикладной химии. - 1996. – Т.69. – Вып. 1. – С. 21–24.

4. Крашенинин, В. И. Пластическая деформация и некоторые аспекты твердофазных реакций в нитевидных кристаллах азида серебра / В. И. Крашенинин, Ф. И. Иванов, Л. В. Кузьмина, В. Ю. Захаров // Известия вузов, сер. Черная металлургия. – 1996. – № 2. – С. 68–70.

5. Крашенинин, В. И. О влиянии электрического поля на разложение кристаллов азида серебра / В. И. Крашенинин, Л. В. Кузьмина В. Ю. Захаров // Химическая физика. – 1997. – Т. 16. – № 4. – С. 74–77.

6. Крашенинин, В. И. Тепловой эффект при электрополевом разложении азида серебра / В. И. Крашенинин, В. Ю. Захаров, Л. В. Кузьмина // Химическая физика. – 1997. – Т. 16. – № 5. – C. 96–99.

7. Кузьмина, Л. В. Разложение азидов тяжелых металлов в магнитном поле / Л. В. Кузьмина, В. И. Крашенинин, В. Е. Храмченко // Журнал научной и прикладной фотографии.– 2002.– Т. 47.– № 4.– С. 43–47.

8. Крашенинин, В. И. Физико-химические процессы, инициированные действием постоянного магнитного поля в кристаллах азида серебра / В. И. Крашенинин, Л. В. Кузьмина, В. Е. Храмченко // Материаловедение. – 2002.– № 12.– С. 30–32.

9. Крашенинин, В. И. Реакционная способность кристаллов азида серебра в постоянном и переменном магнитных полях / В. И. Крашенинин, Л. В. Кузьмина, М. А. Дорохов, В. Е. Храмченко // Материаловедение. – 2005. – № 10. – С. 14–18.

10. Кузьмина, Л. В. Физико-химические свойства кристаллов азида серебра, выращенные в постоянном магнитном поле / Л. В. Кузьмина, В. И. Крашенинин, Д. В. Добрынин, М. А. Дорохов // Материаловедение. – 2005. – № 11. – С. 17–21.

11. Крашенинин, В. И. Влияние магнитных полей на образование реакционных областей в кристаллах азида серебра / В. И. Крашенинин, Л. В.

Кузьмина, Д. В. Добрынин, М. А. Дорохов // Химическая технология.– 2005. – № 12. – С. 8–10.

12. Крашенинин, В. И. Реакционная способность и дислокационная структура кристаллов азидов серебра и свинца в переменном магнитном поле / В. И. Крашенинин, Л. В. Кузьмина, М. А. Дорохов // Известия вузов. Физика. – 2006. – Т. 49. – №.1. – С. 103–106.

13. Иванов, Ф. И. Эффекты и явления в нитевидных кристаллах азидов тяжелых металлов при действии тепла, света, электрического и магнитного полей / Ф. И. Иванов, В. И. Крашенинин, Л. В. Кузьмина // Известия вузов. Физика. – 2006. – Т. 49. – №.1. – С. 96–102.

14. Kouzmina, L. V. The injection of the Charge Carriers in Energy Materials Stimulated by Magnetic Field / L. V. Kouzmina, V. I. Krasheninin, M. A., Dorokhov, D. V. Dobrynin // Известия вузов. Физика. Приложение. – 2006.

– №10. – С. 222–224.

15. Крашенинин, В. И. Моделирование дефектной структуры в кристаллах азида серебра / В. И. Крашенинин, Л. В. Кузьмина, Е. Г. Газенаур, В. И.

Гасанова // Вестник ТГУ. Приложение. – 2006. – №19. – С. 103–104.

16. Крашенинин, В. И. Роль дислокационной структуры во взрывном разложении кристаллов азида серебра / В. И. Крашенинин, Л. В. Кузьмина, Е. Г. Гезенаур, Д. В. Добрынин // Ползуновский Вестник. – 2008. – №3. – С. 62–65.

17. Крашенинин, В. И. Способы управления стабильностью азида серебра / В. И. Крашенинин, Л. В. Кузьмина, Е. Г. Газенаур, О. В. Целыковская // Ползуновский Вестник. – 2009. – №3. – 48–51.

18. Кузьмина, Л. В. Роль магнитоэлектрического эффекта в процессе разложения нитевидных кристаллов азида серебра в магнитном поле / Л. В.

Кузьмина, В. И. Крашенинин, Е. Г. Газенаур // Бутлеровские сообщения.

– 2010. – Т. 23. – №14. – С. 73–77.

19. Крашенинин, В. И. Основные стадии перехода медленного разложения в быстропротекающий процесс в кристаллах азида серебра / В. И. Крашенинин, Л. В. Кузьмина, Е. Г. Газенаур, Д. В. Добрынин // Химическая технология. – 2010. – №2. – С. 75–79.

20. Кузьмина, Л. В. Разложение и дислокационная структура кристаллов азида серебра в электрическом поле / Л. В. Кузьмина, Е. Г. Газенаур, В.

И. Крашенинин, Е. В. Сугатов // Известия высших учебных заведений.

Физика. – 2011. – Т. 54. – №1/3. – С. 43–45.

21. Газенаур, Е. Г. Эффективное время жизни неравновесных электронов и дырок в азиде серебра / Е. Г Газенаур, В. И. Крашенинин, Л. В. Кузьмина // Материаловедение. – 2011. – №5. – С. 2–7.

22. Электронно-дырочная плазма в азиде серебра / В. И. Крашенинин, Е. Г.

Газенаур, Л. В. Кузьмина, К. И. Вершинина., И. И. Бардина. // Известия высших учебных заведений. Физика. –2011. – Т. 54. №.1/3. С. 49.

Статьи, опубликованные в рецензируемых журналах:

23. Храмченко, В. Е. Магнитострикция кристаллов азида серебра / В. Е.

Храмченко, Л. В. Кузьмина, В. И. Крашенинин // Рукопись деп. в ВИНИТИ 07.07.00 № 1892–ВОО. – 20 с.

24. Крашенинин, В. И. Разложение кристаллов азидов тяжелых металлов в постоянном магнитном поле / В. И. Крашенинин, Л. В. Кузьмина, В. Е. Иващенко, И. Е. Иващенко // Рукопись деп. в ВИНИТИ 20.10.00, № 2675 –ВОО, 10 с.

25. Krasheninin, V. I. Decomposition of crystalline asides of hear metals in constant magnetic field / V. I. Krasheninin, L. V. Kuzmina, V. E. Ivaschenco // Materials Research Innovations. – 2002. – Vol. 5. – № 5. – Р. 219–221.

26. Крашенинин, В. И. Реакционная способность и дислокационная структура кристаллов азидов серебра и свинца в переменном магнитном поле / В. И. Крашенинин, Л. В. Кузьмина, М. А. Дорохов // Фундаментальные проблемы современного материаловедения. – 2004. – № 2. – С. 92–95.

27. Кузьмина, Л. В. Влияние ультразвука на дислокационную структуру и процесс разложения кристаллов азида серебра / Л. В. Кузьмина, В. И. Крашенинин, Д. В. Добрынин, М. А. Дорохов // Деформация и разрушение материалов. – 2006. – № 2. – С. 30–32.

28. Дорохов, М. А. Деформация кристаллов азида серебра в электрическом и магнитном полях / М. А. Дорохов, Л. В. Кузьмина, Д. В. Добрынин // Нанотехника. – 2006. – №2. – С. 71–74.

29. Кузьмина, Л. В. Магнитоиндуцированное движение дислокаций в кристаллах азида серебра / Л. В. Кузьмина, М. А Дорохов, В. И. Крашенинин // Фундаментальные проблемы современного материаловедения. 2006.

– №1. – С. 90–93.

30. Кузьмина, Л. В. Влияние слабых магнитных полей на физикохимические процессы в кристаллах азидов серебра и свинца / Л. В. Кузьмина, В. И. Крашенинин, Е. Г. Газенаур // Фундаментальные проблемы современного материаловедения. – 2006. – Т. 3. – №4. – С. 110–114.

31. Иващенко, В. Е. Влияние атмосферы аргона на форму ямок травления кристаллов, обработанных в магнитном поле / В. Е. Иващенко, Л. В. Кузьмина, Л. Я. Пыжова // Естественные и технические науки. – 2007. – №1(27). – С. 57– 60.

32. Газенаур, Е. Г. Переход медленного твердофазного разложения кристаллов азида серебра во взрывное: влияние слабых электрических полей / Е.

Г. Газенаур, Л. В. Кузьмина, В. И. Крашенинин, Д. В. Добрынин // Альманах современной науки и образования. Тамбов: Грамота. – 2009. – №5(24). – С. 35–39.

33. Кузьмина, Л. В. Влияние магнитного поля на процесс кристаллизации и некоторые свойства кристаллов азида серебра / Л. В. Кузьмина, Е. Г. Газенаур, Н. М. Федорова, В. И. Крашенинин // Рукопись деп. в ВИНИТИ.

2009. – №352– В2009. – 32 с.

34. Кузьмина, Л. В. Магнитоэлектрический эффект в нитевидных кристаллах азида серебра / Л. В. Кузьмина, В. И. Крашенинин, Е. Г. Газенаур, В. П.

Демко, Е. В. Сугатов // Фундаментальные проблемы современного материаловедения. 2010. Т. 7. № 1. С. 9094.

35. Кузьмина, Л.В. Релаксация некоторых физико-химических свойств нитевидных кристаллов азида серебра, выращенных в магнитном поле / Л. В.

Кузьмина, Е. Г. Газенаур // Приложение к журналу «В мире научных открытий» – Красноярск: Изд. Научно-инновационный центр. – 2011. – С.

241–242.

Статьи, опубликованные в материалах и сборниках трудов конференций:

36. Крашенинин, В. И. Управление твердофазными реакциями в азиде серебра электрическим и магнитным полями / В. И. Крашенинин, Л. В. Кузьмина, А. И. Гасанов, А. Ю. Сталинин // Труды Первого всероссийского симпозиума ТТД-97, Екатеринбург. – 1998. – С. 118–125.

37. Khramchenko, V. E. The crystal structure deformation of silver aside in magnetic field / V. E. Khramchenko, L. V. Kuz’mina, and V. I. Krasheninin // Proc. the Fourth Intern. Conf. «Single crystal growth and heat & mass transfer».– Obninsk: SSC RF IPPE. – 2001. – V. 3.– P. 559–562.

38. Крашенинин, В. И. Роль дефектной структуры во взрывном разложении кристаллов азидов тяжелых металлов / В. И. Крашенинин, Л. В. Кузьмина, Д. В. Добрынин // Доклады 9-й Международной конференции «Физико–химические процессы в неорганических материалах»: в 2 т. / КемГУ.

– Т. 2. – Кемерово: Кузбассвузиздат. – 2004. – С. 428– 431.

39. Кузьмина, Л. В. Деформация кристаллов азида серебра в постоянном и переменном магнитных полях / Л. В. Кузьмина, М. А. Дорохов // «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии»: V Международная конференция. – Кисловодск; Ставрополь: СевКавГТУ. – 2005. – С. 33–35.

40. Кузьмина, Л. В. Магнитное поле как перспективный метод очистки от примесей азида серебра / Л. В. Кузьмина, М. А Дорохов // «Химия-ВЕК: Новые технологии, новые продукты»: труды IX Международной научно-практической конференции. – Кемерово. – 2006. – С. 215– 217.

41. Кузьмина, Л. В. Разложение, инициированное действием градиента температуры при наличии магнитного поля / Л. В Кузьмина, А. А Звеков, М. А. Дорохов // Труды V Международной научной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». Томск: Изд. ТПУ. – 2006. С. 52– 54.

42. Кузьмина, Л. В. Особенности проявления обратного магнитоэлектрического эффекта в кристаллах азида серебра / Л. В. Кузьмина, В. И. Крашенинин, Е. Г. Газенаур, Н. Г. Логвинова // Доклады Международной конференции «Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-10)»: в 2 т. – Т.1. – Кемерово: Кузбассвузиздат, 2007. – С. 255–257.

43. Кузьмина, Л. В. Свойства краевых дислокаций в кристаллах азида серебра / Л. В. Кузьмина, Д. Г. Якубик, В. М. Пугачев // Доклады Международной конференции «Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-10)»: в 2 т.– Т. 1. – Кемерово: Кузбассвузиздат, 2007. – C. 257–259.

44. Крашенинин, В. И. Сверхнизкие электрические и магнитные поля как ингибиторы химических реакций / В. И. Крашенинин, Л. В. Кузьмина, Е. Г. Газенаур // Доклады XVIII Менделеевского съезда по общей и прикладной химии. – М., 2007. – С. 281.

45. Кузьмина, Л. В. Дизайн магниточувствительных структур на основе кристаллов азида серебра / Л. В. Кузьмина, В. И. Крашенинин, Е. Г. Газенаур // Материалы YIII Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро-и нанотехнологии». – Кисловодск, Ставрополь: СевКавГТУ. – 2008. – С. 105–106.

46. Крашенинин, В. И. Физико-химические процессы в кристаллах азида серебра в слабых магнитных полях / В. И. Крашенинин, Л. В. Кузьмина, Е. Г. Газенаур // Материалы IY Всероссийской конференции «Энергетические конденсированные системы». – Черноголовка. – М.:Янус-К. – 2008. – С. 241–243.

47. Крашенинин, В. И. Эволюция дислокационной структуры и реакционная способность азида серебра в магнитном поле / В. И. Крашенинин, Л. В.

Кузьмина, Е. Г. Газенаур // Фундаментальное материаловедение: сб. трудов / ред. Маркина В.Б.; Алт. Гос. тех. ун-т им. И.И. Ползунова. Барнаул: изд-во АлтГТУ, 2009. – С. 28–31.

48. Kuz’mina L. V. Conductivity of Threadlike Crystals of Silver Azide, Grown in Weak Elektric and Magnetic Fields / L. V. Kuz’mina, V. I. Krasheninin, E. G. Gazenaur, E. V. Sugatov and N. V. Goliash // Proceeding International Conference on Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows: Proceedings. Tomsk: Publishing House of the IOA SB RAS, 2010. P.

181-182.

49. Крашенинин, В. И. Управление реакционной способностью и скоростью разложения азидов тяжелых металлов / В. И. Крашенинин, Е. Г. Газенаур, Л. В.Кузьмина, Е. В. Сугатов, В. Г. Гритчина // ХIX Менделеевский съезд по общей и прикладной химии. Тез. докл. Пленарные доклады.

Фундаментальные проблемы химической науки. – Волгоград: ИУНЛ ВолГТУ. – 2011. – Т.1. – С. 534.

Подписано к печати 10.11.2009 г. Формат 6084 1/16.

Бумага офсетная. Печать офсетная. Уч.-изд. л. 2,7.

Тираж 100 экз. Заказ № 1ГОУ ВПО «Кемеровский государственный университет».

650043, Кемерово, ул. Красная, 6.




© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.