WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

На правах рукописи

ГУСИН Дмитрий Вадимович

Теория и моделирование биполярных полупроводниковых переключателей силовой микроэлектроники

Специальность 01.04.10 – физика полупроводников

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Санкт-Петербург – 2012

Работа выполнена в федеральном государственном бюджетном образовательном учреждении высшего профессионального образования СанктПетербургском государственном политехническом университете и в федеральном государственном бюджетном учреждении науки Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук

Научный консультант:

доктор физико-математических наук, профессор, ведущий научный сотрудник ФТИ им. А. Ф. Иоффе А. В. Горбатюк

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук, профессор, ведущий научный сотрудник ФТИ им. А. Ф. Иоффе К. Д. Цэндин кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник, начальник отдела ФГУП “Всероссийский электротехнический институт им. В. И. Ленина” А. С. Кюрегян Ведущая организация – федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования СанктПетербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им.

В. И. Ульянова (Ленина)

Защита состоится «_18_» __октября__ 2012 г. в _12_ час. _00_ мин.

на заседании диссертационного совета Д 002.205.02 при ФТИ им. А. Ф. Иоффе по адресу: 194021, Санкт-Петербург, ул. Политехническая, д. 26.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ФТИ им. А. Ф. Иоффе.

Отзывы об автореферате в двух экземплярах, заверенные печатью, просим направлять по вышеуказанному адресу на имя ученого секретаря диссертационного совета.

Автореферат разослан «_10_» ___сентября___ 2012 г.

Ученый секретарь диссертационного совета Л. М. Сорокин доктор физико-математических наук

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Сильноточная полупроводниковая электроника в настоящее время обеспечивает преобразование более половины всей вырабатываемой в промышленно развитых странах электроэнергии. Ключевыми компонентами всех современных преобразовательных устройств являются мощные полупроводниковые приборы. Основные требования, предъявляемые к ним, заключаются в способности пропускать большие токи (десятки и сотни ампер на один прибор) при минимальном падении напряжения, блокировать высокие напряжения (несколько киловольт) в запертом состоянии с минимальными токами утечки и осуществлять управляемую коммутацию с как можно меньшими потерями энергии.

В наибольшей степени перечисленным требованиям удовлетворяют новые приборы транзисторного и тиристорного типов, производимые на основе гибридных полупроводниковых технологий – биполярных и МДП (металлдиэлектрик-полупроводник). В настоящее время они активно внедряются в силовую электротехнику для частотного преобразования электроэнергии. Интегральные структуры (чипы) таких приборов имеют рабочую площадь от долей до единиц см2 и содержат большое число (102–105) почти одинаковых элементарных ячеек, равномерно распределенных по площади чипа (с шагом 10–мкм). Верхний предел плотности коммутируемой мощности для приборов типовых конструкций на сегодня близок к P 150–200 кВт/см2.

max Актуальными задачами дальнейшего совершенствования биполярных переключателей являются повышение максимальной коммутируемой мощности, а также расширение области их безопасной работы (ОБР) по токам и напряжениям [1*]. Физические механизмы, ограничивающие ОБР, включают в себя целый ряд существенно нелинейных эффектов – электрический пробой, пространственная неустойчивость распределения тока, его сосредоточение на малых участках рабочей площади и т. д. В условиях неизбежного статистического разброса параметров (например, времен жизни носителей) между ячейками реальной приборной структуры и неравномерного размещения элементов распределенного затвора на ее рабочей площади эти эффекты характеризуются выраженной поперечной неоднородностью и становятся доминирующими в развитии аварийных сценариев переходного процесса выключения.

Улучшение характеристик биполярных переключающих приборов сопряжено с максимальным использованием физических свойств материалов и режимов функционирования, основанных на инжекционных процессах в условиях сильных электрических полей ~ (1–2)·105 В/см и высоких плотностей токов ~ 100 А/см2. Закономерности развития таких процессов и свойственные им неустойчивости представляют существенный интерес для физики полупроводников с фундаментальной точки зрения. Их теоретическое понимание требуется и для решения актуальной проблемы определения количественных границ ОБР при разработке новых приборных структур. Без адекватных теоретических представлений невозможно эффективно планировать полномасштабные численные и натурные эксперименты и интерпретировать их результаты, физически обосновывать выбор структур и режимов, указывать направления их дальнейшей оптимизации. Существующие приближенные аналитические модели [2*,3*] не обеспечивают удовлетворительного решения таких задач для современных интегральных конструкций приборов с неизбежно присутствующими технологическими и конструктивными несовершенствами. Неполный характер носят и сведения о влиянии последних на ограничения ОБР в различных режимах управления затвором, реализуемых в биполярных переключателях. Таким образом, развитие теоретического базиса мощной полупроводниковой электроники представляется актуальным направлением в физике полупроводников и полупроводниковых приборов. В целом, при очевидной невозможности построения общей замкнутой аналитической теории, охватывающей все типы приборных структур и режимов их работы, получение исчерпывающей информации о механизмах ограничений ОБР обеспечивается только совместным использованием экспериментальных, теоретических и основанных на численном моделировании исследовательских методов.

Цель диссертационной работы заключается в исследовании механизмов электрической перегрузки современных мощных биполярных переключающих приборов и определении границ областей их безопасной работы, обусловленных этими механизмами.

Для достижения поставленной цели решался следующий комплекс задач:

уточнение свойств исследуемых приборов силовой микроэлектроники – биполярных полупроводниковых переключателей с распределенными микрозатворами (БПМЗ) – как класса управляемых распределенных систем с инжекционной модуляцией проводимости и выявление общих закономерностей переходных процессов в таких системах;

анализ начальной стадии динамического лавинного пробоя (ДЛП) при выключении по затвору и определение границ ОБР, обусловленных вхождением в ДЛП;

разработка обобщенной нестационарной модели запирания биполярного переключателя с технологическими неоднородностями параметров структуры и конструктивно неэквивалентным расположением управляемых ячеек в его интегральном чипе;

определение ограничений по рабочей частоте переключения приборов и предложение возможных способов их расширения;

проверка адекватности разработанной теории при помощи средств численного моделирования с имитационной полнотой описания электрофизических процессов в приборных структурах;

исследование и сравнительный анализ реализуемых режимов запирания биполярных переключателей на примере интегрального тиристора с внешним полевым управлением и доминирующих механизмов ограничения ОБР в каждом из режимов.

Научная новизна работы обусловлена созданием оригинального комплекса теоретических моделей механизмов электрической перегрузки биполярных переключателей, приводящей к аварийной локализации тока на стадии выключения по затвору. В этих моделях впервые согласованно учтены два нелинейных эффекта: зависимость инжекционной электронной составляющей тока в полевом домене от экстракционной дырочной компоненты через локальное смещение катодного эмиттера и возникновение генерационного электронного тока в приколлекторном слое лавинного умножения. В совокупности оба этих эффекта играют критическую роль в развитии опасных локализаций тока в процессе выключения.

В диссертационной работе впервые проведена классификация аварийных сценариев запирания в интегральных приборных структурах с конструктивными и технологическими несовершенствами различных масштабов на основе разработанной обобщенной аналитической модели. Установлены ограничения по предельному коммутируемому току в каскодном режиме запирания, вызванные ранее не наблюдавшимся эффектом взаимодействия ячеек через распределенный электрод катода и сильно зависящим от пространственного масштаба конструктивной неоднородности.

Научная и практическая значимость. С использованием построенного в работе теоретического аппарата указаны пути повышения плотности коммутируемой мощности и рабочей частоты переключения путем выбора приборных структур, предусматривающих выведение основных носителей из базы при выключении по затвору. Разработана методология нахождения количественных границ ОБР биполярного переключателя с различными типами несовершенств приборной структуры. Выполнено исследование эффектов динамической локализации тока в условиях лавинного пробоя и регенеративного отпирания управляемого эмиттера, на основании результатов которого обоснованы практические рекомендации по выбору режима управления затвором интегрального тиристора. С помощью разработанного расчетно-теоретического базиса оценена эффективность методов повышения коммутируемого тока тиристорных чипов и нового класса силовых переключающих модулей на их основе.

Расчеты статических и динамических характеристик встречнопараллельного диода в силовом модуле и нахождение ограничений по коммутируемому току интегрального тиристорного чипа были использованы при подготовке производства силовых полупроводниковых модулей с полевым управлением в ЗАО «ВЗПП-Микрон» (г. Воронеж) и могут применяться также на других предприятиях электронной промышленности. Результаты соответст вующих разделов диссертационной работы вошли в научно-технические отчеты по НИОКР, выполненной в федеральном государственном бюджетном учреждении науки Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (ФТИ им. А. Ф. Иоффе) в рамках ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы».

Научные положения, выносимые на защиту.

1. Область безопасной работы биполярного переключателя по отношению к началу динамического лавинного пробоя имеет наиболее широкие границы по коммутируемому току для таких структур с буферными слоями, при выключении которых из слаболегированной базы экстрагируются основные носители с меньшими коэффициентами ударной ионизации.

2. В структурах с буферными слоями, выключаемых в условиях экстракции основных носителей из слаболегированной базы, величина переходных тепловых потерь ниже по сравнению со структурами, выключаемыми в условиях экстракции неосновных носителей. Относительное различие плотности энергии потерь для указанных типов приборных структур возрастает с увеличением легирования базы.

3. Эффекты перераспределения и локализации тока в пространственнонеоднородной структуре биполярного переключателя с технологическим разбросом параметров могут быть адекватно описаны путем представления ее в виде связанных по напряжению подсистем неодинаковой рабочей площади с различающимися параметрами управляемых ячеек и их электрических связей с внешними выводами интегрального чипа.

4. Ограничение области безопасной работы интегрального тиристора с неидеально-идентичными управляемыми ячейками, запираемого путем шунтирования эмиттеров по внешней управляющей цепи, определяется:

4.1. Со стороны низких напряжений – невозможностью перевода всех управляемых ячеек в режим отсечки инжекции непосредственно в момент включения шунтирующей цепи;

4.2. Со стороны высоких напряжений – эффектом регенеративного включения катодного эмиттера малой группы управляемых ячеек, инициируемым в процессе ее запирания в условиях динамического лавинного пробоя.

5. Для безопасной реализации каскодного режима выключения интегрального тиристора величина обратного смещения управляемого эмиттерного перехода в подсистеме с наибольшей рабочей площадью, определяемая эффективным сопротивлением распределенных электродов затвора и масштабным фактором отношения площадей подсистем, не должна достигать напряжения пробоя этого перехода.

Апробация работы. Результаты исследований, составляющих основу диссертационной работы, докладывались и обсуждались на следующих научных мероприятиях: международной зимней школе ФТИ им. А. Ф. Иоффе по физике полупроводников (Зеленогорск, С.-Петербург, Россия, 2009 г.), Международной конференции-семинаре по микро- и нанотехнологиям и электронным приборам EDM’2011 (Эрлагол, республика Алтай, Россия, 2011 г.), Международной научно-практической конференции «XL Неделя науки СПбГПУ» (С.Петербург, Россия, 2011 г.), XIX Уральской международной зимней школе по физике полупроводников UIWSPS-2012 (Екатеринбург – Новоуральск, Россия, 2012 г.), а также на конкурсе научных работ Отделения твердотельной электроники ФТИ им. А. Ф. Иоффе (2010 г.) и научных семинарах в Санктпетербургском государственном политехническом университете и СанктПетербургском государственном электротехническом университете «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина).

Публикации. Основное содержание диссертации изложено в шести публикациях, в том числе, в пяти статьях в журналах из утвержденного ВАК Минобрнауки России Перечня российских рецензируемых научных журналов, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертаций на соискание ученых степеней доктора и кандидата наук, а также в одном сборнике трудов международной конференции.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка использованных источников. Общий объем работы составляет 175 страниц текста, включая 73 рисунка, 6 таблиц и библиографический список из 132 наименований.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность направления и темы выполненных исследований, сформулированы цель и основные задачи работы, показаны научная новизна, научная и практическая значимость полученных результатов, приведены научные положения, выносимые на защиту, перечислены основные публикации автора по теме работы.

Первая глава работы посвящена обзору литературы по теме диссертации, уточнению задач исследования и планированию работы по их решению.

Современные интегральные биполярные переключающие приборы [4*], такие как биполярные транзисторы с изолированными затворами, тиристоры с МДПзатворами и запираемые тиристоры различных конструкций, объединены в общий класс БПМЗ (§ 1.1) на основе выявленных универсальных механизмов управления проводимостью во всех перечисленных типах приборов. Структура управляемой ячейки БПМЗ содержит биполярную часть транзисторного или тиристорного типов и примыкающий к ней затвор, управляющий токами ин жекции электронов IC и экстракции дырок IG и, тем самым, инжекционной модуляцией проводимости биполярной части прибора. Сделанное обобщение предполагает и проводимый далее анализ фундаментальных ограничений ОБР (§ 1.2), свойственных всем представителям класса БПМЗ с последующим более детальным рассмотрением интересующих частных случаев [1*,5*]. Значительное внимание при этом уделено неустойчивому поведению инжекционных систем (§ 1.3) и неоднородностям концентраций носителей и плотности тока (вызванных статистическим поперечным разбросом параметров структур, дискретностью управляющей подсистемы и неоднородностями ее управляющих воздействий), способных развиваться в опасные локализации тока и тепла.

В § 1.4 рассмотрены и критически оценены результаты исследований по проблеме ДЛП (см. ссылки в [4*]), полученные на основе упрощенных моделей (позволяющих, например, аналитически оценить [1*,6*] величину Pmax, ограниченную началом пробоя), численных и натурных экспериментов [7*]. Изложена общая схема организации полномасштабного численного эксперимента (§ 1.5) на основе иерархии уравнений: от фундаментальной системы для потенциала и концентраций носителей в геометрии реальной структуры до уравнений, моделирующих работу прибора в конкретной цепи. В диссертации рассматриваются случаи простейшей цепи с омической нагрузкой и эквивалентной схемы инвертора с индуктивной нагрузкой.

В конце главы отмечены недостатки численного моделирования как самостоятельного инструмента решения задач данной работы и необходимость коренного совершенствования расчетно-теоретического базиса мощной полупроводниковой электроники. План последовательного решения поставленных во введении задач (§ 1.6), основанного на новых обобщенных аналитических моделях и численных расчетах, завершает первую главу диссертации.

Вторая глава посвящена исследованию переходных процессов в БПМЗ на основе одномерных аналитических моделей.

Эффект динамического пробоя обусловливает фундаментальное физическое ограничение по коммутируемому току и мощности для всех инжекционных приборов – БПМЗ и диодов. На начальной стадии пробоя, когда генерируемые при лавинном умножении заряды еще малы на фоне суммы зарядов ионов примеси в базе и носителей, выводимых током экстракции, уже возможно развитие быстронарастающих опасных отклонений [7*] от однородного распределения тока. Сформулированный в § 2.1 критерий начала ДЛП позволил установить приближенные количественные ориентиры в отношении границ ОБР. Он представляет собой условие перехода от убывания со временем суммарной (включающей и лавинную составляющую) плотности тока J в плоскости максимального поля к ее возрастанию в некоторый момент времени на стадии выключения по затвору. Вычисление величины J производилось с помощью уравнения Пуассона для области объемного заряда (ООЗ) в приближении насыщенного дрейфа и интегральных представлений для генерационных компонент токов электронов и дырок. Таким образом, без решения двумерной нестационарной задачи стало возможным находить критические комбинации начальной плотности тока J(0) и блокируемого напряжения источника Ust, соответствующие вхождению в динамический пробой для четырех возможных вариантов построения многослойных структур биполярных переключателей по типу проводимости слаболегированной базы и расположению затвора. Установлено, что для концентраций легирования базы N0 > 4,5·1012 см-3 варианты кремниевых структур, в которых при выключении экстрагируются неосновные носители, характеризуются меньшей величиной Pmax, чем те, где экстрагируются основные носители. Так, при N0 = 2,25·1013 см-3 в случае экстракции электронов из p0базы Pmax составляет ~ 100 кВт/см2 (при экстракции дырок из n0-базы это значение возрастает до 290 кВт/см2). Однако при реализации условий экстракции основных носителей предел Pmax значительно увеличивается, в частности, для p+– –n–n0–p–n+-структуры с анодным затвором при легировании 2,5·1013 см-3 Pmax ~ ~ 810 кВт/см2, а для p+–n–p0–p–n+-структуры при том же легировании – 9кВт/см2. При сравнимых концентрациях подвижных носителей и легирующей примеси в базе условие начала пробоя сильно зависит от типа носителей (основные или неосновные). При снижении N0 доминирующим в определении границ ОБР становится соотношение коэффициентов ударной ионизации [8*]. Для кремниевых структур наибольший критический ток – в варианте с экстракцией дырок из p0-базы, а для карбид-кремниевых (4H-SiC) – в варианте экстракции электронов, независимо от того, выступают ли они основными или неосновными носителями.

В § 2.2 построена обобщенная аналитическая одномерная нестационарная модель обратного восстановления биполярных переключателей класса БПМЗ в условиях биполярного состава тока в ООЗ (с вкладами экстрагируемых дырок, а также электронов благодаря ударной ионизации и инжекции) и ненасыщенно- го дрейфа носителей при различных соотношениях концентраций связанных и свободных зарядов обоих знаков. Данная модель является базовой для дальнейшего исследования переходных процессов в отношении динамических потерь и описания эффектов динамической локализации (ДЛ) тока в следующей главе работы. Состояние прямой проводимости биполярного переключателя, задающее начальные условия для нестационарной задачи выключения, рассчитано предварительно в рамках одномерной модели двойной инжекции.

Исследованию возможности повышения рабочей частоты биполярных переключающих приборов посвящен § 2.3. Предлагаемое решение состоит в замене типа проводимости слаболегированной базы так, чтобы при выключении из нее через затвор выводились основные носители. Данное предложение обосновано количественным расчетом энергии переходных потерь за операцию выключения и предельной рабочей частоты (рис. 1) для двух вариантов кремни- евых структур – стандартной n+–p–n0–n–p+ с катодным затвором и с альтернативной n+– –p–p0–n–p+ с анодным затвором. Наиболее сильное различие потерь имеет место при высоком уровне легирования N0. В частности, для прибора с легированием N0 = 2·1013 см-(рассчитанного на напряжение Ust = 5 кВ) потери за одну опеРис. 1 — Блокируемое напряжение Ust (1), плотрацию при смене легирования ность потерь за операцию выключения WOFF (2, 2) базы с п- на р-тип снижаются с и рабочая частота fmax (3, 3) в зависимости от концентрации N0 и типа легирования базы 200 до 90 мДж/см2, а рабочая (2, 3 для n-типа, 2, 3 для p-типа) частота переключения fmax соответственно повышается с 0,кГц (кривая 3) до 1,0 кГц (кривая 3'). При усилении легирования до N0 = 5·10см-3 (со снижением Ust до 2 кВ) частота fmax увеличивается с 1,75 до 4,5 кГц. Дополнительное преимущество альтернативной структуры по сравнению с исходной, следующее из выполненного выше сравнительного анализа условий начала ДЛП, состоит в расширении границ ОБР по коммутируемому току.

Основными задачами

третьей главы диссертации являются построение обобщенной теоретической модели процесса неоднородного запирания биполярного переключателя с технологическими и конструктивными несовершенствами структуры, исследование механизмов ДЛ тока в ней и нахождение ограничений ОБР по коммутируемому току. После формулировки в § 3.1 этих задач обсуждаются существующие экспериментальные методы обнаружения и наблюдения ДЛ тока, отмечается их ограниченная применимость к современным приборам типа БПМЗ, после чего приводятся экспериментальные переходные характеристики (§ 3.2) выключения интегрального тиристорного чипа [5*] с внешним полевым управлением – ключевого компонента разрабатываемого в ФТИ им. А. Ф. Иоффе нового типа силового переключающего модуля. Данные соответствуют двум начальным токам (J(0) = 144 и 156 А/см2) при одном и том же рабочем напряжении (1,5 кВ) в схеме с омической нагрузкой и характеризуют два качественно различных случая – полное запирание всех тиристорных ячеек чипа при шунтировании их эмиттерных элементов внешним сильноточным МДП-транзистором и инициированное конструктивной неоднородностью системы возникновение ДЛ тока на малом участке рабочей площади чипа, приводящее к его разрушению и выходу из строя. Результаты этих экспериментов и выполнявшихся ранее численных расчетов [1*,7*] мотивируют постановку теоретической задачи о неоднородном запирании тока в распределенно управляемой структуре БПМЗ (§ 3.3). Рассмотрена иерархия (п. 3.3.1) физических масштабов в реальных приборных структурах и сформулировано представление всего ансамбля управляемых ячеек интегрального чипа в виде нескольких конкурирующих групп – подсистем – ячеек, в пределах каждой группы счиРис. 2 — Распределения электрического поля и контаемых идентичными по сво- центраций плазмы и биполярный состав токов в n0базах управляемых ячеек подсистем S0 и S' (на им технологическим паравставке) на стадии запирания метрам и геометрическим размерам. Эти подсистемы содержат различные количества ячеек и отличаются друг от друга:

технологическими параметрами, т. е. временами жизни носителей, толщинами слоев и концентрациями примесей в них, параметрами электрических связей ячеек с выводами интегрального чипа как целого.

Для приближенного количественного рассмотрения эффектов локализации тока в неидеальной структуре переключателя разбиение всего ансамбля ячеек (полное их число ~ 105) выполнялось на две подсистемы – основную S0 и «возмущенную» S' (рис. 2, на вставке) с числом ячеек N1 и рабочей площадью A1, в N раз меньшими соответствующих величин для S0. При таком разбиении малая подсистема моделировала группу ячеек с наибольшими отклонениями параметров от своих средних значений. Порядок величины отношения площадей подсистем, или масштабного фактора N, определяется типом и происхождением неоднородности (разброс времен жизни, инжектирующих способностей эмиттеров, неравные сопротивления участков распределенного затвора и т. д.) и в данной работе задавался в пределах 1 N 104. Предварительный качественный анализ фазовых траекторий процессов переключения параллельно соединенных бистабильных подсистем проведен в п. 3.3.2.

Основные соотношения разработанной аналитической модели неоднородного запирания тока приводятся в § 3.4. Сначала рассмотрено включенное состояние (п. 3.4.1) двух параллельных групп ячеек S0 и S' и получена нелиней ная система из 6 уравнений относительно плотностей анодного тока J00 и па, раметров распределений плазмы p00(y) в них при заданном полном токе I0.

,1 A Уравнения из § 2.2, описывающие динамику процесса выключения в каждой из подсистем, дополнены условием равенства их напряжений анод-катод, а также соотношением IA A NJ0 J1 N 1 для мгновенных плотностей токов J0,1 и интегрального анодного тока всего чипа. Эволюция распределений поля и плазмы и состав токов показаны на рис. 2, где нижние индексы 0 и 1 обозначают соответственно подсистемы чипа S0 и S'.

Полная система уравнений модели включает:

– связи плотности тока J(t) с напряжением анод-катод UA(t) и текущим положением границы (t) полевого домена F, выраженные в параметрической форме =(J,Em) и UA = UA(J,Em), где Em – напряженность поля в плоскости коллектора;

av av – соотношение J J J 1JC n p JI для плотности электронного тока U n nC n av в F c инжекционной JnC и лавинной J компонентами, соответственно зависяn щими от смещения управляемого эмиттера Un+–p в данной подсистеме (здесь 1 – коэффициент передачи по току катодного n+–p–n-транзистора) и распределения поля E(y) через ионизационный интеграл Iav;

d – уравнения d dt f , J, J,dJ dt,dJ dt и qDh p0 n J J, описы n n n вающие взаимосвязанное движение лидирующей (t) и отстающей (t) границ переходного слоя D между областями поля F и квазинейтральной плазмы P, распределение концентрации p(y) в которой совпадает со стационарным профилем p0 y pmin ch y ymin / Lh исходного проводящего состояния (здесь ymin и pmin – координата минимума распределения и минимальная концентрация, q – заряд электрона, Dh и Lh – коэффициент и длина амбиполярной диффузии в баd зе, n – доля электронной дрейфовой компоненты тока в плазме);

– связи полного анодного тока IA и напряжения UA для конкретного типа цепи.

Соотношения компонент плотности тока на управляемой (катодной) границе слаболегированной базы для подсистем S0 и S' в общем случае различны, как и локальные потенциалы их электродов катода и затвора. Связи этих потенциалов с токами электродов определяются конструкцией и режимом работы затвора (п. 3.4.2). Наибольшее внимание уделено случаю интегрального тиристора, управление инжекцией и экстракцией носителей во всех ячейках которого осуществляется внешним быстродействующим сильноточным МДПтранзистором. Этот случай интересен и с теоретической, и с практической точек зрения, поскольку он наглядно иллюстрирует взаимодействие подсистем ячеек через распределенные электроды катода и затвора и возможное динамическое перераспределение тока между ними.

Потенциалы контактов к p-базам VG0, VG1 относительно общего вывода катода C, неодинаковые даже при условии идентичности параметров всех ячеек, содержат несколько вкладов – напряжения исток-сток на открытом МДПтранзисторе; падения на эффективном сопротивлении электрода затвора Rg1 для малой подсистемы ячеек (см. рис. 2, на вставке) при протекании через него базового тока IG1 этой подсистемы; запирающего напряжения от внешнего источ ника Vext < 0, подключаемого к затвору G. Локальные смещения эмиттерных n+–p-переходов в каждой ячейке содержат также падения напряжения на p-базе при протекании по ней экстракционного тока. Полные смещения эмиттеров задают плотности инжекционных токов катодов в каждой подсистеме согласно формуле Шокли, в которую входят плотности токов насыщения для конкретных эмиттерных переходов.

В § 3.5 перечислены уравнения модели процесса выключения двух связанных подсистем (в общей сложности 12 уравнений – обыкновенных дифференциальных первого порядка и трансцендентных алгебраических) и приведены числовые значения всех параметров. Решение системы выполнялось по методу Ньютона с переменным шагом по времени.

Результаты применения построенной модели к конкретной структуре интегрального тиристора, запираемого посредством шунтирования катодных эмиттеров, представлены в § 3.6. Выбранные для расчетов параметры структуры со статическим блокируемым напряжением ~ 5 кВ соответствовали экспериментальным образцам. Для чипа с реальными размерами 77 мм дана оценка сопротивления Rg1 5 мОм·см2 (считалось, что периферийные ячейки занимают 10 % от всей рабочей площади чипа A = 0,45 см2, таким образом, здесь N 10;

значение Rg1 приведено к площади подсистемы S'). Рассчитанные переходные характеристики номинального режима работы прибора с идентичными ячейками для двух вариантов силовых схем представлены на рис. 3, а, б.

а б Рис. 3 — Плотности анодных токов (1, 2), напряжения на затворах (3, 4) двух подсистем ячеек и анодное напряжение (5) в номинальном режиме запирания (50 А/см2, 2,5 кВ) для двух эквивалентных силовых схем (на вставках) – с омической нагрузкой (а) и инвертора с индуктивной нагрузкой (б) При заданных параметрах структуры чипа механизм ограничения предельного коммутируемого тока в цепи с омической нагрузкой определяется обратной связью зависящей от локального смещения эмиттера инжекционной компоненты тока JnC с током JG выводимых через p-базу и цепь затвора дырок, возникающей непосредственно после включения в момент t = 0 шунтирующей цепи G–C. Катодный эмиттер ячейки в малой подсистеме не может быть переведен в режим отсечки инжекции, если начальная плотность анодного тока превышает критическую величину Jmcc, и поэтому при t = 0 эмиттер в данной подсистеме не запирается, в отличие от основной подсистемы S0. В результате полный анодный ток прибора локализуется на малой площади подсистемы S'. При повышенном времени жизни носителей в малой подсистеме (относительный разброс h/h = 10 %) ограничение по коммутируемому току (рис. 4, а), как и в предыдущем случае, определяется условием одновременного достижения отсечки инжекции в обеих подсистемах в момент t = 0.

а б Рис. 4 — Границы ОБР при идентичных параметрах ячеек (h/h = 0) и при наличии разброса времен жизни между двумя подсистемами ячеек в 10 % и 20 % для двух эквивалентных силовых схем – с омической нагрузкой (а) и инвертора с индуктивной нагрузкой (б) В случае цепи инвертора с индуктивной нагрузкой с теми же значениями тока и рабочего напряжения наблюдались иные, более сложные типы поведения исследуемой системы. Со стороны низких напряжений в ограничении ОБР преобладает тот же механизм обратной связи, что и в рассмотренном выше случае омической нагрузки, приводя к таким же значениям Imcc. С увеличением рабочего напряжения (рис. 4, б) механизм изменяется. ДЛ тока происходит не непосредственно после начала запирания, а через время ~ 0,5–1 мкс, когда начинают проявляться эффекты динамического пробоя. В структуре, имеющей еще и разброс времен жизни (с фактором N = 10), неоднородность распределения тока, первоначально присутствовавшая благодаря повышенному времени жизни в S' на фоне средней величины h0 = 15 мкс, в условиях ДЛП развивается в его локализацию. Она, в свою очередь, инициирует регенеративное включение инжекции электронов из катодного эмиттера подсистемы S' и потерю управления ею по затвору. Этот механизм и приводит к заметному падению Imcc с ростом напряжения в интервале 0,75 кВ < Ust < 2,5 кВ.

Четвертая глава диссертации посвящена численному моделированию эффектов электрической перегрузки биполярных переключателей. Моделирование осуществлялось с помощью программных пакетов ATLAS [9*] и Sentaurus Device [10*] с имитационным уровнем описания всей совокупности электрофизических процессов в полупроводниковой структуре (в том числе, при высоких концентрациях носителей и примесных центров, в сильных электрических полях) и электрических связей прибора с элементами внешней цепи.

Структуры управляемых ячеек в каждой из подсистем описаны технологически заданными двумерными распределениями концентраций легирующих примесей. Подробно описана постановка задачи (§ 4.1) расчета стационарных состояний, процессов включения и выключения на примере интегрального тиристора для обоих рассматриваемых в работе вариантов силовой цепи. В варианте цепи инвертора с индуктивной нагрузкой исследовалось функционирование тиристора совместно с быстродействующим встречно-параллельным диодом. При оптимизации его статических и динамических характеристик показано (§ 4.2), что диод с высоким легированием анодного и катодного эмиттеров не может использоваться в схеме преобразователя напряжения с широтно-импульсной модуляцией из-за большого времени восстановления (при больших временах жизни h) и резкого обрыва тока (при малых h). Обоснована необходимость уменьшения концентрации инжектированной плазмы у анода, например, путем снижения инжектирующей способности анодного эмиттера (уровень легирования p'-слоя у поверхности структуры кремниевого диода должен составлять 5·1015–1·1016 см-3). Для обеспечения «мягкости» процесса восстановления, наибольшего быстродействия и в то же время минимизации суммарных энергетических потерь значение h в базе может выбираться в диапазоне 6–9 мкс.

Способы управления затвором сильно влияют на физическую картину транспортных процессов в полупроводниковых структурах ячеек, а значит, и на выходные характеристики прибора в целом. Сравнительному анализу ограничений ОБР по коммутируемому току для трех возможных режимов запирания интегрального тиристора с учетом конечных сопротивлений распределенных электродов затвора посвящен § 4.3. При шунтировании эмиттеров по внешней цепи возможно перераспределение тока по структуре и его локализация в группе периферийных ячеек (с более высокими последовательными сопротивлениями шунтирующей цепи) с выходом прибора из строя. В режиме с внешним источником запирающего напряжения Vext прикладываемое к эмиттерному переходу обратное смещение должно быть ниже напряжения его лавинного пробоя (~ 10–20 В). Для обеспечения однородной модуляции проводимости во всем чипе необходимо, чтобы локальное смещение эмиттера при протекании тока по каналу экстракции ни в одной ячейке не достигало напряжения отсечки инжекции. При исследовании каскодного режима запирания (в котором полный ток катода прерывается МДП-ключом и коммутируется в шунтирующую цепь затвора) выявлена существенная роль взаимодействия ячеек через распределенный электрод катода, отсоединенный от внешней цепи и находящийся под «плавающим» потенциалом. Обнаружена возможность локализации тока при значительно меньшем последовательном сопротивлении Rg1 (соответствующем падению напряжения 20–25 мВ при протекании тока J10 A1 по цепи затвора подсистемы S'), по сравнению с режимом шунтирования эмиттеров. Степень локализации тока и переходных тепловых потерь снижается при уменьшении отношения площадей подсистем N.

Предельные значения плотностей выключаемого тока, определяемые свойствами затвора и режимом запирания, для случая цепи с омической нагрузкой представлены в таблице для двух значений напряжения источника Ust.

Jmсс, A/смUst, кВ Шунтирование Отрицательное запи- Каскодное эмиттеров рающее напряжение выключение 3,0 80 1050 91,5 80 1160 10При плотностях тока в сотни А/см2 становится выраженным вклад ударной ионизации в балансе токов в области F и возникают ДЛ тока [7*] в условиях развитого лавинного пробоя, отсутствовавшие при выключении омической нагрузки при J(0) = 50 А/см2 и Ust = 2,5 кВ. Влияние динамического пробоя ослабляется при сниженном напряжении (Ust = 1,5 кВ). Найденные величины Jmcc характеризуют возможность безопасного выключения токов, значительно превышающих номинальное значение. Запас по току, отсутствующий в режиме управляемого шунтирования эмиттеров, в двух альтернативных режимах составляет приблизительно 1 порядок величины. При этом в каскодном режиме не требуется дополнительный источник напряжения и, кроме того, реализуются насыщающиеся прямые выходные характеристики (что существенно с точки зрения защиты от последствий коротких замыканий).

Разработанный в главе 3 аппарат обеспечивает хорошее количественное согласование результатов с данными имитационного моделирования (кривые «Теория» и «TCAD» на рис. 3, а, б). Теория адекватно предсказывает все тенденции механизмов неоднородного запирания тока в интегральной структуре биполярного переключателя.

В заключении перечисляются основные результаты работы.

1. Проведен сравнительный анализ всевозможных вариантов структур биполярных переключателей с микрозатворами в отношении предельной коммутируемой мощности и границ ОБР, обусловленных вхождением в ДЛП на стадии выключения. Исследовано влияние соотношения типов затвора и экстрагируемых носителей и соотношения их коэффициентов ударной ионизации в струк турах на основе Si и 4H-SiC. Для кремния предельная плотность коммутируемой при выключении мощности может быть повышена в 10 раз в случае реализации экстракции основных носителей, и при том менее активных при ударной ионизации, по сравнению со случаем экстракции неосновных носителей. Для карбида кремния при таком выборе типа структуры Pmax достигает значений ~ 200 МВт/см2, играющих роль верхнего теоретического предела плотности коммутируемой мощности по отношению к ДЛП.

2. Построена обобщенная модель процесса запирания биполярного переключателя с распределенными микрозатворами с учетом биполярного состава тока в области объемного заряда с электронными вкладами токов ударной ионизации и инжекции.

3. Теоретически обоснован путь к снижению величины переходных потерь, основанный на переходе к альтернативной структуре с экстракцией основных носителей при выключении.

4. Предложена универсальная модель с аналитической постановкой задачи, объясняющая роли технологических и конструктивных несовершенств реальных структур в ограничении их ОБР. Установлены критерии регенеративного включения управляемых эмиттеров, возникновения динамического лавинного пробоя и других эффектов, сопровождающихся локализацией тока и способных привести к выходу прибора из строя.

5. Показаны пути повышения однородности модуляции проводимости в биполярных переключателях с большой рабочей площадью посредством компенсации влияния сопротивлений распределенных электродов для периферийных групп управляемых ячеек.

6. Исследованы статические и динамические характеристики быстродействующего встречно-параллельного диода, предназначенного для работы в инверторе напряжения.

7. Проанализированы номинальный рабочий и семейство аварийных сценариев выключения неидеального тиристорного микрочипа в трех режимах запирания – управляемом шунтировании эмиттеров внешним сильноточным МДПтранзистором, приложении отрицательного смещения к затвору от внешнего источника и каскодном прерывании тока катода.

Основное содержание работы

изложено в следующих публикациях 1. А. В. Горбатюк, И. В. Грехов, Д. В. Гусин. Биполярные переключатели с распределенными микрозатворами. Условия вхождения в динамический пробой при выключении // ЖТФ. – 2009. – Т. 79. – Вып. 10. – С. 80–88.

2. А. В. Горбатюк, И. В. Грехов, Д. В. Гусин. Динамическая локализация тока при выключении мощных биполярных переключателей с микрозатворами // ФТП. – 2010. – Т. 44. – Вып. 11. – С. 1577–1583.

3. А. В. Горбатюк, И. В. Грехов, Д. В. Гусин. О возможности увеличения рабочей частоты мощных биполярных переключателей с распределенными микрозатворами // Письма в ЖТФ. – 2010. – Т. 36. – Вып. 20. – С. 35–42.

4. А. В. Горбатюк, И. В. Грехов, Д. В. Гусин, Б. В. Иванов. Статические и динамические характеристики встречно-параллельного диода в составе переключающего силового модуля // Электротехника. – 2010. – В. 11. – С. 53–61.

5. А. В. Горбатюк, И. В. Грехов, Д. В. Гусин. Эффекты локализации тока в мощных биполярных переключателях с микрозатворами при неидеальной связи управляемых элементов // ЖТФ. – 2012. – Т. 82. – Вып. 5. – С. 57–65.

6. D. V. Gusin, A. V. Gorbatyuk, and I. V. Grekhov. Dynamic current localization in power bipolar switches with imperfect interconnections of controlled cells // Proceedings of the 12th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices EDM’2011 (Erlagol, Russia, 2011). – ISBN 978-5-7782-1708-9. – P. 132–136.

Список цитируемой литературы 1* Y. Liu, B. You, and A. Q. Huang. Reverse-bias safe operation area of large area MCT and IGBT // Solid-State Electronics. – 2003. – Vol. 47. – P. 1–14.

2* X. Li, A. Q. Huang, and Y. Li. Analytical GTO turn-off model under snubberless turn-off condition // Microelectronics Journal. – 2003. – Vol. 34. – P. 297–304.

3* А. В. Горбатюк. Аналитическая модель запираемого тиристора с немонотонным оттеснением остаточной плазмы // Письма в ЖТФ. – 2008. – Т. 34. – Вып. 5. – С. 54–62.

4* Semiconductor power devices: physics, characteristics, reliability / J. Lutz, H.

Schlangenotto, U. Scheuermann [et al.]. – Berlin: Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 2011. – 608 p.

5* И. В. Грехов, Т. Т. Мнацаканов, С. Н. Юрков [и др.]. Статические и динамические характеристики мощного интегрального тиристора с внешним полевым управлением // ЖТФ. – 2005. – Т. 75. – Вып. 7. – С. 80–87.

6* T. Ogura, H. Ninomiya, K. Sugiyama [et al.]. Turn-off switching analysis considering dynamic avalanche effect for low turn-off loss high-voltage IGBTs // IEEE Trans. Electron Devices. – 2004. – Vol. 51. – No. 4. – P. 629–635.

7* J. Oetjen, R. Jungblut, U. Kuhlmann [et al.]. Current filamentation in bipolar power devices during dynamic avalanche breakdown // Solid-State Electronics. – 2000. – Vol. 44. – P. 117–123.

8* T. Hatakeyama, T. Watanabe, T. Shinohe [et al.]. Impact ionization coefficients of 4H silicon carbide // Appl. Phys. Lett. – 2004. – Vol. 85. – No. 8. – P. 1380–1382.

9* ATLAS User’s Manual. Device simulation software. – SILVACO, Inc., 2010. – 1262 p.

10* Sentaurus Device User Guide. Ver. D-2010.03. – Synopsys, Inc., 2010. – 1328 p.






© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.