WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

На правах рукописи

СУХОРУКОВ Андрей Владимирович

ИЗОТОПИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В СПИНОВОМ РЕЗОНАНСЕ ЭЛЕКТРОНОВ С РАЗЛИЧНОЙ СТЕПЕНЬЮ ЛОКАЛИЗАЦИИ В КРЕМНИИ

Специальность 01.04.10 – Физика полупроводников

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Нижний Новгород – 2012

Работа выполнена на кафедре физики полупроводников и оптоэлектроники Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского.

Научный консультант: доктор физико-математических наук, профессор, Ежевский Александр Александрович

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук, профессор, ведущий научный сотрудник Тетельбаум Давид Исаакович доктор физико-математических наук, ведущий научный сотрудник Андреев Борис Александрович

Ведущая организация: Казанский федеральный университет, г.Казань

Защита состоится «17» октября 2012 г. в 14:00 на заседании диссертационного совета Д.212.166.01 в Нижегородском государственном университете им. Н.И.

Лобачевского по адресу: 603950, г. Нижний Новгород, пр. Гагарина, 23, корп. 3.

С диссертацией можно ознакомиться в фундаментальной библиотеке Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского

Автореферат разослан « » сентября 2012 г.

Ученый секретарь диссертационного совета Д.212.166.01, доктор физико-математических наук, профессор А.И. Машин

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы Интерес к исследованию свойств моноизотопных монокристаллов кремния возник еще в 50-е годы прошлого столетия [1], когда были получены первые образцы кремния, обогащенного изотопом Si чуть более 99.8%. Однако эти исследования, несмотря на то, что кремний до сих пор самый востребованный полупроводник в микроэлектронике, не продолжались практически до начала нового столетия.

В последние годы интенсивно исследовались изотопические эффекты, связанные с изменением массы, которые приводят к смещениям и перенормировкам спектра частот фононов в кристаллах и, как следствие, к изменению энергий электрон-фононных переходов и уширению электронных переходов [2]. Известно, что изотопический беспорядок масс в кристаллах вызывает локальные изменения энергетической щели в кристалле и приводит [3-5] к неоднородному уширению спектров поглощения мелких примесей, а также спектров фотолюминесценции связанных на мелкой примеси экситонов, переходов [6]. В спиновом резонансе электронов, такие эффекты должны проявляться в процессах спин-решеточной релаксации вследствие взаимодействия спинов с фононами [7,8], и исследованы далеко не полностью.

Другой тип эффектов, вызванных изменением содержания изотопа Si, обладающего ядерным спином связан со сверхтонким взаимодействием спина электрона со спином ядер I=1/2 изотопа Si. Эти эффекты, прежде всего, приводят к неоднородному уширению спектров ЭПР и значительно снижают разрешающую способность метода, в результате чего скрываются детали спектра, что затрудняет их интерпретацию и расшифровку электронной структуры центров. В кремнии, несмотря на большую по сравнению с А3Визученность дефектов, еще остается много нерешенных задач в исследованиях электронной структуры как глубоких, так и мелких центров. Обсуждаемые в литературе [9] модели квантовых компьютеров, с использованием кремния, обогащенного бесспиновым изотопом Si-28, также стимулировали исследования свойств моноизотопных материалов.

Развитие спинтроники [10] стимулировало другую важную проблему, связанную с поведением электронов проводимости в изотопно-чистых кристаллах по сравнению с природными. Электронный спиновый резонанс позволяет изучать процессы спиновой релаксации электронов проводимости, связанные с индуцированным рассеянием на донорах и фононах изменением спин-орбитального взаимодействия. Эти эффекты важны при высоких концентрациях доноров и высоких температурах. При малых концентрациях доноров должны проявляться спиновые изотопические эффекты, связанные с рассеянием электрона на магнитных ядрах изотопа 29Si за счет сверхтонкого (в основном Ферми-контактного) взаимодействия. Эти эффекты экспериментально не исследованы в кремнии, а теоретические модели [11,12] не точно описывают эти вклады. Для того чтобы определить роль сверхтонких взаимодействий в спиновой релаксации электронов проводимости необходимо точно учитывать спин-орбитальные (примесный и решеточный) вклады.

Однако механизмы Эллиота-Яфета, применяемые для этих целей, лишь качественно объясняют поведение скоростей спиновой релаксации, но количественное расхождение достаточно велико. Причины расхождений экспериментальных оценок с теоретическими можно понять при тщательном исследовании поведения отклонений g-фактора электронов проводимости в кристалле от g0 для свободного электрона в зависимости от химической природы донора его концентрации и температуры. Анализ этих данных позволит откорректировать теоретические модели, учитывающие примесные и решеточные спин-орбитальные вклады.

Цели и основные задачи работы Цель работы: изучение процессов спиновой релаксации электронов с различной степенью локализации в кремнии с изменённым изотопным составом.

Задачи работы:

1. Исследование особенностей спектров спинового резонанса электронов локализованных на мелких донорах фосфора и лития в кремнии, обогащенном изотопами 28Si (более 99.99%) и 29Si (более 99.9%).

2. Изучение поведения спинов электронов проводимости и процессов спиновой релаксации электронов проводимости при рассеянии их на примесях, фононах и магнитных ядрах изотопа 29Si.

3. Определение вклада сверхтонкого взаимодействия в скорость спиновой релаксации электронов проводимости в кремнии.

Научная новизна работы В моноизотопном кремнии 28Si впервые получены и исследованы спектры электронного парамагнитного резонанса изолированного донорного центра лития и комплекса LiO. Показано, что обогащение кремния бесспиновым изотопом приводит к существенному сужению резонансных линий, позволяющему наблюдать тонкую и сверхтонкую структуру спектров.

Впервые показано, что зависимость g-фактора от температуры в моноизотопном кремнии n-типа отражает степень локализации электрона на доноре. Характер температурной зависимости g-фактора электронов в зоне проводимости определяется модуляцией решеточного спин-орбитального взаимодействия фононами.

Впервые получена зависимость вклада сверхтонкого взаимодействия в ширину линии спектра электронного парамагнитного резонанса электронов проводимости в кремнии от концентрации магнитных ядер. Определена величина вклада сверхтонкого взаимодействия в скорость спиновой релаксации электронов проводимости в кремнии.

Практическая ценность работы Результаты, полученные в данной работе, способствуют более детальному пониманию процессов спиновой релаксации как локализованных, так и свободных электронов в кремнии и могут быть полезны при конструировании приборов спинтроники.

На защиту выносятся следующие основные положения:

1. Изотопическое обогащение кремния приводит к значительному сужению линий электронного парамагнитного резонанса лития в кремнии от Bpp=0.141±0.001 мТл для природного кремния до Bpp=0.013±0.001 мТл для отдельных компонент спектра в моноизотопном кремнии Si, что даёт возможность более детального исследования тонкой и сверхтонкой структуры спектров электронного парамагнитного резонанса доноров в кремнии.

2. Поведение температурной зависимости g-фактора в кремнии n-типа более точно отражает степень зарядовой делокализации электрона, по сравнению с данными проводимости и эффекта Холла.

Температурная зависимость g-фактора электронов проводимости в сзоне определяется модуляцией решеточного спин-орбитального взаимодействия фононами.

3. Вклад сверхтонкого взаимодействия в ширину линии электронного парамагнитного резонанса электронов проводимости в кремнии составляет: 0.007±0.001 мТл для природного образца кремния и 0.018±0.001 мТл для моноизотопного кремния-29. При низких концентрациях магнитных ядер Si вклад сверхтонкого взаимодействия зависит от доли магнитных ядер в степени 1/3 и согласуется с моделью Першина-Привмана, при высоких концентрациях зависимость описывается степенью 2/3.

Личный вклад автора Автором внесен определяющий вклад в получение основных экспериментальных результатов от приготовления образцов и проведения измерений до анализа экспериментальных результатов с применением специальных программ по расчёту параметров спектров ЭПР методом спинового гамильтониана. Планирование экспериментов, обсуждение и анализ результатов проводились совместно с научным руководителем работы проф.

А.А. Ежевским.

Апробация работы Основные результаты работы докладывались на международной конференции «Euromar-2008» (г. Санкт-Петербург, 2008 г.), 25 Международной конференции «Дефекты в полупроводниках / ICDS-25» (г. Санкт-Петербург, 2009 г.), 30 международной конференции «ICPS-30» (г. Сеул, 2010 г.) VII международной конференции «Кремний 2010» (г. Нижний Новгород, 2010 г.), ХI, ХIII, ХV симпозиумах «Нанофизика и наноэлектроника» (г. Нижний Новгород, 2007, 2009, 2011 г.), 5, 6, 7 Зимних молодежных школахконференциях «Магнитный резонанс и его приложения» (г. Санкт-Петербург, 2008, 2009, 2010 г.), Всероссийской молодежной конференциях по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (г. СанктПетербург, 2009 г.), XI, XII Международных молодёжных научных школах «Актуальные проблемы магнитного резонанса и его приложений» (г. Казань, 2007, 2009 г.), XV Нижегородской сессии молодых учёных (г. Нижний Новгород, 2010), Публикации По материалам диссертационной работы опубликованы 41 научных работ:

8 статей, входящих в перечень ВАК, и 33 публикации в материалах международных и всероссийских конференций.

Структура и объем диссертации Диссертация состоит из введения и пяти глав. Объем диссертации составляет 120 страниц, содержащих 52 рисунка и 4 таблицы. Список литературы содержит 99 наименований.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность направления исследований, описано состояние проблемы, сформулированы цель и основные задачи диссертационной работы, показаны научная новизна и практическая значимость полученных результатов, приведены положения, выносимые на защиту.

В первой главе диссертации приводятся возможности спектроскопии электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) как метода исследования, описаны основы явления электронного парамагнитного резонанса.

Обзор литературных данных продолжается анализом работ о роли изотопических эффектов в методе ЭПР. Выделяются два основных типа изотопических эффектов. Эффекты первого типа, связаны с распределением плотности неспаренных электронов парамагнитных центров в кристалле по лигандным атомам кремния, имеющим в своём составе изотоп Si. Другой изотопический эффект – изменение ширины линии поглощения за счет процессов спин-решеточной релаксации.

Часть первой главы посвящена механизмам спиновой релаксации электронов проводимости в кремнии. Отдельное внимание уделяется процессам спиновой релаксации с участием сверхтонких взаимодействий и приводятся известные на данный момент модели.

Вторая глава посвящена методике эксперимента, технике спектроскопии ЭПР, описанию исследованных образцов. Спектры электронного парамагнитного резонанса в работе измерялись на гомодинном спектрометре X-диапазона BRUKER-EMXplus–10/12 с гелиевым криостатом и системой контроля температуры (3.8–300 K) ER 4112 HV, поэтому приводятся характеристики прибора, гарантирующие условия эксперимента, при которых параметры спектров ЭПР исследованных образцов измеряются с высокой точностью.

Исследования проводились на образцах кремния с различным изотопным составом, различным содержанием примеси, различной химической природой примеси. В ходе диссертационного исследования использовались образцы высокочистого кремния с обогащением 99,99% (по изотопу Si) и 99,9% (по изотопу 29Si), выращенные в институте химии высокочистых веществ РАН им.

Г.Г. Девятых методом бестигельной зонной плавки. Так же использовались промышленные образцы кремния с природной композицией изотопов.

Легирование мелкой донорной примесью фосфора с концентрациями от 1016 до 1019ион/см2 производилось имплантацией ионов с энергией до 40 кэВ и током ионов до 0,5 мА с погрешностью набора дозы менее 10% и с энергией до 100 кэВ и током ионов до 0,3 мА с погрешностью набора дозы менее 5%). Для имплантации ионов использовались ионные ускорители в НИФТИ ННГУ. При легировании кремния донорной примесью лития применялся метод диффузии, основанный на работе [13].

Третья глава посвящена исследованиями структуры состояний электронов, локализованных на мелких донорах лития и фосфора в моноизотопном кремнии.

В моноизотопном кремнии-28 с концентрацией лития NLi~1016 см-3 при температурах 3,5-20К был получен спектр ЭПР тригональной симметрией gфактора с хорошо разрешенной сверхтонкой структурой обусловленной взаимодействием неспаренного электрона на литии с ядерным спином Li.

Исследование угловой зависимости спектров показало, что тригональная симметрия (g||[111]) линий спектра, соответствует электрону, локализованному на связи LiO. В таком центре и литий и кислород находятся в ближайших тетраэдрических междоузлиях. Поэтому связь ориентирована вдоль направления [111], что обуславливает главную компоненту g-фактора вдоль тригональной оси.

В моноизотопном кремнии-28 с содержанием лития NLi~1018 см-присутствуют два типа линий: спектр с тригональной симметрией g-фактора, аналогичный спектру образцов с малой концентрацией и тетрагональной симметрией g-фактора, состоящий из двух линий. Тетрагональная симметрия gфактора при концентрации лития 1018 см-3 связана с изолированным донорным центром Li.

В образцах кремния, облученных ионами фосфора, природного изотопного состава и обогащенного изотопом Si, обнаружен анизотропный спектр ЭПР при Т=4К. Спектр состоял из трех линий соответствующих различным компонентам g-фактора, gx, gy, gz. Были исследованы зависимости параметров анизотропии от температуры и величины микроволнового поля при постоянной температуре. Анализ анизотропного спектра ЭПР при низких температурах, для кремния, обогащенного изотопом Si-28 и природного, легированного фосфором, показал сильную зависимость g-факторов от температуры и СВЧ мощности. Предложена модель, объясняющая зависимость анизотропии от температуры и уровня микроволновой мощности. Модель связывает изменение степени локализации электрона с увеличением частоты случайных флуктуаций локальных полей за счет движения с ростом температуры и микроволновой мощности. Предполагается, что анизотропия спектра вызвана упругими напряжениями при образовании кластеров фосфора, так как известно, что фосфор имеет такую способность.

В четвёртой главе исследуется изменение релаксационного вклада в ширину линии ЭПР электронов проводимости в кремнии, а также g-фактора в зависимости от химической природы и концентрации мелкой донорной примеси в кремнии, температуры и величины микроволнового поля.

Необходимо было найти условия, при которых вклады механизмов релаксации при рассеянии на примеси и фононах были минимальны.

Исследования проводились на образцах кремния, как с природным содержанием изотопов, так и образцы кремния, обогащенного изотопом 28Si и Si. Проводилось легирование образцов кремния с различной концентрацией примеси от 41013 см-3 до 1019 см-3 и различной химической природой примеси Li, N, P, As, Sb, Bi. Такой широкий диапазон концентраций и примесей позволил понять, какие механизмы релаксации важны, найти тот интервал температур и концентраций, в котором можно измерить вклад сверхтонкого взаимодействия с максимальной точностью.

Отдельное внимание уделяется поведению температурной зависимости gфактора элктронов проводимости, содержащем информацию о степени зрядовой делокализации электрона и спин-орбитальном взаимодействии.

Предложена модель изменения g-фактора электронов проводимости в кремнии от температуры, основанная на изменении решеточного спин-орбитального вклада с температурой.

В Пятой главе исследуется вклад сверхтонкого взаимодействия в скорость спиновой релаксации электронов проводимости в кремнии.

При сравнении экспериментальной зависимости вклада СТВ в ширину линии электронов проводимости с моделью Першина-Привмана наблюдается расхождение в области Рис. 1. Зависимость величины вклада СТВ в ширину линии электронов проводимости от больших концентраций магнитных содержания ядер изотопа 29Si, при температуре 90К ядер изотопа Si. Причиной расхождения является то, что в модели Першина-Привмана учитывается взаимодействие волнового пакета электрона только с одним магнитным ядром.

Модель, представленная в работе, учитывает взаимодействие с несколькими ядрами, обладающими магнитным моментом, и совпадает с экспериментом в пределах погрешности. Длина волнового пакета электрона является единственным параметром модели . Наилучшее совпадение расчёта с экспериментом происходит при величине = 1.7a, где a – параметр решётки кремния, что подтверждает взаимодействие волнового пакета электрона с несколькими ядрами 29Si.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ 1. Впервые получен ЭПР спектр лития с высоким разрешением в моноизотопном кремнии, обогащённом изотопом Si с очень узкими отдельными линиями сверхтонкой структуры без приложения внешнего напряжения. В моноизотопном кремнии обогащенном изотопом Si с малой концентрацией лития наблюдается тригональная симметрия ЭПР спектра комплекса LiO с хорошо разрешённой сверхтонкой структурой Li при температурах 3,5-20К. При высокой концентрации лития в кремнии-28 тригональный спектр комплекса LiO наблюдается вместе с тетрагональным спектром, с неразрешенной сверхтонкой структурой.

Предполагается, что тетрагональная симметрия g-фактора при концентрации лития 1018 см-3 связана с изолированным донорным центром Li.

2. Анизотропный спектр ЭПР в эпитаксиальных слоях моноизотопного кремния-28 и природного изотопного состава связан с электронами, локализованными на донорных центрах фосфора, находящихся в напряженных кластерах фосфора. Сильная чувствительность анизотропии к температуре и микроволновой мощности связана с температурной зависимостью рассеяния электронов, участвующих в проводимости по примесной зоне, на нейтральной донорной примеси, уменьшающего время жизни спинового состояния и приводящего к разрушению анизотропии по механизму Андерсона. Большую анизотропию и ее более значительную чувствительность к температуре и СВЧ полю в моноизотопном кремнии по сравнению с природным можно объяснить, по-видимому, различием в рассеянии фононов, отводящих энергию от разогретых полем электронов к решетке, на изотопическом беспорядке. Высокая чувствительность спектров к электромагнитному микроволновому полю, приводящему к разогреву носителей, позволяет управлять спиновыми состояниями, что является актуальной задачей спинтроники.

3. Процессы спиновой релаксации электронов проводимости в кремнии обусловлены сильными механизмами Эллиотта-Яфета во всём исследованном интервале температур: от температуры жидкого гелия до комнатной. При низких температурах (4.3<Т<90) согласно механизмам Эллиотта-Яфета спиновая релаксация обусловлена рассеянием электронов на примеси. При температурах T90K кроме механизма рассеяния на примеси в процессы спиновой релаксации существенный вклад вносит электрон-фононное взаимодействие, а при высоких концентрациях донора и электронов в зоне проводимости электрон-электронное взаимодействие. В интервале температур T>240K становится заметным междолинное электрон-фононное взаимодействие.

4. Сильное влияние на поведение электронов проводимости и, соответственно, процессы спиновой релаксации оказывает спинорбитальное взаимодействие при рассеянии электронов на примеси. Об этом говорит зависимость ширины и g-фактора линии ЭПР электронов проводимости от концентрации и атомного номера примеси. Чем больше у примеси константа спин-орбитального взаимодействия, тем больший вклад в ширину линии ЭПР электронов проводимости вносит спин-орбитальное взаимодействие при рассеянии на примеси.

5. В исследованном диапазоне температур и концентраций примеси процессы релаксации, обусловленные сверхтонким взаимодействием, могут наблюдаться при низких температурах T<80K. Однако в таком интревале температур происходит локализация электронов на примеси, либо при больших уровнях легирования электроны участвуют в прыжковой проводимости.

6. Температурная зависимость g-фактора в кремнии n-типа отражает степень зарядовой делокализации электрона. По сравнению с данными проводимости и эффекта Холла g-фактор более точно отражает степень делокализации электрона 7. Для исследования процессов релаксации, обусловленных сверхтонким взаимодействием, электронов, находящихся в зоне проводимости, необходимы образцы кремния с низкими концентрацими примеси и высоким содержанием ядерных спинов изотопа Si, интервал температур, ограниченный снизу областью локализации электронов на доноре, а сверху – рассеянием электрона на фононах и примеси.

8. При температурах около 90К и при концентрации доноров на уровне 4– 6·1013 см-3 вклад сверхтонких взаимодействий с ядрами 29Si в спиновую релаксацию электронов, находящихся в зоне проводимости в кремнии оказывается заметным на фоне механизмов связанных с рассеянием электронов на примеси и фононах.

9. Для электронов проводимости в кремнии впервые определен вклад сверхтонкого взаимодействия спина электрона с ядерным спином изотопа. Величина вклада сверхтонкого взаимодействия зависит от концентрации магнитных ядер. Сравнение экспериментальной зависимости величины вклада сверхтонкого взаимодействия от концентрации изотопа Si с моделью Першина-Привмана показало хорошее соответствие только для области малых концентраций ядер, когда волновой пакет электрона взаимодействует только с одним магнитым ядром. При увеличении концентрации магнитных ядер необходимо учитывать взаимодействие с несколькими магнитными ядрами 29Si. Такая модель показала хорошее согласие с экспериментом.

10. Вклад сверхтонкого взаимодействия в скорость спиновой релаксации электронов проводимости в кремнии значительно меньше вклада от механизма Эллиотта-Яфета, определяющийся индуцированным решеткой вкладом спин-орбитального взаимодействия в состояния электронов одновременно с рассеянием электронов на примеси и фононах.

СПИСОК ЦИТИРОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 1. Feher, G. Electron spin resonance experiments on donors in silicon. 1 Electronic structure of donors by ENDOR technique / G. Feher // Phys. Rev. – 1959 – Vol.

114 – P. 1219.

2. Cardona, M. Isotope effects on the optical spectra of semiconductors / M.

Cardona, M.L.W. Thewalt // Rev. Mod. Phys. – 2005 – Vol. 77 – P. 1173.

3. Steger, M. Shallow impurity absorption spectroscopy in isotopically enriched silicon / M. Steger, A. Yang, D. Karaiskaj, et al., // Phys. Rev. B. – 2009 – Vol.79 – P. 205210.

4. Thewalt, M.L.W. Direct observation of the donor nuclear spin in a near-gap bound exciton transition: 31P in highly enriched 28Si / M.L.W.Thewalt, A. Yang, M. Steger, et al. // J.Appl.Phys. – 2007 – Vol. 101 – P. 081724.

5. Karaiskaj, D. Photoluminescence of Isotopically Purified Silicon: How Sharp are Bound Exciton Transitions? / D. Karaiskaj, M.L.W.Thewalt, T.Ruf, et al. // Phys.Rev.Lett. – 2001 – Vol. 86 – P. 6010-6013.

6. Karaiskaj, D. Impurity Absorption Spectroscopy in 28Si: the Importance of Inhomogeneous Isotope Broadening / D. Karaiskaj, J.A.H. Stotz, T. Meyer, et al.

// Phys. Rev. Lett. – 2003 – Vol. 90 – P. 186402.

7. Kane, B. E. A silicon based nuclear spin quantum computer / B. E. Kane // Nature (London) – 1998 – Vol. 393 – P. 133–137.

8. Zutic, I. Spintronics: Fundamentals and applications / I. Zutic I., J. Fabian, S.

Das Sarma // Reviews of Modern Physics. – Vol. 76 – P. 323-386.

9. Гусейнов, Д.В. Спиновая релаксация электронов, локализованных на мелких и глубоких донорных центрах в кремнии, при различном содержании ядер Si и изменении изотопического беспорядка / Д.В.

Гусейнов, Д.В. Хомицкий, А.А. Ежевский, А.В. Гусев // Поверхность.

Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2008 – №1 – C.93-97.

10. Ежевский, А.А. Анизотропия донорного состояния электрона на фосфоре в напряженных кластерах в кремнии при низких температурах / А.А.

Ежевский, А.В. Сухоруков, Д.В. Гусейнов, А.В. Гусев // Поверхность.

Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2010 – №.1 – C.1-6.

11. Anderson, P.W. A Mathematical Model for the Narrowing of Spectral Lines by Exchange or Motion / P.W. Anderson, P.R. Weiss, // J. Phys. Soc. Japan. – 19– Vol. 9 – p. 316.

12. Pershin, Y.V. Spin relaxation of conduction electrons in semiconductors due to interaction with nuclear spins / Y.V. Pershin, V. Privman // Nano Letters. – 20– Vol. 3 – P. 695.

СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ [A1] А.А. Ежевский, Д.В. Гусейнов, А.В. Сухоруков, А.В. Гусев Анизотропия донорного состояния электрона на фосфоре в напряженных кластерах в кремнии при низких температурах Поверхность. Ренетгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. N5, 2010, c. 78-84.

[A2] A.A. Ezhevskii, D.V. Guseinov, A.V. Soukhorukov, A.V. Gusev, S.A. Popkov Electron paramagnetic resonance spectroscopy of lithium donors in monoisotopic silicon Physica B: Physics of Condensed Matter 404 (2009), pp.

5063-5065.

[A3] А.А. Ежевский, Д.В. Гусейнов, А.В. Сухоруков,О.А. Кузнецов,С. А.

ПопковВ.Г. Шенгуров, С.А. Денисов Исследование спектров электронного спинового резонанса в SiGe/Si гетерослоях, легированных фосфором Известия РАН. Серия физическая, 2012, том 76, № 2, с. 231– 233.

[A4] A.A. Ezhevskii, D.V. Guseinov, A.V. Soukhorukov, A.V. Gusev, S.A. Popkov V.A. Gavva Spin relaxation and spin-diffusion length of conduction electrons in silicon with different compositions of isotopes ICPS-30 July 25-30.

2010/Coex, Seoul, Korea, AIP Conference Proceeding Series, 1399, pp. 743744.

[A5] А.В. Сухоруков, А.А. Ежевский, Д.В. Гусейнов, А.В. Гусев С. А. Попков Процессы спиновой релаксации электронов проводимости в кремнии с различным изотопным составом Вестник ННГУ №5, 2010, с335-338.

[A6] А.А. Ежевский, Д.В. Гусейнов, А.В. Сухоруков, С. А. Попков Спиновая диффузия и релаксация электронов проводимости в кремнии Вестник ННГУ №5, 2010, с330-3[A7] А.А. Ежевский, А.В. Сухоруков, Д.В. Гусейнов, А.В. Гусев, С. А. Попков Спиновый резонанс электронов с различной степенью локализации в кремнии с изменённым изотопным составом Вестник ННГУ №5, 2010, с321-3[A8] А.В. Сухоруков, А.А. Ежевский, Д.В. Гусейнов, А.В. Гусев,С. А. Попков Вклад сверхтонкого взаимодействия в процессы спиновой релаксации электронов проводимости в кремнии Вестник ННГУ №3, 2012, с. 36-[A9] A.A. Konakov, A.A. Ezhevskii, A.V. Soukhorukov, D.V. Guseinov, S.A.

Popkov, V.A. Burdov Temperature dependence of the conduction electron gfactor in silicon: theory and experiment Magnetic Resonance in Solids, Electronic Journal, Vol. 13, №2, 2011, pp. 14-[A10] A.A. Konakov, A.A. Ezhevskii, A.V. Soukhorukov, D.V. Guseinov, S.A. Popkov, V.A. Burdov Lande factor of the conduction electrons in silicon:

temperature dependence IOP Publishing, London Journal of physics:

conference series, V. 324, P. 0120[A11] A.A. Ezhevskii, S.A. Popkov, A.V. Soukhorukov, D.V. Guseinov, N.V.

Abrosimov, H. Riemann Investigation of the structure of the ground state of lithium donor center in silicon-28 and an impact on it of the internal deformation of the crystal (Accept for publishing).

[A12] Electron paramagnetic resonance of lithium related donors in monoisotopic silicon / A.A. Ezhevskii, D.V. Guseinov, A.V. Soukhorukov, A.V. Gusev, S.A. Popkov // 7th European Federation of EPR Groups Meetingand Closing Meeting of COST P 156-11 September 2009 Antwerp, Belgium, p.[A13] Electron paramagnetic resonance spectroscopy of lithium donors in monoisotopic silicon / A.A. Ezhevskii, D.V. Guseinov, A.V. Soukhorukov, A.V. Gusev // Defects in Semiconductors, ICDS-25 July 20-24, 2009 St.

Peterburg, Russia, p.1[A14] Анизотропия донорного состояния электрона на фосфоре в напряженных кластерах в кремнии при низких температурах. / А.А.

Ежевский, А.В. Сухоруков, Д.В. Гусейнов, А.В. Гусев // Материалы ХIII симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 16-марта 2009 г. С 129-130.

[A15] Isotopic effects in EPR line broadering and spin-relaxation for deep and shallow centers in silicon / A.A. Ezhevskii, D.V. Guseinov, A.V. Soukhorukov, C.A.J. Ammerlaan. // Proceedings of International Conference «Euromar2008». July 2008, St. Petersburg, Russia.

[A16] Isotopic effects in spin-lattice relaxation for deep Cr+ center and dangling bonds in silicon. / A.A. Ezhevskii, D.V. Guseinov, A.V.

Soukhorukov, A.V. Gusev // Proceedings of International Conference «Euromar-2008». July 2008, St. Petersburg, Russia.

[A17] Spin relaxation processes of conduction electrons in silicon with different isotopic composition. / A.A. Ezhevskii, A.V. Soukhorukov, D.V.

Guseinov // Proceedings of International Conference «Euromar-2008». July 2008, St. Petersburg, Russia.

[A18] Spin relaxation processes of conduction electrons in silicon with different isotopic composition / A.V. Soukhorukov, A.A. Ezhevskii, D.V.

Guseinov // Proceedings of XII International Youth Scientific School "Actual Problems of magnetic resonance and its application" 5-9 October 2009. Kazan.

P. 146-1[A19] Спектроскопия электронного парамагнитного резонанса лития в моноизотопном кремнии / А.В. Сухоруков, А.А. Ежевский, Д.В. Гусейнов // 6-ая Зимняя молодежная школа-конференция «Магнитный резонанс и его приложения» Санкт-Петербург, 30 ноября-04 декабря 2009, с. 113-1[A20] Механизмы спиновой релаксации электронов проводимости в кремнии с изменённым изотопным составом / А.В. Сухоруков, А.А.

Ежевский, Д.В. Гусейнов // Сборник тезисов XI Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике Санкт-Петербург, ноября-4 декабря 2009 г. с. [A21] Spin relaxation of conduction electrons in ion implanted layers of Si with modified isotopic composition. / A.V. Soukhorukov, A.A. Ezhevskii, D.V.

Guseinov // Proceedings of XI International Youth Scientific School "Actual Problems of magnetic resonance and its application" 23-28 September 2007.

Kazan. P. 94-[A22] Вклад различных механизмов в спиновую релаксацию электронов проводимости в кремнии с различным изотопным составом / А.А.

Ежевский, Д.В. Гусейнов, А.В. Сухоруков, Д.В. Хомицкий, А.В. Гусев // Материалы ХI симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2007 г. С 222-223.

[A23] Влияние изотопного состава кремния на поведение спинов электронов сильно и слабо локализованных на дефектах и электронов проводимости / А.А. Ежевский, Д.В. Гусейнов, А.В. Сухоруков, Д.В.

Хомицкий, О.А. Кузнецов, А.В. Гусев // XIII Конференция «Высокочистые вещества и материалы, получение, анализ, применение».Тезисы докладов. Нижний Новгород, май 2007.

[A24] Contribution of hyperfine interaction with magnetic nuclei of Si isotope to the line width and spin relaxation for deep and shallow donor centers and conduction electrons in silicon / A.A. Ezhevskii, D.V. Guseinov, A.V.

Soukhorukov, D.V. Khomitsky, O.A. Kuznetsov, A.V. Gusev, C.A.J.

Ammerlaan // Proceedings of International Conference «EastMag-2007» 23-August 2007. Kazan.

[A25] Процессы спиновой релаксации электронов проводимости в кремнии с различным изотопным составом / А.В. Сухоруков, А.А.

Ежевский, Д.В. Гусейнов // Материалы 5-ой, зимней молодежной школыконференции «Магнитный резонанс и его приложения», СанктПетербург, 1-5 декабря 2008г.

[A26] Механизмы спиновой релаксации электронов проводимости в кремнии с изменённым изотопным составом. / А.В. Сухоруков, А.А.

Ежевский, Д.В. Гусейнов // Материалы IV Международной научнотехнической школы-конференции 8-12 декабря 2008 г., г. Москва, МИРЭА, с. 60-63.

[A27] Изменение процессов релаксации спинов оборванных связей при модификации кремния ионной бомбардировкой. / А.А. Ежевский, Д.В.

Гусейнов, С.А. Яшанин, А.В. Сухоруков,// II Всероссийская конференция “Физические и физико-химические основы ионной имплантации ФФХОИИ-2008”, 28-31 октября 2008 г. Казань. КФТИ, Тезисы докладов.

С. 94-95.

[A28] The dependence of the contribution of the hyperfine interaction in the spin relaxation rate of conduction electrons in silicon on the silicon isotope composition / A.V. Soukhorukov, A.A. Ezhevskii, D.V. Guseinov, S.A.

Popkov, A.V. Gusev, V.A. Gavva // Abstracts of VII International Conference «Silicon-2010», 6-9 July 2010, Nizhny Novgorod, P. 135.

[A29] The electronic g-factor as a function of temperature, concentration and chemical nature of the donor in silicon / A.A. Ezhevskii, D.V. Guseinov, S.A.

Popkov, A.V. Soukhorukov, A.V. Gusev, V.A. Gavva // Abstracts of VII International Conference «Silicon-2010», 6-9 July 2010, Nizhny Novgorod, P.136.

[A30] Isotopic effects in electron spin resonance with varying degrees of localization in silicon / A.A. Ezhevskii, D.V. Guseinov, S.A. Popkov, A.V.

Soukhorukov, A.V. Gusev, V.A. Gavva // Abstracts of VII International Conference «Silicon-2010», 6-9 July 2010, Nizhny Novgorod, P.137.

[A31] The high-resolution EPR spectra of Fe0 center in Si isotope enriched silicon / A.A. Ezhevskii, D.V. Guseinov, S.A. Popkov, A.V. Soukhorukov, A.V. Gusev, V.A. Gavva // Abstracts of VII International Conference «Silicon2010», 6-9 July 2010, Nizhny Novgorod, P.139.

[A32] Вклад сверхтонкого взаимодействия в скорость спиновой релаксации электронов проводимости в кремнии с изменённым изотопным составом / А.В. Сухоруков, А.А. Ежевский, Д.В. Гусейнов С.А. Попков // Тезисы XV нижегородской сессии молодых учёных, 19-апреля 2010, Нижний Новгород, с. [A33] Вклад сверхтонкого взаимодействия в скорость спиновой релаксации электронов проводимости в зависимости от иэотопного состава кремния / А.В. Сухоруков, А.А. Ежевский, Д.В. Гусейнов С.А.

Попков, А.В. Гусев // 7-ая Зимняя молодежная школа-конференция «Магнитный резонанс и его приложения» Санкт-Петербург, 29 ноября-декабря 2010, с. 192-194.

[A34] Исследование спектров электронного спинового резонанса в SiGe/Si гетерослоях, легированных фосфором / А.А. Ежевский, Д.В. Гусейнов С.А. Попков, А.В. Сухоруков, О.А. Кузнецов, В.Г. Шенгуров, С.А.

Денисов // Труды ХV международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 14-18 марта 2011 г. С 60-61.

[A35] Temperature dependence of the conduction electron g-factor in silicon / A.A. Konakov, V.A. Burdov, A.A. Ezhevskii, D.V. Guseinov, A.V.

Soukhorukov, S.A. Popkov // XIV International Youth Scientific School “Actual problems of magnetic resonance and its application”. Program. Lecture Notes. Proceedings (Kazan, 20-25 June 2011), P. 120-123, Kazan University (2011).

[A36] Electron g-factor in silicon: temperature dependence / A.A. Konakov, V.A. Burdov, A.A. Ezhevskii, A.V. Soukhorukov, D.V. Guseinov, S.A.

Popkov // International Conference “Resonances in condensed matter” devoted to the centenary of Professor S. A. Altshuler. Book of Abstracts (June 21-25, 2011, Kazan, Russia), P. 93.

[A37] Spin diffusion and relaxation of conduction electrons in silicon / A.A.

Ezhevskii, D.V. Guseinov, A.V. Soukhorukov, S.A. Popkov // Abstracts of VIII International Conference «Silicon-2011», 5-8 July, Moscow, P.91.

[A38] On the nature of the EPR spectra of 28Si isotope enriched silicon doped with iron / A.A. Ezhevskii, D.V. Guseinov, A.V. Soukhorukov, S.A. Popkov, V.A. Gavva // Abstracts of VIII International Conference «Silicon-2011», 5-July, Moscow, P.207.

[A39] Исследование мелкого донорного центра лития в кремнии, обогащенном изотопом кремния-28 / А.А. Ежевский, Д.В. Гусейнов, С.А.

Попков, А.В. Сухоруков, Н.В. Абросимов // Тезисы докладов всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто-и наноэлектронике, 21-25 ноября 2011, Санкт-Петербург, с.[A40] Исследование структуры основоного состояния донорного центра лития в кремнии-28 и влияния на нее внутренних деформаций кристалла / А.А. Ежевский, Д.В. Гусейнов, С.А. Попков, А.В. Сухоруков, Н.В.

Абросимов H. Riemann // Материалы ХI симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г. С 247-248.

[A41] Температурная перенормировка g-фактора электронов проводимости в кремнии / А.А. Конаков, В.А. Бурдов, А. А Ежевский,, А.В. Сухоруков, Д.В. Гусейнов, С.А. Попков // Материалы ХI симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

С. 271.




© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.