WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!


САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

На правах рукописи

Давыдов Валентин Геннадьевич

ДИНАМИКА ОПТИЧЕСКИХ ВОЗБУЖДЕНИЙ В НИЗКОРАЗМЕРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ AIIIBV

Специальность 01.04.07 физика конденсированного состояния

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Санкт-Петербург 2012

Работа выполнена в Санкт-Петербургском государственном университете.

Научный консультант: доктор физико-математических наук, профессор Игнатьев Иван Владимирович

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук, профессор, главный научный сотрудник ФТИ им. А. Ф. Иоффе Байрамов Бахыш Халил-оглы доктор физико-математических наук, профессор, зав. кафедрой Санкт-Петербургского государственного Политехнического университета Фирсов Дмитрий Анатольевич

Ведущая организация: Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики

Защита состоится 5 апреля 2012 г. в 1330 на заседании совета Д 212.232.по защите докторских и кандидатских диссертаций при Санкт-Петербургском государственном университете по адресу: 198504, Санкт-Петербург, Петродворец, Ульяновская ул. 1, конференц-зал НИИ Физики им. В. А. Фока.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке им. М. Горького СПбГУ.

Отзывы на автореферат просим направлять по вышеуказанному адресу учёному секретарю диссертационного совета.

Автореферат разослан 2012 г.

Учёный секретарь диссертационного совета, А. В. Лёзов профессор

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Настоящая работа посвящена экспериментальному исследованию динамики оптически возбуждённых экситонов в эпитаксиальных полупроводниковых AIIIBV гетероструктурах, содержащих квантовые ямы и квантовые точки, методами нелинейной и нестационарной лазерной спектроскопии.

Актуальность проблемы Полупроводниковые AIIIBV гетероструктуры с квантовыми ямами или квантовыми точками, выращенные современными методами, прежде всего такими как молекулярно-пучковая эпитаксия, обладают уникальными оптическими свойствами, обусловленными, с одной стороны, высокой эффективностью взаимодействия локализованных экситонов со светом, а с другой стороны возможностями целенаправленного управления этими свойствами как на этапе изготовления структуры путём варьирования условий роста, так и воздействуя на неё внешними физическими полями непосредственно в процессе изучения и использования. Эти структуры находят применения в самых разных оптических областях, начиная от сверхэкономичных лазеров и кончая когерентной (в том числе нелинейной) обработкой информации.

Классической методикой экспериментального исследования и рутинной характеризации полупроводниковых структур служит спектроскопия люминесценции, возбуждаемой нерезонансным светом с энергией кванта, превышающей ширину запрещённой зоны всех участвующих в создании гетероструктуры полупроводников. Такая методика проста в реализации, поскольку спектральное разделение возбуждающего и регистрируемого света позволяет без больших усилий достичь весьма высокой чувствительности, и достаточно универсальна, чтобы без существенных изменений быть применимой к самым различным гетероструктурам, и даже разным их классам. За простоту и универсальность приходится платить малой информативностью: энергия возбуждающих фотонов в процессе релаксации перераспределяется по множеству квантовых состояний системы, в том числе и таким, которые не представляют интереса для конретного исследования (например, мелким ловушкам в широкозонных барьерных слоях), а акт спонтанной люминесценции сопровождается потерей информации о когерентных процессах взаимодействия света со структурой.

Предложенные в данной работе специализированные экспериментальные методы исследования нескольких классов гетероструктур дают возможность извлечь детальную информацию о происходящих в них под действием резонансного светового возбуждения когерентных динамических процессах, такую как собственно уровни квантования энергии экситонов в низкоразмерных структурах, времена когерентности тех или иных экситонных состояний, резонансно взаимодействующих со светом, а также скорости (и механизмы) релаксации оптических возбуждений. На основе этой информации можно как непосредственно оценивать пригодность конкретной гетероструктуры для того или иного практического приложения, так и проверять адекватность теоретических представлений, в частности, базирующихся на понятиях квазичастиц, для описания взаимодействия сложной многочастичной системы по сути, твёрдого тела со светом в условиях, обеспечиваемых экспериментом.

Цель и задачи работы Целью настоящей работы является доказательство возможности прямого измерения времени когерентности оптически возбуждённых экситонных состояний в эпитаксиальных полупроводниковых AIIIBV квантовых точках путём создания комплекса методов такового измрения, свободных от ограничений, накладываемых специфическими свойствами объекта исследования, а именно значительным неоднородным уширением и малой оптической плотностью.

Для достижения цели были последовательно поставлены и решены следующие задачи:

1. Разработать методику регистрации нестационарного фотоотклика полупроводниковых структур, чувствительность которой ограничена только доступным для измерений количеством света, и апробировать её на образцах структур, содержащих квантовые точки.

2. Детально исследовать последние стадии каскада релаксационных процессов, заканчивающихся актом люминесценции, в самоорганизованных InP квантовых точках, определить скорости и возможные механизмы этих процессов.

3. Применить результаты, полученные в ходе решения предыдущей задачи, к спектроскопии квантовых точек, созданных локальными напряжениями в InGaAs квантовой яме, и разработать конкретную реализацию методики измерения когерентности состояний во временн области.

ой Научная новизна и практическая ценность Впервые были получены следующие результаты:

1. Создана методика измерения малых (до 10-7 при времени измерения 1 с) вариаций коэффициента отражения образцов непрозрачных полупроводниковых AIIIBV гетероструктур под действием внешних полей (свет, электрическое поле) с детальным разрешением по времени и/или по спектру.

2. В образцах с толстыми (порядка 100 нм) квантовыми ямами GaAs/GaAlAs достаточно высокого качества обнаружена и исследована регулярная спектральная структура, простирающаяся на сотни миллиэлектронвольт вглубь полосы межзонного поглощения. Сделан вывод о том, что указанная структура есть наблюдаемое проявление квантования движения квазичастиц (экситонов), ограниченного стенками ямы.

3. Сформулировано положение о важности учёта влияния электрических полей, как встроенных, так и внешних, на спектр и динамику оптических возбуждений в гетероструктурах, содержащих самоорганизованные InP квантовые точки.

4. Получены систематические данные о спектральных и временных характеристиках люминесценции неоднородно уширенного ансамбля самоорганизованных InP квантовых точек в условиях квазирезонансного возбуждения, исключающих перенос оптического возбуждения за пределами точки.

5. Исследовано влияние электрического поля на скорость безызлучательного распада оптических возбуждений в этих системах. Экспериментально подтверждено, что в зависимости от величины поля эта скорость меняется в весьма широких пределах, в которых безызлучательный распад может конкурировать как с медленными (излучательная рекомбинация), так и с быстрыми (релаксация с участием оптического фонона) процессами эволюции оптического возбуждения в квантовой точке.

6. Установлены условия, при которых такая конкуренция приводит к проявлению спектра времён релаксации в виде спектра интенсивности люминесценции неоднородно уширенного ансамбля. Характерные особенности этх спектров отождествлены с особенностями фононного спектра кристалла InP.

7. Доказано, что в отсутствии эффективного тушения люминесценции процессы электрон-фононной релаксации в самоорганизованных InP квантовых точках происходят быстрее, чем время излучательной рекомбинации, независимо от того, какие фононные ветви участвуют в релаксации. Иными словами, доказано отсутствие эффекта фононного узкого горла в этих системах.

8. Исследованы спектральные и временные характеристики люминесценции неоднородно уширенного ансамбля квантовых точек, образованных локальными наряжениями в InGaAs квантовой яме, в условиях квазирезонансного возбуждения. Обнаружено наличие существенных безызлучательных потерь в этих системах. Продемонстрирован эффективный естественный механизм спектральной селекции люминесценции, основанный на разности скоростей релаксации с участием одного оптического фонона и без такового.

9. Разработана оригинальная методика исследования когерентности состояний в квантовых точках, образованных локальными наряжениями в InGaAs квантовой яме, базирующаяся на возбуждении образца п лазерных имарами пульсов с контролируемыми временными и фазовыми соотношениями между импульсами в паре и спектрально-селективной регистрации его люминесценции. С помощью этой методики произведено измерение времени когерентности для разных участков неоднородно уширенного ансамбля.

Результаты работы применимы в различных областях спектроскопии полупроводниковых гетероструктур. Разработанные экспериментальные методики используются (в том числе и в усовершенствованном виде) при исследовании различных полупроводниковых систем. Измеренные в работе численные параметры (времена когерентности, скорости релаксации) используются в обзорах, посвящённых исследованиям механизмов релаксации в квантовых точках, а также для проверки теоретических представлений об этих механизмах. Важность учёта влияния встроенного электрического поля упоминается в большом количестве работ со ссылкой на настоящее исследование. Данные характеризации образцов использованы в других работах, исследующих эти же образцы.

Защищаемые научные положения 1. Размерное квантование энергетического спектра экситонных возбуждений в полупроводниковых структурах GaAs/GaAlAs с квантовыми ямами шириной сотни нанометров проявляется и может быть измерено с помощью высокочувствительных модуляционных методик в широком спектральном диапазоне от 1.5 до 2 эВ.

2. Приложение внешнего электрического поля к структуре, содержащей слой самоорганизованных InP или квантовых точек, позволяет регулировать скорость без ызлучательного распада экситона в широких пределах и проводить сравнительное исследование скоростей релаксационных процессов в стационарных условиях.

3. Характерные времена фононной релаксации оптического возбуждения в самоорганизованных InP квантовых точках существенно короче излучательного времени жизни экситона. Эффект фононного узкого горла в этих системах отсутствует.

4. Наличие безызлучательных потерь в квантовых точках, сформированных локальными напряжениями в InGaAs квантовых ямах, приводит к естественной спектральной селекции люминесценции, основанной на существенно разной скорости релаксационных процессов с участием разных фононных ветвей. Такая селекция служит основой для исследования когерентности состояний, собственное свечение которых слишком слабо на фоне возбуждающего света.

5. Разработанная оригинальная методика импульсно-интерферометрического возбуждения когерентных состояний с последующей спектральной селекцией люминесценции позволяет извлечь информацию о временах когерентности и скоростях релаксации непосредственно из временных измерений.

Апробация работы Результаты работы докладывались автором на следующих международных конференциях:

1. 6th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology"St.

Petersburg, Russia, June 22–26, 1998.

2. The 24th International Conference on the Physics of Semiconductors August 2–7, 1998, Jerusalem, Israel.

3. 7th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology"(NANO99). St. Petersburg, Russia, June 14–18, 1999.

4. 8th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology"(NANO2000) St.Petersburg, Russia, June 19–23, 2000.

5. 2000 International Conference on Excitonic Processes in Condensed Matter (EXCON2000), Osaka, Japan, August 21–24, 2000.

6. 25th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS25).

Osaka, Japan, September 17–22, 2000.

7. 19th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology” (NANO2011). Ekaterinburg, Russia, June 20–25, 2011.

Кроме того, работа обсуждалась на семинарах в Masumoto Single Quantum Dot Project, в Санкт-Петербургском государственном университете, в СанктПетрбургском государственном университете информационных технологий, механики и оптики, в Физико-техничнском институте им. А. Ф. Иоффе.

Публикации Основные результаты диссертации опубликованы в 8 статьях в рецензируемых журналах, список которых приведён в конце.

Структура и объем работы Диссертация состоит из Введения, трёх глав, Заключения и списка цитированной литературы из 83 наименований, содержит 151 страницу текста, включая 34 рисунка.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ ДИССЕРТАЦИИ В главе 1, Введение, сделан обзор литературы, посвящённой актуальному состоянию исследований квантовых точек. Он затрагивает как определение квантовых точек, методы их изготовления и исследования, так и особенности происходящих в квантовых точках физических процессов, а также возможные применения квантовых точек, в частности, как элементов оптических и/или квантовых вычислительных систем.

Затем анализируются недостатки, присущие традиционным методам исследования квантовых точек, таким как спектроскопия фотолюминесценции при нерезонансном возбуждении фотонами высокой энергии, и выявляется ограниченность информации, получаемой с их помощью. Актуальность темы исследования обосновывается тем, что развиваемый в работе подход даёт по сравнению с традиционным более детальную информацию об электронных состояниях в квантовых точках, их когерентном взаимодействии со светом, а также рассеянии на статических и динамических неоднородностях структуры образца.

Далее в этой главе формулируется цель работы, а также три задачи, последовательное решение которых и приводит в конце концов к достижению заявленной цели. В конце главы кратко изложена структура диссертации.

Вторая глава, Высоковозбуждённые экситонные состояния в толстых квантовых ямах, содержит, во-первых, обоснование необходимости создания высокочувствительной методики модуляционной спектроскопии отражения, во-вторых, детальное описание разработанной методики, и в-третьих, результаты исследования необычного явления, обнаруженного и изученного этим методом в образцах, содержащих толстые квантовые ямы регулярных осцилляций дифференциального коэффициента отражения, простирающихся по энергии далеко вглубь межзонного поглощения (см. рис. 1).

Далее в этой главе обсуждается физическая природа наблюдаемого явления, заключающаяся в возбуждении стоячих поляритонных волн в толще ямы, и приводится упрощённая теория, при помощи малого числа свободных параметров способная количественно объяснить наблюдаемые закономерности. Для проверки теории исследуются специально изготовленные дополнительные образцы с другими значениями толщины квантовой ямы. В конце dR dR dI dV 1.5 1.55 1.6 1.65 1.7 1.Энергия фотона (эВ) Рис. 1. Спектры фото- и электроотражния (верхняя и нижня я кривая соответственно) образца QDP1779. Масштаб по оси ординат условный.

главы делаются выводы как о физических процессах, происходящих в образцах с толстыми квантовыми ямами достаточно высокого качества, так и о методических достоинствах предложенного и реализованного подхода.

В главе 3, Экситон-фононная релаксация в квантовых точках, детально исследуются заключительные этапы релаксации фотовозбуждённых электронно-дырочных пар в самоорганизованных InP и InGaAs квантовых точках, непосредственно предшествующие рекомбинации (излучательной или безызлучательной). Для изучения времён релаксации разработана оригинальная методика, основанная на искусственном ускорении безызлучательных потерь посредством воздействия на образец регулируемым электрическим полем.

В результате получены спектры, распределение интенсивности в которых непосредственно связано со спектральным распределением скоростей релаксации, как показано на рис. 2. При сравнении полученных спектров с известными из литературы спектрами плотности фононных состояний соответствующих полупроводников сделан очевидный вывод о том, что основным механизмомом релаксации иследуемых систем в обсуждаемых условиях является электрон-фононное взаимодействие.

Для подтверждения выводов произведены непосредственные измерения заLO LO LO LAb LAb LAb LA LA LA TA TA TA QDP17InP QDs Ubias = -1.5 V 0 50 100 1Stokes shift (meV) Рис. 2. Зависимость спектра люминесценции InP квантовых точек при приложении электрического смещения от энергии монохроматического возбуждения. Шкала энергий разностная. Кривые смещены по оси ординат для наглядности.

PL intensity висимости люсинесценции от времени при импульсном возбуждении в различных спектральных областях. Доказано, что в исследуемых системах в невозмущённых условиях отсутствует широко обсуждавшийся в литературе эффект фононного узкого горла, иными словами, для любых фононов релаксация с их участием происходит быстрее, чем излучательная рекомбинация.

Затем исследуется влияние на скорость релаксации других спектрально неселективных факторов (помимо электрического поля), таких как температура и нерезонансное освещение фотонами высокой энергии. Подробно обсуждаются конкретные физические механизмы, ответственные за безызлучательную рекомбинацию, например, разнообразные Оже-процессы с участием дополнительных носителей того или иного происхождения. Для некоторых механизмов, существенных в различных условиях эксперимента, построены несложные теоретические модели на основе кинетических уравнений, демонстрирующие неплохое количественное согласие с наблюдаемыми результатами. Отмечены принципиальные трудности описания процессов, происходящих в локальных системах (квантовых точках), в рамках представлений, разработанных для протяжённых однородных сред (кристаллов полупроводников).

В заключении этой главы систематизированы все приведённые в ней результаты и сделанные выводы, а также подчёркнуты условия, при которых проявляются те или иные наблюдаемые эффекты, в частности, сходство этих условий с некоторыми условиями практического применения квантовых точек (например, в полупроводниковых лазерах).

Четвёртая глава, Когерентность оптически возбуждённых состояний в квантовых точках, решает последнюю из задач, поставленных для достижения цели работы. Исследуемым образцом служит тонкая квантовая яма InGaAs в GaAs барьере, на поверхности которого вырашены самоорганизованные InP островки. Последние создают в кристаллической решётке локальные напряжения, служащие потенциальными минимумами для электронов в яме. Со спектроскопической точки зрения электронные состояния, локализованные в этих минимумах, ведут себя подобно квантовым точкам.

Однако, в отличие от InP квантовых точек в InGaP барьере, в этой системе имеется достаточно быстрая рекомбинация. Электрон-фононная релаксация наиболее эффективна лишь для оптических фононов с малыми волновыми векторами. В результате в спектре люминесценции при квазирезонансном возбуждении преимущетсвенно проявляются две узкие линии, соответствующие двум ветвям оптических фононов. Таким образом, наблюдаемые в люминесценции состояния оказываются жёстко связанными по энергии с теми, которые поглощают свет. Это даёт исследователю удобный инструмент для детального изучения последних.

Для исследования когерентости взаимодйствующих со светом состояний образец облучается двумя лазерными импульсами в одной и той же пространственной моде, но задержанными друг относительно друга на известный промежуток времени. При этом эффективность взаимодействия второго импульса с электронным состоянием зависит как от амплитуды поляризации, наведённой в системе первым импульсом, так и от разности фаз между ними.

Используя относительную фазу импульсов как параметр модуляции, можно наблюдать модулированную люминесценцию, причём амплитуда модуляции отражает амплитуду поляризации, а вышеупомянутая спектральная селекция при помощи оптических фононов позволяет выделить из неоднородно уширенного контура поглощения (люминесценции) один спектральный пакет.

Практическая реализация описанной методики (схема которой представлена на рис. 3) базируется на использовании прецезионной линии задержки, которая на больших масштабах времени сканирует промежуток времени между импульсами, а на малых разность фаз между ними. Для удобства интерпретации данных разность фаз измеряется на определённой длине волны, выделенной из широкого спектра импульсов особым вспомогательным монохроматором. Свет люминесценции выделяется другим монохроматором, детектируется фотоумножителем и демодулируется синхронным выпрямителем, опорой которому служит вышеупомянутая разность фаз. Регулируя скорость сканирования, можно менять полное время эксперимента и общее количество собранного света, а полоса пропускания синхронного детектора определяет количество различимых за время эксперимента элементов сигнала.

С помощью этой методики достигнута поставленная в работе цель когерентность оптически возбуждённых электронных состояний в квантовых точках измерена непосредственно во временн области. Поправки, связаной ные с конечной шириной полосы пропускания монохроматора, учитывались путём многократной постановки эксперимента при различных значениях полосы и экстраполяции полученных времён к нулевой полосе, а конечная шиLIAPDx in My ref PDto PC Ti:S C ref x in y S LIAR F M1 PMT Рис. 3. Схема проведения интерферометрического эксперимента. Обозначения: Ti:S импульсный лазер, PD1 и PD2 фотодиоды, S образец в криостате, LIA1 и LIA2 синхронные детекторы, C счётчик, S волоконно-оптический жгут, M1 и M2 монохроматоры, PMT фотоумножитель, R подвижный отражатель. Серым цветом условно показан ход лучей, сплошными тонкими линиями электрические сигналы.

рина фононной линии путём её непосредственного измерения в спектрах комбинационного рассеяния вдали от электронного резонанса квантовых точек. Построена количественная модель, полностью описывающая результаты эксперимента.

Обнаружено укорочение времени когерентности с высокочастотной стороны неоднородно уширенного контура, обсуждаются физические причины этого явления. Проведено сравнение полученных величин с аналогичными свойствами похожих систем, опубликованными в литературе.

В Заключении, выделенном в отдельную пятую главу, сформулированы защищаемые положения, приведены сведения об апробации работы, а также перечислены 8 статей по теме диссертации, опубликованных в реферируемых журналах. В самом конце имеется список цитированной литературы.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ РАБОТЫ Проанализированы особенности традиционных методов исследования квантовых точек AIIIBV при помощи фотолюминесцентной спектроскопии. Предложено развивать резонансные спектроскопические методики для получения информации о параметрах когерентности электронных состояний в квантовых точках и подобных наноструктурах.

Создана модуляционная методика измерения дифференциального отражения с разрешением по спектру, чувствительность которой ограничена только дробовыми шумами доступного для измерения количества света. С помощью этой методики обнаружены и исследованы осцилляции в спектарх фото- и электроотражения образцов с толстыми квантовыми ямами GaAs/AlAs, простирающиеся далеко вверх от энергии межзонного перехода. Изучена зависимость периода осцилляций от энергии и от толщины ямы. Показана практически слабая зависимость этого периода от температуры и электрического поля. Сделан вывод о том, что природа осцилляций связана с интерференцией экситон-поляритонных волн, отражающихся от гетерограниц высокого качества. Построена обобщённая модель, количественно описывающая спектральный ход осцилляций.

При помощи различных методов квазирезонансной фотолюминесценции проведено исследование последних стадий релаксации возбуждёных электронно-дырочных состояний в самоорганизованных InP и InAs квантовых точках.

Обнаружена сильная зависимость скорости безызлучательных потерь от приложенного электрического поля. Создана методика измерения спектрального хода скорости рлаксации, использующая конкуренцию между релаксацией и рекомбинацией в пределах неоднородно уширенной линии люминесценции.

Методика верифицирована прямыми измерениями кинетики люминесценции.

Показана тесная связь скорости релаксации со спектральными особенностями плотности состояний фононов, принмающих участие в релаксации. Доказано, что в исследованных системах отсутствует эффект фононного узкого горла, то есть релаксация с участием любых фононов происходит быстрее, чем излучательная рекомбинация. Исследованы различные Оже-процессы, ответственные за ускорение спектрально неселективной безызлучательной рекомбинации при тех или иных внешних воздействиях (сильное электрическое поле, электрический ток, интенсивное возбуждение, коротковолновая подсветка).

Исследована структура, содержащая InGaAs квантовую яму в GaAs барьере, на поверхности которого выращены самоорганизованные островки InP, создающие в структуре упругие напряжения. Изучены локальные электронные состояния, связанные с потенциальнымми минимумами, созданными в яме упругими напряжениями. Обнаружена быстрая релаксация между этими состояниями с участием исключительно продольных и поперечных оптических фононов вблизи центра зоны Бриллюэна. Сделан вывод о возможности исследования одного из связанных релаксацией состояний путём регистрации люминесценции другого из них.

Создана методика управления и анализа когерентности электронного состояния при помощи двух оптических импульсов с контролируемыми задержкой по времени и разностью фаз. При помощи этой методики исследованы вышеуказанные состояния. Обнаружена зависимость времени когерентности от энергии состояния в пределах неоднородно уширенного контура.

Основные работы по теме диссертации 1. Y. Masumoto, V. Davydov, I. Ignatiev, H.-W. Ren, S. Sugou, Observation of Franz-Keldysh Oscillations in InP Self-Assembled Quantum Dot systems, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 563–565 (1999).

2. V. Davydov, I. V. Ignatiev, H.-W. Ren, S. Sugou, Y. Masumoto, FranzKeldysh oscillations in the structures with the InP self-assembled quantum dots, Appl. Phys. Lett. 74, 3002–3004 (1999).

3. V. Davydov, I. Ignatiev, I. Kozin, J.-S. Lee, H.-W. Ren, S. Sugou, Y. Masumoto, Unusual temperature behavior of the photoluminescence of the InP and InGaAs quantum dots under quasiresonance excitation, J. Lumin. 87– 89, 522–524 (2000).

4. V. G. Davydov, I. V. Ignatiev, I. E. Kozin, S. V. Nair, H.-W. Ren, S. Sugou, Y. Masumoto, Carrier relaxation dynamics in self-assembled quantum dots studied by artificial control of nonradiative losses, Physica status solidi (b) 224, 493–496 (2001).

5. Y. Masumoto, I. V. Ignatiev, I. E. Kozin, V. G. Davydov, S. V. Nair, H.W. Ren, J.-S. Lee, S. Sugou, Breakdown of the phonon bottleneck effect in self-assembled quantum dots, Jpn. J. Appl. Phys. 40, 1947–1950 (2001).

6. I. V. Ignatiev, I. E. Kozin, V. G. Davydov, S. V. Nair, J.-S. Lee, H.-W. Ren, S. Sugou, Y. Masumoto, Phonon resonances in photoluminescence spectra of self-assembled quantum dots in electric field, Phys. Rev. B 63, 075316-1– 075316-11 (2001).

7. A. V. Baranov, V. Davydov, A. V. Fedorov, H.-W. Ren, S. Sugou, Y.

Masumoto, Coherent Control of Stress-Induced InGaAs Quantum Dots by Means of Phonon-Assisted Resonant Photoluminescence, Physica Status Solidi (b) 224, 461–464 (2001).

8. A. V. Baranov, V. Davydov, A. V. Fedorov, M. Ikezawa, H.-W. Ren, S. Sugou, Y. Masumoto, Interferometric coherence measurement of stress-induced InGaAs/GaAs quantum dots at the resonant-luminescence phonon sideband, Phys. Rev. B 66, 075326-1–075326-7 (2002).







© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.