WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 |   ...   | 2 | 3 ||

«А. В. Евстифеев С Е Р И Я Микроконтроллеры AVR семейства Classic фирмы ATMEL 3 е издание, стереотипное Москва Издательский дом «Додэка XXI» 2006 — 1 — МИРОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА УДК 004.312 (035.5) ББК ...»

-- [ Страница 4 ] --

— 246 — 11. Программирование микроконтроллеров Таблица 11.2. Kонфигурационные ячейки микроконтроллеров семейства Classic Название Описание Разрешение/запрещение программирования по SPIEN 0 0 0 0 0 0 последовательному каналу FSTRT 1 0 1 1 Управление таймером задержки сброса (см. главу 3) RCEN 1 0 Разрешение/запрещение встроенного RC генератора BODLEVEL 1 Уровень срабатывания схемы BOD (см. главу 3) BODEN 1 Включение/выключение схемы BOD (см. главу 3) CKSEL2..0 010 Управление таймером задержки сброса (см. главу 3) 1) Все конфигурационные ячейки доступны только в режиме параллельного программи рования.

2) Ячейка SPIEN недоступна в режиме программирования по последовательному каналу при низком напряжении.

3) Ячейка SPIEN недоступна в режиме программирования по последовательному каналу.

Для изменения содержимого конфигурационных ячеек используются специальные команды программирования. Kоманда «Стирание кристал ла» (Chip Erase) на состояние этих ячеек не влияет.

11.4. Идентификатор Все микроконтроллеры фирмы «Atmel» имеют три 8 разрядные ячей ки, содержимое которых позволяет идентифицировать устройство. Kак и конфигурационные ячейки, ячейки идентификатора расположены в от дельном адресном пространстве, доступ к которому возможен только в ре жиме программирования. Однако в отличие от конфигурационных ячеек ячейки идентификатора, по понятным причинам, доступны только для чтения. Содержимое ячеек идентификатора для всех микроконтроллеров семейства приведено в Табл. 11.3.

— 247 — 2) 3) 3) 2) 3) 3) 1) 1) 1) 1) AT90S AT90S AT90S/LS AT90S/LS AT90S/LS AT90S/LS AT90S/LS AT90S/LS AT90S AT90S 11. Программирование микроконтроллеров Таблица 11.3. Ячейки идентификатора микроконтроллеров семейства Classic Адрес Описание $00 $1E $1E $1E $1E $1E $1E $1E $1E $1E $1E $1E Kод производителя («Atmel») $01 $90 $91 $91 $91 $91 $92 $92 $93 $92 $93 $93 Kод объема FLASH памяти* $02 $01 $01 $02 $03 $05 $03 $02 $03 $01 $01 $04 Kод устройства * $90 — 1 Kбайт, $91 — 2 Kбайт, $92 — 4 Kбайт, $93 — 8 Kбайт Kак видно из таблицы, значение кода устройства (ячейка $02) может сов падать для различных моделей семейства. Поэтому устройство можно иден тифицировать только по совокупности значений ячеек $01 и $02, т.к. имен но эта пара чисел является уникальной для каждого микроконтроллера.

Следует обратить внимание на то, что в режиме защиты № 3 (обе ячей ки защиты запрограммированы) идентификатор доступен только в режи ме параллельного программирования. При чтении ячеек $00, $01 и $ идентификатора в режиме последовательного программирования возвра щаются значения $00, $01 и $02 соответственно.

11.5. Режим параллельного программирования В этом режиме, как следует из его названия, от программатора к мик роконтроллеру передаются одновременно все разряды кода команды или байта данных. Этот режим задействует большое число выводов микро контроллера и, кроме того, требует использования дополнительного ис точника повышенного напряжения (12 В). В связи с этим программиро вание в параллельном режиме осуществляется специализированными программаторами. Основное применение этого режима — «прошивка» микроконтроллеров перед установкой их на плату в условиях массового производства.

Схема включения микросхем в режиме параллельного программирова ния приведена на Рис. 11.1. Назначение сигналов, присутствующих на вы водах микроконтроллера в этом режиме, приведено в Табл. 11.4 и 11.5. Об ращаем ваше внимание, что при последующем рассмотрении режима па раллельного программирования выводы, указанные в Табл. 11.4, будут на зываться именами сигналов, присутствующих на этих выводах.

— 248 — AT90S AT90S AT90S/LS AT90S/LS AT90S/LS AT90S/LS AT90S/LS AT90S/LS AT90S AT90S AT90C 11. Программирование микроконтроллеров +5 B RDY/——— PD1 VCC BSY —— OE PD2 PB7–PB0 DATA —— WR PD BS PD XA0 PD XA1 PD ————— +12 B RESET XTAL GND Рис. 11.1. Включение микроконтроллеров в режиме параллельного программирования Таблица 11.4. Обозначение и функции выводов, используемых при программировании в параллельном режиме Сигнал Вывод Вх./Вых. Назначение Состояние устройства:

PD1 Вых. 0 — занято (выполняется предыдущая команда) RDY/BSY 1 — готово к приему следующей команды Управление режимом работы шины данных PB7…PB0:

PD2 Вх.

OE 0 — выход, 1 — вход PD3 Вх. Сигнал записи (активный уровень — лог. «0») WR BS PD4 Вх. Выбор байта (0 — младший байт, 1 — старший байт) XA0 PD5 Вх.

Определяют действие, выполняемое по положительному импульсу на выводе XTAL1 (см. Табл. 11.5) XA1 PD6 Вх.

DATA PB7…PB0 Вх./Вых. Двунаправленная шина данных Таблица 11.5. Функции сигналов XA0 и XA XA1 XA0 Действие, выполняемое по тактовому импульсу Загрузка адреса ячейки памяти (младшего или старшего байта, в зависимости от 0 уровня сигнала BS) 0 1 Загрузка данных 1 0 Загрузка команды 1 1 Нет действия Временные диаграммы сигналов при программировании микроконт роллера в параллельном режиме представлены на Рис. 11.2, а значения параметров сигналов приведены в Табл. 11.6.

— 249 — 11. Программирование микроконтроллеров tXLWL XTAL tXHXL tDVXH tXLDX tBVWL Данные и управление (DATA,XA0/1,BS) tWLWH —— WR tWHRL tRHBX RDY/——— BSY tWLRH —— OE tOHDZ tXLOL tOLDV DATA Рис. 11.2. Временная диаграмма сигналов при программировании в параллельном режиме Таблица 11.6. Параметры сигналов при программировании в параллельном режиме Ед.

Обозначение Параметр min max typ изм.

VPP Напряжение разрешения программирования 11.5 12.5 В IPP Ток, потребляемый от источника + 12 В (VPP) 250 мкА tDVXH Задержка сигнала XTAL1 относительно момента установления 67 нс сигналов управления и данных tXHXL Длительность сигнала XTAL1 67 нс tXLDX Время сохранения сигналов управления и данных относительно 67 нс сигнала XTAL tXLWL Задержка сигнала относительно сигнала XTAL1 67 нс WR WR tBVWL Задержка сигнала относительно момента установления 67 нс сигнала BS Время сохранения сигнала BS относительно заднего фронта tRHBX 67 нс сигнала RDY/BSY tWLWH Длительность сигнала 67 нс WR RDY/BSY tWHRL Задержка появления сигнала относительно заднего 20 нс фронта сигнала WR* — 250 — Запись Чтение 11. Программирование микроконтроллеров Таблица 11.6 (окончание) Ед.

Обозначение Параметр min max typ изм.

RDY/BSY относительно переднего tWLRH Задержка снятия сигнала 0.5 0.7 0.9 мс WR* фронта сигнала tXLOL Задержка сигнала относительно сигнала XTAL1 67 нс OE Время установления сигналов данных относительно переднего tOLDV 20 нс фронта сигнала OE Задержка переключения шины данных в третье состояние tOHDZ 20 нс относительно заднего фронта сигнала OE tWLWH_CE Длительность сигнала для команды «Стирание кристалла» 5 10 15 мс WR WR tWLWH_PFB Длительность сигнала при программировании 1.0 1.5 1.8 мс конфигурационных ячеек WR * Если длительность импульса больше величины tWLRH, то сигнал RDY/BSY не вы рабатывается.

Собственно процесс программирования, в общих чертах, состоит из многократного выполнения следующих операций:

• загрузка команды;

• загрузка адреса ячейки (два байта);

• загрузка содержимого ячейки;

• выполнение команды.

Последовательность подачи сигналов на выводы микроконтроллера для выполнения каждой из перечисленных операций приведена в Табл. 11.7.

Таблица 11.7. Базовые операции программирования в параллельном режиме №№ Название операции Действия 1. Установить выводы XA1, XA0 в состояние «10» (загрузка команды).

2. Подать на вывод BS напряжение лог. «0».

1 Загрузка команды 3. Выставить на шину DATA код команды (см. Табл. 11.7).

4. Подать на вывод XTAL1 положительный импульс.

1. Установить выводы XA1, XA0 в состояние «00» (загрузка адреса).

Загрузка адреса (млад 2. Подать на вывод BS напряжение лог. «0».

ший байт) 3. Выставить на шину DATA младший байт адреса.

4. Подать на вывод XTAL1 положительный импульс.

1. Установить выводы XA1, XA0 в состояние «00» (загрузка адреса).

Загрузка адреса 2. Подать на вывод BS напряжение лог. «1».

(старший байт) 3. Выставить на шину DATA старший байт адреса.

4. Подать на вывод XTAL1 положительный импульс.

— 251 — 11. Программирование микроконтроллеров Таблица 11.7 (окончание) №№ Название операции Действия Загрузка данных 1. Установить выводы XA1, XA0 в состояние «01» (загрузка данных).

3 (младший или стар 2. Выставить на шину DATA содержимое байта данных.

ший байт) 3. Подать на вывод XTAL1 положительный импульс.

1. Подать на вывод BS напряжение лог. «0».

WR 2. Подать на вывод отрицательный импульс;

при этом на выводе Запись ячейки памяти (младший байт) RDY/BSY появляется сигнал НИЗKОГО уровня.

RDY/BSY 3. Ждать появления на выводе сигнала ВЫСОKОГО уровня.

1. Подать на вывод BS напряжение лог. «1».

WR 2. Подать на вывод отрицательный импульс;

при этом на выводе Запись ячейки памяти (старший байт) RDY/BSY появляется сигнал НИЗKОГО уровня.

RDY/BSY 3. Ждать появления на выводе сигнала ВЫСОKОГО уровня.

В рассматриваемом режиме используется 9 команд, коды которых при ведены в Табл. 11.8.

Таблица 11.8. Kоманды программирования в параллельном режиме Kод команды Описание 1000 0000 Стирание кристалла 0100 0000 Запись конфигурационных ячеек 0010 0000 Запись ячеек защиты 0001 0000 Запись FLASH памяти 0001 0001 Запись EEPROM памяти 0000 1000 Чтение идентификатора 0000 0100 Чтение конфигурационных ячеек и ячеек защиты 0000 0010 Чтение FLASH памяти 0000 0011 Чтение EEPROM памяти 11.5.1. Переключение в режим параллельного программирования Перед началом программирования необходимо перевести микроконт роллер в режим программирования. Для этого необходимо выполнить следующие действия (см. Рис. 11.3):

1. Подать на микроконтроллер напряжение питания (диапазон допу стимых значений — см. Приложение III).

2. Подать на выводы RESET и BS напряжение НИЗKОГО уровня на время не менее 100 нс.

— 252 — 11. Программирование микроконтроллеров VCC +12 В 100 мс ————— RESET min 100 мс min BS Рис. 11.3. Переключение микроконтроллера в режим параллельного программирования 3. Подать напряжение 11.5…12.5 В на вывод RESET и удерживать сигнал НИЗKОГО уровня на выводе BS в течение, как минимум, 100 нс. Любая активность на выводе BS в течение этого времени приведет к тому, что микроконтроллер не перейдет в режим про граммирования.

11.5.2. Стирание кристалла Kоманда «Стирание кристалла» (Chip Erase) должна выполняться пе ред каждым перепрограммированием микроконтроллера. Данная команда полностью уничтожает содержимое FLASH и EEPROM памяти, а затем сбрасывает ячейки защиты (записывает в них «1»). Однако на состояние конфигурационных ячеек данная команда не влияет. Другой особеннос тью выполнения этой команды является отсутствие генерации сигнала.

RDY/BSY Для выполнения команды «Стирание кристалла» необходимо выпол нить следующие действия (см. Рис. 11.4):

1. Установить выводы XA1, XA0 в состояние «10» (загрузка команды).

2. Подать на вывод BS напряжение лог. «0».

3. Выставить на шину DATA код команды «1000 0000».

4. Подать на вывод XTAL1 положительный импульс.

5. Подать на вывод WR отрицательный импульс длительностью tWLWH_CE (значение параметра tWLWH_CE приведено в Табл. 11.6).

— 253 — 11. Программирование микроконтроллеров DATA 1000 XA HA BS XTAL tWLWH_CE —— WR Рис. 11.4. Временные диаграммы при выполнении команды «Стирание кристалла» 11.5.3. Программирование FLASH памяти Запись FLASH памяти Запись FLASH памяти производится в следующей последовательнос ти (реализация каждого этапа приведена в Табл. 11.7):

1. Загрузить команду «Запись FLASH памяти» (Write FLASH) (код «0001 0000»).

2. Загрузить старший байт адреса.

3. Загрузить младший байт адреса.

4. Загрузить младший байт данных.

5. Записать младший байт данных.

6. Загрузить старший байт данных.

7. Записать старший байт данных.

Временные диаграммы, иллюстрирующие процесс записи ячейки Flash памяти, приведены на Рис. 11.5.

Помните, что загруженные код команды и адрес ячейки сохраняются в микроконтроллере до следующей загрузки новой команды или, соответст венно, нового адреса. Из этого следует, что:

1. При программировании участка памяти команду необходимо за гружать только один раз.

2. Старший байт адреса необходимо загружать только при переходе к новому 256 байтному блоку памяти.

Kроме того, не требуется записывать значение «$FF», поскольку оно уже находится в ячейках памяти после выполнения команды «Стирание кристалла».

— 254 — 11. Программирование микроконтроллеров Адрес,мл.байт $10 Адрес,ст.байт DATA,мл.байт DATA XA XA BS XTAL —— WR RDY/——— BSY ————— RESET +12 B —— OE DATA,ст.байт Продолжение:

DATA XA XA BS XTAL —— WR RDY/——— BSY ————— RESET +12 B —— OE Рис. 11.5. Запись ячейки FLASH памяти Следование этим рекомендациям позволит значительно ускорить про цесс программирования.

Чтение FLASH памяти Для чтения содержимого FLASH памяти необходимо выполнить сле дующие действия (реализация каждого этапа приведена в Табл. 11.7):

1. Загрузить команду «Чтение FLASH памяти» (Read FLASH) (код «0000 0010»).

— 255 — 11. Программирование микроконтроллеров 2. Загрузить старший байт адреса.

3. Загрузить младший байт адреса.

OE 4. Установить и BS в «0», после этого с шины данных DATA мож но будет считать значение младшего байта содержимого ячейки па мяти.

5. Установить BS в «1», после этого с шины данных DATA можно бу дет считать значение старшего байта содержимого ячейки памяти.

6. Установить F100 в «1».

11.5.4. Программирование EEPROM памяти Запись EEPROM памяти Запись EEPROM памяти выполняется аналогично записи FLASH па мяти (реализация каждого этапа приведена в Табл. 11.7):

1. Загрузить команду «Запись EEPROM памяти» (Write EEPROM) (код «0001 0001»).

2. Загрузить старший байт адреса (только при программировании мо делей с объемом EEPROM памяти, равным 512 байт).

3. Загрузить младший байт адреса.

4. Загрузить младший байт данных.

5. Записать младший байт данных.

Чтение EEPROM памяти Для чтения содержимого EEPROM памяти необходимо выполнить следующие действия (реализация каждого этапа приведена в Табл. 11.7):

1. Загрузить команду «Чтение EEPROM памяти» (Read EEPROM) (код «0000 0011»).

2. Загрузить старший байт адреса (только при программировании мо делей с объемом EEPROM памяти, равным 512 байт).

3. Загрузить младший байт адреса.

OE 4. Установить и BS в «0», после этого с шины данных DATA мож но будет считать содержимое ячейки памяти.

5. Установить OE в «1».

11.5.5. Kонфигурирование микроконтроллера Программирование конфигурационных ячеек Программирование конфигурационных ячеек выполняется в следую щей последовательности (реализация каждого этапа приведена в Табл. 11.7):

— 256 — 11. Программирование микроконтроллеров 1. Загрузить команду «Запись конфигурационных ячеек» (Write fise bits) (код «0100 0000»).

2. Загрузить байт данных. Kаждой конфигурационной ячейке соответст вует определенный разряд этого байта. Это соответствие для всех име ющихся в моделях семейства конфигурационных ячеек приведено в Табл. 11.9. Если в разряде содержится «0», выполняется программиро вание соответствующей ячейки, если «1» — ее сброс. Неиспользуемые разряды при программировании должны быть установлены в «1».

3. Подать на вывод WR отрицательный импульс длительностью tWLWH_PFB (значение параметра tWLWH_PFB приведено в Табл. 11.6).

При программировании конфигурационных ячеек так же, как и при выполнении команды «Стирание кристалла» (Chip Erase), отсутствует ге нерация сигнала RDY/BSY.

Таблица 11.9. Соответствие разрядов байта данных конфигурационным ячейкам Разряды байта данных Ячейки 7 6 5 4 3 2 1 SPIEN • FSTRT • RCEN • BODLEVEL • BODEN • CKSEL2 • CKSEL1 • CKSEL0 • Программирование ячеек защиты Программирование ячеек защиты выполняется аналогично програм мированию конфигурационных ячеек (реализация каждого этапа приве дена в Табл. 11.7):

1. Загрузить команду «Запись ячеек защиты» (Write lock bits) (код «0010 0000»).

2. Загрузить байт данных. Ячейке LB1 соответствует 1 й разряд этого байта, а ячейке LB2 — 2 й разряд. Для программирования ячейки соответствующий разряд должен быть сброшен в «0». Неиспользуе мые разряды должны быть всегда установлены в «1».

3. Записать младший байт данных.

Чтение конфигурационных ячеек и ячеек защиты Для выполнения этой операции необходимо выполнить следующие действия (реализация каждого этапа приведена в Табл. 11.7):

— 257 — 11. Программирование микроконтроллеров 1. Загрузить команду «Чтение конфигурационных ячеек и ячеек за щиты» (Read fusc and lock bits) (код «0000 0100»).

OE 2. Установить и BS в «0», после этого с шины данных DATA мож но будет считать 8 разрядное число, состояние разрядов которого соответствует состоянию ячеек:

• 7 й разряд — ячейка защиты LB1;

• 6 й разряд — ячейка защиты LB2;

• остальные разряды — конфигурационные ячейки согласно Табл. 11.9.

OE 3. Установить в «1».

Чтение ячеек идентификатора Чтение ячеек идентификатора осуществляется в следующей последо вательности (реализация каждого этапа приведена в Табл. 11.7):

1. Загрузить команду «Чтение ячеек идентификатора» (Read signature) (код «0000 1000»).

2. Загрузить младший байт адреса ($00 — $02).

3. Установить OE и BS в «0», после этого с шины данных DATA мож но будет считать содержимое выбранной ячейки идентификатора.

4. Установить OE в «1».

11.6. Режимы последовательного программирования Kак уже было сказано, микроконтроллерами AVR поддерживаются два режима последовательного программирования. При этом первый — ре жим последовательного программирования при высоком напряжении — поддерживается только моделями AT90S/LS2323 и AT90S/LS2343 и явля ется аналогом режима параллельного программирования остальных моде лей. Второй же режим, называемый также режимом программирования по последовательному каналу, поддерживается всеми моделями семейства (за исключением AT90C8534).

11.6.1. Режим последовательного программирования при высоком напряжении (модели AT90S/LS и AT90S/LS2343) Этот режим является аналогом режима параллельного программирова ния остальных моделей, требует дополнительного источника повышенно — 258 — 11. Программирование микроконтроллеров го напряжения (12 В) и применяется для программирования микроконт роллеров перед установкой их на плату.

Схема включения микросхем в этом режиме приведена на Рис. 11.6.

11.5…15.5 B 4.5…5.5 B ————— VCC RESET Тактовый сигнал PB2 Данные (выход) XTAL1/PB (вход) PB1 Команда (вход) GND PB1 Данные (вход) Рис. 11.6. Включение моделей AT90S/LS2323 и AT90S/LS2343 в режиме последовательного программирования при высоком напряжении Временные диаграммы сигналов микроконтроллера при программи ровании представлены на Рис. 11.7, а значения параметров сигналов при ведены в Табл. 11.10.

SDI (PB0),SII (PB1) tIVSH tSHIX tSLSH SCI (XTAL1/PB3) tSHSL tSHOV SDO (PB2) Рис. 11.7. Временные диаграммы сигналов в режиме последовательного программирования при высоком напряжении Таблица 11.10. Параметры сигналов в режиме последовательного программирования при высоком напряжении Обозначение Параметр min typ max Ед. изм.

tSHSL Длительность положительного импульса сигнала SCI 100 нс (XTAL1/PB3) tSLSH Длительность отрицательного импульса сигнала SCI 100 нс (XTAL1/PB3) tIVSH Задержка переднего фронта сигнала SCI (XTAL1/PB3) относи 50 нс тельно момента установления сигналов SDI (PB0) и SII (PB1) tSHIX Время удержания сигналов SDI (PB0) и SII (PB1) 50 нс относительно переднего фронта сигнала SCI (XTAL1/PB3) — 259 — 11. Программирование микроконтроллеров Таблица 11.10 (окончание) Обозначение Параметр min typ max Ед. изм.

tSHOV Задержка момента установления сигнала SDO (PB2) 10 16 32 нс относительно переднего фронта сигнала SCI (XTAL1/PB3) tWLWH_CE Период ожидания после 3 й посылки команды «Стирание 5 10 15 мс кристалла» tWLWH_PFB Период ожидания после 3 й посылки команды «Запись 1.0 1.5 1.8 мс конфигурационных ячеек» Для перевода микроконтроллера в режим программирования необхо димо выполнить следующие действия:

1. Подать напряжение питания (4.5…5.5 В) на микроконтроллер.

2. Подать на выводы RESET и BS сигнал НИЗKОГО уровня на время не менее 100 нс.

3. Если конфигурационная ячейка RCEN не запрограммирована («1»), то:

• подать на вывод XTAL1/PB3 не менее 4 импульсов длительностью больше или равной 100 нс.

• подать на вывод XTAL1/PB3 сигнал НИЗKОГО уровня;

• выждать не менее 100 нс.

В противном случае («0») просто подать на вывод XTAL1/ PB3 сиг нал НИЗKОГО уровня и выждать не менее 4 мкс.

4. Подать напряжение 12 В на вывод RESET и выждать не менее нс перед изменением состояния вывода PB3. Первую команду мож но будет посылать не ранее чем через 8 мкс.

Выключение микроконтроллера после его программирования выпол няется в следующей последовательности:

1. Подать на вывод XTAL1/ PB3 сигнал НИЗKОГО уровня.

2. Подать на вывод RESET сигнал ВЫСОKОГО уровня.

3. Отключить напряжение питания от микроконтроллера.

Всего в этом режиме имеется 15 команд, каждая из которых содержит от двух до четырех 11 разрядных посылок. Передача команд, а также вы вод результатов их выполнения осуществляется от старшего разряда к младшему. Kак входные, так и выходные данные «защелкиваются» по на растающему фронту тактового сигнала (см. Рис. 11.8).

Формат всех команд приведен в Табл. 11.11. Там же помещены поясне ния по применению той или иной команды.

— 260 — Таблица 11.11. Kоманды режима последовательного программирования при высоком напряжении Формат команды Название команды Замечания 1 я посылка 2 я посылка 3 я посылка 4 я посылка PB0 0_1000_0000_00 0_0000_0000_00 0_0000_0000_00 0_0000_0000_ Между 3 й и 4 й посылками требуется Стирание кристалла PB1 0_0100_1100_00 0_0110_0100_00 0_0110_1100_00 0_0100_1100_00 выдержать паузу длительностью tWLWH_CE PB2 x_xxxx_xxxx_xx x_xxxx_xxxx_xx x_xxxx_xxxx_xx x_xxxx_xxxx_xx Повторить 2 ю посылку при переходе PB0 0_0001_0000_00 0_0000_00aa_00 0_bbbb_bbbb_ Загрузка адреса ячейки к новому 256 байтному блоку памяти.

FLASH памяти PB1 0_0100_1100_00 0_0001_1100_00 0_0000_1100_ Повторить 3 ю посылку для каждого при записи PB2 x_xxxx_xxxx_xx x_xxxx_xxxx_xx x_xxxx_xxxx_xx нового адреса После 3 й посылки ждать появления на PB0 0_iiii_iiii_00 0_0000_0000_00 0_0000_0000_ Запись младшего байта выводе PB2 лог. «1».

PB1 0_0010_1100_00 0_0110_0100_00 0_0110_1100_ ячейки FLASH памяти Для каждой ячейки необходимо повторить PB2 x_xxxx_xxxx_xx x_xxxx_xxxx_xx 0_0000_0000_ команду полностью (все три посылки) После 3 й посылки ждать появления на PB0 0_iiii_iiii_00 0_0000_0000_00 0_0000_0000_ Запись старшего байта выводе PB2 лог. «1».

PB1 0_0010_1100_00 0_0111_0100_00 0_0111_1100_ ячейки FLASH памяти Полностью (все три посылки) повторить PB2 x_xxxx_xxxx_xx x_xxxx_xxxx_xx 0_0000_0000_ команду для каждой ячейки PB0 0_0001_0010_00 0_0000_00aa_00 0_bbbb_bbbb_ Загрузка адреса ячейки Повторить 2 ю и 3 ю посылки FLASH памяти PB1 0_0100_1100_00 0_0001_1100_00 0_0000_1100_ для каждого нового адреса при чтении PB2 x_xxxx_xxxx_xx x_xxxx_xxxx_xx x_xxxx_xxxx_xx PB0 0_0000_0000_00 0_0000_0000_ Чтение младшего байта Полностью (обе посылки) повторить PB1 0_0110_1000_00 0_0110_1100_ ячейки FLASH памяти команду для каждой ячейки PB2 x_xxxx_xxxx_xx o_oooo_ooox_xx PB0 0_0000_0000_00 0_0000_0000_ Чтение старшего байта Полностью (обе посылки) повторить PB1 0_0111_1000_00 0_0111_1100_ ячейки FLASH памяти команду для каждой ячейки PB2 x_xxxx_xxxx_xx o_oooo_ooox_xx PB0 0_0001_0001_00 0_0bbb_bbbb_ Загрузка адреса ячейки Повторить 2 ю посылку для каждого EEPROM памяти PB1 0_0100_1100_00 0_0000_1100_ нового адреса при записи PB2 x_xxxx_xxxx_xx x_xxxx_xxxx_xx 11. Программирование микроконтроллеров — 261 — Таблица 11.11 (продолжение) Формат команды Название команды Замечания 1 я посылка 2 я посылка 3 я посылка 4 я посылка PB0 0_iiii_iiii_00 0_0000_0000_00 0_0000_0000_ Запись ячейки После 3 й посылки ждать появления PB1 0_0010_1100_00 0_0110_0100_00 0_0110_1100_ EEPROM памяти на выводе PB2 лог. «1» PB2 x_xxxx_xxxx_xx x_xxxx_xxxx_xx 0_0000_0000_ PB0 0_0000_0011_00 0_0bbb_bbbb_ Загрузка адреса ячейки Повторить 2 ю посылку для каждого EEPROM памяти PB1 0_0100_1100_00 0_0000_1100_ нового адреса при чтении PB2 x_xxxx_xxxx_xx x_xxxx_xxxx_xx PB0 0_0000_0000_00 0_0000_0000_ Чтение содержимого Повторить 2 ю посылку для каждого ячейки PB1 0_0110_1000_00 0_0110_1100_ нового адреса EEPROM памяти PB2 x_xxxx_xxxx_xx o_oooo_ooox_xx PB0 0_0100_0000_00 0_11S1_111F_00 0_0000_0000_00 0_0000_0000_ Запись Между 3 й и 4 й посылками требуется конфигурационных PB1 0_0100_1100_00 0_0010_1100_00 0_0110_0100_00 0_0110_1100_00 выдержать паузу длительностью ячеек (AT90S/LS2323) tWLWH_PFB PB2 x_xxxx_xxxx_xx x_xxxx_xxxx_xx x_xxxx_xxxx_xx x_xxxx_xxxx_xx PB0 0_0100_0000_00 0_11S1_111R_00 0_0000_0000_00 0_0000_0000_ Запись Между 3 й и 4 й посылками требуется конфигурационных PB1 0_0100_1100_00 0_0010_1100_00 0_0110_0100_00 0_0110_1100_00 выдержать паузу длительностью ячеек (AT90S/LS2343) tWLWH_PFB PB2 x_xxxx_xxxx_xx x_xxxx_xxxx_xx x_xxxx_xxxx_xx x_xxxx_xxxx_xx PB0 0_0010_0000_00 0_1111_1121_00 0_0000_0000_00 0_0000_0000_ После 4 й посылки ждать появления на Запись ячеек защиты PB1 0_0100_1100_00 0_0010_1100_00 0_0110_0100_00 0_0110_1100_ выводе PB2 лог. «1» PB2 x_xxxx_xxxx_xx x_xxxx_xxxx_xx x_xxxx_xxxx_xx 0_0000_0000_ PB0 0_0000_0100_00 0_0000_0000_00 0_0000_0000_ Чтение конфиг. ячеек и ячеек защиты PB1 0_0100_1100_00 0_0111_1000_00 0_0111_1100_ (AT90S/LS2323) PB2 x_xxxx_xxxx_xx x_xxxx_xxxx_xx 1_2Sxx_xxFx_xx PB0 0_0000_0100_00 0_0000_0000_00 0_0000_0000_ Чтение конфиг. ячеек и ячеек защиты PB1 0_0100_1100_00 0_0111_1000_00 0_0111_1100_ (AT90S/LS2343) PB2 x_xxxx_xxxx_xx x_xxxx_xxxx_xx 1_2Sxx_xxRx_xx 11. Программирование микроконтроллеров — 262 — Таблица 11.11 (окончание) Формат команды Название команды Замечания 1 я посылка 2 я посылка 3 я посылка 4 я посылка PB0 0_0000_1000_00 0_0000_00bb_00 0_0000_0000_00 0_0000_0000_ Чтение ячеек Повторить посылки 2…4 для каждой PB1 0_0100_1100_00 0_0000_1100_00 0_0110_1000_00 0_0110_1100_ идентификатора ячейки идентификатора.

PB2 x_xxxx_xxxx_xx x_xxxx_xxxx_xx x_xxxx_xxxx_xx o_oooo_ooox_xx Расшифровка условных обозначений, используемых в таблице:

a — разряды старшего байта адреса;

b — разряды младшего байта адреса;

i — посылаемые в микроконтроллер данные;

o — считываемые из микроконтроллера данные;

x — состояние разряда безразлично;

1, 2 — ячейки защиты LB1 и LB2 соответственно;

F — конфигурационная ячейка FSTRT;

R — конфигурационная ячейка RCEN;

S — конфигурационная ячейка SPIEN.

11. Программирование микроконтроллеров — 263 — 11. Программирование микроконтроллеров Вход данных C3P M3P PB Вход команд M3P C3P PB Выход данных M3P C3P PB Тактовый сигнал 1 2 3 4 5 6 7 8 9 XTAL1/PB Рис. 11.8. Синхронизация данных при программировании 11.6.2. Программирование по последовательному каналу В этом режиме программирование памяти программ и данных осуще ствляется через последовательный интерфейс SPI. Данный режим исполь зуется, как правило, для программирования (перепрограммирования) ми кроконтроллера непосредственно в системе (ISP, In System Programming).

Наличие этого режима является одним из важнейших достоинств микро контроллеров AVR, т.к. он позволяет значительно упростить и удешевить модернизацию программного обеспечения.

Схема включения микросхем в режиме программирования по последо вательному каналу приведена на Рис. 11.9.

AT90S/LS2323 Остальные GND AT90S/LS2343 2.7…6.0 B GND модели 2.7…6.0 B ————— VCC ————— VCC RESET RESET Тактовый PB2 SCK Тактовый PB7 SCK XTAL1/PB3 XTAL сигнал PB1 MISO сигнал PB6 MISO GND GND PB1 MOSI PB5 MOSI Рис. 11.9. Включение микроконтроллеров в режиме программирования по последовательному каналу Временные диаграммы сигналов при программировании микроконт роллеров в рассматриваемом режиме представлены на Рис. 11.10 значе ния параметров сигналов приведены в Табл. 11.12.

— 264 — 11. Программирование микроконтроллеров MOSI tOVSH tSHOX tSLSH SCK tSHSL tSLIV MISO Рис. 11.10. Синхронизация данных при программировании по последовательному каналу Таблица 11.12. Параметры сигналов при программировании по последовательному каналу Обозначение Параметр min typ max Ед. изм.

1/tCLCL Частота тактового сигнала (VCC = 2.7…6.0 В) 0 4 МГц tCLCL Период тактового сигнала (VCC = 2.7…6.0 В) 250 нс AT90S1200 0 1/tCLCL Частота тактового сигнала МГц (VCC = 4.0…6.0 В) остальные 0 AT90S1200 83. tCLCL Период тактового сигнала нс (VCC = 4.0…6.0 В) остальные AT90S1200 4tCLCL tSHSL Длительность положительного импульса нс сигнала SCK остальные 2tCLCL AT90S1200 tCLCL tSLSH Длительность отрицательного импульса нс сигнала SCK остальные 2tCLCL Задержка нарастающего фронта сигнала AT90S1200 1.25tCLCL tOVSH SCK относительно установления сигнала нс остальные tCLCL MOSI Время удержания сигнала MOSI AT90S1200 2.5tCLCL tSHOX относительно нарастающего фронта нс остальные 2tCLCL сигнала SCK tSLIV Задержка установления сигнала MISO относительно 10 16 32 нс спадающего фронта сигнала SCK VCC = 3.2 В VCC = 3.6 В tWD_ERASE Период ожидания после команды мс Стирание кристалла VCC = 4.0 В VCC = 5.0 В VCC = 3.2 В VCC = 3.6 В tWD_PROG Период ожидания после записи ячейки мс FLASH или EEPROM памяти VCC = 4.0 В VCC = 5.0 В — 265 — 11. Программирование микроконтроллеров Kак и в рабочем режиме, при программировании по последовательно му каналу микроконтроллеру требуется источник тактового сигнала. Со ответственно этим источником может быть внешняя схема, выход кото рой подключен к выводу XTAL1 микроконтроллера, кварцевый резона тор, подключенный к выводам XTAL1 и XTAL2, либо встроенный RC ге нератор. При этом обязательно должно выполняться следующее условие:

длительность импульсов как НИЗKОГО, так и ВЫСОKОГО уровня сигна ла SCK должна быть больше 2 периодов тактового сигнала микроконтрол лера (для модели AT90S1200 — 1 и 4 периода соответственно).

Программирование осуществляется путем посылки 4 байтовых ко манд на вывод MOSI микроконтроллера. Результат выполнения команд чтения снимается с вывода MISO микроконтроллера. Передача команд и вывод результатов их выполнения осуществляется от старшего разряда к младшему. При этом «защелкивание» входных данных выполняется по на растающему фронту сигнала SCK, а «защелкивание» выходных данных — по спадающему (см. Рис. 11.11).

Входные данные C3P M3P (MOSI) Выходные данные M3P C3P (MISO) Тактовый сигнал SPI (SCK) Рис. 11.11. Временные диаграммы сигналов при программировании по последовательному каналу Формат всех команд, используемых в этом режиме для программиро вания различных микроконтроллеров семейства, приведен в Табл. 11.13.

— 266 — Таблица 11.13. Kоманды режима программирования по последовательному каналу Формат команды Kоманда Описание команды 1 й байт 2 й байт 3 й байт 4 й байт Разрешает программирование микроконтроллера, пока RESET Разрешение программирования 1010 1100 0101 0011 xxxx xxxx xxxx xxxx на выводе присутствует сигнал НИЗKОГО уровня Очистка содержимого Flash и EEPROM памяти.

После посылки команды необходимо:

1. Выдержать паузу длительностью tWD_ERASE.

Стирание кристалла 1010 1100 100x xxxx xxxx xxxx xxxx xxxx 2. Подать на вывод положительный импульс.

RESET 3. Выждать не менее 20 мс.

4. Послать команду Разрешение программирования.

Чтение младшего (H = 0) или старшего (H = 1) байта Чтение FLASH памяти 0010 H000 xxxx aaaa bbbb bbbb oooo oooo памяти программ (o), расположенного по адресу a:b Запись младшего (H = 0) или старшего (H = 1) байта (i) Запись FLASH памяти 0100 H000 xxxx aaaa bbbb bbbb iiii iiii в память программ по адресу a:b Чтение содержимого ячейки (o) EEPROM памяти Чтение EEPROM памяти 1010 0000 xxxx xxxa bbbb bbbb oooo oooo по адресу a:b Запись значения (i) в ячейку EEPROM памяти по адресу Запись EEPROM памяти 1100 0000 xxxx xxxa bbbb bbbb iiii iiii a:b Чтение конфигурац. AT90S/LS2323 0101 1000 xxxx xxxx xxxx xxxx 12Sx xxxF Чтение состояния ячеек защиты LB1, LB2 и конфигураци ячеек и ячеек защиты AT90S/LS2343 0101 1000 xxxx xxxx xxxx xxxx 12Sx xxxR онных ячеек Чтение конфигурац. ячеек Чтение состояния конфигурационных ячеек 0101 0000 xxxx xxxx xxxx xxxx xxS7 (AT90S/LS2333, AT90S/LS4433) (см. примечание к таблице) Запись ячеек защиты LB1 и LB2. Для программирования Запись ячеек защиты 1010 1100 1111 1211 xxxx xxxx xxxx xxxx ячейки соответствующий разряд 2 го байта должен быть сброшен 11. Программирование микроконтроллеров — 267 — Таблица 11.13 (окончание) Формат команды Kоманда Описание команды 1 й байт 2 й байт 3 й байт 4 й байт AT90S/LS AT90S/LS4434 1010 1100 1011 111F xxxx xxxx xxxx xxxx Запись Запись конфигурационных ячеек. Соответствие разрядов AT90S/LS конфигурационных 2 го байта команды конкретным ячейкам указано AT90S/LS2343 1010 1100 1011 111R xxxx xxxx xxxx xxxx ячеек в примечании к таблице AT90S/LS 1010 1100 1017 6543 xxxx xxxx xxxx xxxx AT90S/LS Чтение ячейки идентификатора (o) с адресом b (только Чтение идентификатора 0011 0000 xxxx xxxx xxxx xxbb oooo oooo в режимах защиты №1 и №2, см. Табл. 11.1) Расшифровка условных обозначений, используемых в таблице:

a — разряды старшего байта адреса;

b — разряды младшего байта адреса;

i — посылаемые в микроконтроллер данные;

o — считываемые из микроконтроллера данные;

x — состояние разряда безразлично;

1, 2 — ячейки защиты LB1 и LB2 соответственно;

F — конфигурационная ячейка FSTRT;

R — конфигурационная ячейка RCEN;

S — конфигурационная ячейка SPIEN;

3 — конфигурационная ячейка CKSEL0;

4 — конфигурационная ячейка СKSEL1;

5 — конфигурационная ячейка CKSEL2;

6 — конфигурационная ячейка BODEN;

7 — конфигурационная ячейка BODLEVEL.

11. Программирование микроконтроллеров — 268 — 11. Программирование микроконтроллеров Переключение в режим программирования Для перевода микроконтроллера в режим программирования по по следовательному каналу необходимо выполнить следующие действия:

1. Подать на микроконтроллер напряжение питания, при этом на вы водах SCK и RESET должен присутствовать сигнал НИЗKОГО уровня. В некоторых случаях (если программатор не гарантирует ус тановку сигнала SCK в «0» при подаче питания) после установки сигнала SCK в «0» необходимо подать на вывод RESET положи тельный импульс длительностью не менее двух периодов тактового сигнала микроконтроллера.

2. Если тактирование микроконтроллера осуществляется от внешней схемы, подать тактовый сигнал на вывод XTAL1.

3. Выждать не менее 20 мс.

4. Послать на вывод MOSI команду «Разрешение программирования» (Programming enable).

Для контроля прохождения команды при посылке 3 го байта возвра щается значение 2 го байта ($53). Если возвращаемое значение отлично от указанного, необходимо подать на вывод SCK положительный импульс и снова послать команду «Разрешение программирования» (Programming enable). Причем необходимо передавать все 4 байта команды. Отсутствие возврата числа $53 после 32 попыток указывает на отсутствие связи между программатором и микросхемой либо на неисправность микросхемы.

После завершения программирования на вывод RESET можно подать напряжение ВЫСОKОГО уровня для перевода микроконтроллера в рабо чий режим либо выключить его. В последнем случае необходимо выпол нить следующие действия:

1. Подать на вывод XTAL1 напряжение НИЗKОГО уровня, если так тирование микроконтроллера осуществляется от внешней схемы.

2. Подать на вывод RESET напряжение ВЫСОKОГО уровня.

3. Отключить напряжение питания от микроконтроллера.

Управление процессом программирования Программирование памяти программ и данных осуществляется по байтно путем посылки команд «Запись FLASH» (Write FLASH) и «Запись EEPROM» (Write EEPROM). В каждой команде одновременно содержит ся адрес изменяемой ячейки и записываемое значение.

При записи в ячейку памяти следует быть уверенным, что программи рование предыдущей ячейки завершилось. Для этого существует два спосо — 269 — 11. Программирование микроконтроллеров ба. Первый (наиболее универсальный) способ — выдерживать между по сылкой команд паузу длительностью не меньше tWD_PROG (см. Табл. 11.6).

Недостаток этого способа очевиден — увеличение времени программиро вания.

Второй способ заключается в контролировании содержимого ячейки после посылки команды записи:

1. FLASH память. До завершения записи ячейки при ее чтении воз вращается значение «$FF», а после завершения — записанное зна чение;

2. EEPROM память. Перед записью ячейки EEPROM памяти автома тически выполняется стирание ее содержимого. Поэтому при чтении ячейки после посылки команды записи возвращаются значения:

• P1 — до завершения цикла стирания;

• P2 — после завершения цикла стирания;

• записанное значение — после завершения операции записи.

Значения P1 и P2 для различных моделей микроконтроллеров семейст ва приведены в Табл. 11.14.

Таблица 11.14. Значения, возвращаемые при записи EEPROM памяти Модель P1 P AT90S AT90S4414 $80 $7F AT90S Остальные $00 $FF — 270 — Приложения Приложение I. Сводная таблица микроконтроллеров AVR семейства Classic Приложение II. Чертежи корпусов микроконтроллеров AVR семейства Classic Приложение III. Электрические параметры микроконтроллеров AVR семейства Classic — 271 — Приложения Приложение I. Сводная таблица микроконтроллеров AVR Память Kол во данных источников Таймеры [байт] прерываний Обозначение1) [Kбайт] AT90S1200 xxPw 1 64 — 89 15 2 1 1 — • AT90S1200 xxSw 1 64 — 89 15 2 1 1 — • AT90S1200 xxYw 1 64 — 89 15 2 1 1 — • AT90S2313 xxPw 2 128 128 120 15 8 2 1 1 • AT90S2313 xxSw 2 128 128 120 15 8 2 1 1 • AT90LS2323 xxPw 2 128 128 120 3 8 2 1 — • AT90LS2323 xxSw AT90S2323 xxPw 2 128 128 120 3 8 2 1 — • AT90S2323 xxSw AT90LS2343 xxPw 2 128 128 120 5 1 1 1 — • AT90LS2343 xxSw AT90S2343 xxPw 2 128 128 120 5 1 1 1 — • AT90S2343 xxSw AT90LS2333 xxPw 2 128 128 120 20 11 2 1 1 • AT90LS2323 xxAw AT90S2333 xxPw 2 128 128 120 20 11 2 1 1 • AT90S2333 xxAw AT90LS4433 xxPw 4 256 128 120 20 11 2 1 1 • AT90LS4433 xxAw AT90S4433 xxPw 4 256 128 120 20 11 2 1 1 • AT90S4433 xxAw AT90LS4434 xxPw AT90LS4434 xxJw 4 256 256 120 32 14 2 2 1 • AT90LS4434 xxAw AT90S4434 xxPw AT90S4434 xxJw 4 256 256 120 32 14 2 2 1 • AT90S4434 xxAw — 272 — Память программ (FLASH ПЗУ) EEPROM SRAM Kол во команд Kол во линий ввода/вывода внутр.

внешн.

8 разр.

16 разр.

сторожевой Приложения семейства Classic Интерфейсы Kорпус 10 разр.

АЦП № рис.

Усл. обозн.

(Прил. II) [каналы] [МГц] [В] 4 2.7…6. — — — • — • • DIP 20 12 4.0…6. 4 2.7…6. — — — • — • • SOIC 20 12 4.0…6. 4 2.7…6. — — — • — • • SSOP 20 12 4.0…6. 4 2.7…6. 1 — 1 • — • DIP 20 10 4.0…6. 4 2.7…6. 1 — 1 • — • SOIC 20 10 4.0…6. DIP 8 — — — — • 4 2.7…6. SOIC 8 DIP 8 — — — — • 10 4.0…6. SOIC 8 DIP 8 — — — — • • 4 2.7…6. SOIC 8 DIP 8 — — — — • • 10 4.0…6. SOIC 8 DIP 28 1 1 1 • 6 • • 4 2.7…6. LQFP 32 DIP 28 1 1 1 • 6 • • 8 4.0…6. LQFP 32 DIP 28 1 1 1 • 6 • • 4 2.7…6. LQFP 32 DIP 28 1 1 1 • 6 • • 8 4.0…6. LQFP 32 DIP 40 3 1 1 • 8 • 4 2.7…6.0 PLCC 44 TQFP 44 DIP 40 3 1 1 • 8 • 8 4.0…6.0 PLCC 44 TQFP 44 — 273 — Макс. рабочая частота (xx) Напряжение питания ШИМ SPI UART Аналоговый компаратор Встроенный RC генератор Схема BOD Возможность внутрисхемного программирования Приложения Память Kол во данных источников Таймеры [байт] прерываний Обозначение1) [Kбайт] AT90LS8535 xxPw AT90LS8535 xxJw 8 512 512 120 32 14 2 2 1 • AT90LS8535 xxAw AT90S8535 xxPw AT90S8535 xxJw 8 512 512 120 32 14 2 2 1 • AT90S8535 xxAw AT90S4414 xxPw 4 256 256 120 32 10 2 1 1 • AT90S4414 xxJw 4 256 256 120 32 10 2 1 1 • AT90S4414 xxAw 4 256 256 120 32 10 2 1 1 • AT90S8515 xxPw 8 512 512 120 32 10 2 1 1 • AT90S8515 xxJw 8 512 512 120 32 10 2 1 1 • AT90S8515 xxAw 8 512 512 120 32 10 2 1 1 • AT90C8534 xxPw 8 512 256 120 15 4 2 1 1 • 1) w — температурный диапазон: «С» = 0…70°C (коммерческое исполнение);

«I» = –40…+85°C (промышленное исполнение).

xx — максимальная тактовая частота (значения, возможные для каждой модели, приведены в соответствующей колонке таблицы):

«12» — 12 МГц;

«10» — 10 МГц;

«8» — 8 МГц;

«4» — 4 МГц;

«1» — 1.5 МГц.

Например:

AT90S4434 8AC: модель AT90S4434, частота — 0…8 МГц, коммерческое исполнение, корпус TQFP;

AT90LS2323 4SI: модель AT90LS2323, частота — 0…4 МГц, промышленное исполнение, корпус SOIC.

— 274 — Память программ (FLASH ПЗУ) EEPROM SRAM Kол во команд Kол во линий ввода/вывода внутр.

внешн.

8 разр.

16 разр.

сторожевой Приложения (окончание) Интерфейсы Kорпус 10 разр.

АЦП № рис.

Усл. обозн.

(Прил. II) [каналы] [МГц] [В] DIP 40 3 1 1 • 8 • 4 2.7…6.0 PLCC 44 TQFP 44 DIP 40 3 1 1 • 8 • 8 4.0…6.0 PLCC 44 TQFP 44 2 1 1 • — • 4 2.7…6.0 DIP 40 2 1 1 • — • 4 2.7…6.0 PLCC 44 2 1 1 • — • 4 2.7…6.0 TQFP 44 2 1 1 • — • 4 2.7…6.0 DIP 40 2 1 1 • — • 4 2.7…6.0 PLCC 44 2 1 1 • — • 4 2.7…6.0 TQFP 44 — — — 6 1.5 3.3…6.0 LQFP 48 Макс. рабочая частота (xx) Напряжение питания ШИМ SPI UART Аналоговый компаратор Встроенный RC генератор Схема BOD Возможность внутрисхемного программирования Приложения Приложение II. Чертежи корпусов микроконтроллеров AVR семейства Classic 8 выводной пластиковый корпус с двухрядным 20 выводной пластиковый корпус с двухрядным расположением выводов (PDIP 8) расположением выводов (PDIP 20) Стандарт JEDEC: MS 001 AD.400 (10.16).355 (9.02) 1.060(26.9).980(24.9).280(7.11).280 (7.11).240 (6.10).240(6.10).037 (.940).090(2.29).027 (.690).300 (7.62) REF.900(22.86) * MAX.210(5.33).005(.127) MAX MIN.210 (5.33) MAX.100 (2.54) BSC.015(.381) MIN.015 (.380) MIN.150(3.81).150 (3.81).115(2.92).022(.559).115 (2.92).022 (.559).014(.356).070 (1.78).014 (.356).070(1.78).045 (1.14).110(2.79).045(1.13).090(2.29).325 (8.26).300 (7.62).325(8.26).300(7.62) *.012 (.305) *.008 (.203).014(.356).430 (10.9) MAX.008(.203).430(10.92) MAX * размер для справок * размер для справок Все размеры указаны в дюймах и миллиметрах Все размеры указаны в дюймах и миллиметрах 28 выводной пластиковый корпус с двухрядным 40 выводной пластиковый корпус с двухрядным расположением выводов (PDIP 28) расположением выводов (PDIP 40) Стандарт JEDEC: MS 011 AC 1.47 (37.4) 2.07(52.6) 1.44 (36.6) 2.04(51.8).266 (6.76).566(14.4).250 (6.35).530(13.5).090 (2.29) MAX 1.300 (33.02)*.090(2.29).005 (.127) MIN 1.900(48.26) * MAX.200 (.06) MAX.220(5.59).005(.127) MAX MIN.070 (1.78).020 (.508).151 (3.84).065(1.65).161(4.09).125 (3.18).023 (.584).015(.381).125(3.18).014 (.356).022(.559).065 (1.65).065(1.65).110 (2.79).014(.356).040 (1.02).110(2.79).041(1.04).090 (2.29).090(2.29).630(16.0).325 (8.26).590(15.0).300 (7.62) 0 * *.012 (.305).012(.305).008 (.203).008(.203).690(17.5).400 (10.2) MAX.610(15.5) * размер для справок * размер для справок Все размеры указаны в дюймах и миллиметрах Все размеры указаны в дюймах и миллиметрах — 276 — Приложения 8 выводной SOIC корпус, ширина 0.210 20 выводной SOIC корпус (EIAJ SOIC) 0.020 (0.508) 0.013 (0.330).020 (.508).012 (.305) 0.299 (7.60) 0.420 (10.7) 0.291 (7.39) 0.393 (9.98).213 (5.41).330 (8.38).205 (5.21).300 (7.62).050 (1.27) BSC.050 (1.27) BSC 0.513 (13.0).212 (5.38) 0.105 (2.67) 0.497 (12.6).203 (5.16) 0.092 (2.34).080 (2.03).070 (1.78) 0.012 (0.305) 0.003 (0.076).013 (.330) * размер.004 (.102) для справок * размер для справок 0.013 (0.330) 8 * 0.009 (0.229) *.010 (.254).007 (.178) 0.035 (0.889).035 (.889) 0.015 (0.381).020 (.508) Все размеры указаны в дюймах и миллиметрах Все размеры указаны в дюймах и миллиметрах 44 выводной PLCC корпус 20 выводной SSOP корпус, ширина 5.3 мм Стандарт JEDEC: MS 018 AC.045(1.14) X 45 j 0.38 (.015) 0.25 (.010).656(16.7) SQ.650(16.5).032(.813) 5.38 (.212) 7.90 (.311).695(17.7) 5.20 (.205) 7.65 (.301).026(.660) SQ.685(17.4).050(1.27).

.500(12.7) * SQ 0.65 (.0256) BSC.045(1.14) 7.33 (.289) X 30 Ў 45j 2.67 (.105) 7.07 (.278) 2.34 (.092) 0.21 (.008) 0.05 (.002) 0.20 (.008) 0.09 (.004) 0.95 (.037) * 0.63 (.025).022(.559) X 45j MAX (3X) * размер для справок Контролируемая размерность — миллиметры * размер для справок Все размеры указаны в дюймах и миллиметрах Все размеры указаны в дюймах и миллиметрах — 277 —.013(.330).021(.533).180(4.57).165(4.19).120(3.05).090(2.29).012(.305).008(.203).043(1.09).020(.508).630(16.0).590(15.0) Приложения 38 выводной LQFP корпус (толщина 1.4 мм) 44 выводной TQFP корпус (толщина 1.0 мм) Стандарт JEDEC: MS 026 ACB Стандарт JEDEC: MS 026 ACB Ключ 12.21(0.478) 9.00 (0.354) BSC Ключ SQ 11.75(0.458) 0.45 (0.018) 0.45(0.018) 0.30 (0.012) 0.30(0.012) 0. 9.00 (0.031) 0. (0.354) BSC (0.031) BSC BSC 7.00 (0.276) BSC 10.10(0.394) 1.20 (0.047) MAX SQ 9.90(0.386) 1.20(0.047) MAX 0.20 (0.008) 0.20(.008) 0.10 (0.004) 0.09(.003) 0.75(0.030) 0.15(0.006) 0 0.75 (0.030) 0.45(0.018) 0.05(0.002) 7 0.45 (0.018) 0.15 (0.006) 0.05 (0.002) Контролируемая размерность — миллиметры Контролируемая размерность — миллиметры Размеры в миллиметрах и дюймах Размеры в миллиметрах и дюймах 48 выводной LQFP корпус (толщина 1.4 мм) Стандарт JEDEC: MS 026 ACB PIN 1 ID 9.25(.364) SQ 8.75(.344) 0.27(0.011) 0.17(0.007) 0. (0.020) BSC 7.1(0.280) SQ 6.9(0.272) 1.60(0.063) MAX 0.20(.008) 0.09(.003) 0.75(0.030) 0.15(0.006) 0.45(0.018) 0.05(0.002) Контролируемая размерность — миллиметры Размеры в миллиметрах и дюймах — 278 — Приложения Приложение III. Электрические параметры микроконтроллеров AVR семейства Classic Максимально допустимые значения Параметр Предельные значения –40…+105°C (модель AT90C8534) Рабочая температура –55…+125°C (остальные модели) Температура хранения –65…+150°C Напряжение на любом выводе (кроме вывода –1.0…VCC + 0.5 В RESET ) относительно вывода GND –1.0…VCC + 0.5 В (модель AT90C8534) Напряжение на выводе RESET –1.0…+13 В (остальные модели) относительно вывода GND Напряжение питания 6.6 В 20 мА (модель AT90C8534) Максимальный ток канала ввода/вывода 40 мА (остальные модели) 100 мА (модель AT90C8534) 300 мА (модели AT90S/LS2333 и AT90S/LS4433) Максимальный ток выводов VCC и GND 400 мА (модели AT90S/LS4434 и AT90S/LS в корпусах TQFP и PLCC) 200 мА (остальные модели) Статические параметры (DC) Ед.

Обозначение Параметр Условия Модель min typ max изм.

AT90S AT90S AT90S/LS –0.5 0. AT90S/LS Входное AT90S/LS Вывод XTAL1 В AT90S/LS VIL напряжение НИЗКОГО AT90S/LS уровня AT90S/LS –0.5 0.2VCC AT90S4414/ AT90C Остальные выводы все модели –0.5 0.3VCC В AT90S/LS AT90S/LS 0.8VCC VCC + 0. AT90S4414/ Вывод XTAL1 В AT90C Входное остальные 0.7VCC VCC + 0. AT90S/LS VIH напряжение ВЫСОКОГО AT90S/LS 0.9VCC VCC + 0. уровня AT90S4414/ В Вывод RESET AT90C остальные VCC + 0. Остальные выводы все модели 0.6VCC VCC + 0.5 В — 279 — Приложения (продолжение) Ед.

Обозначение Параметр Условия Модель min typ max изм.

AT90S/LS 0. AT90S/LS IOL = 20 мА, VCC = 5 В Выходное остальные (кроме 0. напряжение AT90C8534) VOL НИЗКОГО В AT90S/LS уровня линий 0. AT90S/LS портов IOL = 10 мА, VCC = 3 В остальные (кроме ввода/вывода 0. AT90C8534) IOL = 1 мА, VCC = 2.5 В AT90C8534 0. AT90S/LS 4. AT90S/LS IOH = –3 мА, VCC = 5 В Выходное на остальные (кроме 4. пряжение AT90C8534) VOH ВЫСОКОГО В AT90S/LS уровня линий 2. AT90S/LS портов IOH = –1.5 мА, VCC = 3 В остальные (кроме ввода/вывода 2. AT90C8534) IOH = –1 мА, VCC = 2.5 В AT90C8534 1. VCC = 6 В, AT90S2313 1. IIL Ток утечки на выводе — лог. «0» мкА на входе остальные (абсолютное значение) AT90S VCC = 6 В, AT90S2313 980 нА IIH Ток утечки на выводе — лог. «1» на входе AT90S4414/ (абсолютное значение) остальные 8 мкА Сопротивление подтягивающего RRST все 100 500 кОм резистора в цепи сброса Сопротивление подтягивающего все модели, RI/O резистора линии за исключением 35 120 кОм порта ввода/ AT90C вывода AT90S AT90S 3. AT90S/LS Ток AT90S4414/ потребления Рабочий режим, ICC (все модели AT90S/LS2323 4.0 мА VCC = 3 В, 4 МГц кроме AT90S/LS AT90C8534) AT90S/LS 5. AT90S/LS AT90S/LS — 280 — Приложения (окончание) Ед.

Обозначение Параметр Условия Модель min typ max изм.

AT90S 1.0 мА AT90S AT90S/LS2343 1. AT90S/LS Режим Idle, 1. AT90S4414/ VCC = 3 В, 4 МГц AT90S/LS 2. AT90S/LS AT90S/LS 3. AT90S/LS AT90S AT90S 9.0 15.0 мкА AT90S/LS AT90S4414/ Ток Режим Power Down потребления AT90S/LS2343 25. WDT — вкл., VCC = 3 В ICC (все модели AT90S/LS 20. AT90S/LS кроме AT90C8534) AT90S/LS 15. AT90S/LS AT90S AT90S <1.0 2.0 мкА AT90S/LS AT90S4414/ Режим Power Down AT90S/LS2343 20. WDT — выкл., VCC = 3 В AT90S/LS 10. AT90S/LS AT90S/LS 5. AT90S/LS Режим Power Save AT90S/LS 15.0 мкА WDT — выкл., VCC = 3 В AT90S/LS Рабочий режим, VCC = 3.6 В, AT90C8534 1.5 2.0 мА 1 МГц, АЦП — выкл.

Рабочий режим, VCC = 3.6 В, AT90C8534 1.9 2.7 мА 1 МГц, АЦП — вкл.

Ток Режим Idle, VCC = 3.6 В, ICC потребления AT90C8534 0.25 1.0 мА 1 МГц, АЦП — выкл.

(AT90C8534) Режим Idle, VCC = 3.6 В, AT90C8534 0.7 1.7 мА 1 МГц, АЦП — вкл.

Режим Power Down AT90C8534 1.0 10.0 мкА VCC = 3.6 В Программирование при все модели 4.5 5.5 B высоком напряжении Напряжение AT90S VCCP питания при AT90S программи Программирование при 2.7 6. AT90S4414/ ровании низком напряжении AT90LSxxxx остальные 4.0 6. — 281 — Предметный указатель BRHC............................................................ A BRHS............................................................ ACD............................................................. BRID............................................................. ACI.............................................................. BRIE.............................................................. ACIC............................................................ BRLO............................................................ ACIE.......

..................................................... BRLT............................................................. ACIS1:ACIS0............................................... BRMI............................................................ ACO............................................................. BRNE.......................................................... ACSR........................................................... BRPL........................................................... ADC.............................................................. BRSH........................................................... ADCBG....................................................... BRTC........................................................... ADCH:ADCL.............................................. BRTS........................................................... ADCS........................................................... BRVC........................................................... ADCSR........................................................ BRVS........................................................... ADD.............................................................. BSET........................................................... ADEN.......................................................... BST.............................................................. ADFR.......................................................... ADIE........................................................... ADIF........................................................... C ADIW............................................................ CBI.............................................................. ADMUX...................................................... CBR............................................................. ADPS2…ADPS0.......................................... CHR9........................................................... AINBG........................................................ CLC............................................................. AND.............................................................. CLH............................................................. ANDI............................................................. CLI.............................................................. AS2.............................................................. CLN............................................................. ASR............................................................... CLR............................................................. ASSR........................................................... CLS.............................................................. CLT.............................................................. B CLV.............................................................. BCLR............................................................92 CLZ............................................................. BLD...............................................................93 COM............................................................ BORF...........................................................164 COM11:COM10........................................... BRBC............................................................93 COM1A....................................................... BRBS.............................................................94 COM1B........................................................ BRCC............................................................94 COM21:COM20........................................... BRCS.............................................................95 CP................................................................ BREQ............................................................95 CPC............................................................. BRGE............................................................96 CPHA.......................................................... — 282 — Предметный указатель CPI..............................................................110 IPIN0........................................................... CPOL...........................................................242 IPIN1........................................................... CPSE........................................................... CS02…CS00................................................. L CS12…CS10................................................. LD.......................................................114… CS22…CS20................................................. LDD.....................................................118, CTC1........................................................... LDI.............................................................. CTC2........................................................... LDS............................................................. LPM............................................................. D LSL.............................................................. DDRA....DDRD..................................178, 182 LSR.............................................................. DEC............................................................. DORD......................................................... M MCUCR........................................................ E MOV............................................................ EEAR.............................................................63 MPCM.................................................228, EEARH..........................................................63 MUX2…MUX0............................................ EEARL.......................................................... EECR............................................................ N EEDR............................................................ NEG............................................................ EEMWE........................................................ NOP............................................................. EERE............................................................. EERIE........................................................... O EEWE............................................................ OCF1....................................................175, EOR............................................................. OCF1A.................................................175, EXTRF.................................................162, OCF1B.................................................175, OCF2....................................................174, F OCIE1..................................................173, FE........................................................228, 232 OCIE1A................................................173, OCIE1B................................................174, OCIE2..................................................173, I OCR1........................................................... ICALL......................................................... OCR1A........................................................ ICES1.......................................................... OCR1B........................................................ ICF1.....................................................175, OCR2........................................................... ICNC1......................................................... OCR2UB..................................................... ICR1............................................................ OR................................................123, 228, IJMP............................................................ ORI.............................................................. IN................................................................ OUT............................................................. INC.............................................................. INT0............................................................ INT1............................................................170 P INTF0..........................................................171 PINA....PIND.............................................. INTF1..........................................................171 POP............................................................. — 283 — Предметный указатель PORF...................................................162, 164 SPIF.....................................................240, PORTA...PORTD.................................178, 182 SPR1:SPR0.................................................. PUSH..........................................................125 SPSR............................................................ PWM11:PWM10..........................................197 SREG............................................................ ST........................................................138… STD......................................................142, R STS.............................................................. RCALL........................................................ SUB............................................................. RET............................................................. SUBI............................................................ RETI............................................................ SWAP........................................................... RJMP........................................................... ROL............................................................. ROR............................................................. T RXB8........................................................... TCCR1......................................................... RXC......................................................227, TCCR1A...................................................... RXCIE......................................................... TCCR1B...................................................... RXEN...................................................226, TCCR2......................................................... TCN2UB..................................................... S TCNT1......................................................... SBC..............................................................129 TCNT2......................................................... SBCI............................................................129 TCNTO........................................................ SBI...............................................................130 TCR2UB...................................................... TEMP.......................................................... SBIC............................................................ TICIE1.................................................174, SBIS............................................................. TOIE0..................................................174, SBIW............................................................ TOIE1..................................................174, SBR.............................................................. TOIE2..................................................173, SBRC........................................................... TOV0....................................................175, SBRS........................................................... TOV1....................................................174, SEC.............................................................. TOV2....................................................175, SEH............................................................. TST.............................................................. SEI............................................................... TXB8............................................................ SEN............................................................. TXC......................................................228, SER.............................................................. TXCIE.......................................................... SES.............................................................. TXEN...................................................227, SET.............................................................. SEV.............................................................. SEZ..............................................................137 U SLEEP.........................................................137 UART.......................................................... SP..................................................................53 UBRR.......................................................... SPCR...........................................................239 UBRRHI:UBRR.......................................... SPDR...........................................................240 UCR............................................................ SPE..............................................................241 UCSRA........................................................ SPH:SPL..................................................53, 76 UCSRB........................................................ SPI...............................................................237 UDR............................................................ SPIE.............................................................241 UDRE.......................................................... — 284 — Предметный указатель UDRIE........................................................ О USR............................................................. ОЗУ внешнее................................................ W П WCOL.......................................................... Параметры электрические......................... WDE............................................................ Переход WDP2…WDP0............................................. косвенный............................................ WDR............................................................ относительный..................................... WDRF......................................................... Порты ввода/вывода.................................. WDTCR....................................................... Последовательный интерфейс (SPI)......... WDTOE....................................................... Последовательный порт............................. Прерывания................................................ А Программирование.................................... Адресация косвенная параллельное...................................... относительная...................................... последовательное............................... простая................................................. с постинкрементом.............................. Р с преддекрементом.............................. Регистр Адресация прямая GIFR................................................... ОЗУ....................................................... GIMSK................................................ РВВ....................................................... GIPR................................................... РОН...................................................... MCUSR.......................................162, Аналоговый компаратор............................ TIFR.................................................... Аналого цифровой преобразователь......... TIMSK................................................ Архитектура.................................................. Регистровый файл........................................ Режим В Idle...................................................... Вызов подпрограмы Power Down......................................... косвенный............................................ Power Save........................................... относительный..................................... С З Сброс........................................................... Защита кода и данных................................ Стек............................................................... Сторожевой таймер.................................... И Идентификация.......................................... Т Таймер K T0........................................................ Kонвейер......................................................67 T1........................................................ Kорпуса (размеры).....................................276 T2........................................................ М Ц Маркировка................................................272 Цоколевка.....................................................
Pages:     | 1 |   ...   | 2 | 3 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.