WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 | 3 |
-- [ Страница 1 ] --

Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. Москатов Евгений Анатольевич Справочник по полупроводниковым приборам 1 Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. Москатов

Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. Издание 2. – Таганрог, 219 с., ил.

Издание 2 Лицензионное соглашение Данный справочник разрешается копировать, размножать и печатать, если это делается на некоммерческой основе и не извлекается выгода. В случае его коммерческого применения, например, если Вы хотите продавать, сдавать в прокат, аренду весь справочник или любую его часть, то на это требуется согласие его автора – составителя (Москатова Евгения Анатольевича) за гонорар.

Перекомпоновка справочника запрещается. Запрещается изменять содержимое справочника, удалять сведения об авторстве. Справочник распространяется “как есть”, то есть его автор не несёт ответственности за возможный ущерб, упущенную выгоду и прочее. В случае некоммерческой публикации (например, на сервере бесплатных материалов) следует поставить автора в известность, а также явно указать авторство и источник, с которого произведена публикация. Это же относится и к случаю публикации справочника на диске (или ином носителе информации) приложения к журналу.

Если Вам интересно, то можете посетить мой сайт http://www.moskatov.narod.ru, на котором можно найти технические программы, их исходные тексты, книгу «Электронная техника» [15], конспект лекций «Основы экономики», текстовые редакторы и много другой интересной информации. В книге «Электронная техника» описываются принципы действия полупроводниковых компонентов, система обозначений, рассматривается нахождение некоторых параметров транзисторов по статическим входной и выходной характеристикам, имеются простые методы расчётов некоторых цепей, и многое другое.

©Москатов Е. А.

Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru 1 Введение Перед Вами справочник, в который сведены наиболее широко распространённые и наиболее часто используемые на территории России и СНГ полупроводниковые приборы. Он не претендует на всеобъемлющее изложение информации, но полезен как подручный материал, в котором легко быстро найти нужную информацию.

Справочник может быть весьма полезен инженерно-техническим работникам, радиолюбителям, техникам, студентам технических колледжей и ВУЗов во время выполнения курсовых и дипломной работ. Важной особенностью справочника является его бесплатность для некоммерческого использования – он распространяется по freeware лицензии. Сведения, содержащиеся в справочнике, относятся к разряду проверенных, достоверных материалов. Информация, представленная в справочнике, была многократно перепроверена. Однако, несмотря на это, полное отсутствие опечаток не гарантируется, хотя было сделано всё возможное для их исключения. В справочных данных, приведённых в литературе, часто параметры одной и той же детали имеют близкие, но не равные значения при одних и тех же условиях снятия показания. В этом случае я указывал те значения параметров, которые совпадали со значениями параметров, принятыми в наибольшем количестве литературы. В редких случаях некоторые характеристики деталей измерялись заново на макетах. Необходимо понимать, что различные заводы – изготовители производят под одной и той же маркой детали, параметры которых могут несколько различаться. Поэтому увидев в данном справочнике деталь, параметры которой незначительно отличаются от параметров той же детали в другом справочнике – не удивляйтесь. Так, например, транзисторы типа КТ имеют, согласно литературе [29, стр. 288] одни габаритные размеры, согласно [30, стр. 669] – другие, а в данных [44] указаны третьи. Реальные транзисторы, купленные мною в магазине, имели четвёртые габаритные размеры, совпадающие с приведёнными в федеральных технических условиях [27].

Приведённые в справочнике рисунки являются именно рисунками, а не чертежами, и предназначены только для лучшего понимания внешнего вида, цоколёвок и размеров полупроводниковых приборов.

На написание первого издания данного справочника было затрачено шесть месяцев кропотливого труда, но значительно больше времени ушло на проверку содержащихся в нём данных. Надеюсь, что использование Вами справочника будет полезным и приятным.

Автор – составитель, Евгений Анатольевич Москатов moskatov@mail.ru Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru 1.1 Основные стандарты на полупроводниковые приборы Основные стандарты на полупроводниковые диоды ГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения.

ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах.

Приборы полупроводниковые.

ГОСТ 18472-82 Приборы полупроводниковые. Основные размеры.

ГОСТ 19613-80 Столбы и блоки выпрямительные полупроводниковые.

Основные размеры.

ГОСТ 20859-79 Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические условия.

ГОСТ 20900-87 Приборы полупроводниковые силовые. Габаритные и присоединительные размеры.

ГОСТ 25529-82 Приборы полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.

ГОСТ 24461-80 Приборы полупроводниковые силовые. Методы измерения и испытаний.

ГОСТ 18986.0-74 Приборы полупроводниковые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения.

ГОСТ 18986.1-73 Приборы полупроводниковые. Метод измерения постоянного обратного тока.

ГОСТ 18986.2-73 Приборы полупроводниковые. Метод измерения постоянного обратного напряжения.

ГОСТ 18986.3-73 Приборы полупроводниковые. Методы измерения постоянного прямого напряжения и постоянного прямого тока.

ГОСТ 18986.4-73 Приборы полупроводниковые. Методы измерения ёмкости.

ГОСТ 18986.5-73 Приборы полупроводниковые. Метод измерения времени выключения.

ГОСТ 18986.8-73 Приборы полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления.

ГОСТ 18986.9-73 Приборы полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения.

ГОСТ 18986.10-74 Приборы полупроводниковые. Методы измерения индуктивности.

ГОСТ 18986.11-84 Приборы полупроводниковые. Метод измерения последовательного сопротивления потерь.

ГОСТ 18986.12-74 Приборы полупроводниковые туннельные. Метод измерения отрицательной проводимости перехода.

ГОСТ 18986.13-74 Приборы полупроводниковые туннельные. Метод Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru измерения пикового тока, тока впадины, пикового напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора.

ГОСТ 18986.14-85 Приборы полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивления.

ГОСТ 18986.15-75 Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения напряжения стабилизации.

ГОСТ 18986.16-72 Диоды полупроводниковые выпрямительные. Методы измерения среднего значения прямого напряжения и среднего значения обратного тока.

ГОСТ 18986.17-76 Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения температурного коэффициента напряжения стабилизации.

ГОСТ 18986.18-76 Варикапы. Метод измерения температурного коэффициента ёмкости.

ГОСТ 18986.19-73 Варикапы. Метод измерения добротности.

ГОСТ 18986.20-77 Стабилитроны полупроводниковые прецизионные. Метод измерения времени выхода на режим.

ГОСТ 18986.21-78 Стабилитроны и стабисторы полупроводниковые. Метод измерения временной нестабильности напряжения стабилизации.

ГОСТ 19656.0-74 Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения электрических параметров. Общие положения.

ГОСТ 19656.1-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные и детекторные. Метод измерения коэффициента стоячей волны.

ГОСТ 19656.2-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения среднего выпрямленного тока.

ГОСТ 19656.3-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения выходного сопротивления на промежуточной частоте.

ГОСТ 19656.4-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования.

ГОСТ 19656.5-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные и детекторные. Метод измерения шумового отношения.

ГОСТ 19656.6-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения нормированного коэффициента шума.

ГОСТ 19656.7-74 Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Метод измерения чувствительности по току.

ГОСТ 19656.10-88 Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные и ограничительные. Методы измерения сопротивления потерь.

ГОСТ 19656.12-76 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения полного входного сопротивления.

ГОСТ 19656.13-76 Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Метод измерения тангенциальной чувствительности.

ГОСТ 19656.15-84 Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru теплового сопротивления переход-корпус и импульсного теплового сопротивления.

ГОСТ 19834.0-75 Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров.

ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости.

ГОСТ 19834.3-76 Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения.

ГОСТ 19834.4-79 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие.

Методы измерения мощности излучения.

ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие.

Метод измерения временных параметров импульса излучения.

ОСТ 11.336.919-81 Приборы полупроводниковые. Система условных обозначений.

ОСТ 11.336.907.0-81 Приборы полупроводниковые. Руководство по применению.

Общие положения.

ОСТ 11.336.907.1-81 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные.

Руководство по применению.

ОСТ 11.336.907.3-81 Стабилитроны. Руководство по применению.

ОСТ 11.336.907.4-81 Диоды импульсные. Руководство по применению.

ОСТ 11.336.907.5-81 Варикапы. Руководство по применению.

ОСТ 11.336.907.6-81 Диоды выпрямительные, столбы высоковольтные.

Руководство по применению.

Основные стандарты на биполярные и полевые транзисторы ГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения.

ОСТ 11 336.919-81 Приборы полупроводниковые. Система условных обозначений.

ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах.

Приборы полупроводниковые.

ГОСТ 18472-82 Приборы полупроводниковые. Основные размеры.

ОСТ 16 0.801.250-85 Приборы полупроводниковые силовые. Транзисторы.

Габаритные и присоединительные размеры.

ГОСТ 20003-74* Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.

ГОСТ 19095-73* Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.

ГОСТ 18604.0-83 Транзисторы биполярные. Общие требования при измерении электрических параметров.

ГОСТ 18604.1-80 Транзисторы биполярные. Методы измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте.

Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru ГОСТ 18604.2-80 Транзисторы биполярные. Методы измерения статического коэффициента передачи тока.

ГОСТ 18604.3-80 Транзисторы биполярные. Метод измерения ёмкости коллекторного и эмиттерного переходов.

ГОСТ 18604.4-74 Транзисторы. Методы измерения обратного тока коллектора.

ГОСТ 18604.5-74 Транзисторы. Методы измерения обратного тока коллектора – эмиттера.

ГОСТ 18604.6-74 Транзисторы. Метод измерения обратного тока эмиттера.

ГОСТ 18604.7-74 Транзисторы. Метод измерения коэффициента передачи тока.

ГОСТ 18604.8-74 Транзисторы. Метод измерения выходной проводимости.

ГОСТ 18604.9-82 Транзисторы биполярные. Методы определения граничной и предельной частот коэффициента передачи тока.

ГОСТ 18604.10-76 Транзисторы биполярные. Метод измерения входного сопротивления.

ГОСТ18604.11-76 Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициента шума на высоких и сверхвысоких частотах.

ГОСТ 18604.13-77 Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Метод измерения выходной мощности и определения коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора.

ГОСТ 18604.14-77 Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Метод измерения модуля коэффициента обратной передачи напряжения в схеме с общей базой на высокой частоте.

ГОСТ 18604.15-77 Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Методы измерения критического тока.

ГОСТ 18604.16-78 Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициента обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала.

ГОСТ 18604.17-78 Транзисторы биполярные. Метод измерения плавающего напряжения эмиттер – база.

ГОСТ 18604.18-78 Транзисторы биполярные. Методы измерения статической крутизны прямой передачи.

ГОСТ 18604.19-78 Транзисторы биполярные. Методы измерения граничного напряжения.

ГОСТ 18604.20-78 Транзисторы биполярные. Методы измерения коэффициента шума на низкой частоте.

ГОСТ 18604.22-78 Транзисторы биполярные. Методы измерения напряжения насыщения коллектор – эмиттер и база – эмиттер.

ГОСТ 18604.23-80 Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициентов комбинационных составляющих.

ГОСТ 18604.24-81 Транзисторы биполярные высокочастотные генераторные.

Метод измерения выходной мощности и определения коэффициента усиления по мощности и коэффициента Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru полезного действия коллектора.

ГОСТ 18604.26-85 Транзисторы биполярные. Методы измерения временных параметров.

ГОСТ 18604.27-86 Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Метод измерения пробивного напряжения коллектор – база (эмиттер – база) при нулевом токе эмиттера (коллектора).

ОСТ 11 336.909.1-79 Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Методы измерения граничного напряжения.

ОСТ 11 336.909.3-79 Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Методы измерения скорости нарастания обратного напряжения.

ГОСТ 27264-87 Транзисторы силовые биполярные. Методы измерений.

ГОСТ 20398.0-83 Транзисторы полевые. Общие требования при измерении электрических параметров.

ГОСТ 20398.1-74 Транзисторы полевые. Метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи.

ГОСТ 20398.2-74 Транзисторы полевые. Метод измерения коэффициента шума.

ГОСТ 20398.3-74 Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики.

ГОСТ 20398.4-74 Транзисторы полевые. Метод измерения активной составляющей выходной проводимости.

ГОСТ 20398.5-74 Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной ёмкостей.

ГОСТ 20398.6-74 Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечки затвора.

ГОСТ 20398.7-74 Транзисторы полевые. Метод измерения порогового напряжения и напряжения отсечки.

ГОСТ 20398.8-74 Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока.

ГОСТ 20398.9-80 Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики в импульсном режиме.

ГОСТ 20398.10-80 Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока в импульсном режиме.

ГОСТ 20398.11-80 Транзисторы полевые. Метод измерения ЭДС шума.

ГОСТ 20398.12-80 Транзисторы полевые. Метод измерения остаточного тока стока.

ГОСТ 20398.13-80 Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления сток – исток.

ОСТ 11 336.916-80 Транзисторы полевые. Метод измерения выходной мощности, определения коэффициента усиления по мощности, определения коэффициента полезного действия стока.

ОСТ 11 336.907.0-79 Приборы полупроводниковые. Руководство по применению.

Общие положения.

Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru ОСТ 11 336.907.8-81 Транзисторы биполярные. Руководство по применению.

ОСТ 11 336.935-82 Транзисторы полевые. Руководство по применению.

ОСТ 11 ПО.336.001 Приборы полупроводниковые бескорпусные. Руководство по применению.

Основные стандарты на микросхемы ОСТ 11 073.073-82 Приборы полупроводниковые и микросхемы. Метод контроля температуры полупроводниковых структур.

ОСТИ 073.062-76 Микросхемы интегральные и приборы полупроводниковые.

Требования и методы защиты от статического электричества в условиях производства и применения.

Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru 1.2 Классификация диодов Классификация современных полупроводниковых приборов запечатлена в системе условных обозначений их типов. В соответствии с возникновением новых классификационных групп приборов совершенствуется и система их условных обозначений, которая за последние 30 лет трижды претерпевала изменения.

Система обозначений современных полупроводниковых диодов, тиристоров и оптоэлектронных приборов установлена отраслевым стандартом ОСТ 11336.919 – 81 и базируется на ряде классификационных признаков этих приборов. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.

Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, на базе которого изготовлен прибор.

Для обозначения исходного материала используются буквы или цифры, приведённые ниже:

Г или 1 — для германия или его соединений;

К или 2 — для кремния или его соединений;

А или 3 — для соединений галлия (например, для арсенида галлия);

И или 4 — для соединений индия (например, для фосфида индия).

Второй элемент обозначения — буква, определяющая подкласс (или группу) приборов. Для обозначения подклассов приборов используется одна из следующих букв:

Д — диодов выпрямительных и импульсных;

Ц — выпрямительных столбов и блоков;

В — варикапов;

И — туннельных диодов;

А — сверхвысокочастотных диодов;

С — стабилитронов;

Г — генераторов шума;

Д — излучающих оптоэлектронных приборов;

О — оптронов;

Н — диодных тиристоров;

У — триодных тиристоров.

Третий элемент обозначения – это цифра, которая определяет основные функциональные возможности прибора. Для обозначения характерных функциональных возможностей, эксплуатационных признаков приборов используются следующие цифры применительно к различным подклассам приборов.

Диоды (подкласс Д):

1 — для выпрямительных диодов с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;

2 — для выпрямительных диодов с постоянным или средним значением прямого тока более 0,3 А, но не выше 10 А;

4 — для импульсных диодов с временем восстановления обратного сопротивления Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru более 500 нс;

5 — для импульсных диодов с временем восстановления более 150 нс, но не свыше 500 нс;

6 — для импульсных диодов с временем восстановления 30 … 150 нс;

7 — для импульсных диодов с временем восстановления 5 … 30 нс;

8 — для импульсных диодов с временем восстановления 1 … 5 нс;

9 — для импульсных диодов с эффективным временем жизни неосновных носителей заряда менее 1 нс.

Выпрямительные столбы и блоки (подкласс Ц):

1 — для столбов с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;

2 — для столбов с постоянным или средним значением прямого тока 0,3 … 10 А;

3 — для блоков с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;

4 — для блоков с постоянным или средним значением прямого тока 0,3 … 10 А.

Варикапы (подкласс В):

1 —для подстроечных варикапов;

2 — для умножительных варикапов.

Туннельные диоды (подкласс И):

1 — для усилительных туннельных диодов;

2 — для генераторных туннельных диодов;

3 — для переключательных туннельных диодов;

4 — для обращённых диодов.

Сверхвысокочастотные диоды (подкласс А):

1 — для смесительных диодов;

2 — для детекторных диодов;

3 — для усилительных диодов;

4 — для параметрических диодов;

5 — для переключательных и ограничительных диодов;

6 — для умножительных и настроечных диодов;

7 — для генераторных диодов;

8 — для импульсных диодов.

Стабилитроны (подкласс С):

1 — для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В;

2 — для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации 10 … 100 В;

3 — для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В;

4 — для стабилитронов мощностью 0,3 … 5 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В;

5 — для стабилитронов мощностью 0,3 … 5 Вт с номинальным напряжением стабилизации 10...100 В;

6 — для стабилитронов мощностью 0,3 … 5 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В;

7 — для стабилитронов мощностью 5 … 10 Вт с номинальным напряжением Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru стабилизации менее 10 В;

8 — для стабилитронов мощностью 5 … 10 Вт с номинальным напряжением стабилизации 10... 100 В;

9 — для стабилитронов мощностью 5 … 10 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 B.

Генераторы шума (подкласс Г):

1 — для низкочастотных генераторов шума;

2 — для высокочастотных генераторов шума.

Излучающие оптоэлектронные приборы (подкласс Л):

Источники инфракрасного излучения:

1 — для излучающих диодов;

2 — для излучающих модулей.

Приборы визуального представления информации:

3 — для светоизлучающих диодов;

4 — для знаковых индикаторов;

5 — для знаковых табло;

6 — для шкал;

7 — для экранов.

Оптроны (подкласс О):

Р — для резисторных оптронов;

Д — для диодных оптронов;

У — для тиристорных оптронов;

Т — для транзисторных оптронов.

Диодные тиристоры (подкласс Н):

1 — для тиристоров с максимально допустимым значением прямого тока не более 0,3 А;

2 — для тиристоров с максимально допустимым значением прямого тока более 0, А, но не свыше 10 А.

Триодные тиристоры (подкласс У):

Незапираемые тиристоры:

1 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А;

2 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии 0,3 … 10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии 15 … 100 А;

7 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А.

Запираемые тиристоры:

3 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А;

4 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru открытом состоянии 0,3 … 10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии 15 … 100 А;

8 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А, Симметричные тиристоры:

5 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А;

6 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии 0,3 … 10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии 15 … 100 А;

9 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А.

Четвёртый элемент – число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа.

Для обозначения порядкового номера разработки используется двухзначное число от 01 до 99. Если порядковый номер разработки превысит число 99, то в дальнейшем используют трёхзначное число от 101 до 999.

Пятый элемент – буква, условно определяющая классификацию (разбраковку по параметрам) приборов, изготовленных по единой технологии.

В качестве классификационной литеры используют буквы русского алфавита (за исключением букв З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Я, Ь, Ъ, Э).

В качестве дополнительных элементов обозначения используют следующие символы:

цифры 1 … 9 для обозначения модификаций прибора, приводящих к изменению его конструкции или электрических параметров;

букву С для обозначения сборок – наборов в общем корпусе однотипных приборов, не соединенных электрически или соединенных одноименными выводами;

цифры, написанные через дефис, для обозначений следующих модификаций конструктивного исполнения бескорпусных приборов:

1 —с гибкими выводами без кристаллодержателя;

2 — с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке);

3 — с жёсткими выводами без кристаллодержателя (подложки);

4 — с жёсткими выводами на кристаллодержателе (подложке);

5 — с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) и без выводов;

6 — с контактными площадками на кристаллодержателе без выводов.

Буква Р после последнего элемента обозначения – для приборов с парным подбором, буква Г – с подбором в четвёрки, буква К – с подбором в шестёрки.

Для приборов, изготовленных до 1982 года действовала другая система обозначений. Условные обозначения состояли из двух или трёх элементов.

Первый элемент обозначения – буква Д, характеризующая весь класс Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru полупроводниковых диодов.

Второй элемент обозначения – число (номер), которое указывает на область применения:

от 1 до 100 — для точечных германиевых диодов;

от 101 до 200 — для точечных кремниевых диодов;

от 201 до 300 — для плоскостных кремниевых диодов;

от 301 до 400 — для плоскостных германиевых диодов;

от 401 до 500 — для смесительных СВЧ детекторов;

от 501 до 600 — для умножительных диодов;

от 601 до 700 — для видеодетекторов;

от 701 до 749 — для параметрических германиевых диодов;

от 750 до 800 — для параметрических кремниевых диодов;

от 801 до 900 — для стабилитронов;

от 901 до 950 — для варикапов;

от 951 до 1000 — для туннельных диодов;

от 1001 до 1100 — для выпрямительных столбов.

Третий элемент обозначения – буква, указывающая на разновидность групп однотипных приборов.

Для обозначения стабилитронов до 1981 года в качестве третьего и четвёртого элементов присваивались числа:

малой мощности (Р 0,3 Вт):

от 101 до 199 — с напряжением стабилизации 0,1 … 9,9 В;

от 210 до 299 — с напряжением стабилизации 10 … 99 В;

от 301 до 399 —с напряжением стабилизации 100 … 199 В;

средней мощности (0,3 Вт < Р 5 Вт):

от 401 до 499 — с напряжением стабилизации 0,1 … 9,9 В;

от 510 до 599 — с напряжением стабилизации 10 … 99 В;

от 601 до 699 — с напряжением стабилизации 100 … 199 В;

большой мощности (Р > 5 Вт):

от 701 до 799 — с напряжением стабилизации 0,1 … 9,9 В;

от 810 до 899 — с напряжением стабилизации 10 … 99 В;

от 901 до 999 — с напряжением стабилизации 100 … 199 В.

Две последние цифры каждого числа соответствуют номинальному напряжению стабилизации стабилитронов данного типа, например КС175А – кремниевый стабилитрон малой мощности с напряжением стабилизации 7,5 В.

Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru 1.3 Классификация транзисторов Условные обозначения биполярных транзисторов, выпущенных до 1964 года, состоят из букв (П или МП) и цифр, определяющих тип исходного материала, допустимую рассеиваемую мощность и граничную частоту:

от 1 до 99 — германиевые маломощные низкой частоты;

от 101 до 199 — кремниевые маломощные низкой частоты;

от 201 до 299 — германиевые мощные низкой частоты;

от 301 до 399 — кремниевые мощные низкой частоты;

от 401 до 499 — германиевые маломощные высокой и сверхвысокой частот;

от 501 до 599 — кремниевые маломощные высокой и сверхвысокой частот;

от 601 до 699 — германиевые мощные высокой и сверхвысокой частот;

от 701 до 799 — кремниевые мощные высокой и сверхвысокой частот.

После цифр может стоять буква, определяющая разбраковку транзисторов по параметрам.

После 1964 года маркировка проводилась по ГОСТ 10862 – 64, ГОСТ 10862 – 72, а затем по ОСТ 11.336.038 – 77, ОСТ 11.396.419 – 81. Согласно ГОСТ 10862 – обозначения полупроводниковых приборов состоят из четырёх элементов.

Первая буква или цифра показывает тип материала полупроводника.

Вторая буква говорит о типе прибора, например, Т – транзистор.

Далее следует комбинация из трёх или четырёх цифр. Первая цифра этой комбинации определяет допустимую рассеиваемую мощность и граничную частоту транзистора в соответствии с таблицей 1.3.1.

Таблица 1.3.1. Определение допустимой рассеиваемой мощности и граничной частоты транзистора [15, стр. 31].

P \ f < 3 МГц НЧ 3 … 30 МГц СрЧ > 30 МГц ВЧ и СВЧ Малой мощности < 0,3 Вт 1 2 Средней мощности 4 5 0,3 … 3 Вт Мощные > 3 Вт 7 8 Четвёртый элемент – буква указывает на модификацию прибора в серии.

Если малые габаритные размеры приборов не позволяют использовать буквенное или цифровое обозначение, то на корпус наносится цветная маркировка (точка или цветные полосы). Цветной код указывается в технических условиях на соответствующий прибор.

Система обозначений транзисторов по системе JEDEC За рубежом существуют различные системы обозначений полупроводниковых Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru приборов. Наиболее распространённой является система обозначений JEDEC, принятая объединённым техническим советом по электронным приборам США. По этой системе приборы обозначаются маркировкой, в котором первая цифра соответствует числу р-n переходов: 1 – диод;

2 – транзистор;

3 – тетрод (тиристор).

За цифрой следуют буква N и серийный номер, который регистрируется ассоциацией предприятий электронной промышленности (EIA). За номером могут стоять одна или несколько букв, указывающих на разбивку приборов одного типа на типономиналы по различным параметрам или характеристикам. Однако цифры серийного номера не определяют тип исходного материала, частотный диапазон, мощность рассеяния или область применения.

Система обозначений транзисторов по системе Pro Electron В Европе кроме JEDEC широко используется система, по которой обозначения полупроводниковым приборам присваиваются организацией Association International Pro Electron. По этой системе приборы для бытовой аппаратуры широкого применения обозначаются двумя буквами и тремя цифрами, для промышленной и специальной аппаратуры – тремя буквами и двумя цифрами. Так, у приборов широкого применения после двух букв стоит трёхзначный порядковый номер от 100 до 999. У приборов, применяемых в промышленной и специальной аппаратуре, третий знак – буква (буквы используются в обратном алфавитном порядке: Z, Y, X и так далее), за которой следует порядковый номер от 10 до 99.

Если в одном корпусе имеется несколько одинаковых приборов, то обозначение производится в соответствии с кодом (маркировкой) для одиночных дискретных приборов. При наличии в одном корпусе нескольких разных приборов в качестве второй буквы обозначения используется буква G. К основному обозначению может добавляться буква, указывающая на отличие прибора от основного типа по каким либо параметрам или корпусу.

Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru 1.4 Классификация микросхем Интегральная микросхема (ИМС) – это конструктивно законченное электронное изделие в миниатюрном исполнении с высокой плотностью размещения электрически соединенных элементов, компонентов и (или) кристаллов, осуществляющее формирование, усиление, преобразование, обработку сигналов.

Кристалл и компоненты ИМС, как правило, заключены в общий корпус – например, металлостеклянный, стеклянный, пластмассовый, керамический. Существуют разновидности герметизированных компаундом и бескорпусных ИМС.

Бескорпусные ИМС обычно применяются в аппаратуре с высокой плотностью монтажа.

Элемент ИМС – это часть микросхемы, реализующая функцию какой-либо детали, радиоэлемента, которая выполнена нераздельно от кристалла или подложки и не может быть выделена как самостоятельное изделие.

Компонент ИМС – это часть микросхемы, реализующая функции какой-либо детали, радиоэлемента, которая может быть выделена как самостоятельное изделие.

Полупроводниковая ИМС – это микросхема, все элементы и внутренние соединения которой выполнены в объёме и на поверхности полупроводниковой пластинки.

Плёночная ИМС – это микросхема, все элементы и внутренние соединения которой выполнены в виде плёнок. Различаются толстоплёночные и тонкоплёночные ИМС.

Толстоплёночная ИМС – это микросхема, в которой все пассивные элементы, проводники и контактные площадки выполнены по толстоплёночной технологии на диэлектрическом основании, то есть подложке. Толстоплёночная технология – это вжигание резистивных, проводящих и диэлектрических паст в подложку. Толщина плёнок от 1 … 2 до 10 … 25 микрон.

Тонкоплёночная ИМС – это микросхема, в которой все пассивные элементы (проводники и контактные площадки) выполнены методом тонкоплёночной технологии на поверхности общего диэлектрического основания, подложки.

Тонкоплёночная технология – напыление тонких плёнок в вакууме.

Гибридная интегральная микросхема (ГИС) – это микросхема, в которой кроме тонкоплёночных элементов (проводников и контактных площадок на диэлектрической подложке) расположены навесные, бескорпусные дискретные элементы – транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности.

Аналоговая ИМС – это микросхема, применяющаяся для усиления, преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции.

Цифровая ИМС – это микросхема, применяющаяся для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции. Полярность выходного сигнала цифровой микросхемы с одним источником питания совпадает с полярностью последнего относительно “общего” провода. На выходах некоторых цифровых микросхем, питаемых от двух источников с разнополярным (двуполярным) питанием, можно получить напряжения различной полярности;

выходное напряжение микросхемы зависит от полярности или (и) значения Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru входного сигнала. Цифровые микросхемы широко применяют в устройствах дискретной автоматики.

Микросборка – это миниатюрное изделие, входящее в состав серии ИМС, отличающееся тем, что его компоненты (например, транзисторы, диоды, резисторы) имеют самостоятельные внешние выводы, что позволяет каждый из выводов использовать раздельно.

Кристалл ИМС – это часть полупроводниковой пластины, изготовляемой обычно из монокристаллического кремния, в объёме и на поверхности которой созданы элементы полупроводниковой микросхемы, соединения элементов и контактные площадки.

Корпус ИМС – это часть конструкции микросхемы, предназначенная для её защиты от внешних (влага, излучение) воздействий, для соединения выводами с внешними цепями и, если элементом корпуса является радиатор, – от перегрева.

Степень интеграции ИМС – это показатель сложности микросхемы, определяемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов (входящих в неё транзисторов, диодов, резисторов). Степень интеграции микросхемы определяется по формуле К = lg N, где К – коэффициент, определяющий степень интеграции, округляемый до ближайшего большого целого числа;

N – число входящих в микросхему элементов и компонентов.

ИМС, содержащая до 10 элементов – это ИМС первой степени интеграции;

содержащая от 11 до 100 элементов – это ИМС второй степени интеграции;

содержащая от 101 до 1000 элементов – это ИМС третьей степени интеграции и так далее.

Вместе с тем используются другие обозначения. ИМС, содержащая более 150 … 200 элементов, называется “большой интегральной схемой” (БИС), а содержащая более 1000 элементов, – “сверхбольшой интегральной схемой” (СБИС).

Серия ИМС – это совокупность типов микросхем, которые могут выполнять различные функции, имеющих одинаковое конструктивное и технологическое исполнение и предназначенных для совместного использования.

Обозначения функций интегральных микросхем Со времён бывшего СССР (с июля 1974 г.) действует ГОСТ 18682-73, который устанавливает классификацию и систему условных обозначений на вновь разрабатываемые и модернизируемые ИМС. В соответствии с этим ГОСТом по конструктивно-технологическому исполнению микросхемы подразделяются на три группы, которым присвоены следующие обозначения:

1;

5;

7 – полупроводниковые микросхемы;

2;

4;

6;

8 – гибридные микросхемы;

3 – все прочие (вакуумные, керамические, плёночные и другие).

Условное обозначение типа микросхемы состоит из четырёх элементов.

Первый элемент – цифра, указывающая конструктивно-технологическое исполнение микросхемы (например, полупроводниковая или гибридная);

второй элемент – две цифры, обозначающие порядковый номер разработки серии Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru микросхем (от 00 до 99);

третий элемент – две буквы, обозначающие функциональное назначение микросхемы (смотрите таблицу 1.4.1);

четвёртый элемент – порядковый номер разработки микросхемы по функциональному признаку в данной серии.

Номер серии микросхемы показывают совместно первый и второй элемент условного обозначения. В обозначении микросхем, разработанных до июля 1974 г., первая из трёх цифр стоит в начале обозначения типа, а вторая и третья – после буквенного индекса;

буквенные обозначения функционального назначения микросхем этих серий соответствует нормали и приведены они в последней графе таблицы 1.4.1.

Таблица 1.4.1. Буквенное обозначение функций микросхем [31, стр. 20 – 23].

Буквенное обозначение Функции микросхемы По ГОСТ 18682-73 Принятое ранее Генераторы:

гармонических сигналов ГС ГС прямоугольных сигналов1 ГГ — линейно-изменяющихся сигналов ГЛ — сигналов специальной формы ГФ ГФ шума ГМ — прочие ГП — Детекторы:

амплитудные ДА ДА импульсные ДИ ДИ частотные ДС ДС фазовые ДФ ДФ прочие ДП ДП Коммутаторы и ключи:

тока КТ — напряжения КН — прочие КП КП ключ транзисторный — КТ ключ диодный — КД Логические элементы:

элемент И ЛИ ЛИ Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Буквенное обозначение Функции микросхемы По ГОСТ 18682-73 Принятое ранее элемент ИЛИ ЛЛ ЛЛ элемент НЕ ЛН ЛН элемент И-ИЛИ ЛС ЛС элемент И-НЕ, элемент ИЛИ-НЕ ЛБ ЛБ элемент И-ИЛИ-НЕ ЛР ЛР элемент И-ИЛИ-НЕ / И-ИЛИ ЛК ЛК элемент ИЛИ-НЕ / ИЛИ ЛК ЛК расширители ЛД ЛП прочие ЛП ЛЭ Модуляторы:

амплитудные MA MA частотные МС МС фазовые МФ МФ импульсные МИ МИ прочие МП МП Преобразователи:

частоты ПС ПС фазы ПФ ПФ длительности ПД — напряжения ПН ПН мощности ПМ — уровня сигнала (для согласования) ПУ ПУ формы сигнала — ПМ код – аналог ПА ПД аналог – код ПВ ПК код – код ПР — прочие ПП ПП Вторичные источники питания:

выпрямители ЕВ — преобразователи ЕМ — стабилизаторы напряжения EH EH, ПП стабилизаторы тока ЕТ ЕТ Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Буквенное обозначение Функции микросхемы По ГОСТ 18682-73 Принятое ранее прочие ЕП — Схемы задержки:

пассивные БМ — активные БР — прочие БП — Схемы селекции и сравнения:

амплитудные (уровня сигнала) СА СА временные СВ СВ частотные СС СС фазовые СФ СФ прочие СП — Триггеры:

JK-типа ТВ — RS-типа ТР ТР D-типа ТМ — Т-типа ТТ ТС динамические ТД ТД Шмидта ТЛ ТШ комбинированные (DT, RST и другие) ТК ТК прочие ТП — Усилители:

высокой частоты2 УВ — промежуточной частоты2 УР — низкой частоты2 УН — импульсных сигналов2 УИ УИ повторители УЕ УЭ считывания и воспроизведения УЛ — индикации УМ — постоянного тока2 УТ УТ синусоидальных сигналов3 — УС видеоусилители — УБ операционные и дифференциальные2 УД — Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Буквенное обозначение Функции микросхемы По ГОСТ 18682-73 Принятое ранее прочие УП — Фильтры:

верхних частот ФВ ФВ нижних частот ФН ФН полосовые ФЕ ФП режекторные ФР ФС прочие ФП — Формирователи:

импульсов прямоугольной формы4 АГ — импульсов специальной формы АФ — адресных токов5 АА — разрядных токов5 АР — прочие АП — Элементы запоминающих устройств:

матрицы-накопители ОЗУ РМ — матрицы-накопители ПЗУ РВ — матрицы-накопители ОЗУ со схемами управления РУ — матрицы-накопители ПЗУ со схемами управления РЕ — элементы памяти — ЯП матрицы разного назначения — ЯМ прочие РП — Элементы арифметических и дискретных устройств:

регистры ИР ИР сумматоры ИМ ИС полусумматоры ИЛ ИЛ счётчики ИЕ ИЕ шифраторы ИВ ИШ дешифраторы ИД ИД комбинированные ИК ИК прочие ИП ИП Многофункциональные микросхемы6:

аналоговые ХА ЖА Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Буквенное обозначение Функции микросхемы По ГОСТ 18682-73 Принятое ранее цифровые ХЛ ЖЛ комбинированные ХК — прочие ХП — Микросборки:

диодов НД НД транзисторов НТ НТ резисторов HP НС конденсаторов НЕ НЕ комбинированные НК НК прочие НП — 1 Автоколебательные мультивибраторы, блокинг-генераторы и другие.

2 Усилители напряжения или мощности (в том числе малошумящие).

3 Независимо от рабочего диапазона частот.

4 Ждущие мультивибраторы, блокинг-генераторы и другие.

5 Формирователи напряжений и токов.

6 Микросхемы, выполняющие одновременно несколько функций.

Монтаж интегральных микросхем Микросхемы монтируют на печатных платах, на возможно большем удалении от компонентов аппаратуры, выделяющих большое количество тепла, например электронных ламп, радиаторов транзисторов, вне магнитных полей дросселей, трансформаторов, магнитов головок громкоговорителей. Расстояние между корпусами соседних микросхем должно быть не менее 1,5 мм. Между корпусом микросхемы и монтажной платой должен быть зазор.

Формовку круглых и ленточных выводов микросхем и обжатие ленточных выводов микросхем следует производить с помощью монтажного инструмента так, чтобы исключить механическое напряжение на места крепления выводов. При этом радиус изгиба вывода должен быть не менее диаметра вывода, а расстояние от корпуса до центра окружности изгиба – не менее 1 мм.

При распайке выводов микросхем температура жала паяльника должна быть не более 280 °С, а для некоторых типов микросхем не более 265 °С (оговорено специально). Допустимое время касания паяльника к каждому выводу не более 3 с, расстояние от места пайки до корпуса микросхем по длине вывода не менее 1 мм, интервал между пайками не менее 10 с. Для обеспечения указанных температурных условий пайки применяют паяльники мощностью от 15 до 40 Вт. Более мощные паяльники применять нельзя, так как можно микросхемы вывести из строя. Ввиду Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru того, что микросхемы чувствительны к воздействию статического электричества, жало паяльника должно быть заземлено. Монтажник должен пользоваться заземляющим браслетом. Рекомендуется пользоваться низковольтным паяльником, включенным в электросеть через понижающий трансформатор с электростатическим экраном между его первичной и вторичной обмотками.

Корпусы и изоляторы выводов микросхем необходимо оберегать от брызг и паров паяльного флюса. После монтажа места пайки следует очистить от остатков флюса моющей жидкостью, не оказывающей негативного влияния на корпус и выводы микросхем. После очистки от флюса плату с микросхемами можно покрыть влагозащитным лаком.

Микросхемы рекомендуется использовать в облегчённых электрических и температурных режимах по сравнению с номинальными.

Система обозначений ИМС по системе Pro Electron За рубежом существуют различные системы кодирования (обозначений и маркировки) ИМС. В европейских странах система кодирования ИМС аналогична системе, принятой для кодирования дискретных полупроводниковых приборов, и используется фирмами в различных странах (например, Англии, Бельгии, Италии, Испании, Нидерландов, Швеции, Франции, Германии и других). Суть кодирования данной системы, по которой обозначения присваиваются международной организацией Association International Pro Electron, указаны ниже.

Код состоит из трёх букв, за которыми следует серийный номер (например, ТВА810, TDA2003).

Первая буква для одиночных схем отражает принцип преобразования сигнала в схеме: S – цифровое;

Т – аналоговое;

U – смешанное (аналого-цифровое).

Вторая буква не имеет специального значения (выбирается фирмой изготовителем), за исключением буквы Н, которой обозначаются гибридные схемы.

Для серий (семейств) цифровых микросхем первые две буквы (FA, FB, FC, FD, FE, FF, FJ, FI, FL, FQ, FT, FY, FZ, GA, GB, GD, GF, GM, GT, GX, GY, GZ, НВ, НС) отражают технологические особенности схемы, например: FD, GD – МОП-схемы;

FL, GF – стандартные ТТЛ-схемы;

FQ – ДТЛ-схемы;

FY – ЭСЛ-серия;

GA – маломощные ТТЛ-схемы;

GJ – быстродействующие ТТЛ-схемы;

GM – маломощные с диодами Шотки ТТЛ-схемы;

НВ – комплементарные МОП-схемы серии 4000 А;

НС – комплементарные МОП-схемы серии 4500 В.

Третья буква обозначает диапазон рабочих температур или, как исключение, иную важную характеристику: А – температурный диапазон не нормирован;

В – от 0 до +70 °С;

С – от -55 до +125 °С;

D – от -25 до +70 °С;

Е – от -25 до +85 °С;

F – от - до +85 °С;

G – от -55 до +85 °С.

После комбинации из трёх букв следует серийный номер, состоящий минимум из четырёх цифр. Если он состоит менее чем из четырёх цифр, то число цифр увеличивается до четырёх добавлением нулей перед ними. Кроме того, за цифрами может следовать буква для обозначения разновидности основного типа. Типы корпусов могут обозначаться одной или двумя буквами, написанными после Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru серийного номера.

При двухбуквенном обозначении вариантов корпусов первая буква отражает конструкцию:

С – цилиндрический корпус;

D – с двухрядным параллельным расположением выводов (DIP);

Е – мощный с двухрядным расположением выводов (с внешним теплоотводом);

F – плоский (с двусторонним расположением выводов);

G – плоский (с четырёхсторонним расположением выводов);

К – корпус типа ТО-3;

М – многорядный (больше четырёх рядов);

Q – с четырёхрядным параллельным расположением выводов;

R – мощный с четырёхрядным расположением выводов (с внешним теплоотводом);

S – с однорядным расположением выводов;

Т – с трёхрядным расположением выводов. Вторая буква показывает материал корпуса;

G – стеклокерамика;

М – металл;

Р – пластмасса;

X – прочие.

При обозначении вариантов корпусов одной буквой:

С – цилиндрический;

D – керамический;

F – плоский;

L – ленточный кристаллодержатель;

Р – пластмассовой DIP;

Q – с четырёхрядным расположением выводов;

Т – миниатюрный пластмассовый;

U – бескорпусная ИМС.

В устаревшем коде, действовавшем до 1973 г., первые две буквы обозначают то же, что и в современном, а третья буква показывает функциональное назначение:

А – линейное усиление;

В – частотное преобразование и (или) демодуляция;

С – генерация колебаний;

Н – логические схемы;

J – двухстабильные или мультистабильные схемы (делители частоты, триггеры, счётчики, регистры и прочие элементы цифровой техники);

K – моностабильные схемы (одновибраторы);

L – цифровые преобразователи уровня (например, дешифраторы, драйверы);

M – схемы со сложной логической конфигурацией (например, сумматоры);

N – двухстабильные или мультистабильные схемы с длительным хранением информации;

Q – ОЗУ;

R – ПЗУ;

S – усилитель считывания с цифровым выходом;

Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Y – прочие схемы.

Следующие после этого первые две цифры указывают серийный номер (от 10 до 99), а третья цифра – диапазон рабочих температур:

0 – температурный диапазон не нормирован;

1 – от 0 до +70 °С;

2 – от -55 до +125 °С;

3 – от -10 до +85 °С;

4 – от +15 до +55 °С;

5 – от -25 до +70 °С;

6 – от -40 до + 85 °С.

Например, ИМС типа FYH123 является цифровой логической ИМС (буква Н) и относится к семейству FY (ЭСЛ). Она совместима с другими ИМС этой серии то есть используется при таком же напряжении питания, при тех же входных и выходных уровнях, имеет то же быстродействие. Это третий прибор серии (цифра 12), работает в температурном диапазоне от -10 до +85 °С.

Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru 2 Список принятых сокращений Диоды Iвыпр.ср.макс – максимальное значение среднего выпрямленного диодом тока.

Iобр – обратный ток через диод.

Iобр.ср – средний обратный ток через диод.

Iпр – прямой ток через диод.

Iпр.макс – максимальный прямой ток.

Iпр.и.макс – импульсный максимальный прямой ток.

Iпр.ср – средний прямой ток через диод.

Iпр.ср.макс – максимальное значение среднего прямого тока через диод.

Uобр.макс – максимальное постоянное обратное напряжение, приложенное к диоду.

Uобр.и.макс – максимальное импульсное обратное напряжение, приложенное к диоду.

Uпр – падение напряжения на диоде при его прямом включении.

Uпр.ср – среднее падение напряжения на диоде при его прямом включении.

fмакс – максимальная частота, на которой ещё сохраняется свойство односторонней проводимости диода.

Светодиоды I – сила света. Отношение светового потока, распространяющегося от светодиода в рассматриваемом направлении внутри малого телесного угла, к величине этого телесного угла.

I – фотометрическая сила света. Измеряется в канделах и является основной фотометрической единицей в системе СИ.

Ie – энергетическая сила света. Измеряется в ваттах на стерадиан.

Iпр – прямой ток через светодиод при напряжении Uпр.

Uпр L – яркость. Величина, равная отношению силы света светодиода к площади светящейся поверхности.

L – фотометрическая яркость. Измеряется в канделах на метр квадратный.

– длина волны.

макс – максимум спектрального распределения. Длина волны светового излучения, соответствующая максимуму спектральной характеристики светодиода.

– угол раскрыва диаграммы направленности излучения. Угол раскрыва диаграммы направленности излучения светодиода, измеренный на уровне 0,5.

– длительность импульса.

Оптроны Iвх – входной ток.

Iвх.макс – максимальный постоянный входной ток оптопары.

Iвх.и.макс – максимальный импульсный входной ток оптопары.

Iвых – выходной ток.

Pср.макс – средняя рассеиваемая мощность.

Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Rт – тепловое сопротивление.

Uиз – напряжение изоляции оптопары.

Uком – коммутируемое напряжение оптопары.

Стабилитроны Iс – номинальный ток стабилизации стабилитрона.

Iс.макс – максимальный ток стабилизации стабилитрона.

Iс.мин – минимальный ток стабилизации стабилитрона.

Iс – ток стабилизации стабилитрона при соответствующем ему номинальном Uc напряжении стабилизации Uс.

rд – динамическое сопротивление стабилитрона.

ТКU 10-4 °C-1 – температурный коэффициент стабилизации стабилитрона.

Uс – номинальное напряжение стабилизации стабилитрона.

Uc.макс – максимальное напряжение стабилизации стабилитрона.

Uc.мин – минимальное напряжение стабилизации стабилитрона.

t, Т – температура окружающей среды.

Варикапы Cном – номинальная ёмкость при заданном обратном напряжении смещения.

Qв – добротность варикапа. Qв равна отношению ёмкостного сопротивления к эквивалентному последовательному сопротивлению.

Туннельные диоды Cд.мин – минимальная общая ёмкость диода. Минимальная ёмкость между выводами диода при заданном режиме работы.

Cд.макс – максимальная общая ёмкость диода. Максимальная ёмкость между выводами диода при заданном режиме работы.

Iв – ток впадины. Значение прямого тока в точке минимума ВАХ, при котором дифференциальная активная проводимость равна нулю.

Iп – пиковый ток. Значение прямого тока в точке максимума ВАХ, при котором дифференциальная активная проводимость равна нулю.

Iпр.макс – максимальный постоянный прямой ток.

Iп / Iв – отношение пикового тока к току впадины.

Iобр.и – импульсный обратный ток. Наибольшее мгновенное значение обратного тока диода, обусловленное импульсным обратным напряжением.

Iобр.макс – максимальный обратный ток.

Iп – приращение пикового тока туннельного диода.

Lд – общая ёмкость туннельного диода.

Lкор – индуктивность корпуса туннельного диода.

rп – последовательное сопротивление потерь. Суммарное эквивалентное активное сопротивление кристалла, контактных соединений и выводов диода.

Uп – напряжение пика. Пиковое напряжение, соответствующее пиковому току.

Uпр.макс – максимальное прямое напряжение при заданном прямом токе диода.

Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Тмакс – максимальное значение температуры.

Тиристоры fу – частота управления.

Iзкр – ток в закрытом состоянии. Анодный ток при определённом напряжении в закрытом состоянии при определённом режиме в цепи управляющего электрода тиристора.

Iзс.п – повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии. Наибольшее мгновенное значение тока в закрытом состоянии, протекающего через тиристор, включая все повторяющиеся переходные напряжения.

Iобр – постоянный обратный ток. Постоянный анодный ток в непроводящем состоянии.

Iобр.п – повторяющийся импульсный обратный ток. Наибольшее мгновенное значение обратного тока, включая только повторяющиеся переходные напряжения.

Iос – основной постоянный ток в открытом состоянии.

Iос.и – импульсный ток в открытом состоянии.

Iос.макс – максимальный основной постоянный ток в открытом состоянии.

Iос.и.макс – максимальный основной импульсный ток в открытом состоянии.

Iос.ср – средний ток в открытом состоянии. Среднее за период значение тока в открытом состоянии.

Iос.удр – ударный не повторяющийся ток в открытом состоянии. Наибольший импульсный ток в открытом состоянии, протекание которого вызывает превышение максимально допустимой температуры перехода, но воздействие которого за время срока службы тиристора предполагается редким, с ограниченным числом повторений.

Iт.ср.макс – максимально допустимый средний ток, который тиристор выдерживает в открытом состоянии.

Iу.от – отпирающий постоянный ток управления. Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора.

Iу.от.и – отпирающий импульсный ток управления. Наименьший импульсный ток управления, необходимый для включения тиристора.

Iу.пр.и – прямой импульсный ток управления. Импульсный ток управления, соответствующий прямому импульсному напряжению управления.

Iуэ – постоянный ток через управляющий электрод тиристора.

Rразв – сопротивление гальванической развязки.

Rу – сопротивление управления.

tвкл – время включения. Интервал времени, в течение которого тиристор включается импульсом тока управления. (Интервал времени измеряют от момента в начале импульса тока, когда основное напряжение понижается до заданного напряжения. Время включения может быть определено по нарастанию тока в открытом состоянии до заданного значения.) tвыкл – время выключения. Наименьший интервал времени между моментом, когда основной ток после внешнего переключения основных цепей понизился до нуля, и моментом, когда тиристор способен выдерживать напряжение в закрытом Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru состоянии с определённой скоростью его нарастания.

tзд – время задержки. Интервал времени между заданным моментом в начале импульса тока управления и моментом, когда основное напряжение понижается до заданного значения, близкого к начальному.

tи – длительность импульса тока или напряжения в открытом состоянии.

tнр – время нарастания. Интервал времени между моментом, когда основное напряжение понижается до значения, близкого к начальному, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора импульсом тока управления. На практике принято считать началом импульса тока или напряжения управления момент, когда их значение достигает 0,1 от амплитуды. За время задержки считают интервал времени до момента спада напряжения до 0,9 от амплитуды или до момента возрастания тока до 0,1 от амплитуды. Время нарастания определяется в интервале спада напряжения от 0,9 до 0,1 от начального значения, а по току – от 0,1 до 0,9 от амплитуды. Время включения равно сумме времён задержки и нарастания.

tу – длительность импульса тока или напряжения управления.

Uвкл – напряжение включения. Основное напряжение на динисторе, при котором он переходит из закрытого состояния в открытое.

Uзс – постоянное напряжение, прикладываемое к тиристору в закрытом состоянии.

Uзс.и – импульсное напряжение в закрытом состоянии.

Uзс.п – повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии. Наибольшее мгновенное значение напряжения в закрытом состоянии, прикладываемого к тиристору, включая все повторяющиеся переходные напряжения.

Uобр.п – повторяющееся импульсное обратное напряжение. Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения, включая только повторяющиеся переходные напряжения.

Uос.и – импульсное напряжение в открытом состоянии. Наибольшее мгновенное значение напряжения в открытом состоянии, обусловленное импульсным током в закрытом состоянии заданного значения.

Uоткр.макс – максимальное напряжение в открытом состоянии. Напряжение на тиристоре при определённом токе в открытом состоянии.

Uт.обр.макс – максимальное напряжение, приложенное в обратном направлении к тиристору.

Uу – постоянное напряжение управления.

Uу.пр.и.макс – максимальное прямое импульсное напряжение управления.

Uу.от – отпирающее постоянное напряжение управления. Постоянное напряжение управления, соответствующее постоянному току управления.

Uуэ – постоянное напряжение, приложенное к управляющему электроду тиристора.

|dUзс / dt|кр – критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии.

Наибольшее значение скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии, которое не вызывает переключения тиристора из закрытого состояния в открытое.

Биполярные транзисторы fгр – граничная частота коэффициента передачи тока. Частота, при которой модуль Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к единице. Частота, равная произведению модуля коэффициента передачи тока на частоту измерения, которая находится в диапазоне частот, где справедлив закон изменения модуля коэффициента передачи тока 6 дБ на октаву.

fh – предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.

Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением.

h Э – статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных постоянном обратном напряжении коллектор – эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим эмиттером.

h – коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого 21э сигнала в схеме с общим эмиттером. Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току в схеме с общим эмиттером.

Iк – ток коллектора транзистора.

Iкбо – обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор – база и разомкнутом выводе эмиттера.

Iк.макс – максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.

Iк.и.макс – максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.

Iкэк – обратный ток коллектор – эмиттер при короткозамкнутых выводах базы и эмиттера. Ток в цепи коллектор – эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор – эмиттер и короткозамкнутых выводах эмиттера и базы.

Iкэо – обратный ток коллектор – эмиттер при разомкнутом выводе базы. Ток в цепи коллектор – эмиттер при заданном напряжении коллектор – эмиттер и разомкнутом выводе базы.

Iкэ – обратный ток коллектор – эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база – R эмиттер. Ток в цепи коллектор – эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор – эмиттер и заданном сопротивлении в цепи база – эмиттер.

Iкэх – обратный ток коллектор – эмиттер заданном обратном напряжении база – эмиттер.

Iэ – ток эмиттера транзистора.

Iэбо – обратный ток эмиттерного перехода при разомкнутом выводе коллектора транзистора.

Iэ.макс – максимально допустимый постоянный ток эмиттера транзистора.

Iэ.и.макс – максимально допустимый импульсный ток эмиттера транзистора.

Кш – коэффициент шума транзистора. Для биполярного транзистора это отношение мощности шумов на выходе транзистора к той её части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала.

Рмакс – максимально допустимая постоянно рассеиваемая мощность.

Рк.макс – максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

Рк.и.макс – максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Рк.ср.макс – максимально допустимая средняя мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

Q – скважность.

Rтп-с – тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде.

Rтп-к – тепловое сопротивление от перехода к корпусу транзистора.

tвкл – время включения биполярного транзистора. Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания.

tвыкл – время выключения биполярного транзистора. Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигнет значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения.

Тмакс – максимальная температура корпуса транзистора.

Тп.макс – максимальная температура перехода транзистора.

tрас – время рассасывания биполярного транзистора. Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня.

Uкб – напряжение коллектор – база транзистора.

Uкбо.макс – максимально допустимое постоянное напряжение коллектор – база при токе эмиттера, равном нулю.

Uкбо.и.макс – максимально допустимое импульсное напряжение коллектор – база при токе эмиттера, равном нулю.

Uкэо.гр – граничное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.

Uкэ.макс – максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при R заданном (конечном) сопротивлении в цепи база – эмиттер транзистора.

Uкэх.и.макс – максимально допустимое импульсное напряжение между коллектором и эмиттером при заданных условиях в цепи база – эмиттер.

Uкэ – напряжение коллектор – эмиттер транзистора.

Uкэ.нас – напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.

Uэбо.макс – максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер – база при токе коллектора, равном нулю.

Однопереходные транзисторы Iвкл – ток включения.

Iвыкл – ток выключения.

Rб1б2 – межбазовое сопротивление б1 и б2 однопереходного транзистора.

Uб1б2 – напряжение между базами б1 и б2 однопереходного транзистора.

Uб1б2.макс – максимально допустимое напряжение между базами б1 и б однопереходного транзистора.

Uб2э.макс – максимально допустимое напряжение между второй базой и эмиттером однопереходного транзистора.

– коэффициент передачи однопереходного транзистора. Отношение разности максимально возможного эмиттерного напряжения и падения напряжения на p-n переходе к приложенному межбазовому напряжению.

Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Полевые транзисторы C и – входная ёмкость полевого транзистора. Ёмкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком.

C и – проходная ёмкость полевого транзистора. Ёмкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.

C и – выходная ёмкость полевого транзистора. Ёмкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.

Сзи – ёмкость затвор – исток. Ёмкость между затвором и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах.

Eш – электродвижущая сила шума полевого транзистора. Спектральная плотность эквивалентного шумового напряжения, приведённого ко входу, при коротком замыкании на входе в схеме с общим истоком.

g и – активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком.

Iз.ут – ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.

I – ток стока полевого транзистора (не путать с номинальным током стабилизации С стабилитрона). Ток, протекающий в цепи сток – исток при напряжении сток – исток, равном или большем, чем напряжение насыщения, при заданном напряжении затвор – исток.

Iс.макс – максимально допустимый постоянный ток стока.

Iс.нач – начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения.

Кур – коэффициент усиления по мощности полевого транзистора. Отношение мощности на выходе полевого транзистора к мощности на входе при определённой частоте и схеме включения.

Кш – коэффициент шума транзистора. Для полевого транзистора это отношение полной мощности шумов на выходе полевого транзистора к той её части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала.

Rси.отк – сопротивление сток – исток в открытом состоянии полевого транзистора.

Сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток – исток, меньшем напряжения насыщения.

Rc.мин – минимальное сопротивление канала сток – исток полевого транзистора в проводящем состоянии, включённого по схеме с общим истоком.

S – крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.

Тк – температура корпуса транзистора. Температура в заданной точке корпуса транзистора.

Uз1з2.макс – максимально допустимое напряжение между затворами.

Uзи – напряжение затвор – исток.

Uзи.макс – максимально допустимое напряжение затвор – исток.

Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Uзи.отс – напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.

Uзи.пор – пороговое напряжение полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с изолированным затвором, работающего в режиме обогащения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.

Uзс.макс – максимально допустимое напряжение затвор – сток.

Uси – напряжение сток – исток.

Uси.макс – максимально допустимое напряжение сток – исток.

Микросхемы f1 – частота единичного усиления.

fвх – частота входного сигнала.

I0вх – входной ток логического нуля.

I1вх – входной ток логической единицы.

I1вых – выходной ток логической единицы.

Iвх – постоянный ток входа.

Iкз – значение тока, потребляемого микросхемой при замкнутом накоротко выходе.

Iн – постоянный ток нагрузки.

Iн.макс – максимальный ток нагрузки.

Iн.макс – диапазон изменения максимального выходного тока – тока, отдаваемого в нагрузку.

Iп – потребляемый ток.

I1п – ток потребления в режиме логической единицы.

К – минимальный коэффициент усиления.

D R вх – входное сопротивление.

D tздр10 – время задержки при переходе из 1 в 0.

tздр01 – время задержки при переходе из 0 в 1.

U0вых – выходное напряжение логического нуля.

U1вых – выходное напряжение логической единицы.

Uвх – входное напряжение.

Uвх.макс – максимальное изменение входного напряжения.

Uвых – выходное напряжение.

Uвых.мин – минимально допустимое выходное напряжение.

Uвых – максимальное изменение выходного напряжения – изменение Uвых, обусловленное изменением Iн.макс.

Uип – напряжение источника питания.

Uип.ном – номинальное напряжение источника питания.

Uпд – максимальное падение напряжения на стабилизаторе (Dropout Voltage) Uпд = Uвх – Uвых.мин.

Uсм – напряжение смещения “нуля”.

Uш – напряжение шумов.

Vu – скорость увеличения выходного напряжения.

Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru – абсолютный температурный коэффициент (температурная стабильность), мВ / C, = Uвых / T – изменение выходного напряжения от изменения температуры окружающей среды при неизменных Uвх и Iн.

АМ – амплитудная модуляция.

АПЧГ – автоматическая подстройка частоты гетеродина.

АРУ – автоматическая регулировка усиления.

Вид цепи – вид цепи, в которую включён регулирующий элемент микросхемного стабилизатора напряжения.

ВЧ – высокая частота.

НЧ – низкая частота.

ПЧ – промежуточная частота.

ПЧЗ – преобразователь частоты звука.

ПЧИ – преобразователь частоты изображения.

СК – селектор каналов.

ФАПЧ – фазовая автоподстройка частоты.

ЧМ – частотная модуляция.

— – данные не нормируются или информация о данном параметре отсутствует.

ТУ – технические условия.

и – буква “и” рядом со значением параметра означает, что приведённая величина соответствует импульсному режиму работы транзистора.

т – буква “т” рядом со значением параметра означает, что приведённая величина является типовой.

Электроды транзисторов условно обозначаются первыми буквами соответствующего названия электродов. Например, затвор – буква “З”, база – “Б”.

Сток (С) Затвор (З) Исток (И) Если не указана температура, при которой были получены параметры деталей, то предполагается, что эта температура – комнатная 25 °C.

Коэффициенты h Э и h указаны для соответствующих значений Uкэ (Uкб) и Iк 21 21э (Iэ) биполярных транзисторов. Значения параметров Uзи и Uси указаны для соответствующих значений Iз.ут и S полевых транзисторов. Значение Pмакс полевых транзисторов указано для соответствующих значений T.

Цветные точки рядом с электродом транзистора в металлическом корпусе чаще всего обозначают вывод эмиттера.

Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru 3 Диоды 3.1 Диоды выпрямительные Таблица 3.1.1. Диоды малой мощности.

Uпр. при Iпр.;

Предельные режимы Iобр. {Iобр.ср} {Uпр.ср} при {Iпр.ср} Uобр.макс, Iвыпр.ср.макс;

fмакс, Рису Тип диода при Uобр.макс, нок {Uобр.и.макс}, {Iпр.ср.макс};

кГц B мА мкА В [Iпр.макс], мА АД110А 1,5 10 5·10-3 30 10 1000 ГД107А 1 10 20 15 20 – ГД107Б 0,4 1,5 100 20 2,5 – Д2Б 1 5 100 30 {16} 100 Д2В 1 9 250 40 {25} 100 Д2Г 1 2 250 75 {16} 100 Д2Д 1 4,5 250 75 {16} 100 Д2Е 1 4,5 250 100 {16} 100 Д2Ж 1 2 250 150 {8} 100 Д2И 1 2 250 100 {16} 100 Д7А {0,5} {300} {100} {50} {300} 2 Д7Б {0,5} {300} {100} {100} {300} 2 Д7В {0,5} {300} {100} {150} {300} 2 Д7Г {0,5} {300} {100} {200} {300} 2 Д7Д {0,5} {300} {100} {300} {300} 2 Д9Б 1 90 250 10 125 – Д9В 1 10 250 30 62 – Д9Г 1 30 250 30 98 – Д9Д 1 60 250 30 98 – Д9Е 1 30 250 50 62 – Д9Ж 1 10 250 100 48 – Д9И 1 30 120 30 98 – Д9К 1 60 60 30 98 – Д9Л 1 30 250 100 48 – Д101 2 2 10 75 30 150 Д101А 1 1 10 75 30 150 Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Uпр. при Iпр.;

Предельные режимы Iобр. {Iобр.ср} {Uпр.ср} при {Iпр.ср} Uобр.макс, Iвыпр.ср.макс;

fмакс, Рису Тип диода при Uобр.макс, нок {Uобр.и.макс}, {Iпр.ср.макс};

кГц B мА мкА В [Iпр.макс], мА Д102 2 2 10 50 30 150 Д102А 1 1 10 50 30 150 Д103 2 2 30 30 30 150 Д103А 1 1 30 30 30 150 Д206 {1} {100} {100} 100 100 – Д207 {1} {100} {100} 200 100 – Д208 {1} {100} {100} 300 100 – Д209 {1} {100} {100} 400 100 – Д210 {1} {100} {100} 500 100 – Д211 {1} {100} {100} 600 100 – Д223 1 50 1 {50} 50 20·103 Д223А 1 50 1 {100} 50 20·103 Д223Б 1 50 1 {150} 50 20·103 Д226Б {1} {300} {100} {400} {300} 1 Д226В {1} {300} {100} {300} {300} 1 Д226Г {1} {300} {100} {200} {300} 1 Д226Д {1} {300} {100} {100} {300} 1 КД102А 1 50 0,1 250 100 4 КД102Б 1 50 1 300 100 4 КД103А 1 50 0,5 50 100 – КД103Б 1,2 50 0,5 50 100 – КД104А 1 10 3 300 10 10 КД105Б {1} {300} {100} {400} {300} 1 КД105В {1} {300} {100} {600} {300} 1 КД105Г {1} {300} {100} {800} {300} 1 МД217 {1} {100} {75} {800} {100} 1 МД218 {1} {100} {75} {1000} {100} 1 Ниже приведены рисунки к таблице 3.1.1.

Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Вывод "+" 4, 0, 2, Рис. 1 Рис. 1, 0, а Рис. 3 Рис. 4 Рис. На рисунке 5 для диодов типов Д7, Д206 – Д211 размер а составляет 16 мм, а для диодов МД217 и МД218 составляет 18 мм.

Диоды типов КД105 (рисунок 8) маркируются цветными точками на боковой поверхности: точка зелёного цвета – для КД105В, точка красного цвета – для КД105Г. У диодов типа КД105Б точка отсутствует. Полярность диодов обозначается полосой жёлтого цвета у плюсового вывода.

7, 0, 6, 11, 0, Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Рис. 20 3,2 1, Вывод "+" Метка Рис. 7 Рис. Iпр., мкА Д9В 2, Обозначение Место маркировки плюсового вывода + Uобр., В 2 1 200 Uпр., мВ Рис. Iобр., мкА Рис. Диоды Д9 (рисунок 9) – германиевые точечные. Выпускаются в стеклянном корпусе и имеют гибкие выводы. Маркируются цветными точками [29] на средней части корпуса. Полярность диодов обозначается красной точкой со стороны плюсового вывода. Масса диода не более 0,3 г. Маркировка диодов: Д9Б – красная точка;

Д9В – оранжевая;

Д9Г – жёлтая;

Д9Д – белая;

Д9Е – голубая;

Д9Ж – зелёная и голубая;

Д9И – две жёлтые;

Д9К – две белые;

Д9Л – две зелёные точки.

На рисунке 10 показана статическая вольт-амперная характеристика (ВАХ) диода Д9В [1, стр. 137].

11, 6, 0, 0, 0, 4, 2, 0, 0, Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru КД522А, КД522Б Диоды кремниевые эпитаксиально – планарные в пластмассовом корпусе [6, стр.

154 – 155], [29, стр. 113 – 115]. Маркируются цветными полосами: КД522А – два кольца, КД522Б – три кольца. Масса диода не более 0,2 г.

1 2 28 3,8 Электрические параметры.

Постоянное прямое напряжение при Iпр = 100 мА не более при 25 C 1,1 В при -55 C 1,5 В Постоянный обратный ток при Uобр = Uобр.макс не более при 25 C для КД522А 2 мкА для КД522Б 5 мкА при 85 C 50 мкА Ёмкость диода не более 4 пФ Заряд переключения при Iпр = 50 мА, Uобр.имп = 10 В не более 400 пКл Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное обратное напряжение:

для КД522А 30 В для КД522Б 50 В Импульсное обратное напряжение при длительности импульса 10 мкс и скважности не менее 10:

для КД522А 40 В для КД522Б 60 В Средний выпрямленный ток1:

при температуре от -55 до 35 C 100 мА при 85 C 50 мА Импульсный прямой ток1 длительностью 10 мкс без превышения среднего выпрямленного тока:

при температуре от -55 до 35 C 1500 мА при 85 C 850 мА Температура перехода 125 C Диапазон рабочей температуры окружающей среды от -55 до +85 C 1. В диапазоне температур от 35 до 85 C снижается линейно.

1, 0, Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Таблица 3.1.2. Диоды средней мощности.

Uпр. при Iпр.;

Предельные режимы Iобр. {Iобр.ср} {Uпр.ср} при {Iпр.ср} Uобр.макс, Iвыпр.ср.макс;

fмакс, Рису Тип диода при Uобр.макс, нок {Uобр.и.макс}, {Iпр.ср.макс};

кГц B A мА В [Iпр.макс], А Д229В {1} {0,4} {0,2} {100} {0,4} 1 Д229Г {1} {0,4} {0,2} {200} {0,4} 1 Д229Д {1} {0,4} {0,2} {300} {0,4} 1 Д229Е {1} {0,4} {0,2} {400} {0,4} 1 Д229Ж {1} {0,7} {0,2} {100} {0,7} 1 Д229И {1} {0,7} {0,2} {200} {0,7} 1 Д229К {1} {0,7} {0,2} {300} {0,7} 1 Д229Л {1} {0,7} {0,2} {400} {0,7} 1 Д242 {1,2} {10} {3} {100} {10} – Д242А {1} {10} {3} {100} {10} – Д242Б {1,5} {5} {3} {100} {5} – Д243 {1,2} {10} {3} {200} {10} – Д243А {1} {10} {3} {200} {10} – Д243Б {1,5} {5} {3} {200} {5} – Д245 {1,2} {10} {3} {300} {10} – Д245А {1} {10} {3} {300} {10} – Д245Б {1,5} {5} {3} {300} {5} – Д246 {1,2} {10} {3} {400} {10} – Д246А {1} {10} {3} {400} {10} – Д246Б {1,5} {5} {3} {400} {5} – Д247 {1,2} {10} {3} {500} {10} – Д247Б {1,5} {5} {3} {500} {5} – Д248Б {1,5} {5} {3} {600} {5} – КД202А {0,9} {5} {0,8} 35, {50} {5} 1,2 КД202Б {0,9} {3,5} {0,8} 35, {50} {3,5} 1,2 КД202В {0,9} {5} {0,8} 70, {100} {5} 1,2 КД202Г {0,9} {3,5} {0,8} 70, {100} {3,5} 1,2 КД202Д {0,9} {5} {0,8} 140, {200} {5} 1,2 КД202Е {0,9} {3,5} {0,8} 140, {200} {3,5} 1,2 КД202Ж {0,9} {5} {0,8} 210, {300} {5} 1,2 КД202И {0,9} {3,5} {0,8} 210, {300} {3,5} 1,2 Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Uпр. при Iпр.;

Предельные режимы Iобр. {Iобр.ср} {Uпр.ср} при {Iпр.ср} Uобр.макс, Iвыпр.ср.макс;

fмакс, Рису Тип диода при Uобр.макс, нок {Uобр.и.макс}, {Iпр.ср.макс};

кГц B A мА В [Iпр.макс], А КД202К {0,9} {5} {0,8} 280, {400} {5} 1,2 КД202Л {0,9} {3,5} {0,8} 280, {400} {3,5} 1,2 КД202М {0,9} {5} {0,8} 350, {500} {5} 1,2 КД202Н {0,9} {3,5} {0,8} 350, {500} {3,5} 1,2 КД202Р {0,9} {5} {0,8} 420, {600} {5} 1,2 КД202С {0,9} {3,5} {0,8} 420, {600} {3,5} 1,2 КД203А {1} {10} {1,5} 420, {600} {10} 1 КД203Б {1} {10} {1,5} 560, {800} {10} 1 КД203В {1} {10} {1,5} 560, {800} {10} 1 КД203Г {1} {10} {1,5} 700, {1000} {10} 1 КД203Д {1} {10} {1,5} 700, {1000} {10} 1 КД204А 1,4 0,6 0,15 400, {400} {0,3} 50 КД204Б 1,4 0,6 0,1 200, {200} {0,35} 50 КД204В 1,4 0,6 0,05 50, {50} {0,6} 50 КД206А {1,2} {10} {0,7} {400} 10 1,0 КД206Б {1,2} {10} {0,7} {500} 10 1,0 КД206В {1,2} {10} {0,7} {600} 10 1,0 Рисунки к таблице 3.1.2.

20,3 11, Вид А А 1, М Рис. Рис. М 0, 12, Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru 3, 15, 0, М М Рис. Рис. Таблица 3.1.3. Диоды [14], [28], [29], [30].

Iпр.макс, Тип диода Iпр.и.макс, А Uобр.и.макс, В Uобр.макс, В Uпр, В fмакс, {f}, кГц {Iпр.ср.макс}, А 2Д106А 0,3 – 100 100 1,0 50, {30} 2Д212А 1 50 200 200 1,0 2Д212Б 1 50 100 100 1,0 2Д411А 1 12 800 500 1,0 2Д411Б 1 12 800 500 1,5 2Д907А-1 0,05 0,7 60 40 1,0 – 2Д907Б-1 0,05 0,7 60 40 1,0 – 2Д907В-1 0,05 0,7 60 40 1,0 – 2Д907Г-1 0,05 0,7 60 40 1,0 – 2Д2990А {20} – 600 600 1,27 2Д2990Б {20} – 400 400 1,27 2Д2990В {20} – 200 200 1,27 2Д2992А {30} – 250 200 0,9 2Д2992Б {30} – 200 100 0,9 2Д2992В {30} – 100 50 0,9 0, 1, 12, Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Iпр.макс, Тип диода Iпр.и.макс, А Uобр.и.макс, В Uобр.макс, В Uпр, В fмакс, {f}, кГц {Iпр.ср.макс}, А 2Д2993А {20} – 250 200 0,88 – 2Д2993Б {20} – 200 100 0,88 – 2Д2995А {20} 375 50 – 0,94 2Д2995Б {20} 375 70 – 0,94 2Д2995В {20} 375 100 – 0,94 2Д2995Г {20} 375 150 – 0,94 2Д2995Д {20} 375 200 – 0,94 2Д2995Е {20} 375 100 – 0,94 2Д2995Ж {20} 375 150 – 0,94 2Д2995И {20} 375 200 – 0,94 2Д2997А {30} – 250 200 0,85 2Д2997Б {30} – 200 100 0,85 2Д2997В {30} – 100 50 0,85 2Д2998А {20} – 15 – 0,52 2Д2998Б {30} – 25 – 0,6 2Д2998В {30} – 35 – 0,6 Д18 0,016 0,05 – 20 1,0 – Д219А 0,05 0,5 – 70 1,0 – Д220 0,05 0,5 – 50 1,5 – Д220А 0,05 0,5 – 50 1,5 – Д220Б 0,05 0,5 – 100 1,5 – Д220С 0,05 0,5 – – 0,63 – Д223С 0,05 0,5 – – 0,64 – Д311 0,04 0,5 30 30 0,4 – Д311А 0,08 0,6 30 30 0,4 – Д311Б 0,02 0,5 30 30 0,5 – Д312 0,05 0,5 100 100 1,5 – КД209А {0,7} 15 400 400 1,0 {1} КД209Б {0,5} 15 600 600 1,0 {1} КД209В {0,3} 15 800 800 1,0 {1} КД212А 1 50 200 200 1,0 КД212Б 1 50 200 200 1,2 КД212В 1 50 100 100 1,0 КД212Г 1 50 100 100 1,2 Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Iпр.макс, Тип диода Iпр.и.макс, А Uобр.и.макс, В Uобр.макс, В Uпр, В fмакс, {f}, кГц {Iпр.ср.макс}, А КД213А 10 100 200 200 1,0 КД213Б 10 100 200 200 1,2 КД213В 10 100 200 200 1,0 КД213Г 10 100 100 100 1,2 КД221А {0,7} 1 100 – – {1} КД221Б {0,5} 1 200 – – {1} КД221В {0,3} 1 400 – – {1} КД411А 1 11 700 – 1,4 КД411Б 1 11 600 – 1,4 КД411В 1 11 500 – 1,4 КД411Г 1 11 400 – 2 КД411АМ 1 8 700 – 1,4 КД411БМ 1 8 750 – 1,4 КД411ВМ 1 12 600 – 1,4 КД411ГМ 1 12 500 – 2,0 КД520А {0,02} 0,05 20 15 1,0 – КД2991А {60} 800 450 – 0,68 КД2994А {20} – 100 100 1,01 КД2995Б {20} – 70 – 1,1 КД2995В {20} – 100 – 1,1 КД2995Г {20} – 50 – 1,1 КД2995Д {20} – 70 – 1,1 КД2995Е {20} – 100 – 1,1 КД2996А {50} – 50 – 0,86 КД2996Б {50} – 70 – 0,86 КД2996В {50} – 100 – 0,86 КД2997В 30, {30} – 100 50 1,0 КД2998А {30} – 15 – 0,52 КД2998Б {30} – 20 – 0,52 КД2998В {30} – 25 – 0,7 КД2998Г {30} – 35 – 0,7 КД2998Д {30} – 30 – 0,61 КД2999А 20, {20} – 250 200 0,85 КД2999Б 20, {20} – 200 100 0,85 Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Iпр.макс, Тип диода Iпр.и.макс, А Uобр.и.макс, В Uобр.макс, В Uпр, В fмакс, {f}, кГц {Iпр.ср.макс}, А КД2999В 20, {20} – 100 50 0,85 КЦ106А 0,01 0,02 4000 – 35 50, {20} КЦ106Б 0,01 0,02 6000 – 35 50, {20} КЦ106В 0,01 0,02 8000 – 35 50, {20} КЦ106Г 0,01 0,02 10000 – 35 {20} КЦ106Д 0,01 0,02 2000 – 35 {20} КЦ109А 0,3 – 6000 – 7,0 {15,6} Диоды КД209 маркируются цветными точками и полосами: КД209А – точка отсутствует, полоса красного цвета;

КД209Б – точка зелёного цвета, полоса красного цвета;

КД209В – точка красного цвета, полоса красного цвета.

Таблица 3.1.4. Высоковольтные выпрямительные селеновые столбы [30, стр. 642].

Тип прибора Uобр.макс, кВ Iвыпр.ср.макс*, мА Длина столба L, мм, не более 3ГЕ130АФ 3,0 0,06 – 3ГЕ220АФ 5,0 0,06 5ГЕ40АФ 1,0 1,2 5ГЕ60АФ 1,5 1,2 5ГЕ80АФ 2,0 1,2 5ГЕ100АФ 2,5 1,2 5ГЕ140АФ 3,5 1,2 5ГЕ200АФ 5,0 1,2 5ГЕ600АФ 15,0 1,2 * Максимально допустимое значение выпрямленного тока при использовании столба в однополупериодном выпрямителе с активной нагрузкой.

Столбы, обозначение которых начинается с цифры 3, имеют диаметр D 4 мм, а с цифры 5 – 6 мм (5ГЕ600АФ имеет диаметр 9 мм). Габаритные размеры столбов показаны ниже.

3ГЕ130АФ-5ГЕ600АФ L D Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru 3.2 Диодные сборки Таблица 3.2.1. Диодные сборки (приборы не установлены на радиаторы).

Тип прибора Iпр.ср.макс, А Uобр.и.макс, В Uпр при Iпр.макс, В fмакс, кГц КЦ205А 0,5 500 1 КЦ205Б 0,5 400 1 КЦ205В 0,5 300 1 КЦ205Г 0,5 200 1 КЦ205Д 0,5 100 1 КЦ205Е 0,3 500 1 КЦ205Ж 0,5 600 1 КЦ205И 0,3 700 1 КЦ205К 0,7 100 1 КЦ205Л 0,7 200 1 КЦ402А 1 600 4 КЦ402Б 1 500 4 КЦ402В 1 400 4 КЦ402Г 1 300 4 КЦ402Д 1 200 4 КЦ402Е 1 100 4 КЦ402Ж 0,6 600 4 КЦ402И 0,6 500 4 КЦ403А 1 600 4 КЦ403Б 1 500 4 КЦ403В 1 400 4 КЦ403Г 1 300 4 КЦ403Д 1 200 4 КЦ403Е 1 100 4 КЦ403Ж 0,6 600 4 КЦ403И 0,6 500 4 КЦ404А 1 600 4 КЦ404Б 1 500 4 КЦ404В 1 400 4 КЦ404Г 1 300 4 КЦ404Д 1 200 4 Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Тип прибора Iпр.ср.макс, А Uобр.и.макс, В Uпр при Iпр.макс, В fмакс, кГц КЦ404Е 1 100 4 КЦ404Ж 0,6 600 4 КЦ404И 0,6 500 4 КЦ405А 1 600 4 КЦ405Б 1 500 4 КЦ405В 1 400 4 КЦ405Г 1 300 4 КЦ405Д 1 200 4 КЦ405Е 1 100 4 КЦ405Ж 0,6 600 4 КЦ405И 0,6 500 4 КЦ407А 0,5 300 2,5 КЦ410А 3 50 1,2 – КЦ410Б 3 100 1,2 – КЦ410В 3 200 1,2 – КД906А 0,1 75 1 КД906Б 0,1 50 1 КД906В 0,1 30 1 КД906Г 0,1 75 1 КД906Д 0,1 50 1 КД906Е 0,1 30 1 Приборы КД205А – КД205Л – диоды кремниевые диффузионные. В пластмассовом корпусе собираются по два электрически не соединённых диода. Масса прибора не более 6 г.

Расположение выводов диодных сборок типов КЦ402, КЦ403, КЦ404, КЦ указано на корпусах сборок.

КЦ405А Расположение выводов диодной сборки типа КЦ407А указано на следующем рисунке 1.

Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru 3 3 2 2 1 Жёлтая точка - вывод 1 Рис. Диодные сборки КД906 состоят из 4 кремниевых диодов. Диоды сборок КД906А, КД906Б, КД906В соединены по схеме моста (смотрите ниже приведённый рисунок 2).

КД906А, Б, В КД906Г, Д, Е 1 2 3 4 1 2 Рис. КЦ410А – КЦ410В – блоки из кремниевых диффузионных диодов [25, стр. 161].

Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип блока и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Диоды в сборке собраны по однофазной мостовой схеме. Масса блока не более 20 г.

Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru 3.3 Светодиоды Таблица 3.3.1. Светодиоды.

Свето- t окружающей фронта светово- спада светово- Рису, мкм Примечание диод среды, °C го импульса, нс го импульса, нс нок АЛ103А 0,95 25 200 – 300 500 Инфракрасные АЛ103Б 0,95 25 200 – 300 500 Инфракрасные АЛ106А 0,92…0,935 25±10 10 20 Инфракрасные АЛ106Б 0,92…0,935 25±10 10 20 Инфракрасные АЛ106В 0,92…0,935 25±10 10 20 Инфракрасные АЛ107А 0,9…1,2 -40…+85 20 – Инфракрасные АЛ107Б 0,9…1,2 -40…+85 20 – Инфракрасные АЛ109А 0,92…0,96 25 400 – 2400 1200 Бескорпусные Рисунки к таблице 3.3.1.

Направление излучения + Не излучающая поверхность Рис. 1 Рис. 3 Рис. Рис. АЛ Утолщение "+" Рис. Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Таблица 3.3.2. Светодиоды красного цвета свечения [6, стр. 202 – 203], [28, стр. – 117], [41].

Значения параметров при T = 25 C Предельные значения при T = 25 C I, мккд Uобр.

Тип прибора Iпр, Uпр, Iпр, макс, Iпр.макс, Iпр.и.

Uпр (L, кд/м2) tи, мс макс, мА В мА мкм мА макс, мА [Ie, мВт/ср] В 1П5А-К 900 10 2 10 0,65…0,67 12 – 1П5Б-К 2000 10 2 10 0,65…0,67 12 – 1П6А-К 900 10 2 10 0,65…0,675 12 – – – 1П6Б-К 2000 10 2 10 0,65…0,675 12 – – – 1П6А-П 700 10 2 10 0,65…0,675 12 – – – 1П6А-Л 4000 10 2 10 0,66 12 – – – 1П7А-К 900 10 2 10 0,65…0,675 12 – – – 1П7Б-К 2000 10 2 10 0,65…0,675 12 – – – 1П7А-П 700 10 2 10 0,65…0,675 12 – – – 1П7А-Л 4000 10 2 10 0,66 12 – – – 1П8А-К 600 10 2 10 0,65…0,675 12 – – – 1П8Б-К 1000 10 2 10 0,65…0,675 12 – – – 1П8А-П 700 10 2 10 0,65…0,675 12 – – – 1П8А-Л 1500 10 2 10 0,66 12 – – – 1П9А-К 600 10 2 10 0,65…0,675 12 – – – 1П9Б-К 1000 10 2 10 0,65…0,675 12 – – – 1П9А-П 700 10 2 10 0,65…0,675 12 – – – 1П9А-Л 1500 10 2 10 0,66 12 – – – 1П10А-К 900 10 2 10 0,65…0,675 12 – – – 1П10А-П 700 10 2 10 0,65…0,675 12 – – – 1П10А-Л 10000 10 2 10 0,66 12 – – – 1П10Б-К 2000 10 2 10 0,65…0,675 12 – – – 1П12А-П 700 10 2 10 0,65…0,68 12 – – – 1П16А-П 20000 10 2 10 0,66 12 – – – 1П18А-К 900 10 2 10 0,65…0,675 12 – – – 1П18А-Л 10000 10 2 10 0,66 12 – – – 1П18А-П 700 10 2 10 0,65…0,675 12 – – – 1П18Б-К 2000 10 2 10 0,65…0,675 12 – – – 1П19А-К 900 10 2 10 0,65…0,675 12 – – – 1П19А-Л 10000 10 2 10 0,65…0,675 12 – – – 1П19А-П 700 10 2 10 0,65…0,675 12 – – – 1П19Б-К 2000 10 2 10 0,65…0,675 12 – – – 3Л102А 20 5 3 5 0,69 20 60 2 10 3Л102Б 100 10 3 10 0,69 20 60 2 10 Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Значения параметров при T = 25 C Предельные значения при T = 25 C I, мккд Uобр.

Тип прибора Iпр, Uпр, Iпр, макс, Iпр.макс, Iпр.и.

Uпр (L, кд/м2) tи, мс макс, мА В мА мкм мА макс, мА [Ie, мВт/ср] В 3Л102Г 60 10 3 10 0,69 20 60 2 10 3Л102Д 200 20 3 20 0,69 20 60 2 10 3Л365А [0,1] 20 2 20 0,675 30 100 20 10 – АЛ102АМ 130 5 2,8 5 0,69 20 60 2 10 АЛ102БМ 200 10 2,8 10 0,69 20 60 2 10 АЛ102ГМ 400 10 2,8 10 0,69 20 60 2 10 АЛ112А (1000) 10 2 10 0,68 12 – – – – АЛ112Б (600) 10 2 10 0,68 12 – – – – АЛ112В (250) 10 2 10 0,68 12 – – – – АЛ112Г (350) 10 2 10 0,68 12 – – – – АЛ112Д (150) 10 2 10 0,68 12 – – – – АЛ112Е (1000) 10 2 10 0,68 12 – – – – АЛ112Ж (600) 10 2 10 0,68 12 – – – – АЛ112И (250) 10 2 10 0,68 12 – – – – АЛ112К (1000) 10 2 10 0,68 12 – – – – АЛ112Л (600) 10 2 10 0,68 12 – – – – АЛ112М (250) 10 2 10 0,68 12 – – – – АЛ301А-1 25 5 2,8 5 0,7 11 – – – – АЛ301Б-1 100 10 2,8 10 0,7 11 – – – – АЛ307АМ 200 10 2 10 0,665 22 100 2 10 АЛ307БМ 900 10 2 10 0,665 22 100 2 10 АЛ307КМ 2000 10 2 10 0,665 22 100 2 10 АЛ307ЛМ 6000 10 2 10 0,665 22 100 2 10 АЛ316А 800 10 2 10 0,67 20 – – – – АЛ316Б 250 10 2 10 0,67 20 – – – – АЛ310А 600 10 2 10 0,67 12 – – – АЛ310Б 250 10 2 10 0,67 12 – – – АЛ336А 6000 10 2 10 0,655…0,68 20 100 2 10 АЛ336Б 20000 10 2 10 0,655…0,68 20 100 2 10 АЛ336К 40000 10 2 10 0,655…0,68 20 100 2 10 АЛ341А 150 10 2,8 10 0,69…0,71 20 60 2 10 АЛ341Б 500 10 2,8 10 0,69…0,71 20 60 2 10 АЛ341И 300 10 2 10 0,69…0,71 30 100 2 10 АЛ341К 700 10 2 10 0,69…0,71 30 100 2 10 ИПД04А-1К 15000 10 2 10 0,7 30 – – – ИПД04Б-1К 10000 10 2 10 0,7 30 – – – Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Значения параметров при T = 25 C Предельные значения при T = 25 C I, мккд Uобр.

Тип прибора Iпр, Uпр, Iпр, макс, Iпр.макс, Iпр.и.

Uпр (L, кд/м2) tи, мс макс, мА В мА мкм мА макс, мА [Ie, мВт/ср] В ИПД13А-К 14000 10 17,5 10 0,66…0,675 25 55 2,5 5 ИПД14А-К 1000 5 2 5 0,67 20 100 10 ИПД14Б-К 2500 5 2 5 0,67 20 100 10 ИПД25А-К 11500 10 20 10 0,66…0,675 25 55 2,5 5 ИПМ01Б-1К 1000 20 2 20 0,7 30 60 2 10 КИПД02А-1К 400 5 1,8 4 0,7 20 100 2 10 КИПД02Б-1К 1000 5 1,8 4 0,7 20 100 2 10 КИПД05А-1К 200 5 1,8 5 0,7 6 20 2 10 КИПД06А-1К 4000 25 5,5 25 0,7 25 75 2 10 КИПД06Б-1К 6000 25 5,5 25 0,7 25 75 2 10 КИПД07А-К 400 5 1,8 5 0,67 20 100 1 10 КИПД07Б-К 150 5 1,8 5 0,67 20 100 1 10 КИПД14А-К 1000 5 2 5 0,67 20 100 1 10 КИПД14А1-К 1000 2 2 2 0,67 20 100 1 10 КИПД14Б-К 2500 5 2 5 0,67 20 100 10 КИПД17А-К 2000 10 2,5 10 0,66 20 – – – КИПД17Б-К 1000 10 2,5 10 0,66 20 – – – КИПД17В-К 500 10 2,5 10 0,66 20 – – – КИПД21А-К 1000 10 2 10 0,65…0,67 30 100 2 10 2, КИПД21Б-К 4000 10 2 10 0,65…0,67 30 100 2 10 2, КИПД21В-К 8000 20 2 20 0,65…0,67 30 100 2 10 2, КИПД23А-К 200 2 2 2 – 20 100 1 10 – КИПД23А1-К 700 2 2 2 – 20 100 1 10 – КИПД23А2-К 400 2 2 2 – 20 100 1 10 – КИПД24А-К 1000 5 2,5 5 – 20 100 1 10 КИПД24Б-К 2500 5 2,5 5 – 20 100 1 10 КИПД24В-К 4000 5 2,5 5 – 20 100 1 10 КИПД31А-К 500 10 2 10 0,65…0,67 20 100 2 10 КИПД31Б-К 1000 10 2 10 0,65…0,67 20 100 2 10 КИПД31В-К 2000 10 2 10 0,65…0,67 20 100 2 10 КИПД31Г-К 4000 10 2 10 0,65…0,67 20 100 2 10 КИПД35А-К 1000 20 2 20 0,65…0,69 30 100 1 10 2, КИПД35Б-К 3000 20 2 20 0,65…0,69 30 100 1 10 2, КИПД35В-К 5000 20 2 20 0,65…0,69 30 100 1 10 2, КИПД36А1-К 10000 20 2 20 – 30 100 1 10 КИПД36Б1-К 15000 20 2 20 – 30 100 1 10 Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Значения параметров при T = 25 C Предельные значения при T = 25 C I, мккд Uобр.

Тип прибора Iпр, Uпр, Iпр, макс, Iпр.макс, Iпр.и.

Uпр (L, кд/м2) tи, мс макс, мА В мА мкм мА макс, мА [Ie, мВт/ср] В КИПМ01А-1К 400 10 2 10 0,7 30 60 2 10 КИПМ01Б-1К 1000 10 2 10 0,7 30 60 2 10 КИПМ02А-1К 400 10 2 10 0,7 30 60 2 10 КИПМ02Б-1К 1000 10 2 10 0,7 30 70 2 10 КИПМ03А-1К 400 10 2 10 0,7 30 70 2 10 КИПМ03Б-1К 1000 10 2 10 0,7 30 70 2 10 КИПМ04А-1К 400 10 2 10 0,7 30 70 2 10 КИПМ04Б-1К 1000 10 2 10 0,7 30 70 2 10 КИПМ05А-1К 800 10 1,9 10 – 30 60 1 10 КИПМ05А1-1К 500 10 1,9 10 – 30 60 1 10 КИПМ05Б-1К 1200 10 1,9 10 – 30 60 1 10 КИПМ05Б1-1К 800 10 1,9 10 – 30 60 1 10 КИПМ06А-1К 800 10 1,9 10 – 30 60 1 10 КИПМ06А1-1К 500 10 1,9 10 – 30 60 1 10 КИПМ06Б-1К 1200 10 1,9 10 – 30 60 1 10 КИПМ06Б1-1К 800 10 1,9 10 – 30 60 1 10 КИПМ07А-1К 800 10 1,9 10 – 30 60 1 10 КИПМ07А1-1К 500 10 1,9 10 – 30 60 1 10 КИПМ07Б-1К 1200 10 1,9 10 – 30 60 1 10 КИПМ07Б1-1К 800 10 1,9 10 – 30 60 1 10 КИПМ10А-1К 3000 10 2 10 – 30 – – – – КИПМ10Б-1К 2000 10 2 10 – 30 – – – – КИПМ10В-1К 1000 10 2 10 – 30 – – – – КИПМ10Г-1К 500 10 2 10 – 30 – – – – КИПМ11А-1К 3000 10 2 10 – 30 – – – – КИПМ11Б-1К 2000 10 2 10 – 30 – – – – КИПМ11В-1К 1000 10 2 10 – 30 – – – – КИПМ11Г-1К 500 10 2 10 – 30 – – – – КИПМ12А-1К 3000 10 2 10 – 30 – – – – КИПМ12Б-1К 2000 10 2 10 – 30 – – – – КИПМ12В-1К 1000 10 2 10 – 30 – – – – КИПМ12Г-1К 500 10 2 10 – 30 – – – – КИПМ13А-1К 3000 10 2 10 – 30 – – – – КИПМ13Б-1К 2000 10 2 10 – 30 – – – – КИПМ13В-1К 1000 10 2 10 – 30 – – – – КИПМ13Г-1К 500 10 2 10 – 30 – – – – Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Значения параметров при T = 25 C Предельные значения при T = 25 C I, мккд Uобр.

Тип прибора Iпр, Uпр, Iпр, макс, Iпр.макс, Iпр.и.

Uпр (L, кд/м2) tи, мс макс, мА В мА мкм мА макс, мА [Ie, мВт/ср] В КИПМ14А-1К 3000 10 2 10 – 30 – – – – КИПМ14Б-1К 2000 10 2 10 – 30 – – – – КИПМ14В-1К 1000 10 2 10 – 30 – – – – КИПМ14Г-1К 500 10 2 10 – 30 – – – – КИПМ15А-1К 3000 10 2 10 – 30 – – – – КИПМ15Б-1К 2000 10 2 10 – 30 – – – – КИПМ15В-1К 1000 10 2 10 – 30 – – – – КИПМ15Г-1К 500 10 2 10 – 30 – – – – Максимальная температура для светодиодов, приведённых в таблице 3.3.2 – 70 C.

Исключения: КИПД17А-К, КИПД17Б-К, КИПД17В-К – 85 C и КИПД06-1К, КИПД06Б-1К – 55 C.

Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Таблица 3.3.3. Светодиоды жёлтого цвета свечения [6, стр. 203 – 204], [28, стр. – 118], [41].

Значения параметров при T = 25 C Предельные значения при T = 25 C Uобр.

Тип прибора I, мккд Iпр, Uпр, Iпр, макс, Iпр.макс, Iпр.и.

Uпр tи, мс макс, (L, кд/м2) мА В мА мкм мА макс, мА В 1П5А-Ж 400 20 2,8 20 0,58…0,6 22 – – – 1П5Б-Ж 1000 20 2,8 20 0,58…0,6 22 – – – 1П6А-Ж 400 20 2,8 20 0,58…0,6 22 – – – 1П6Б-Ж 1000 20 2,8 20 0,58…0,6 22 – – – 1П7А-Ж 400 20 2,8 20 0,58…0,6 22 – – – 1П7Б-Ж 1000 20 2,8 20 0,58…0,6 22 – – – 1П8А-Ж 400 20 2,8 20 0,58…0,6 22 – – – 1П8Б-Ж 1000 20 2,8 20 0,58…0,6 22 – – – 1П9А-Ж 400 20 2,8 20 0,58…0,6 22 – – – 1П9Б-Ж 1000 20 2,8 20 0,58…0,6 22 – – – 1П10А-Ж 400 20 2,8 20 0,58…0,6 22 – – – 1П10Б-Ж 1000 20 2,8 20 0,58…0,6 22 – – – 1П13А-Ж 400 20 2,8 20 0,58…0,6 22 – – – 1П13Б-Ж 1000 20 2,8 20 0,58…0,6 22 – – – 1П13В-Ж 2000 20 2,8 20 0,58…0,6 22 – – – 1П18А-Ж 400 20 2,8 20 0,58…0,6 22 – – – 1П18Б-Ж 1000 20 2,8 20 0,58…0,6 22 – – – 1П19А-Ж 400 20 2,8 20 0,58…0,6 22 – – – 1П19Б-Ж 1000 20 2,8 20 0,58…0,6 22 – – – АЛ307ДМ 400 10 2,5 10 0,56;

0,7 22 60 2 10 АЛ307ЕМ 1500 10 2,5 10 0,56;

0,7 22 60 2 10 АЛ307ЖМ 6000 10 2,5 10 0,56;

0,7 22 60 2 10 АЛ310Д 600 10 3,5 10 0,67;

0,56 12 – – – АЛ310Е 250 10 3,5 10 0,67;

0,56 12 – – – АЛ336Д 4000 10 2,8 10 0,675…0,702 20 60 2 10 АЛ336Е 10000 10 2,8 10 0,675…0,702 20 60 2 10 АЛ336Ж 15000 10 2,8 10 0,675…0,702 20 60 2 10 0,68…0,7;

АЛ341Д 150 10 2,8 10 22 22 2 10 0,55…0, 0,68…0,7;

АЛ341Е 500 10 2,8 10 22 22 2 10 0,55…0, ИПД13Б-Ж 8000 10 17,5 10 0,582…0,595 25 55 2,5 5 ИПД25Б-Ж 8000 10 20 10 0,582…0,595 25 55 2,5 5 КИПД02Д-1Ж 250 5 2,5 4 0,63 20 60 2 10 Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Значения параметров при T = 25 C Предельные значения при T = 25 C Uобр.

Тип прибора I, мккд Iпр, Uпр, Iпр, макс, Iпр.макс, Iпр.и.

Uпр tи, мс макс, (L, кд/м2) мА В мА мкм мА макс, мА В КИПД02Е-1Ж 650 5 2,5 4 0,63 20 60 2 10 КИПД05В-1Ж 100 5 2,5 5 0,63 6 20 2 10 КИПД14Е-Ж 1000 10 2 10 – 20 60 1 10 КИПД14И-Ж 1500 10 2 10 – 20 60 1 10 КИПД17А-Ж 1500 10 3 10 0,58 18 – – – КИПД17Б-Ж 750 10 3 10 0,58 18 – – – КИПД17В-Ж 400 10 3 10 0,58 18 – – – КИПД24А-Ж 1000 10 3 10 – 18 60 1 10 КИПД24Б-Ж 2500 10 3 10 – 18 60 1 10 КИПД24В-Ж 4000 10 3 10 – 18 60 1 10 КИПД35А-Ж 1000 20 2,8 20 0,565…0,625 30 100 1 10 2, КИПД35Б-Ж 3000 20 2,8 20 0,565…0,625 30 100 1 10 2, КИПД35В-Ж 5000 20 2,8 20 0,565…0,625 30 100 1 10 2, КИПД36Д1-Ж 7000 30 3 30 – 30 100 1 10 КИПД36Е1-Ж 10000 30 3 30 – 30 100 1 10 КИПМ05Д-1Ж 800 20 2,5 20 – 30 100 1 10 КИПМ05Д1-1Ж 500 20 2,5 20 – 30 60 1 10 КИПМ05Е-1Ж 1200 20 2,5 20 – 30 60 1 10 КИПМ05Е1-1Ж 800 20 2,5 20 – 30 60 1 10 КИПМ06Д-1Ж 800 20 2,5 20 – 30 60 1 10 КИПМ06Д1-1Ж 500 20 2,5 20 – 30 60 1 10 КИПМ06Е-1Ж 1200 20 2,5 20 – 30 60 1 10 КИПМ06Е1-1Ж 800 20 2,5 20 – 30 60 1 10 КИПМ07Д-1Ж 800 20 2,5 20 – 30 60 1 10 КИПМ07Д1-1Ж 500 20 2,5 20 – 30 60 1 10 КИПМ07Е-1Ж 1200 20 2,5 20 – 30 60 1 10 КИПМ07Е1-1Ж 800 20 2,5 20 – 30 60 1 10 КИПМ10И-1Ж 400 20 2,8 20 – 30 – – – – КИПМ10К-1Ж 750 20 2,8 20 – 30 – – – – КИПМ11И-1Ж 400 20 2,8 20 – 30 – – – – КИПМ11К-1Ж 750 20 2,8 20 – 30 – – – – КИПМ12И-1Ж 400 20 2,8 20 – 30 – – – – КИПМ12К-1Ж 750 20 2,8 20 – 30 – – – – КИПМ13И-1Ж 400 20 2,8 20 – 30 – – – – КИПМ13К-1Ж 750 20 2,8 20 – 30 – – – – КИПМ14И-1Ж 400 20 2,8 20 – 30 – – – – Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Значения параметров при T = 25 C Предельные значения при T = 25 C Uобр.

Тип прибора I, мккд Iпр, Uпр, Iпр, макс, Iпр.макс, Iпр.и.

Uпр tи, мс макс, (L, кд/м2) мА В мА мкм мА макс, мА В КИПМ14К-1Ж 750 20 2,8 20 – 30 – – – – КИПМ15И-1Ж 400 20 2,8 20 – 30 – – – – КИПМ15К-1Ж 750 20 2,8 20 – 30 – – – – КЛ101А (10) 10 5,5 10 0,64 10 – – – – КЛ101Б (15) 20 5,5 20 0,64 20 – – – – КЛ101В (20) 40 5,5 40 0,64 40 – – – – Максимальная температура для светодиодов, приведённых в таблице 3.3.3 – 70 C.

Исключения: КИПД17А-Ж, КИПД17Б-Ж, КИПД17В-Ж – 85 C.

Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Таблица 3.3.4. Светодиоды оранжевого цвета свечения [6, стр. 203], [28, стр. 118 – 119].

Значения параметров при T = 25 C Предельные значения при T = 25 C Uобр.

Тип прибора Iпр, Uпр, Iпр, макс, Iпр.макс, Iпр.и.

Uпр I, мккд tи, мс макс, мА В мА мкм мА макс, мА В 1П5А-О 400 20 2,8 20 0,63…0,65 22 – – – 1П5Б-О 1000 20 2,8 20 0,63…0,65 22 – – – 1П6А-О 400 20 2,8 20 0,63…0,65 22 – – – 1П6Б-О 1000 20 2,8 20 0,63…0,65 22 – – – 1П7А-О 400 20 2,8 20 0,63…0,65 22 – – – 1П7Б-О 1000 20 2,8 20 0,63…0,65 22 – – – 1П8А-О 400 20 2,8 20 0,63…0,65 22 – – – 1П8Б-О 1000 20 2,8 20 0,63…0,65 22 – – – 1П9А-О 400 20 2,8 20 0,63…0,65 22 – – – 1П9Б-О 1000 20 2,8 20 0,63…0,65 22 – – – 1П10А-О 400 20 2,8 20 0,63…0,65 22 – – – 1П10Б-О 1000 20 2,8 20 0,63…0,65 22 – – – 1П14А-О 400 20 2,8 20 0,63…0,65 22 – – – 1П14Б-О 1000 20 2,8 20 0,63…0,65 22 – – – 1П14В-О 2000 20 2,8 20 0,63…0,65 22 – – – 1П18А-О 400 20 2,8 20 0,63…0,65 22 – – – 1П18Б-О 1000 20 2,8 20 0,63…0,65 22 – – – 1П19А-О 400 20 2,8 20 0,63…0,65 22 – – – 1П19Б-О 1000 20 2,8 20 0,63…0,65 22 – – – КИПД36Ж1-Р 7000 30 3 30 – 30 100 1 10 КИПД36И1-Р 15000 30 3 30 – 30 100 1 10 КИПМ10Л-1Р 400 20 2,8 20 – 30 – – – – КИПМ10М-1Р 750 20 2,8 20 – 30 – – – – КИПМ11Л-1Р 400 20 2,8 20 – 30 – – – – КИПМ11М-1Р 750 20 2,8 20 – 30 – – – – КИПМ12Л-1Р 400 20 2,8 20 – 30 – – – – КИПМ12М-1Р 750 20 2,8 20 – 30 – – – – КИПМ13Л-1Р 400 20 2,8 20 – 30 – – – – КИПМ13М-1Р 750 20 2,8 20 – 30 – – – – КИПМ14Л-1Р 400 20 2,8 20 – 30 – – – – КИПМ14М-1Р 750 20 2,8 20 – 30 – – – – КИПМ15Л-1Р 400 20 2,8 20 – 30 – – – – КИПМ15М-1Р 750 20 2,8 20 – 30 – – – – Максимальная температура для всех светодиодов в таблице 3.3.4 равна 70 C.

Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Таблица 3.3.5. Светодиоды зелёного цвета свечения [6, стр. 204 – 205], [28, стр. – 121], [41].

Значения параметров при T = 25 C Предельные значения при T = 25 C Uобр.

Тип прибора Iпр, Uпр, Iпр, макс, Iпр.макс, Iпр.и.

Uпр I, мккд tи, мс макс, мА В мА мкм мА макс, мА В 1П5А-З 400 20 2,8 20 0,55…0,57 22 – – – 1П5Б-З 1000 20 2,8 20 0,55…0,57 22 – – – 1П5А-И 400 20 2,8 20 0,55…0,57 22 – – – 1П5Б-И 1000 20 2,8 20 0,55…0,57 22 – – – 1П6А-З 400 20 2,8 20 0,55…0,57 22 – – – 1П6А-И 400 20 2,8 20 0,55…0,57 22 – – – 1П6Б-З 1000 20 2,8 20 0,55…0,57 22 – – – 1П6Б-И 1000 20 2,8 20 0,55…0,57 22 – – – 1П7А-З 400 20 2,8 20 0,55…0,57 22 – – – 1П7А-И 400 20 2,8 20 0,55…0,57 22 – – – 1П7Б-З 1000 20 2,8 20 0,55…0,57 22 – – – 1П7Б-И 1000 20 2,8 20 0,55…0,57 22 – – – 1П8А-З 400 20 2,8 20 0,55…0,57 22 – – – 1П8А-И 400 20 2,8 20 0,55…0,57 22 – – – 1П8Б-З 1000 20 2,8 20 0,55…0,57 22 – – – 1П8Б-И 1000 20 2,8 20 0,55…0,57 22 – – – 1П9А-З 400 20 2,8 20 0,55…0,57 22 – – – 1П9А-И 400 20 2,8 20 0,55…0,57 22 – – – 1П9Б-З 1000 20 2,8 20 0,55…0,57 22 – – – 1П9Б-И 1000 20 2,8 20 0,55…0,57 22 – – – 1П10А-З 400 20 2,8 20 0,55…0,57 22 – – – 1П10А-И 400 20 2,8 20 0,55…0,57 22 – – – 1П10Б-З 1000 20 2,8 20 0,55…0,57 22 – – – 1П10Б-И 1000 20 2,8 20 0,55…0,57 22 – – – 1П15А-И 400 20 2,8 20 0,55…0,57 22 – – – 1П15Б-И 1000 20 2,8 20 0,55…0,57 22 – – – 1П15В-И 2000 20 2,8 20 0,55…0,57 22 – – – 1П18А-З 400 20 2,8 20 0,55…0,57 22 – – – 1П18А-И 400 20 2,8 20 0,55…0,57 22 – – – 1П18Б-З 1000 20 2,8 20 0,55…0,57 22 – – – 1П19А-З 400 20 2,8 20 0,55…0,57 22 – – – 1П19А-И 400 20 2,8 20 0,55…0,57 22 – – – 1П19Б-З 1000 20 2,8 20 0,55…0,57 22 – – – 1П19Б-И 1000 20 2,8 20 0,55…0,57 22 – – – Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Значения параметров при T = 25 C Предельные значения при T = 25 C Uобр.

Тип прибора Iпр, Uпр, Iпр, макс, Iпр.макс, Iпр.и.

Uпр I, мккд tи, мс макс, мА В мА мкм мА макс, мА В 3Л102В 250 20 2,8 20 0,53 22 60 2 10 АЛ102ВМ 450 20 2,8 20 0,56 22 60 2 10 АЛ102ДМ 600 20 2,8 20 0,56 22 60 2 10 АЛ307ВМ 400 20 2,8 20 0,567 22 60 2 10 АЛ307ГМ 1500 20 2,8 20 0,567 22 60 2 10 АЛ307НМ 6000 20 2,8 20 0,567 22 60 2 10 АЛ307ПМ 16000 20 2,8 20 0,567 22 60 2 10 АЛ310В 600 10 3,5 10 0,55 12 – – – АЛ310Г 250 10 3,5 10 0,55 12 – – – АЛ336В 10000 10 2,8 10 0,554…0,572 20 60 2 10 АЛ336Г 15000 10 2,8 10 0,554…0,572 20 60 2 10 АЛ336И 20000 10 2,8 10 0,554…0,572 20 60 2 10 АЛ336И1 20000 10 2,8 10 0,554…0,572 20 60 2 10 АЛ336Н 50000 10 2,8 10 0,554…0,572 20 60 2 10 АЛ341В 150 10 2,8 10 0,55…0,56 22 60 2 10 АЛ341Г 500 10 2,8 10 0,55…0,56 22 60 2 10 ИПД01А-1Л 800 10 7 10 0,55…0,56 12 250 10 16 ИПД13В-Л 11500 10 17,5 10 0,558…0,57 25 55 2,5 5 ИПД14В-Л 500 10 2,5 10 – 20 60 1 10 ИПД14Г-Л 1000 10 2,5 10 – 20 60 1 10 ИПД14Д-Л 1500 10 2,5 10 – 20 60 1 10 ИПД25В-Л 11500 10 20 10 0,558…0,57 25 55 2,5 5 ИПМ01Д-1Л 2500 20 2,8 20 0,56 30 60 2 10 КИПД01А-1Л 800 10 7 10 0,55…0,56 12 250 10 16 КИПД01Б-1Л 600 10 7 10 0,55…0,56 12 250 10 16 КИПД02В-1Л 250 5 2,5 4 0,55 20 60 2 10 КИПД02Г-1Л 500 5 2,5 4 0,55 20 60 2 10 КИПД05Б-1Л 100 5 2,5 5 0,55 6 20 2 10 КИПД06В-1Л 3000 25 7,5 25 – 25 50 2 10 КИПД06Г-1Л 5000 25 7,5 25 – 25 50 2 10 КИПД14В-Л 500 10 2,5 10 – 20 60 1 10 КИПД14Г-Л 1000 10 2,5 10 – 20 60 1 10 КИПД14Д-Л 1500 10 2,5 10 – 20 60 1 10 КИПД17А-Л 1500 10 3 10 0,56 18 – – – КИПД17Б-Л 750 10 3 10 0,56 18 – – – КИПД17В-Л 400 10 3 10 0,56 18 – – – Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Значения параметров при T = 25 C Предельные значения при T = 25 C Uобр.

Тип прибора Iпр, Uпр, Iпр, макс, Iпр.макс, Iпр.и.

Uпр I, мккд tи, мс макс, мА В мА мкм мА макс, мА В КИПД24А-Л 1000 10 3 10 – 18 60 1 10 КИПД24Б-Л 2500 10 3 10 – 18 60 1 10 КИПД24В-Л 4000 10 3 10 – 18 60 1 10 КИПД35А-Л 1000 20 2,8 20 0,535…0,59 30 100 1 10 2, КИПД35Б-Л 3000 20 2,8 20 0,535…0,59 30 100 1 10 2, КИПД35В-Л 5000 20 2,8 20 0,535…0,59 30 100 1 10 2, КИПД36В1-Л 7000 20 2,8 20 – 30 100 1 10 КИПД36Г1-Л 10000 20 2,8 20 – 30 100 1 10 КИПМ01В-1Л 400 20 2,8 20 0,56 30 60 2 10 КИПМ01Г-1Л 1000 20 2,8 20 0,56 30 60 2 10 КИПМ01Д-1Л 2500 20 2,8 20 0,56 30 60 2 10 КИПМ02В-1Л 400 20 2,8 20 0,56 30 70 2 10 КИПМ02Г-1Л 1000 20 2,8 20 0,56 30 70 2 10 КИПМ02Д-1Л 2500 20 2,8 20 0,56 30 70 2 10 КИПМ03В-1Л 400 20 2,8 20 0,56 30 70 2 10 КИПМ03Г-1Л 1000 20 2,8 20 0,56 30 70 2 10 КИПМ03Д-1Л 2500 20 2,8 20 0,56 30 70 2 10 КИПМ04В-1Л 400 20 2,8 20 0,56 30 70 2 10 КИПМ04Г-1Л 1000 20 2,8 20 0,56 30 70 2 10 КИПМ04Д-1Л 2500 20 2,8 20 0,56 30 70 2 10 КИПМ05В-1Л 800 20 2,8 20 – 30 60 1 10 КИПМ05В1-1Л 500 20 2,8 20 – 30 60 1 10 КИПМ05Г-1Л 1200 20 2,8 20 – 30 60 1 10 КИПМ05Г1-1Л 800 20 2,8 20 – 30 60 1 10 КИПМ06В-1Л 800 20 2,8 20 – 30 60 1 10 КИПМ06В1-1Л 500 20 2,8 20 – 30 60 1 10 КИПМ06Г-1Л 1200 20 2,8 20 – 30 60 1 10 КИПМ06Г1-1Л 800 20 2,8 20 – 30 60 1 10 КИПМ07В-1Л 800 20 2,8 20 – 30 60 1 10 КИПМ07В1-1Л 500 20 2,8 20 – 30 60 1 10 КИПМ07Г-1Л 1200 20 2,8 20 – 30 60 1 10 КИПМ07Г1-1Л 800 20 2,8 20 – 30 60 1 10 КИПМ10Д-1Л 2000 20 2,8 20 – 30 – – – – КИПМ10Е-1Л 1000 20 2,8 20 – 30 – – – – КИПМ10Ж-1Л 500 20 2,8 20 – 30 – – – – КИПМ11Д-1Л 2000 20 2,8 20 – 30 – – – – Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Значения параметров при T = 25 C Предельные значения при T = 25 C Uобр.

Тип прибора Iпр, Uпр, Iпр, макс, Iпр.макс, Iпр.и.

Uпр I, мккд tи, мс макс, мА В мА мкм мА макс, мА В КИПМ11Е-1Л 1000 20 2,8 20 – 30 – – – – КИПМ11Ж-1Л 500 20 2,8 20 – 30 – – – – КИПМ12Д-1Л 2000 20 2,8 20 – 30 – – – – КИПМ12Е-1Л 1000 20 2,8 20 – 30 – – – – КИПМ12Ж-1Л 500 20 2,8 20 – 30 – – – – КИПМ13Д-1Л 2000 20 2,8 20 – 30 – – – – КИПМ13Е-1Л 1000 20 2,8 20 – 30 – – – – КИПМ13Ж-1Л 500 20 2,8 20 – 30 – – – – КИПМ14Д-1Л 2000 20 2,8 20 – 30 – – – – КИПМ14Е-1Л 1000 20 2,8 20 – 30 – – – – КИПМ14Ж-1Л 500 20 2,8 20 – 30 – – – – КИПМ15Д-1Л 2000 20 2,8 20 – 30 – – – – КИПМ15Е-1Л 1000 20 2,8 20 – 30 – – – – КИПМ15Ж-1Л 500 20 2,8 20 – 30 – – – – Максимальная температура для светодиодов, приведённых в таблице 3.3.5 – 70 C.

Исключения: КИПД17А-Л, КИПД17Б-Л, КИПД17В-Л – 85 C и КИПД06В-1Л, КИПД06Г-1Л – 85 C.

Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Таблица 3.3.6. Светодиоды синего цвета свечения [6, стр. 205], [28, стр. 121].

Значения параметров при T = 25 C Предельные значения при T = 25 C Uобр.

Тип прибора Iпр, Uпр, Iпр, макс, Iпр.макс, Iпр.и.

Uпр I, мккд tи, мс макс, мА В мА мкм мА макс, мА В КЛД901А 150 3 12 3 0,466 6 – – – – Таблица 3.3.7. Светодиоды переменного (красного – зелёного) цвета свечения [6, стр. 205], [28, стр. 121].

Значения параметров при T = 25 C Предельные значения при T = 25 C Uобр.

Тип прибора Iпр, Uпр, Iпр, макс, Iпр.макс, Iпр.и.

Uпр tи, I, мккд макс, мс мА В мА мкм мА макс, мА В 0,65…0,67;

1П17-К/З 1000;

400 10;

20 2;

2,8 10;

20 12;

22 – – – 0,55…0, 0,65…0,67;

1П21-К/З 1000;

1000 10;

20 2;

2,8 10;

20 12;

22 – – – 0,55…0, 3ЛС331А 250 10 3 10 0,56;

0,7 20 70 2 10 3ЛС331АМ 1000 10 3 10 0,56;

0,7 20 100;

60 2 10 АЛС331АМ 1000 10 4 10 0,56;

0,7 20 100;

60 2 10 0,61…0,64;

КИПД18А-М 1000 10 2,4;

2,8 10 20 60 1 10 0,563…0, 0,61…0,64;

КИПД18Б-М 3000 10 2,4;

2,8 10 20 60 1 10 0,563…0, КИПД19А-М 2000 10 2,2;

2,8 10 – 20 100;

60 1 10 КИПД19Б-М 4000 10 2,2;

2,8 10 – 20 100;

60 1 10 КИПД37А-М 5000 20 2,2;

2,8 20 – 22 100;

60 1 10 КИПД37А1-М 5000 20 2,2;

2,8 20 – 22 100;

60 1 10 Таблица 3.3.8. Светодиоды переменного (красного, жёлтого и зелёного) цвета свечения [28, стр. 121].

Значения параметров при T = 25 C Предельные значения при T = 25 C Uобр.

Тип прибора Iпр, Uпр, Iпр, макс, Iпр.макс, Iпр.и.

Uпр I, мккд tи, мс макс, мА В мА мкм мА макс, мА В КИПД33А-М 500;

500;

1000 10 2;

2,5;

2,8 10 – 20 90;

60;

90 2 10 КИПД33Б-М 500;

500;

1000 10 2;

2,5;

2,8 10 – 20 90;

60;

90 2 10 Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Таблица 3.3.9. Светодиоды с антистоксовыми люминофорами зелёного цвета свечения [28, стр. 121].

Значения параметров при T = 25 C Предельные значения при T = 25 C Uобр.

Тип прибора Iпр, Uпр, Iпр, макс, Iпр.макс, Iпр.и.

Uпр I, мккд tи, мс макс, мА В мА мкм мА макс, мА В АЛ360А 300 10 1,7 10 0,55…0,56 20 80 3 4 – АЛ360Б 600 10 1,7 10 0,55…0,56 20 80 3 4 – АЛ360А1 300 10 1,7 10 0,55…0,56 20 80 3 4 – АЛ360Б1 600 10 1,7 10 0,55…0,56 20 80 3 4 – Максимальная температура для всех светодиодов, приведённых в таблицах 3.3.6, 3.3.7 – 70 C, а в таблицах 3.3.8 и 3.3.9 – 85 C.

Для подавляющего большинства отечественных светодиодов, полярность которых определяется длинным выводом, последний является анодом.

Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru АЛ102А, АЛ102Б, АЛ102В, АЛ102Г Светодиоды фосфидогаллиевые эпитаксиальные [29, стр. 201, 202]. Масса светодиода не более 0,25 г.

3 + 1, Электрические и световые параметры.

Яркость свечения не менее:

для АЛ102А 5 нт для АЛ102Б 40 нт для АЛ102В 20 нт для АЛ102Г 10 нт Цвет свечения:

для АЛ102А, АЛ102Б, АЛ102Г Красный для АЛ102В Зелёный Постоянное прямое напряжение1 не более:

для АЛ102А 3,2 В для АЛ102Б, АЛ102В 4,5 В для АЛ102Г 3,0 В 1. При Iпр = 2 мА для АЛ102Б, АЛ102В;

Iпр = 5 мА для АЛ102А;

Iпр = 10 мА для АЛ102Г.

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянный прямой ток при температуре от -60 до 55 C:

для АЛ102А, АЛ102Г 10 мА для АЛ102Б, АЛ102В 20 мА Постоянный прямой ток при температуре от 50 до 70 C:

для АЛ102А, АЛ102Б, АЛ102Г 10 мА для АЛ102В 20 мА Импульсное обратное напряжение при длительности импульса не более 20 мкс и частоте не более 1 кГц 2 В Рабочий диапазон температур окружающей среды от -60 до 70 C 0, 2, 0, Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru 3.4 Семисегментные индикаторы На рисунке 1 показано соответствие между сегментами индикатора и буквенными обозначениями.

a f b g e c d h Рис. 1 Рис. На рисунке 2 показан внешний вид светодиодного семисегментного индикатора VQE24F, имеющего зелёный цвет свечения. Нумерация его выводов показана на следующем рисунке 3.

VQE24F a b c d "+" e f g АЛС324Б АЛС324А h 1 a a a 13 b b b 11 c c c 8 d d d 7 e e e "+" 2 f f f 10 g g g h h h Рис. 3 Рис. 4 Рис. На рисунке 4 показана нумерация выводов индикаторов АЛС324Б, АЛС321Б, АЛС333Б, АЛС333Г, АЛС334Б, АЛС335Б, АЛС335Г, 3ЛС338Б, 3ЛС338Г.

На рисунке 5 показана нумерация выводов индикаторов АЛС321А, АЛС324А, АЛС333А, АЛС333В, АЛС334А, АЛС334В, АЛС335А, АЛС335В, 3ЛС338А, Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru 3ЛС338В.

Индикатор АЛС324Б имеет красный цвет свечения, номинальный прямой ток мА, максимальный постоянный прямой ток 25 мА, максимальный импульсный прямой ток 300 мА, прямое падение напряжения 2,5 В, мощность рассеяния мВт.

АЛ304А, АЛ304Б, АЛ304В, АЛ304Г Индикаторы знакосинтезирующие, на основе соединения арсенид – фосфид – галлий, эпитаксиально – планарные [41, стр. 475 – 478]. Предназначены для отображения цифровой информации. Индикаторы имеют 7 сегментов и децимальную точку. Выпускаются в пластмассовом корпусе. Высота знака 3 мм.

Масса прибора не более 0,25 г.

4x1= 10 9 8 7 АЛ304А-Г a b c d 1 8 1 e f g 1 2 3 4 h 5, АЛ304(А,Б,В) АЛ304Г 3, 8 3, 1 2 4 5 6 7 9 10 1 2 4 5 6 7 9 АЛ304А – АЛ304В: 1 – анод e (смотрите рисунок 1);

2 – анод d;

3, 8 – катод общий;

4 – анод c;

5 – анод h;

6 – анод b;

7 – анод a;

9 – анод g;

10 – анод f.

АЛ304Г: 1 – катод e;

2 – катод d;

3, 8 – анод общий;

4 – катод c;

5 – катод h;

6 – катод b;

7 – катод a;

9 – катод g;

10 – катод f.

Электрические и световые параметры.

Цвет свечения индикаторов:

АЛ304А, АЛ304Б, АЛ304Г Красный АЛ304В Зелёный 5, 6, 5, Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Яркость при Iпр = 5 мА, не менее:

АЛ304А 140 кд / м АЛ304Б 80…320 кд / м АЛ304В при токе через сегмент 10 мА 60 кд / м АЛ304Г 350 кд / м Неравномерность яркости между элементами -60 % Постоянное прямое напряжение при Iпр = 5 мА, не более:

Т = +25 и +70 C для АЛ304А, АЛ304Б 2 В Т = -60 для АЛ304А, АЛ304Б 2,4 В Т = +25 и +70 C для АЛ304В, АЛ304Г 3 В Т = -60 для АЛ304В, АЛ304Г 3,6 В Предельные эксплуатационные данные.

Постоянный прямой ток :

через каждый сегмент 11 мА через все сегменты 88 мА Рассеиваемая мощность 264 мВт Температура окружающей среды -60 … +70 C Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru 3.5 Оптроны 3ОТ110А, 3ОТ110Б, 3ОТ110В, 3ОТ110Г, АОТ110А, АОТ110Б, АОТ110В, АОТ110Г Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения мышьяк – галлий – алюминий и составного кремниевого фототранзистора.

Предназначены для использования в качестве переключателя в гальванически развязанных электрических цепях радиоэлектронной аппаратуры [41, стр. 637 – 639]. Выпускаются в металлическом корпусе. Масса прибора не более 1,5 г.

4 90o 4 3 2 3 8, 0, 9, Основные характеристики.

Входное напряжение при Iвх = 25 мА, не более 2 В Остаточное (выходное) напряжение при Iвх = 25 мА, Iвых = 100 мА для 3ОТ110Б, 3ОТ110В, АОТ110Б, АОТ110В, Iвых = 200 мА для 3ОТ110А, 3ОТ110Г, АОТ110А, АОТ110Г, не более 1,5 В Ток утечки на выходе при Iвх = 0, Т = +25 C, Uком = 15 В для 3ОТ110Г, АОТ110Г, Uком = 50 В для 3ОТ110А, 3ОТ110Б, 3ОТ110В, АОТ110А, АОТ110Б, АОТ110В, не более 110 мкА Сопротивление изоляции при Uиз = 100 В, не менее 109 Ом Предельные эксплуатационные данные.

Коммутируемое напряжение:

3ОТ110А, 3ОТ110В, АОТ110А, АОТ110В 30 В 3ОТ110Б, АОТ110Б 50 В 3ОТ110Г, АОТ110Г 15 В Напряжение изоляции 100 В 6, o Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Обратное входное напряжение 0,7 В Постоянный входной ток1 при Т = -60 … +35 C 30 мА Амплитуда входного тока2 при tи 10 мкс, Т = -60 … +35 C 100 мА Постоянный выходной ток при Т = -60 … +35 C:

3ОТ110А, 3ОТ110Г, АОТ110А, АОТ110Г 200 мА 3ОТ110Б, 3ОТ110В, АОТ110Б, АОТ110В 100 мА Амплитуда выходного тока при tи 10 мс:

3ОТ110А, 3ОТ110Г, АОТ110А, АОТ110Г 200 мА 3ОТ110Б, 3ОТ110В, АОТ110Б, АОТ110В 100 мА Средняя рассеиваемая мощность3 при Т = -60 … +35 C 360 мВт Температура окружающей среды -60…+70 C 1. В диапазоне температур окружающей среды +35 … +70 C Iвх.макс снижается линейно с коэффициентом 0,43 мА / C.

2. При изменении длительности импульса от 10-5 до 10-2 с и температуры окружающей среды в диапазоне +35 … +70 C Iвх.и.макс определяется по формуле 70 10-2 3 Т Iвх.и.макс= lg - 45, мА.

3 tи 3. При температуре окружающей среды свыше +35 C допустимая рассеиваемая мощность определяется по формуле Pср.макс = Rт (80 – Т), мВт, где Rт = 8,0 мВт / C.

Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru АОУ115А, АОУ115Б, АОУ115В, АОУ115Г, АОУ115Д На следующем рисунке изображена цоколёвка оптрона АОУ115(А-Д).

АОУ115А 5 1, 4 1 2 3 4 Динисторные оптопары АОУ115А, АОУ115Б, АОУ115В, АОУ115Г, АОУ115Д состоят из арсенид – галлиевого инфракрасного излучателя и фотоприёмника – кремниевого фотодинистора, изолированных друг от друга [3], [41, том 3, стр. 666 – 668]. Данные оптроны изготавливают по гибридной технологии. Масса прибора – не более 0,8 г. Ключом при определении цоколёвки оптрона служит верхняя по рисунку часть корпуса, скошенная под углом 45°.

Основные характеристики.

Ток включения (ток излучателя), мА, не более, при напряжении на закрытом фотодинисторе 10 В Падение напряжения на излучателе, В, не более, при входном токе 20 мА Время включения, мкс, не более Время выключения, мкс, не более Предельные эксплуатационные данные.

Максимальный входной постоянный ток, мА Максимальный входной импульсный ток, мА Наибольшее прямое выходное напряжение на закрытом фотодинисторе, В, для АОУ115А АОУ115Б, В АОУ115Г, Д Наибольшее постоянное обратное напряжение на фотодинисторе, В, для АОУ115В АОУ115Д Максимальный выходной постоянный ток, мА Минимальное выходное напряжение на закрытом фотодинисторе, В Напряжение изоляции, В 3, 11, Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru 3ОТ127А, 3ОТ127Б, АОТ127А, АОТ127Б, АОТ127В Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий – алюминий – мышьяк и кремниевого фототранзистора [41, стр. 646 – 649].

Предназначены для бесконтактной коммутации цепей постоянного тока с гальванической развязкой между входом и выходом. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Масса прибора не более 2 г.

9, 1, 4 2 3 0, 1, 6 5 Ключ 1 2 2, Электрические параметры.

Входное напряжение при Iвх = 5 мА, не более 1,6 В Остаточное (выходное) напряжение при Iвх = 5 мА, Iвых = 70 мА для 3ОТ127А, 3ОТ127Б, АОТ127А 1,5 В при Iвх = 5 мА, Iвых = 15 мА для АОТ127Б, АОТ127В 1,5 В при Iвх = 0,5 мА, Iвых = 2,5 мА для 3ОТ127А 1,2 В Ток утечки на выходе, не более:

при Iвх = 0, Uком = 30 В для 3ОТ127А, 3ОТ127Б, АОТ127А, АОТ127Б 10 мкА при Iвх = 0, Uком = 15 В для АОТ127В 10 мкА Сопротивление изоляции при Uиз = 500 В, не менее 1011 Ом Предельные эксплуатационные данные.

Обратное постоянное или импульсное входное напряжение 1,5 В Коммутируемое напряжение:

1, 3, 6, Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru 3ОТ127А, 3ОТ127Б, АОТ127А, АОТ127Б 30 В АОТ127В 15 В Напряжение изоляции1 1000 В Постоянный (импульсный при tи > 10 мкс) входной ток2 при Т +35 C:

3ОТ127А, 3ОТ127Б 20 мА АОТ127А, АОТ127Б, АОТ127В 15 мА Импульсный входной ток3 при tи 10 мкс, Т +35 C:

3ОТ127А, 3ОТ127Б 85 мА АОТ127А, АОТ127Б, АОТ127В 100 мА Выходной ток4:

3ОТ127А, 3ОТ127Б 100 мА АОТ127А, АОТ127Б, АОТ127В 70 мА Температура окружающей среды -60…+85 C 1. В диапазоне температур окружающей среды +35 … +85 C Uиз снижается линейно до 500 В.

2. В диапазоне температур окружающей среды +35 … +85 C Iвх.макс снижается линейно с коэффициентом 0,3 мА / C.

3. В диапазоне температур окружающей среды +35 … +85 C Iвх.и.макс снижается линейно с коэффициентом 1,3 мА / C. При изменении длительности импульса от 10-2 … 10-5 с Iвх.и.макс определяется по формуле, для 3ОТ127А, 3ОТ127Б;

10- 65 lg tи Iвх.и.макс= 20, мА.

, для АОТ127А – АОТ127В.

10- 85 lg tи Iвх.и.макс= 15, мА.

4. В диапазоне температур окружающей среды +35 … +85 C Iвх.макс снижается линейно с коэффициентом 1,6 мА / C.

Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru 3.6 Стабилитроны Таблица 3.6.1. Стабилитроны.

Тип Номинальное напряжение стабилизации Uс, В Iс, rд, ТКU 10-4 °C-1 Iс.макс, мА Ом мА стабилитрона Минимум Среднее Максимум Д808 7 – 8,5 5 6 7 Д809 8 – 9,5 5 10 8 Д810 9 – 10,5 5 12 9 КС147 4,1 – 5,2 10 56 – КС158А – 6,8 – 10 28 6 КС162А* – 6,2 – 10 35 – КС168В – 6,8 – 10 28 – КС170А – 7 – 10 20 – КС175А – 7,5 – 5 16 – КС182А – 8,2 – 5 14 – КС191А – 9,1 – 5 18 – КС210Б – 10 – 5 22 – КС213Б* – 13 – 5 25 – КС211Б 11 – 12,6 10 – 2 КС211В 9,3 – 11 10 – -2 КС211Г 9,9 – 12,1 10 – ±1 КС211Д 9,9 – 12,1 10 – ±0,5 КС215Ж 13,5 15 16,5 2 70 9,5 КС433А – 3,3 – 30 25 -10 КС439А – 3,9 – 30 25 -10 КС447А – 4,7 – 30 18 -8 … +3 КС456А – 5,6 – 30 12 5 КС468А – 6,8 – 30 5 6,5 КС533А 29,7 – 36,3 10 40 10 КС620А – 120 – 50 150 20 КС650А – 150 – 25 255 20 КС680А – 180 – 25 330 20 2С920А – 120 – – 100 16 2С930А – 130 – – 120 16 2С950А – 150 – – 170 16 Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Тип Номинальное напряжение стабилизации Uс, В Iс, rд, ТКU 10-4 °C-1 Iс.макс, мА Ом мА стабилитрона Минимум Среднее Максимум 2С980А – 180 – – 220 16 В таблице 3.6.1. отмечены * двуанодные стабилитроны КС162А и КС213Б.

Таблица 3.6.2. Стабилитроны.

Uc.мин, Uc.макс, Iс, Iс.макс, Iс.мин, Uc Тип стаби Примечания литрона В В мА мА мА Д814А 7 8,5 5 40 – Д814Б 8 9,5 5 36 – Д814В 9 10,5 5 32 – Д814Г 10 12 5 29 – Д814Д 11,5 14 5 24 – Д815А 5 6,2 1000 1400 Д815Б 6,1 7,5 1000 1150 У стабилитронов не имеющих в названии буквы “П”, корпус является Д815В 7,4 9,1 1000 950 положительным электродом (например, Д815Г 9 11 500 800 Д815А). Стабилитроны, в названии Д815Д 10,8 13,3 500 650 которых имеется буква “П” (например, Д815АП) имеют обратную полярность.

Д815Е 13,3 16,4 500 550 Д815Ж 16,2 19,8 500 450 Д811 10 12 – 23 Д818Г 8,55 9,45 10 33 – Д818Д 8,55 9,45 10 33 – Д818Е 8,55 9,45 10 33 – Д818А 9,00 10,35 10 33 – Д818Б 7,65 9,00 10 33 – Д818В 8,10 9,90 10 33 – КС630А 117 143 5 38 – 2С107А 0,57 0,73 1 100 1 Стабистор 2С156А 4,7 6,6 10 55 – КС133А 3,3 3,3 10 81 КС139А 3,9 3,9 10 – – Д811 10 12 – 23 Д813 11,5 14 – 20 Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Uc.мин, Uc.макс, Iс, Iс.макс, Iс.мин, Uc Тип стаби Примечания литрона В В мА мА мА Д816А 19,6 24,2 – 230 Д816Б 24,2 29,5 – 180 Д816В 28,5 36 – 150 У стабилитронов не имеющих в названии буквы “П”, корпус является Д816Г 35 43 – 130 положительным электродом (например, Д816Д 42,5 51,5 – 110 Д816А). Стабилитроны, в названии Д817А 50,5 61,5 – 90 которых имеется буква “П” (например, Д816БП) имеют обратную полярность.

Д817Б 61 75 – 75 Д817В 74 90 – 60 Д817Г 90 110 – 50 КС509А 13,8 15,6 – 42 0,5 Маркируются меткой красного цвета.

КС509Б 16,8 19,1 – 35 0,5 Маркируются меткой жёлтого цвета.

КС509В 18,8 21,2 – 31 0,5 Маркируются меткой зелёного цвета.

КС196А 9,6 9,6 – 20 3 Предназначены для использования в качестве прецизионного источника КС196Б 9,6 9,6 – 20 опорного напряжения в цифровой КС196В 9,6 9,6 – 20 технике.

КС482А 7,4 9 5 96 Температурный коэффициент напряжения стабилизации для КС482А КС515А 13,5 16,5 5 53 равен 0,08 %/C, а для КС515А, КС518А, КС518А 16,2 19,8 5 45 КС522А и КС527А равен 0,1 %/C.

КС522А 19,8 24,2 5 37 Стабильность величины напряжения стабилизации ± 1,5 %.

КС527А 24,3 29,7 5 30 Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru КС520В, КС531В, КС547В, КС568В, КС596В Стабилитроны кремниевые диффузионно – сплавные [29, стр. 167]. Предназначены для использования в качестве источников опорного напряжения.

Выпускаются в пластмассовом корпусе. Масса диодов КС520В, КС531В, КС547В 0,8 г. Масса диодов КС568В, КС596В 1,3 г.

L 2, 0, Место маркировки l Таблица 3.6.3. Размеры в миллиметрах (смотрите рисунок).

Тип прибора L l H S КС520В, КС531В, КС547В 11 7,5 5 КС568В, КС596В 14 10 6 Таблица 3.6.4. Электрические параметры.

Параметры КС520В КС531В КС547В КС568В КС596В Напряжение стабилизации1, В:

при 25 C 19…21 29,45…32,55 44,65…49,35 64,6…71,4 91,2…100, при 100 C 18,8…21,2 29,33…32,67 44,25…49,75 64,1…71,9 90,4…101, Минимальный ток стабилизации, мА 3 3 3 3 [35] Максимальный ток стабилизации, мА 22 15 10 10 [35] Температурный коэффициент напряжения стабилизации2 не более, ±0,001 ±0,005 ±0,001 ±0,001 ±0, % / C Дифференциальное сопротивление1 не 120 50 280 400 более, Ом Дифференциальное сопротивление, соответствующее минимальному току 210 350 490 700 стабилизации 3 мА, не более, Ом 1. При Iст = 10 мА для КС531В;

Iст = 5 мА для остальных типов стабилитронов.

2. Классификация стабилитронов произведена при T = 55 и 100 C.

1, H S Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru 3.7 Варикапы Таблица 3.7.1. Параметры варикапов [30, стр. 648].

Тип вари- Iобр (при Uобр.макс, tокр = 25 C), Cном*, пФ Uобр.макс, В Qв**, не менее капа мкА, не более Д901А 22 … 32 80 25 1, Д901Б 22 … 32 45 30 1, Д901В 28 … 38 80 25 1, Д901Г 28 … 38 45 30 1, Д901Д 34 … 44 80 25 1, Д901Е 34 … 44 45 30 1, Д902 6 … 12 25 30 – КВ101А 160 … 240 4 12 1, КВ102А 14 … 23 45 40 1, КВ102Б 19 … 30 45 40 1, КВ102В 25 … 40 45 40 1, КВ102Г 19 … 30 45 100 1, КВ102Д 19 … 30 80 40 1, КВ103А 18 … 32 80 50 КВ103Б 28 … 38 80 40 КВ104А 90 … 120 45 100 5, КВ104Б 106 … 144 45 100 5, КВ104В 128 … 192 45 100 5, КВ104Г 95 … 143 80 100 5, КВ104Д 128 … 192 80 100 5, КВ104Е 95 … 143 45 150 5, КВ105А 400 … 600 90 500 КВ105Б 400 … 600 50 500 КВ106А 20 … 50 120 40 КВ106Б 15 … 35 90 60 КВ107А 10 … 40 5,5 … 16 20 КВ107Б 10 … 40 5,5 … 16 20 КВ107В 30 … 65 13 … 31 20 КВ107Г 30 … 65 13 … 31 20 КВ109А*** 2,3 … 2,8 25 300 0, КВ109Б*** 2,0 … 2,3 25 300 0, Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Тип вари- Iобр (при Uобр.макс, tокр = 25 C), Cном*, пФ Uобр.макс, В Qв**, не менее капа мкА, не более КВ109В*** 8,0 … 17 25 160 0, КВ109Г*** 8,0 … 17 25 160 0, КВ110А 12 … 18 45 300 1, КВ110Б 14 … 21 45 300 1, КВ110В 17 … 26 45 300 1, КВ110Г 12 … 18 45 150 1, КВ110Д 14 … 21 45 150 1, КВ110Е 17 … 26 45 150 1, КВС111А 33 30 200 1, КВС111Б 33 30 150 1, * При Uобр = 0,8 В для КВ101А;

Uобр = 25 В для КВ109А и КВ109Б;

Uобр = 3 В для КВ109В и КВ109Г и Uобр = 4 В для варикапов остальных типов.

** При f = 1 МГц для КВ105А, КВ105Б;

f = 10 МГц для КВ104А – КВ104Е;

КВ107А – КВ107Г и f = 50 МГц для варикапов остальных типов и при температуре 25 C.

*** Варикапы КВ109А – КВ109Г предназначены для использования в резонаторах диапазона дециметровых волн (ДМВ).

Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru 3.8 Туннельные диоды Таблица 3.8.1. Усилительные туннельные диоды [28, стр. 80], [29, стр. 187, 201 – 203].

Предельные значения па Значения параметров при Т = 25 C раметров при Т = 25 C Iп, Iп, Lд, Uпр. Iпр. Iобр.

Тип прибора Uп, rп, Iобр.и, Тмакс, мА мА Cд.макс, Cд.мин, пФ Iп/Iв {Lкор}, макс, макс, макс, пФ мВ Ом мкА C нГн мВ мА мА 1И102А 1,5 0,25 0,9 1,8 5 100 {0,35} 6 20 – 3 3 1И102Б 1,5 0,25 1,4 2,2 5 100 {0,35} 6 20 – 3 3 1И102В 1,5 0,25 1,8 3 5 100 {0,35} 4,5 20 – 3 3 1И102Г 2 0,3 1 2 5 90 0,35 6 25 – 4 4 1И102Д 2 0,3 1,6 2,6 5 90 0,35 6 25 – 4 4 1И102Е 2 0,3 2,2 3,2 5 90 0,35 4,5 25 – 4 4 1И102Ж 2,7 0,4 1,2 2,2 5 90 {0,35} 6 30 – 5,4 5,4 1И104А 1,5 0,2 0,8 1,9 4 90 0,13 6 100 400 1 1,5 1И104Б 1,5 0,2 0,6 1,4 4 90 0,13 6 100 400 1 1,5 1И104В 1,5 0,2 0,5 1,1 4 90 0,13 7 100 400 1 1,5 1И104Г 1,5 0,2 0,45 1 4 100 1,3 7 100 400 1 1,5 1И104Д 1,5 0,2 0,4 0,9 4 100 1,3 7 100 400 0,51 1,5 1И104Е 1,5 0,2 0,4 0,8 4 100 1,3 8 100 400 0,51 1,5 1И104И 2,7 0,4 1,8 2,7 5 90 {0,35} 4 30 – 5,4 5,4 1И104К 2,7 0,4 2,3 3,5 5 90 {0,35} 3 30 – 5,4 5,4 ГИ103А 1,5 0,3 1 2,1 4 90 0,35 6 100 400 1,5 1,5 ГИ103Б 1,5 0,3 0,8 1,6 4 90 0,35 6 100 400 1,5 1,5 ГИ103В 1,5 0,3 0,7 1,3 4 90 0,35 6 100 400 1,5 1,5 ГИ103Г 1,7 0,4 1 3,2 4 90 0,35 7 100 400 1,5 1,5 АИ101А 1 0,25 – 4 5 160 1,3 18 30 600 – – АИ101Б 1 0,25 2 8 5 160 1,3 16 30 600 – – АИ101В 2 0,3 – 5 6 160 1,3 16 40 600 – – АИ101Д 2 0,3 2,5 10 6 160 1,3 14 40 600 – – АИ101Е 5 0,5 – 8 6 180 1,3 8 80 600 – – АИ101И 5 0,5 4,5 13 6 180 1,3 7 80 600 – – Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru Таблица 3.8.2. Генераторные туннельные диоды [28, стр. 80], [29, стр. 188].

Предельные значения параметров Значения параметров при Т = 25 C при Т = 25 C Iп, Iп, Тип прибора Iобр.

Pages:     || 2 | 3 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.