WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

«Министерство образования Республики Беларусь Учреждение образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники» Кафедра микроэлектроники В.Е. Борисенко, А.И. Воробьева ...»

-- [ Страница 2 ] --

удаление оставшегося непрокисленного слоя алюминия (е) и защитного слоя (ж). Следующей операцией является осаждение слоя золота через маску из пористого оксида на кремниевую подложку и селективное травление маски (з), после которого пленка золота остается только в порах оксида (процесс похожий на обратную литографию). Диаметр точек составляет 40 нм с интервалом 100 нм [5].

Углубления на поверхности металла можно создавать механически с помощью специальных прецизионных штампов (SiC Mold), как показано на рис. 5.5. В этом случае места зарождения будущих пор создаются искусственно на поверхности пленки алюминия (А) в строго определенном порядке (B).

Последующее анодирование приводит к формированию регулярной пористой структуры (C). Однако этот вариант требует дополнительных затрат на создание штампов с микроскопическими выступами методом электронно лучевой литографии. Данный режим используется при необходимости получения пористого оксида небольшой толщины, когда длительное анодирование (необходимое условие получения регулярной структуры) становится неприемлемым.

Рис. 5.5. Формирование пористого оксида алюминия с регулярными порами, зарождающимися в местах контакта пленки А1 с SiC-штампом (А, В, С) и РЭМ-фотографии пористого оксида алюминия, сформированного этим методом: а – вид сверху;

б – поперечное сечение (скол) [6] Как уже говорилось, пористый оксид алюминия с регулярной структурой используют для формирования металлических и полупроводниковых наноточек и нанонитей. Возникающая в результате реализации эффекта самоорганизации и последующей электрохимической обработки сеть ячеек правильной гексагональной формы с управляемо варьируемым размером может быть использована в качестве масок для массивов мезоскопических структур. В качестве примера на рис. 5.6 приведены фотографии наноточек, изготовленных из пленки Ag, осажденной на Si через пористый оксид алюминия, предварительно подвергнутый электрохимической полировке. Такой оксид использовался как естественная маска, а сам процесс в литературе называют естественной литографией. Геометрические параметры маски (толщина, диаметр пор и расстояние между ними) и режим осаждения пленки серебра подбирали так, чтобы при селективном травлении оксида серебро оставалось только в порах матрицы (по аналогии с обратной «взрывной» литографией).

а б Рис. 5.6. РЭМ-фотографии сетки из пористого оксида алюминия (а) и Ag-точек на поверхности кремниевой подложки, сформированных осаждением пленки серебра через маску из пористого оксида алюминия (б) [6] На рис. 5.7 приведена еще одна схема использования пористого оксида в качестве «естественной» маски при формировании столбиков [7], а на рис. 5.8 – фотографии столбиков, выращенных локально в отверстиях фоторезистивной маски диаметром 4 мкм [8]. В зависимости от условий анодирования столбики могут иметь различную форму: цилиндрическую, с углублением в центре, конусообразную. Конусообразные столбики, плакированные металлом, например, титаном, вольфрамом или молибденом, могут быть использованы при изготовлении холодных катодов.

Другой вариант предполагает избирательное электрохимическое осаждение металла, в частности никеля, в поры пористого оксида или пористой матрицы, изготовленной на его основе из специальных органических материалов. Селективное осаждение никеля проводят с использованием Pt микроэлектрода в электролитах следующего состава: Ni(OSO2NH2)2·4H2O (330 г/л), NiCO3 (0,5 г/л) и H3BO3 (30 г/л) при комнатной температуре.

Максимальная высота Ni-столбиков составляет 10 мкм, диаметр – 70 нм.

Каждая отдельная пора в пористой матрице А12О3 выступает в качестве индивидуальной нанометровой электрохимической ячейки, а протекающий ток ограничивается областью, непосредственно примыкающей к поверхности Pt электрода. Такой пространственно ограниченный ток может быть ответственным за процесс селективного осаждения никеля с пространственным разрешением, идентичным размеру острия микроэлектрода.

Рис. 5.7. Схема формирования столбиков Ta2O5 в матрице пористого оксида алюминия методом селективного двухступенчатого анодирования:

а – пористое анодирование пленки алюминия;

б, в – электрохимическое травление барьерного оксида алюминия на дне пор;

г, д – электрохимическая полировка оксида Al2O3;

е – высоковольтное анодирование пленки тантала через пористую матрицу в буферных (не растворяющих оксид алюминия) электролитах В результате многочисленных операций получают конусообразные острия.

При диаметре апертуры 160 нм диаметр острий автоэмиссионных катодов может составлять 5–35 нм.

Многочисленные исследования, которые ведутся в этом направлении, должны привести к созданию матриц эмиссионных катодов для широкоформатных индикаторов.

Рис. 5.8. РЭМ-фотографии столбиковых микроструктур, локально сформированных в отверстиях фоторезистивной маски через пористый оксид алюминия [8] На рис. 5.9 показан процесс формирования металлической решетки (сетки) с наноотверстиями (А–F), и РЭМ-фотографии Pt-сетки, изготовленной по этому маршруту [9]: сначала формируют пористый оксид алюминия с регулярной пористой структурой в течение 160 часов при 0 °С в 0,3-мольной щавелевой кислоте при постоянном напряжении 40 В (А). Длительный период анодирования при постоянном напряжении обеспечивает формирование почти идеальной упорядоченной структуры оксида, который в дальнейшем используется как маска.

Далее методом вакуумного осаждения создают тонкий слой металла (В), который служит катализатором или электродом при последующем заполнении пор полиметилметакрилатом (ПММА), содержащим 5 вес.% бензол-пероксида (С). Последний служит инициатором полимеризации ПММА в вакууме под действием ультрафиолетового излучения.

Затем удаляют оксид алюминия в 10%-ном водном растворе NaOH (D) и проводят катодное осаждение платины в отверстия негативной маски из ПММА (E). После получения слоя платины нужной толщины ПММА-матрицу удаляют в ацетоне (F). Точно так же изготавливают решетки с наноотверстиями из золота, используя метод электрохимического осаждения на затравочный подслой.

Рис. 5.9. Процесс формирования металлической сетки с наноотверстиями (А–F) и РЭМ-фотографии платиновой сетки с наноотверстиями: а – вид сверху (большое увеличение);

б – вид сверху (малое увеличение);

в – поперечное сечение [9] Далее удаляют оксид алюминия в 10%-ном водном растворе NaOH (D) и проводят катодное осаждение платины в отверстия негативной маски из ПММА (E). После получения слоя платины нужной толщины ПММА-матрицу удаляют в ацетоне (F). Точно так же изготавливают решетки с наноотверстиями из золота, используя метод электрохимического осаждения на затравочный подслой.

Рассмотренные структуры представляют интерес при разработке функциональных слоев для устройств оптоэлектроники, сенсорики, наноэлектроники, при изготовлении фильтров, мембран, фото- и эмиссионных приборов.

5.3. Углеродные нанотрубки Углеродные нанотрубки являются одной из интригующих естественно самособранных наноструктур. Они существуют в двух основных формах – одностенные и многостенные нанотрубки. Одностенная углеродная нанотрубка может быть представлена как лист из графита моноатомной толщины, свернутый в трубку. Такой листовой графит называют графен. Атомная структура графена, соответствующие энергетические электронные диаграммы и по различному свернутые нанотрубки схематично показаны на рис. 5.10.

Электронные свойства углеродных нанотрубок зависят от направления, в котором свернут графеновый лист. Графен представляет собой двухмерную сотовую сеть, образованную атомами углерода, связанными между собой sp2 электронными состояниями (рис. 5.10,a). Проводящие электронные состояния в ее элементарной ячейке имеют определенную пространственную ориентацию и представляются семейством конусов плотности электронов в k-пространстве, как это показано на рис. 5.10,б. Графен проводит электрический ток только в тех направлениях, в которых расположены конусы электронной плотности, что приводит к анизотропии его электронных свойств. Его проводимость в направлении, параллельном связям между атомами углерода (направление x на рис. 5.10,a), существенно отличается от проводимости в направлении, перпендикулярном межуглеродным связям (направление y на рис. 5.10,a).

Энергетическая зонная диаграмма графена (рис. 5.10,в) определяется рассеянием электронов атомами углерода. Электроны, движущиеся вдоль C–C- связей, испытывают существенное рассеяние на атомах углерода, периодически встречающихся на их пути. В результате только электроны с определенной энергией могут проходить в этом направлении, что создает энергетический зазор, аналогичный тому, который имеется у полупроводников. Электроны, перемещающиеся в направлении, перпендикулярном C–C-связям, рассеиваются различными атомами. Соответствующие им электронные волны интерферируют деструктивно, подавляя их обратное рассеяние, что в комплексе аналогично поведению электронов в металлах. Так, одностенные углеродные нанотрубки, свернутые вокруг оси, параллельной C–C-связям, имеют полупроводниковые свойства, а свернутые вдоль оси, перпендикулярной этим связям – металлические свойства.

Средний диаметр одностенных нанотрубок 1,2–1,4 нм. Ширина запрещенной зоны в полупроводниковых трубках составляет от 0,4 до 0,7 эВ в зависимости от незначительных вариаций в диаметре и углах связей. Квантовое ограничение существует в радиальном направлении, поскольку стенка трубки имеет моноатомную толщину. Одностенные нанотрубки ведут себя как одномерные структуры. Движение электронов вдоль трубки на значительном расстоянии происходит без рассеяния.

Многостенные нанотрубки состоят из нескольких одностенных трубок, концентрически вставленных одна в другую. Их типичный диаметр составляет 10–40 нм. Они уже не являются хорошими одномерными проводниками. Из-за взаимодействия между отдельными вложенными друг в друга трубками электрический ток протекает преимущественно в стенке внешней трубки.

Длина когерентности в многостенных трубках составляет порядка 250 нм при 4,2 К, а длина свободного пробега электронов при упругом рассеянии около 60 нм.

Рис. 5.10. Углеродные нанотрубки [10]: а – решетка графена, б – энергия проводящих состояний в графене как функция k-вектора электронов, в – структура энергетических зон в графене вдоль главных направлений, г – углеродные нанотрубки, свернутые вокруг оси х, параллельной С–С-связям (полупроводниковые) и вокруг оси y, перпендикулярной С–С связям (металлические) Нанотрубки имеют обширный перечень привлекательных свойств. Они могут вести себя как полупроводники и проводники, проводят электрический ток лучше меди, имеют теплопроводность лучше, чем у алмаза, по механической прочности составляют конкуренцию многим известным твердым материалам. Более детально с их свойствами можно познако- миться на Интернет-страничке http://www.pa.msu.edu/cmp/csc/nanotube.html и http://shachi.cochem2.tutkie.tut.ac.jp/Fuller/Fuller.html.

Углеродные нанотрубки создают испарением углеродных электродов в дуговом разряде, лазерным испарением, химическим осаждением из газовой фазы. С использованием первых двух методов получают пучки переплетенных трубок на электроде или на подложке, что затрудняет манипулирование ими.

Для последующего исследования и использования их отделяют от подложки и друг от друга ультразвуковой обработкой в дихлорэтане. Образовавшуюся суспензию наносят и высушивают на кремниевой или покрытой SiO2 подложке.

Отбор и позиционирование нанотрубок на подложке осуществляют в атомном силовом микроскопе.

В отличие от рассмотренного подхода, химическое осаждение из газовой фазы позволяет контролируемо формировать углеродные нанотрубки в определенных местах на подложке. Для этого газообразное углеводородное соединение пропускают над нагретым катализатором, на котором происходит его разложение на углерод и водород с последующей конденсацией атомов углерода и образованием нанотрубок. Ключевыми параметрами, контролирующими этот процесс, являются тип используемого углеводородного соединения и катализатора, а также температура разложения. Многостенные трубки формируют каталитическим разложением этилена или ацетилена на железе, никеле или кобальте при 500–700 °C. При этих температурах атомы углерода сначала насыщают металл, а затем, преципитируя на его поверхности, выстраиваются в нанотрубки. Их диаметр определяется размером металлических частиц, участвующих в катализе. Относительно низкие температуры катализа создают проблемы с совершенством структуры нанотрубок. Ввиду этого использование метана и проведение процесса при 900–1000 °C лучше подходит для формирования бездефектных нанотрубок, в особенности одностенных. Среди углеводородов метан наиболее устойчив к разложению, что важно для предотвращения образования аморфного углерода и загрязнения им катализатора.

Хорошо позиционированные ориентированные пучки нанотрубок создают химическим разложением углеводородов на кремниевых подложках с заданной топологией элементов из каталитического материала. Пригодные для этого подходы схематически показаны на рис. 5.11.

Рис. 5.11. Принципы контролируемого формирования углеродных нанотрубок:

а – с использованием кремниевых столбиков, покрытых металлом-катализатором;

б – с использованием островков из металла-катализатора на SiO В одном из них на поверхности подложки создаются кремниевые столбики, вершинки которых покрывают катализатором (рис. 5.11,a). На них зарождаются и растут как отдельные нанотрубки, так и целые гроздья нанотрубок. Постоянный газовый поток поддерживает эти трубки в плавающем по ветру состоянии, что, с одной стороны, обеспечивает их ориентированный по ветру рост, а с другой стороны, исключает соприкосновение кончика растущей трубки с подложкой. Достигнув ближайшего соседнего столбика, нанотрубка закрепляется на нем за счет сил ван-дер-ваальсовского взаимодействия. Так формируется сеть из нанотрубок, в которой они как мостики переброшены между кремниевыми столбиками.

Контролируемый рост нанотрубок можно осуществить и на окисленной кремниевой подложке с элементами из каталитического материала (рис. 5.11,б).

Механизм направленного роста в данном случае таков же, как и рассмотренный выше. Мостики из нанотрубок формируются между каталитическими элементами. Лишние нанотрубки и их пучки удаляются с использованием атомного силового микроскопа.

Типичная длина создаваемых таким образом нанотрубок составляет 1–10 мкм, есть примеры выращивания нанотрубок длиной до 200 мкм.

Взаимодействие между нанотрубками и элементами, к которым они прикрепились, а также между нанотрубками и подложкой достаточно сильно, чтобы выдержать механические воздействия, связанные с проведением последующих литографических процессов.

Легирование материала полупроводниковых нанотрубок, как и в обычных полупроводниках, определяет тип основных носителей заряда в них. Замещая атомы углерода, бор выступает как акцепторная примесь, а азот – как донорная примесь. Присоединение щелочных или галогенных атомов к внешней поверхности трубки также может быть использовано для этих целей, хотя этот процесс с трудом поддается контролю.

Контакты, соединяющие углеродные нанотрубки с остальными элементами интегральной схемы, могут быть созданы многими способами.

Один из них – сформировать электроды на подложке и положить на них нанотрубку. Другой предполагает помещение нанотрубки в необходимое место на подложке с помощью сканирующего туннельного или атомного силового микроскопа с последующим формированием контактов поверх нее с использованием стандартных литографических методов. Наиболее перспек тивным является контролируемое выращивание нанотрубок между электродами, изготовленными из металла-катализатора. В этом случае трубка прикрепляется к контакту за счет сильного электростатического или химического взаимодействия. Среди металлов, подходящих для этих целей, – титан, золото, алюминий. Титан обеспечивает наименьшее контактное сопротивление, поскольку между ним и углеродом существует сильное химическое взаимодействие, приводящее к образованию карбида титана в переходной области на их границе. Золото и алюминий не имеют стабильных карбидов и поэтому сопротивление их контактов к нанотрубкам выше.

Комбинируя нанотрубки и снабжая их управляющими полевыми электродами, возможно создавать разнообразные наноэлектронные приборы.

Изготовлены прототипы выпрямительных диодов на контакте металлической и полупроводниковой нанотрубок, полевых транзисторов на полупроводниковых нанотрубках, одноэлектронных транзисторов на металлических нанотрубках.

Поскольку атомы углерода в нанотрубке связаны между собой очень сильными связями, их очень трудно сместить относительно друг друга.

Вследствие этого нанотрубки более устойчивы к электромиграции, чем медные и алюминиевые межсоединения в интегральных микросхемах. Плотность тока, пропускаемого по нанотрубке, может достигать 1013 А/см2. Малый диаметр и высокие плотности тока делают их перспективными для применения в качестве эмиттеров электронов. Механические воздействия необратимо меняют электронные свойства углеродных нанотрубок. Это позволяет использовать их в качестве элементов электромеханических приборов. Несмотря на отмеченные перспективы, углеродная электроника не может конкурировать с высоко развитой кремниевой электроникой и наноэлектроникой на полупровод никовых соединениях AIIIBV. Углеродные нанотрубки находят реальное применение только в тех технических решениях, для которых отсутствуют альтернативные варианты среди традиционных для электроники материалов.

Цитируемая литература 1. Snow E.S., Campbell P.M., Perkins F.K. Nanofabrication with proximal probes // Proceedings of the IEEE. 1997. № 85 (4). Р. 601–611.

2. Seifert W., Carlsson N., Johansson J., Pistol M.-E., Samuelson L. In situ growth of nano-structures by metal-organic vapour phase epitaxy // J. Cryst. Growth. 1997.

№ 170 (1–4). Р. 39–46.

3. Kohmoto S., Nakamura H., Ishikawa T., Asakawa K. Self-controlled self organization of individual InAs dots by scanning tunneling probe-assisted nanolithography // Appl. Phys. Lett. 1999. № 75 (22). Р. 3488–3490.

4. Vorobyova A.I., Sokol V.A., Outkina E.A. SEM investigation of pillared microstructures formed by electrochemical anodization // Appl. Phys. A. 1998. № 67.

Р. 489–492.

5. Masuda H., Saton M. Fabrication of gold nanodot array using anodic porous alumina as an evaporation mask // Jpn. J. Appl. Phys. Lett. 1996. № 35 (NIB).

P. L126–L129.

6. Masuda Н., Yasui К., Sakamoto Y., Nakao М. Ideally Ordered Anodic Porous Alumina Mask Prepared by Imprinting of Vacuum-Evaporated Al on Si // Appl.

Phys. 2000. № 40. Р. L1267-L1269.

7. Vorobyova A.I., Outkina E.A. Study of pillar microstructure formation with anodic oxides // Thin Solid Films. 1998.

8. Воробьева А.И. Кинетические особенности формирования столбиковых микроструктур методом анодного оксидирования // Микроэлектроника. 2001.

№ 6 (30). С. 445–458.

9. Masuda Н., Fukuda К. Ordered Metal Nanohole Arrays Made by a Two-Step Replication of Honeycomb Structures of Anodic Alumina // Science. 1995.

№ 268 (9). Р. 1466–1468.

10. McEuen P.L. Singl-wall carbon nanotubes // Physics Word. 2000. № 13 (6).

Р. 31–36.

Рекомендуемая литература 1. Silicon-Molecular Beam Epitaxy, V. I and II / Edited by E. Kasper, J.C. Bean. – CRC Press, Inc., Boca Raton, Florida, 1988.

2. Handbook of Crystal Growth. V. 1: Fundamentals, V. 2: Bulk Crystal Growth, V. 3: Thin Films and Epitaxy / Edited by D.T.J. Hurle. – Elsevier, Amsterdam, 1994.

3. Borisenko V.E. and Hesketh P.J. Solid State Rapid Thermal Processing of Semiconductors // New York, Plenum, 1997.

4. Magonov S.N., Whangbo M.-H. Surface Analysis with STM and AFM // VCH, Weinheim, 1996.

5. Gaponenko S.V. Optical Properties of Semiconductor Nanocrystals. – Cambridge University Press, Cambridge, 1998.

6. Porous Silicon. Science and Technology / Edited by J.-C. Vial, J. Derrien – Springer, Berlin, 1995.

7. Properties of Porous Silicon / Edited by L. Canham – INSPEC, The Institution of Electrical Engineers, London, 1997.

8. Milani P., Iannotta S. Cluster Beam Synthesis of Nanostructured Materials – Springer, Berlin, 1999.

9. Saito R., Dresselhaus M.S. Physical Properties of Carbon Nanotubes. – Imperial College Press, Singapore, 1998.

10. Harris P.I.F. Carbon Nanotubes and Related Structures. – Cambridge University Press, 1999.

11. Feldman L.C., Mayer J.W. Fundamentals of Surface and Thin Film Analysis. – North-Holland, New York, 1986.

12. Surface Analysis Methods in Material Science / Edited by D.J. O’Connor, B.A. Sexton, R.St.C. Smart. – Springer-Verlag, Berlin, 1992.

13. Schukin V.A., Bimberg D. Spontaneous ordering of nanostructures on crystal surfaces // Rev. Mod. Phys. 1999. № 71 (4). Р. 1125–1171.

14. Kern R., Muller Р. Elastic relaxation of coherent epitaxial deposits // Surf. Sci.

1997. № 392 (1–3). Р. 103–133.

15. Lyding J.W. UHV STM nanofabrication: progress, technology spin-offs, and challenges // Proc. IEEE. 1997. № 85 (4). Р. 589–600.

16. Matsumoto К. STM/AFM nano-oxidation process to room-temperature-operated single-electron transistor and other devices // Proc. IEEE. 1997. № 85 (4).

Р. 612–628.

17. Snow E.S., Campbell P.M., Perkins F.K. Nanofabrication with proximal probes // Proc. IEEE. 1997. № 85 (4). Р. 601–611.

18. Quate C.F. The AFM as a tool for surface imaging // Surf. Sci. 1994. № 299/300.

Р. 980–995.

19. Matsui S. Nanostructure fabrication using electron beam and its application to nanometer devices // Proc. IEEE. 1997. № 85 (4). P. 629–643.

20. Strroscio J.A., Eigler D.M. Atomic and molecular manipulation with the scanning tunneling microscope // Science. 1991. № 254. P. 1319–1326.

21. Yu E.T. Nanoscale characterization of semiconductor materials and devices using scanning probe techniques // Mater. Sci. Engineering. 1996. № R17 (4–5).

P. 147–206.

22. Bisi O., Ossicini S., Pavesi L. Porous silicon: a quantum sponge structure for silicon based optoelectronics // Surf. Sci. Rep. 2000. № 38 (1–3). P. 1–126.

Содержание ВВЕДЕНИЕ 1. ТРАДИЦИОННЫЕ МЕТОДЫ ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕНОК 1.1. Химическое осаждение из газовой фазы 1.2. Молекулярно-лучевая эпитаксия 2. МЕТОДЫ, ИСПОЛЬЗУЮЩИЕ СКАНИРУЮЩИЕ ЗОНДЫ 2.1. Физические основы 2.2. Атомная инженерия 2.3.Локальное окисление металлов и полупроводников 2.4 Локальное химическое осаждение из газовой фазы 3. НАНОЛИТОГРАФИЯ 3.1. Электронно-лучевая литография 3.2. Профилирование резистов сканирующими зондами 3.3. Нанопечать 3.4. Сравнение нанолитографических методов 4. САМОРЕГУЛИРУЮЩИЕСЯ ПРОЦЕССЫ 4.1.Самоупорядочение 4.2Самосборка в объемных материалах 4.3Самосборка при эпитаксии 4.4 Суждение пленок Лэнгмюра–Блоджетт 5. ФОРМИРОВАНИЕ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ МАТЕРИАЛОВ 5.1 Пористый кремний 5.2 Пористый оксид алюминия и структуры на его основе 5.3 Углеродные нанотрубки ЦИТИРУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА Учебное издание Борисенко Виктор Евгеньевич, Воробьева Алла Ильинична НАНОЭЛЕКТРОНИКА Учебное пособие для студентов специальности «Микроэлектроника» дневной формы обучения в 3-х частях Часть НАНОТЕХНОЛОГИЯ Редактор Т.Н. Крюкова Корректор Е.Н. Батурчик Компьютерная верстка Т.В. Шестакова _ Подписано в печать 05.03.2003. Формат 60х84 1/16. Бумага офсетная.

Гарнитура «Таймс». Печать ризографическая. Усл. печ. л. 4,65.

Уч.-изд. л. 4,4. Тираж 130 экз. Заказ 763.

_ Издатель и полиграфическое исполнение:

Учреждение образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники».

Лицензия ЛП № 156 от 30.12. 2002.

Лицензия ЛВ № 509 от 03.08. 2001.

220013, Минск, П. Бровки, 6.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.