WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 | 3 |
-- [ Страница 1 ] --

Москатов Евгений Анатольевич Справочник по полупроводниковым приборам 1 Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. – М.: Журнал “Радио”, 2005. – 208 с., ил.

Издание 1 Лицензионное соглашение Данный справочник разрешается копировать, размножать и печатать, если это делается на некоммерческой основе и не извлекается выгода. В случае его коммерческого применения, например, если Вы хотите продавать, сдавать в прокат, аренду весь справочник или любую его часть, то на это требуется согласие его автора – составителя (Москатова Евгения Анатольевича) за гонорар. Перекомпоновка справочника запрещается. Запрещается изменять содержимое справочника, удалять сведения об авторстве. Справочник распространяется “как есть”, то есть его автор не несёт ответственности за возможный ущерб, упущенную выгоду и прочее. В случае некоммерческой публикации (например, на сервере бесплатных материалов) следует поставить автора в известность, а также явно указать авторство и источник, с которого произведена публикация. Это же относится и к случаю публикации справочника на диске (или ином носителе информации) приложения к журналу.

Если Вам интересно, то можете посетить мой официальный сайт http://www.moskatov.narod.ru, на котором можно найти технические программы, их исходные тексты, книгу «Электронная техника» [15], конспект лекций «Основы экономики», текстовые редакторы и много другой интересной информации. В книге «Электронная техника» описываются принципы действия полупроводниковых компонентов, система обозначений, рассматривается нахождение некоторых параметров транзисторов по статическим входной и выходной характеристикам, имеются простые методы расчётов некоторых цепей, и многое другое.

1 Введение Перед Вами справочник, в который сведены наиболее широко распространённые и наиболее часто используемые на территории России и СНГ полупроводниковые приборы. Он не претендует на всеобъемлющее изложение информации, но полезен как подручный материал, в котором легко быстро найти нужную информацию. Справочник может быть весьма полезен инженерно-техническим работникам, радиолюбителям, техникам, студентам технических колледжей и ВУЗов во время выполнения курсовых и дипломной работ. Важной особенностью справочника является его бесплатность для некоммерческого использования – он распространяется по freeware лицензии. Сведения, содержащиеся в справочнике, относятся к разряду проверенных, достоверных материалов. Информация, представленная в справочнике, была многократно перепроверена. Однако, несмотря на это, полное отсутствие опечаток не гарантируется, хотя было сделано всё возможное для их исключения. В справочных данных, приведённых в литературе, часто параметры одной и той же детали имеют близкие, но не равные значения при одних и тех же условиях снятия показания. В этом случае я указывал те значения параметров, которые совпадали со значениями параметров, принятыми в наибольшем количестве литературы. В редких случаях некоторые характеристики деталей измерялись заново на макетах. Необходимо понимать, что различные заводы – изготовители производят под одной и той же маркой детали, параметры которых могут несколько различаться. Поэтому увидев в данном справочнике деталь, параметры которой незначительно отличаются от параметров той же детали в другом справочнике – не удивляйтесь. Так, например, транзисторы типа КТ315 имеют, согласно литературе [29, стр. 288] одни габаритные размеры, согласно [30, стр. 669] – другие, а в данных [44] указаны третьи. Реальные транзисторы, купленные мною в магазине, имели четвёртые габаритные размеры, совпадающие с приведёнными в федеральных технических условиях [27]. Приведённые в справочнике рисунки являются именно рисунками, а не чертежами, и предназначены только для лучшего понимания внешнего вида, цоколёвок и размеров полупроводниковых приборов. На написание данного справочника было затрачено шесть месяцев кропотливого труда, но значительно больше времени ушло на проверку содержащихся в нём данных. Надеюсь, что использование Вами справочника будет полезным и приятным. Автор – составитель, Евгений Анатольевич Москатов moskatov@mail.ru 1.1 Основные стандарты на полупроводниковые приборы Основные стандарты на полупроводниковые диоды ГОСТ 15133-77 ГОСТ 2.730-73 ГОСТ 18472-82 ГОСТ 19613-80 ГОСТ 20859-79 ГОСТ 20900-87 ГОСТ 25529-82 ГОСТ 24461-80 ГОСТ 18986.0-74 ГОСТ 18986.1-73 ГОСТ 18986.2-73 ГОСТ 18986.3-73 ГОСТ 18986.4-73 ГОСТ 18986.5-73 ГОСТ 18986.8-73 ГОСТ 18986.9-73 ГОСТ 18986.10-74 ГОСТ 18986.11-84 ГОСТ 18986.12-74 ГОСТ 18986.13-74 Приборы полупроводниковые. Термины и определения. ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые. Приборы полупроводниковые. Основные размеры. Столбы и блоки выпрямительные полупроводниковые. Основные размеры. Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические условия. Приборы полупроводниковые силовые. Габаритные и присоединительные размеры. Приборы полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров. Приборы полупроводниковые силовые. Методы измерения и испытаний. Приборы полупроводниковые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения. Приборы полупроводниковые. Метод измерения постоянного обратного тока. Приборы полупроводниковые. Метод измерения постоянного обратного напряжения. Приборы полупроводниковые. Методы измерения постоянного прямого напряжения и постоянного прямого тока. Приборы полупроводниковые. Методы измерения ёмкости. Приборы полупроводниковые. Метод измерения времени выключения. Приборы полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления. Приборы полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения. Приборы полупроводниковые. Методы измерения индуктивности. Приборы полупроводниковые. Метод измерения последовательного сопротивления потерь. Приборы полупроводниковые туннельные. Метод измерения отрицательной проводимости перехода. Приборы полупроводниковые туннельные. Метод ГОСТ 18986.14-85 ГОСТ 18986.15-75 ГОСТ 18986.16-72 ГОСТ 18986.17-76 ГОСТ 18986.18-76 ГОСТ 18986.19-73 ГОСТ 18986.20-77 ГОСТ 18986.21-78 ГОСТ 19656.0-74 ГОСТ 19656.1-74 ГОСТ 19656.2-74 ГОСТ 19656.3-74 ГОСТ 19656.4-74 ГОСТ 19656.5-74 ГОСТ 19656.6-74 ГОСТ 19656.7-74 ГОСТ 19656.10-88 ГОСТ 19656.12-76 ГОСТ 19656.13-76 ГОСТ 19656.15- измерения пикового тока, тока впадины, пикового напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора. Приборы полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивления. Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения напряжения стабилизации. Диоды полупроводниковые выпрямительные. Методы измерения среднего значения прямого напряжения и среднего значения обратного тока. Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения температурного коэффициента напряжения стабилизации. Варикапы. Метод измерения температурного коэффициента ёмкости. Варикапы. Метод измерения добротности. Стабилитроны полупроводниковые прецизионные. Метод измерения времени выхода на режим. Стабилитроны и стабисторы полупроводниковые. Метод измерения временной нестабильности напряжения стабилизации. Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения электрических параметров. Общие положения. Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные и детекторные. Метод измерения коэффициента стоячей волны. Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения среднего выпрямленного тока. Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения выходного сопротивления на промежуточной частоте. Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования. Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные и детекторные. Метод измерения шумового отношения. Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения нормированного коэффициента шума. Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Метод измерения чувствительности по току. Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные и ограничительные. Методы измерения сопротивления потерь. Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения полного входного сопротивления. Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Метод измерения тангенциальной чувствительности. Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения ГОСТ 19834.0-75 ГОСТ 19834.2-74 ГОСТ 19834.3-76 ГОСТ 19834.4-79 ГОСТ 19834.5-80 ОСТ 11.336.919-81 ОСТ 11.336.907.0-81 ОСТ 11.336.907.1-81 ОСТ 11.336.907.3-81 ОСТ 11.336.907.4-81 ОСТ 11.336.907.5-81 ОСТ 11.336.907.6- теплового сопротивления переход-корпус и импульсного теплового сопротивления. Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров. Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости. Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения. Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Методы измерения мощности излучения. Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения. Приборы полупроводниковые. Система условных обозначений. Приборы полупроводниковые. Руководство по применению. Общие положения. Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Руководство по применению. Стабилитроны. Руководство по применению. Диоды импульсные. Руководство по применению. Варикапы. Руководство по применению. Диоды выпрямительные, столбы высоковольтные. Руководство по применению.

Основные стандарты на биполярные и полевые транзисторы ГОСТ 15133-77 ОСТ 11 336.919-81 ГОСТ 2.730-73 ГОСТ 18472-82 ОСТ 16 0.801.250-85 ГОСТ 20003-74* ГОСТ 19095-73* ГОСТ 18604.0-83 ГОСТ 18604.1-80 Приборы полупроводниковые. Термины и определения. Приборы полупроводниковые. Система условных обозначений. ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые. Приборы полупроводниковые. Основные размеры. Приборы полупроводниковые силовые. Транзисторы. Габаритные и присоединительные размеры. Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров. Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров. Транзисторы биполярные. Общие требования при измерении электрических параметров. Транзисторы биполярные. Методы измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте.

ГОСТ 18604.2-80 ГОСТ 18604.3-80 ГОСТ 18604.4-74 ГОСТ 18604.5-74 ГОСТ 18604.6-74 ГОСТ 18604.7-74 ГОСТ 18604.8-74 ГОСТ 18604.9-82 ГОСТ 18604.10-76 ГОСТ18604.11-76 ГОСТ 18604.13- ГОСТ 18604.14-77 ГОСТ 18604.15-77 ГОСТ 18604.16-78 ГОСТ 18604.17-78 ГОСТ 18604.18-78 ГОСТ 18604.19-78 ГОСТ 18604.20-78 ГОСТ 18604.22-78 ГОСТ 18604.23-80 ГОСТ 18604.24- Транзисторы биполярные. Методы измерения статического коэффициента передачи тока. Транзисторы биполярные. Метод измерения ёмкости коллекторного и эмиттерного переходов. Транзисторы. Методы измерения обратного тока коллектора. Транзисторы. Методы измерения обратного тока коллектора – эмиттера. Транзисторы. Метод измерения обратного тока эмиттера. Транзисторы. Метод измерения коэффициента передачи тока. Транзисторы. Метод измерения выходной проводимости. Транзисторы биполярные. Методы определения граничной и предельной частот коэффициента передачи тока. Транзисторы биполярные. Метод измерения входного сопротивления. Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициента шума на высоких и сверхвысоких частотах. Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Метод измерения выходной мощности и определения коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора. Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Метод измерения модуля коэффициента обратной передачи напряжения в схеме с общей базой на высокой частоте. Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Методы измерения критического тока. Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициента обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала. Транзисторы биполярные. Метод измерения плавающего напряжения эмиттер – база. Транзисторы биполярные. Методы измерения статической крутизны прямой передачи. Транзисторы биполярные. Методы измерения граничного напряжения. Транзисторы биполярные. Методы измерения коэффициента шума на низкой частоте. Транзисторы биполярные. Методы измерения напряжения насыщения коллектор – эмиттер и база – эмиттер. Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициентов комбинационных составляющих. Транзисторы биполярные высокочастотные генераторные. Метод измерения выходной мощности и определения коэффициента усиления по мощности и коэффициента ГОСТ 18604.26-85 ГОСТ 18604.27-86 ОСТ 11 336.909.1-79 ОСТ 11 336.909.3-79 ГОСТ 27264-87 ГОСТ 20398.0-83 ГОСТ 20398.1-74 ГОСТ 20398.2-74 ГОСТ 20398.3-74 ГОСТ 20398.4-74 ГОСТ 20398.5-74 ГОСТ 20398.6-74 ГОСТ 20398.7-74 ГОСТ 20398.8-74 ГОСТ 20398.9-80 ГОСТ 20398.10-80 ГОСТ 20398.11-80 ГОСТ 20398.12-80 ГОСТ 20398.13-80 ОСТ 11 336.916- ОСТ 11 336.907.0- полезного действия коллектора. Транзисторы биполярные. Методы измерения временных параметров. Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Метод измерения пробивного напряжения коллектор – база (эмиттер – база) при нулевом токе эмиттера (коллектора). Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Методы измерения граничного напряжения. Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Методы измерения скорости нарастания обратного напряжения. Транзисторы силовые биполярные. Методы измерений. Транзисторы полевые. Общие требования при измерении электрических параметров. Транзисторы полевые. Метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи. Транзисторы полевые. Метод измерения коэффициента шума. Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики. Транзисторы полевые. Метод измерения активной составляющей выходной проводимости. Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной ёмкостей. Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечки затвора. Транзисторы полевые. Метод измерения порогового напряжения и напряжения отсечки. Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока. Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики в импульсном режиме. Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока в импульсном режиме. Транзисторы полевые. Метод измерения ЭДС шума. Транзисторы полевые. Метод измерения остаточного тока стока. Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления сток – исток. Транзисторы полевые. Метод измерения выходной мощности, определения коэффициента усиления по мощности, определения коэффициента полезного действия стока. Приборы полупроводниковые. Руководство по применению. Общие положения.

ОСТ 11 336.907.8-81 ОСТ 11 336.935-82 ОСТ 11 ПО.336. Транзисторы биполярные. Руководство по применению. Транзисторы полевые. Руководство по применению. Приборы полупроводниковые бескорпусные. Руководство по применению.

Основные стандарты на микросхемы ОСТ 11 073.073-82 ОСТИ 073.062-76 Приборы полупроводниковые и микросхемы. Метод контроля температуры полупроводниковых структур. Микросхемы интегральные и приборы полупроводниковые. Требования и методы защиты от статического электричества в условиях производства и применения.

2 Список принятых сокращений Диоды Iвыпр.ср.макс – максимальное значение среднего выпрямленного диодом тока. Iобр – обратный ток через диод. Iобр.ср – средний обратный ток через диод. Iпр – прямой ток через диод. Iпр.макс – максимальный прямой ток. Iпр.и.макс – импульсный максимальный прямой ток. Iпр.ср – средний прямой ток через диод. Iпр.ср.макс – максимальное значение среднего прямого тока через диод. Uобр.макс – максимальное постоянное обратное напряжение, приложенное к диоду. Uобр.и.макс – максимальное импульсное обратное напряжение, приложенное к диоду. Uпр – падение напряжения на диоде при его прямом включении. Uпр.ср – среднее падение напряжения на диоде при его прямом включении. fмакс – максимальная частота, на которой ещё сохраняется свойство односторонней проводимости диода.

Светодиоды I – сила света. Отношение светового потока, распространяющегося от светодиода в рассматриваемом направлении внутри малого телесного угла, к величине этого телесного угла. I – фотометрическая сила света. Измеряется в канделах и является основной фотометрической единицей в системе СИ. Ie – энергетическая сила света. Измеряется в ваттах на стерадиан. IпрUпр – прямой ток через светодиод при напряжении Uпр. L – яркость. Величина, равная отношению силы света светодиода к площади светящейся поверхности. L – фотометрическая яркость. Измеряется в канделах на метр квадратный. – длина волны. макс – максимум спектрального распределения. Длина волны светового излучения, соответствующая максимуму спектральной характеристики светодиода. – угол раскрыва диаграммы направленности излучения. Угол раскрыва диаграммы направленности излучения светодиода, измеренный на уровне 0,5. – длительность импульса.

Оптроны Iвх – входной ток. Iвх.макс – максимальный постоянный входной ток оптопары. Iвх.и.макс – максимальный импульсный входной ток оптопары. Iвых – выходной ток. Pср.макс – средняя рассеиваемая мощность.

Rт – тепловое сопротивление. Uиз – напряжение изоляции оптопары. Uком – коммутируемое напряжение оптопары.

Стабилитроны Iс – номинальный ток стабилизации стабилитрона. Iс.макс – максимальный ток стабилизации стабилитрона. Iс.мин – минимальный ток стабилизации стабилитрона. IсUc – ток стабилизации стабилитрона при соответствующем ему номинальном напряжении стабилизации Uс. rд – динамическое сопротивление стабилитрона. ТКU 10-4 °C-1 – температурный коэффициент стабилизации стабилитрона. Uс – номинальное напряжение стабилизации стабилитрона. Uc.макс – максимальное напряжение стабилизации стабилитрона. Uc.мин – минимальное напряжение стабилизации стабилитрона. t, Т – температура окружающей среды.

Варикапы Cном – номинальная ёмкость при заданном обратном напряжении смещения. Qв – добротность варикапа. Qв равна отношению ёмкостного сопротивления к эквивалентному последовательному сопротивлению.

Туннельные диоды Cд.мин – минимальная общая ёмкость диода. Минимальная ёмкость между выводами диода при заданном режиме работы. Cд.макс – максимальная общая ёмкость диода. Максимальная ёмкость между выводами диода при заданном режиме работы. Iв – ток впадины. Значение прямого тока в точке минимума ВАХ, при котором дифференциальная активная проводимость равна нулю. Iп – пиковый ток. Значение прямого тока в точке максимума ВАХ, при котором дифференциальная активная проводимость равна нулю. Iпр.макс – максимальный постоянный прямой ток. Iп / Iв – отношение пикового тока к току впадины. Iобр.и – импульсный обратный ток. Наибольшее мгновенное значение обратного тока диода, обусловленное импульсным обратным напряжением. Iобр.макс – максимальный обратный ток. Iп – приращение пикового тока туннельного диода. Lд – общая ёмкость туннельного диода. Lкор – индуктивность корпуса туннельного диода. rп – последовательное сопротивление потерь. Суммарное эквивалентное активное сопротивление кристалла, контактных соединений и выводов диода. Uп – напряжение пика. Пиковое напряжение, соответствующее пиковому току. Uпр.макс – максимальное прямое напряжение при заданном прямом токе диода.

Тмакс – максимальное значение температуры.

Тиристоры fу – частота управления. Iзкр – ток в закрытом состоянии. Анодный ток при определённом напряжении в закрытом состоянии при определённом режиме в цепи управляющего электрода тиристора. Iзс.п – повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии. Наибольшее мгновенное значение тока в закрытом состоянии, протекающего через тиристор, включая все повторяющиеся переходные напряжения. Iобр – постоянный обратный ток. Постоянный анодный ток в непроводящем состоянии. Iобр.п – повторяющийся импульсный обратный ток. Наибольшее мгновенное значение обратного тока, включая только повторяющиеся переходные напряжения. Iос – основной постоянный ток в открытом состоянии. Iос.и – импульсный ток в открытом состоянии. Iос.макс – максимальный основной постоянный ток в открытом состоянии. Iос.и.макс – максимальный основной импульсный ток в открытом состоянии. Iос.ср – средний ток в открытом состоянии. Среднее за период значение тока в открытом состоянии. Iос.удр – ударный не повторяющийся ток в открытом состоянии. Наибольший импульсный ток в открытом состоянии, протекание которого вызывает превышение максимально допустимой температуры перехода, но воздействие которого за время срока службы тиристора предполагается редким, с ограниченным числом повторений. Iт.ср.макс – максимально допустимый средний ток, который тиристор выдерживает в открытом состоянии. Iу.от – отпирающий постоянный ток управления. Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора. Iу.от.и – отпирающий импульсный ток управления. Наименьший импульсный ток управления, необходимый для включения тиристора. Iу.пр.и – прямой импульсный ток управления. Импульсный ток управления, соответствующий прямому импульсному напряжению управления. Iуэ – постоянный ток через управляющий электрод тиристора. Rразв – сопротивление гальванической развязки. Rу – сопротивление управления. tвкл – время включения. Интервал времени, в течение которого тиристор включается импульсом тока управления. (Интервал времени измеряют от момента в начале импульса тока, когда основное напряжение понижается до заданного напряжения. Время включения может быть определено по нарастанию тока в открытом состоянии до заданного значения.) tвыкл – время выключения. Наименьший интервал времени между моментом, когда основной ток после внешнего переключения основных цепей понизился до нуля, и моментом, когда тиристор способен выдерживать напряжение в закрытом состоянии с определённой скоростью его нарастания. tзд – время задержки. Интервал времени между заданным моментом в начале импульса тока управления и моментом, когда основное напряжение понижается до заданного значения, близкого к начальному. tи – длительность импульса тока или напряжения в открытом состоянии. tнр – время нарастания. Интервал времени между моментом, когда основное напряжение понижается до значения, близкого к начальному, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора импульсом тока управления. На практике принято считать началом импульса тока или напряжения управления момент, когда их значение достигает 0,1 от амплитуды. За время задержки считают интервал времени до момента спада напряжения до 0,9 от амплитуды или до момента возрастания тока до 0,1 от амплитуды. Время нарастания определяется в интервале спада напряжения от 0,9 до 0,1 от начального значения, а по току – от 0,1 до 0,9 от амплитуды. Время включения равно сумме времён задержки и нарастания. tу – длительность импульса тока или напряжения управления. Uвкл – напряжение включения. Основное напряжение на динисторе, при котором он переходит из закрытого состояния в открытое. Uзс – постоянное напряжение, прикладываемое к тиристору в закрытом состоянии. Uзс.и – импульсное напряжение в закрытом состоянии. Uзс.п – повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии. Наибольшее мгновенное значение напряжения в закрытом состоянии, прикладываемого к тиристору, включая все повторяющиеся переходные напряжения. Uобр.п – повторяющееся импульсное обратное напряжение. Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения, включая только повторяющиеся переходные напряжения. Uос.и – импульсное напряжение в открытом состоянии. Наибольшее мгновенное значение напряжения в открытом состоянии, обусловленное импульсным током в закрытом состоянии заданного значения. Uоткр.макс – максимальное напряжение в открытом состоянии. Напряжение на тиристоре при определённом токе в открытом состоянии. Uт.обр.макс – максимальное напряжение, приложенное в обратном направлении к тиристору. Uу – постоянное напряжение управления. Uу.пр.и.макс – максимальное прямое импульсное напряжение управления. Uу.от – отпирающее постоянное напряжение управления. Постоянное напряжение управления, соответствующее постоянному току управления. Uуэ – постоянное напряжение, приложенное к управляющему электроду тиристора. |dUзс / dt|кр – критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии. Наибольшее значение скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии, которое не вызывает переключения тиристора из закрытого состояния в открытое.

Биполярные транзисторы fгр – граничная частота коэффициента передачи тока. Частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к единице. Частота, равная произведению модуля коэффициента передачи тока на частоту измерения, которая находится в диапазоне частот, где справедлив закон изменения модуля коэффициента передачи тока 6 дБ на октаву. fh21 – предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора. Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением. h21Э – статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора. Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных постоянном обратном напряжении коллектор – эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим эмиттером. h21э – коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером. Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току в схеме с общим эмиттером. Iк – ток коллектора транзистора. Iкбо – обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор – база и разомкнутом выводе эмиттера. Iк.макс – максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора. Iк.и.макс – максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора. Iкэк – обратный ток коллектор – эмиттер при короткозамкнутых выводах базы и эмиттера. Ток в цепи коллектор – эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор – эмиттер и короткозамкнутых выводах эмиттера и базы. Iкэо – обратный ток коллектор – эмиттер при разомкнутом выводе базы. Ток в цепи коллектор – эмиттер при заданном напряжении коллектор – эмиттер и разомкнутом выводе базы. IкэR – обратный ток коллектор – эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база – эмиттер. Ток в цепи коллектор – эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор – эмиттер и заданном сопротивлении в цепи база – эмиттер. Iкэх – обратный ток коллектор – эмиттер заданном обратном напряжении база – эмиттер. Iэ – ток эмиттера транзистора. Iэбо – обратный ток эмиттерного перехода при разомкнутом выводе коллектора транзистора. Iэ.макс – максимально допустимый постоянный ток эмиттера транзистора. Iэ.и.макс – максимально допустимый импульсный ток эмиттера транзистора. Кш – коэффициент шума транзистора. Для биполярного транзистора это отношение мощности шумов на выходе транзистора к той её части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала. Рмакс – максимально допустимая постоянно рассеиваемая мощность. Рк.макс – максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. Рк.и.макс – максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

Рк.ср.макс – максимально допустимая средняя мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. Q – скважность. Rтп-с – тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде. Rтп-к – тепловое сопротивление от перехода к корпусу транзистора. tвкл – время включения биполярного транзистора. Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания. tвыкл – время выключения биполярного транзистора. Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигнет значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения. Тмакс – максимальная температура корпуса транзистора. Тп.макс – максимальная температура перехода транзистора. tрас – время рассасывания биполярного транзистора. Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня. Uкб – напряжение коллектор – база транзистора. Uкбо.макс – максимально допустимое постоянное напряжение коллектор – база при токе эмиттера, равном нулю. Uкбо.и.макс – максимально допустимое импульсное напряжение коллектор – база при токе эмиттера, равном нулю. Uкэо.гр – граничное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера. UкэR.макс – максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база – эмиттер транзистора. Uкэх.и.макс – максимально допустимое импульсное напряжение между коллектором и эмиттером при заданных условиях в цепи база – эмиттер. Uкэ – напряжение коллектор – эмиттер транзистора. Uкэ.нас – напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. Uэбо.макс – максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер – база при токе коллектора, равном нулю.

Однопереходные транзисторы Iвкл – ток включения. Iвыкл – ток выключения. Rб1б2 – межбазовое сопротивление б1 и б2 однопереходного транзистора. Uб1б2 – напряжение между базами б1 и б2 однопереходного транзистора. Uб1б2.макс – максимально допустимое напряжение между базами б1 и б2 однопереходного транзистора. Uб2э.макс – максимально допустимое напряжение между второй базой и эмиттером однопереходного транзистора. – коэффициент передачи однопереходного транзистора. Отношение разности максимально возможного эмиттерного напряжения и падения напряжения на p-n переходе к приложенному межбазовому напряжению.

Полевые транзисторы C11и – входная ёмкость полевого транзистора. Ёмкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком. C12и – проходная ёмкость полевого транзистора. Ёмкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком. C22и – выходная ёмкость полевого транзистора. Ёмкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком. Сзи – ёмкость затвор – исток. Ёмкость между затвором и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах. Eш – электродвижущая сила шума полевого транзистора. Спектральная плотность эквивалентного шумового напряжения, приведённого ко входу, при коротком замыкании на входе в схеме с общим истоком. g22и – активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком. Iз.ут – ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой. IС – ток стока полевого транзистора (не путать с номинальным током стабилизации стабилитрона). Ток, протекающий в цепи сток – исток при напряжении сток – исток, равном или большем, чем напряжение насыщения, при заданном напряжении затвор – исток. Iс.макс – максимально допустимый постоянный ток стока. Iс.нач – начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения. Кур – коэффициент усиления по мощности полевого транзистора. Отношение мощности на выходе полевого транзистора к мощности на входе при определённой частоте и схеме включения. Кш – коэффициент шума транзистора. Для полевого транзистора это отношение полной мощности шумов на выходе полевого транзистора к той её части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала. Rси.отк – сопротивление сток – исток в открытом состоянии полевого транзистора. Сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток – исток, меньшем напряжения насыщения. Rc.мин – минимальное сопротивление канала сток – исток полевого транзистора в проводящем состоянии, включённого по схеме с общим истоком. S – крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком. Тк – температура корпуса транзистора. Температура в заданной точке корпуса транзистора. Uз1з2.макс – максимально допустимое напряжение между затворами. Uзи – напряжение затвор – исток. Uзи.макс – максимально допустимое напряжение затвор – исток.

Uзи.отс – напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения. Uзи.пор – пороговое напряжение полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с изолированным затвором, работающего в режиме обогащения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения. Uзс.макс – максимально допустимое напряжение затвор – сток. Uси – напряжение сток – исток. Uси.макс – максимально допустимое напряжение сток – исток.

Микросхемы f1 – частота единичного усиления. fвх – частота входного сигнала. I0вх – входной ток логического нуля. I1вх – входной ток логической единицы. I1вых – выходной ток логической единицы. Iвх – постоянный ток входа. Iкз – значение тока, потребляемого микросхемой при замкнутом накоротко выходе. Iн – постоянный ток нагрузки. Iн.макс – максимальный ток нагрузки. Iн.макс – диапазон изменения максимального выходного тока – тока, отдаваемого в нагрузку. Iп – потребляемый ток. I1п – ток потребления в режиме логической единицы. КD – минимальный коэффициент усиления. RDвх – входное сопротивление. tздр10 – время задержки при переходе из 1 в 0. tздр01 – время задержки при переходе из 0 в 1. U0вых – выходное напряжение логического нуля. U1вых – выходное напряжение логической единицы. Uвх – входное напряжение. Uвх.макс – максимальное изменение входного напряжения. Uвых – выходное напряжение. Uвых.мин – минимально допустимое выходное напряжение. Uвых – максимальное изменение выходного напряжения – изменение Uвых, обусловленное изменением Iн.макс. Uип – напряжение источника питания. Uип.ном – номинальное напряжение источника питания. Uпд – максимальное падение напряжения на стабилизаторе (Dropout Voltage) Uпд = Uвх – Uвых.мин. Uсм – напряжение смещения “нуля”. Uш – напряжение шумов. Vu – скорость увеличения выходного напряжения.

– абсолютный температурный коэффициент (температурная стабильность), мВ / C, = Uвых / T – изменение выходного напряжения от изменения температуры окружающей среды при неизменных Uвх и Iн. АМ – амплитудная модуляция. АПЧГ – автоматическая подстройка частоты гетеродина. АРУ – автоматическая регулировка усиления. Вид цепи – вид цепи, в которую включён регулирующий элемент микросхемного стабилизатора напряжения. ВЧ – высокая частота. НЧ – низкая частота. ПЧ – промежуточная частота. ПЧЗ – преобразователь частоты звука. ПЧИ – преобразователь частоты изображения. СК – селектор каналов. ФАПЧ – фазовая автоподстройка частоты. ЧМ – частотная модуляция. — – данные не нормируются или информация о данном параметре отсутствует. ТУ – технические условия. и – буква “и” рядом со значением параметра означает, что приведённая величина соответствует импульсному режиму работы транзистора. т – буква “т” рядом со значением параметра означает, что приведённая величина является типовой. Электроды транзисторов условно обозначаются первыми буквами соответствующего названия электродов. Например, затвор – буква “З”, база – “Б”.

Сток (С) Затвор (З) Исток (И) Если не указана температура, при которой были получены параметры деталей, то предполагается, что эта температура – комнатная 25 °C. Коэффициенты h21Э и h21э указаны для соответствующих значений Uкэ (Uкб) и Iк (Iэ) биполярных транзисторов. Значения параметров Uзи и Uси указаны для соответствующих значений Iз.ут и S полевых транзисторов. Значение Pмакс полевых транзисторов указано для соответствующих значений T. Цветные точки рядом с электродом транзистора в металлическом корпусе чаще всего обозначают вывод эмиттера.

3 Диоды 3.1 Диоды выпрямительные Таблица 3.1.1. Диоды малой мощности.

Uпр. при Iпр.;

Тип диода {Uпр.ср} при {Iпр.ср} B АД110А ГД107А ГД107Б Д2Б Д2В Д2Г Д2Д Д2Е Д2Ж Д2И Д7А Д7Б Д7В Д7Г Д7Д Д9Б Д9В Д9Г Д9Д Д9Е Д9Ж Д9И Д9К Д9Л Д101 Д101А 1,5 1 0,4 1 1 1 1 1 1 1 {0,5} {0,5} {0,5} {0,5} {0,5} 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2 1 мА 10 10 1,5 5 9 2 4,5 4,5 2 2 {300} {300} {300} {300} {300} 90 10 30 60 30 10 30 60 30 2 1 Iобр. {Iобр.ср} при Uобр.макс, мкА 5·10 20 100 100 250 250 250 250 250 250 {100} {100} {100} {100} {100} 250 250 250 250 250 250 120 60 250 10 - Предельные режимы Iвыпр.ср.макс;

fмакс, Рисунок {Uобр.и.макс}, {Iпр.ср.макс};

кГц В 30 15 20 30 40 75 75 100 150 100 {50} {100} {150} {200} {300} 10 30 30 30 50 100 30 30 100 75 75 [Iпр.макс], мА 10 20 2,5 {16} {25} {16} {16} {16} {8} {16} {300} {300} {300} {300} {300} 125 62 98 98 62 48 98 98 48 30 30 1000 – – 100 100 100 100 100 100 100 2 2 2 2 2 – – – – – – – – – 150 150 1 2 2 3 3 3 3 3 3 3 5 5 5 5 5 9 9 9 9 9 9 9 9 9 4 4 Uобр.макс, Uпр. при Iпр.;

Тип диода {Uпр.ср} при {Iпр.ср} B Д102 Д102А Д103 Д103А Д206 Д207 Д208 Д209 Д210 Д211 Д223 Д223А Д223Б Д226Б Д226В Д226Г Д226Д КД102А КД102Б КД103А КД103Б КД104А КД105Б КД105В КД105Г МД217 МД218 2 1 2 1 {1} {1} {1} {1} {1} {1} 1 1 1 {1} {1} {1} {1} 1 1 1 1,2 1 {1} {1} {1} {1} {1} мА 2 1 2 1 {100} {100} {100} {100} {100} {100} 50 50 50 {300} {300} {300} {300} 50 50 50 50 10 {300} {300} {300} {100} {100} Iобр. {Iобр.ср} при Uобр.макс, мкА 10 10 30 30 {100} {100} {100} {100} {100} {100} 1 1 1 {100} {100} {100} {100} 0,1 1 0,5 0,5 3 {100} {100} {100} {75} {75} Предельные режимы Iвыпр.ср.макс;

fмакс, Рисунок {Uобр.и.макс}, {Iпр.ср.макс};

кГц В 50 50 30 30 100 200 300 400 500 600 {50} {100} {150} {400} {300} {200} {100} 250 300 50 50 300 {400} {600} {800} {800} {1000} [Iпр.макс], мА 30 30 30 30 100 100 100 100 100 100 50 50 50 {300} {300} {300} {300} 100 100 100 100 10 {300} {300} {300} {100} {100} 150 150 150 150 – – – – – – 20·103 20·10 20·10 1 1 1 1 4 4 – – 10 1 1 1 1 3 Uобр.макс, 4 4 4 4 5 5 5 5 5 5 4 4 4 6 6 6 6 7 7 7 7 7 8 8 8 5 Ниже приведены рисунки к таблице 3.1.1.

Вывод "+" 22 17 4,2 0,15 7,5 2 0,4 Рис. 2,8 Рис. 1 1, 11, 6, 0, 30 а 77 Рис. Рис. Рис. На рисунке 5 для диодов типов Д7, Д206 – Д211 размер а составляет 16 мм, а для диодов МД217 и МД218 составляет 18 мм. Диоды типов КД105 (рисунок 8) маркируются цветными точками на боковой поверхности: точка зелёного цвета – для КД105В, точка красного цвета – для КД105Г. У диодов типа КД105Б точка отсутствует. Полярность диодов обозначается полосой жёлтого цвета у плюсового вывода.

0,8 11, 6, 18 80 Рис. 6 20 3,2 20 0,16 0, 0, 4, Вывод "+" Метка 7 56 Рис. Iпр., мкА 1,8 Рис. 60 0,4 0,5 8 2, Д9В 2, 6000 Место маркировки Обозначение плюсового вывода 2000 + Uобр., В 1 4 Iобр., мкА 2 400 Uпр., мВ Рис. Рис. Диоды Д9 (рисунок 9) – германиевые точечные. Выпускаются в стеклянном корпусе и имеют гибкие выводы. Маркируются цветными точками [29] на средней части корпуса. Полярность диодов обозначается красной точкой со стороны плюсового вывода. Масса диода не более 0,3 г. Маркировка диодов: Д9Б – красная точка;

Д9В – оранжевая;

Д9Г – жёлтая;

Д9Д – белая;

Д9Е – голубая;

Д9Ж – зелёная и голубая;

Д9И – две жёлтые;

Д9К – две белые;

Д9Л – две зелёные точки. На рисунке 10 показана статическая вольт-амперная характеристика (ВАХ) диода Д9В [1, стр. 137].

КД522А, КД522Б Диоды кремниевые эпитаксиально – планарные в пластмассовом корпусе [6, стр. 154 – 155], [29, стр. 113 – 115]. Маркируются цветными полосами: КД522А – два кольца, КД522Б – три кольца. Масса диода не более 0,2 г.

0,55 1,9 3, Электрические параметры. Постоянное прямое напряжение при Iпр = 100 мА не более при 25 C при -55 C Постоянный обратный ток при Uобр = Uобр.макс не более при 25 C для КД522А для КД522Б при 85 C Ёмкость диода не более Заряд переключения при Iпр = 50 мА, Uобр.имп = 10 В не более 1,1 В 1,5 В 2 мкА 5 мкА 50 мкА 4 пФ 400 пКл Предельные эксплуатационные данные. Постоянное обратное напряжение: для КД522А 30 В для КД522Б 50 В Импульсное обратное напряжение при длительности импульса 10 мкс и скважности не менее 10: для КД522А 40 В для КД522Б 60 В 1 Средний выпрямленный ток : при температуре от -55 до 35 C 100 мА при 85 C 50 мА 1 Импульсный прямой ток длительностью 10 мкс без превышения среднего выпрямленного тока: при температуре от -55 до 35 C 1500 мА при 85 C 850 мА Температура перехода 125 C Диапазон рабочей температуры окружающей среды от -55 до +85 C 1. В диапазоне температур от 35 до 85 C снижается линейно.

Таблица 3.1.2. Диоды средней мощности.

Uпр. при Iпр.;

Тип диода {Uпр.ср} при {Iпр.ср} B Д229В Д229Г Д229Д Д229Е Д229Ж Д229И Д229К Д229Л Д242 Д242А Д242Б Д243 Д243А Д243Б Д245 Д245А Д245Б Д246 Д246А Д246Б Д247 Д247Б Д248Б КД202А КД202Б КД202В КД202Г КД202Д КД202Е КД202Ж КД202И {1} {1} {1} {1} {1} {1} {1} {1} {1,2} {1} {1,5} {1,2} {1} {1,5} {1,2} {1} {1,5} {1,2} {1} {1,5} {1,2} {1,5} {1,5} {0,9} {0,9} {0,9} {0,9} {0,9} {0,9} {0,9} {0,9} A {0,4} {0,4} {0,4} {0,4} {0,7} {0,7} {0,7} {0,7} {10} {10} {5} {10} {10} {5} {10} {10} {5} {10} {10} {5} {10} {5} {5} {5} {3,5} {5} {3,5} {5} {3,5} {5} {3,5} Iобр. {Iобр.ср} при Uобр.макс, мА {0,2} {0,2} {0,2} {0,2} {0,2} {0,2} {0,2} {0,2} {3} {3} {3} {3} {3} {3} {3} {3} {3} {3} {3} {3} {3} {3} {3} {0,8} {0,8} {0,8} {0,8} {0,8} {0,8} {0,8} {0,8} Предельные режимы Iвыпр.ср.макс;

fмакс, Рисунок {Uобр.и.макс}, {Iпр.ср.макс};

кГц В {100} {200} {300} {400} {100} {200} {300} {400} {100} {100} {100} {200} {200} {200} {300} {300} {300} {400} {400} {400} {500} {500} {600} 35, {50} 35, {50} 70, {100} 70, {100} 140, {200} 140, {200} 210, {300} 210, {300} [Iпр.макс], А {0,4} {0,4} {0,4} {0,4} {0,7} {0,7} {0,7} {0,7} {10} {10} {5} {10} {10} {5} {10} {10} {5} {10} {10} {5} {10} {5} {5} {5} {3,5} {5} {3,5} {5} {3,5} {5} {3,5} 1 1 1 1 1 1 1 1 – – – – – – – – – – – – – – – 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 3 3 3 3 3 3 3 3 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 2 2 2 2 2 2 2 2 24 Uобр.макс, Uпр. при Iпр.;

Тип диода {Uпр.ср} при {Iпр.ср} B КД202К КД202Л КД202М КД202Н КД202Р КД202С КД203А КД203Б КД203В КД203Г КД203Д КД204А КД204Б КД204В КД206А КД206Б КД206В {0,9} {0,9} {0,9} {0,9} {0,9} {0,9} {1} {1} {1} {1} {1} 1,4 1,4 1,4 {1,2} {1,2} {1,2} A {5} {3,5} {5} {3,5} {5} {3,5} {10} {10} {10} {10} {10} 0,6 0,6 0,6 {10} {10} {10} Iобр. {Iобр.ср} при Uобр.макс, мА {0,8} {0,8} {0,8} {0,8} {0,8} {0,8} {1,5} {1,5} {1,5} {1,5} {1,5} 0,15 0,1 0,05 {0,7} {0,7} {0,7} Предельные режимы Iвыпр.ср.макс;

fмакс, Рисунок {Uобр.и.макс}, {Iпр.ср.макс};

кГц В 280, {400} 280, {400} 350, {500} 350, {500} 420, {600} 420, {600} 420, {600} 560, {800} 560, {800} 700, {1000} 700, {1000} 400, {400} 200, {200} 50, {50} {400} {500} {600} [Iпр.макс], А {5} {3,5} {5} {3,5} {5} {3,5} {10} {10} {10} {10} {10} {0,3} {0,35} {0,6} 10 10 10 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 1 1 1 1 1 50 50 50 1,0 1,0 1,0 2 2 2 2 2 2 4 4 4 4 4 1 1 1 1 1 1 Uобр.макс, Рисунки к таблице 3.1.2.

М Вид А А 1, 12, М Рис. Рис. 0, 20, 11, 3,5 11 35 15, 44 1, 0,8 М 12, М Рис. Рис. Таблица 3.1.3. Диоды [14], [28], [29], [30].

Тип диода 2Д106А 2Д212А 2Д212Б 2Д411А 2Д411Б 2Д907А-1 2Д907Б-1 2Д907В-1 2Д907Г-1 2Д2990А 2Д2990Б 2Д2990В 2Д2992А 2Д2992Б 2Д2992В Iпр.макс, {Iпр.ср.макс}, А 0,3 1 1 1 1 0,05 0,05 0,05 0,05 {20} {20} {20} {30} {30} {30} Iпр.и.макс, А Uобр.и.макс, В Uобр.макс, В Uпр, В fмакс, {f}, кГц – 50 50 12 12 0,7 0,7 0,7 0,7 – – – – – – 100 200 100 800 800 60 60 60 60 600 400 200 250 200 100 100 200 100 500 500 40 40 40 40 600 400 200 200 100 50 1,0 1,0 1,0 1,0 1,5 1,0 1,0 1,0 1,0 1,27 1,27 1,27 0,9 0,9 0,9 50, {30} 100 100 30 30 – – – – 200 200 200 100 100 100 0, Тип диода 2Д2993А 2Д2993Б 2Д2995А 2Д2995Б 2Д2995В 2Д2995Г 2Д2995Д 2Д2995Е 2Д2995Ж 2Д2995И 2Д2997А 2Д2997Б 2Д2997В 2Д2998А 2Д2998Б 2Д2998В Д18 Д219А Д220 Д220А Д220Б Д220С Д223С Д311 Д311А Д311Б Д312 КД209А КД209Б КД209В КД212А КД212Б КД212В КД212Г Iпр.макс, {Iпр.ср.макс}, А {20} {20} {20} {20} {20} {20} {20} {20} {20} {20} {30} {30} {30} {20} {30} {30} 0,016 0,05 0,05 0,05 0,05 0,05 0,05 0,04 0,08 0,02 0,05 {0,7} {0,5} {0,3} 1 1 1 Iпр.и.макс, А Uобр.и.макс, В Uобр.макс, В Uпр, В fмакс, {f}, кГц – – 375 375 375 375 375 375 375 375 – – – – – – 0,05 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,6 0,5 0,5 15 15 15 50 50 50 50 250 200 50 70 100 150 200 100 150 200 250 200 100 15 25 35 – – – – – – – 30 30 30 100 400 600 800 200 200 100 100 200 100 – – – – – – – – 200 100 50 – – – 20 70 50 50 100 – – 30 30 30 100 400 600 800 200 200 100 100 0,88 0,88 0,94 0,94 0,94 0,94 0,94 0,94 0,94 0,94 0,85 0,85 0,85 0,52 0,6 0,6 1,0 1,0 1,5 1,5 1,5 0,63 0,64 0,4 0,4 0,5 1,5 1,0 1,0 1,0 1,0 1,2 1,0 1,2 – – 200 200 200 200 200 200 200 200 100 100 100 200 200 200 – – – – – – – – – – – {1} {1} {1} 100 100 100 100 Тип диода КД213А КД213Б КД213В КД213Г КД221А КД221Б КД221В КД411А КД411Б КД411В КД411Г КД411АМ КД411БМ КД411ВМ КД411ГМ КД520А КД2991А КД2994А КД2995Б КД2995В КД2995Г КД2995Д КД2995Е КД2996А КД2996Б КД2996В КД2997В КД2998А КД2998Б КД2998В КД2998Г КД2998Д КД2999А КД2999Б Iпр.макс, {Iпр.ср.макс}, А 10 10 10 10 {0,7} {0,5} {0,3} 1 1 1 1 1 1 1 1 {0,02} {60} {20} {20} {20} {20} {20} {20} {50} {50} {50} 30, {30} {30} {30} {30} {30} {30} 20, {20} 20, {20} Iпр.и.макс, А Uобр.и.макс, В Uобр.макс, В Uпр, В fмакс, {f}, кГц 100 100 100 100 1 1 1 11 11 11 11 8 8 12 12 0,05 800 – – – – – – – – – – – – – – – – – 200 200 200 100 100 200 400 700 600 500 400 700 750 600 500 20 450 100 70 100 50 70 100 50 70 100 100 15 20 25 35 30 250 200 200 200 200 100 – – – – – – – – – – – 15 – 100 – – – – – – – – 50 – – – – – 200 100 1,0 1,2 1,0 1,2 – – – 1,4 1,4 1,4 2 1,4 1,4 1,4 2,0 1,0 0,68 1,01 1,1 1,1 1,1 1,1 1,1 0,86 0,86 0,86 1,0 0,52 0,52 0,7 0,7 0,61 0,85 0,85 100 100 100 100 {1} {1} {1} 30 30 30 30 30 30 30 30 – 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 100 200 200 200 200 200 100 100 Тип диода КД2999В КЦ106А КЦ106Б КЦ106В КЦ106Г КЦ106Д КЦ109А Iпр.макс, {Iпр.ср.макс}, А 20, {20} 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01 0, Iпр.и.макс, А Uобр.и.макс, В Uобр.макс, В Uпр, В fмакс, {f}, кГц – 0,02 0,02 0,02 0,02 0,02 – 100 4000 6000 8000 10000 2000 6000 50 – – – – – – 0,85 35 35 35 35 35 7,0 100 50, {20} 50, {20} 50, {20} {20} {20} {15,6} Диоды КД209 маркируются цветными точками и полосами: КД209А – точка отсутствует, полоса красного цвета;

КД209Б – точка зелёного цвета, полоса красного цвета;

КД209В – точка красного цвета, полоса красного цвета. Таблица 3.1.4. Высоковольтные выпрямительные селеновые столбы [30, стр. 642].

Тип прибора 3ГЕ130АФ 3ГЕ220АФ 5ГЕ40АФ 5ГЕ60АФ 5ГЕ80АФ 5ГЕ100АФ 5ГЕ140АФ 5ГЕ200АФ 5ГЕ600АФ Uобр.макс, кВ 3,0 5,0 1,0 1,5 2,0 2,5 3,5 5,0 15,0 Iвыпр.ср.макс*, мА 0,06 0,06 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 Длина столба L, мм, не более – 135 100 106 112 120 130 150 * Максимально допустимое значение выпрямленного тока при использовании столба в однополупериодном выпрямителе с активной нагрузкой. Столбы, обозначение которых начинается с цифры 3, имеют диаметр D 4 мм, а с цифры 5 – 6 мм (5ГЕ600АФ имеет диаметр 9 мм). Габаритные размеры столбов показаны ниже.

3ГЕ130АФ-5ГЕ600АФ L D 3.2 Диодные сборки Таблица 3.2.1. Диодные сборки (приборы не установлены на радиаторы).

Тип прибора Iпр.ср.макс, А Uобр.и.макс, В Uпр при Iпр.макс, В fмакс, кГц КЦ205А КЦ205Б КЦ205В КЦ205Г КЦ205Д КЦ205Е КЦ205Ж КЦ205И КЦ205К КЦ205Л КЦ402А КЦ402Б КЦ402В КЦ402Г КЦ402Д КЦ402Е КЦ402Ж КЦ402И КЦ403А КЦ403Б КЦ403В КЦ403Г КЦ403Д КЦ403Е КЦ403Ж КЦ403И КЦ404А КЦ404Б КЦ404В КЦ404Г КЦ404Д 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,3 0,5 0,3 0,7 0,7 1 1 1 1 1 1 0,6 0,6 1 1 1 1 1 1 0,6 0,6 1 1 1 1 1 500 400 300 200 100 500 600 700 100 200 600 500 400 300 200 100 600 500 600 500 400 300 200 100 600 500 600 500 400 300 200 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 Тип прибора Iпр.ср.макс, А Uобр.и.макс, В Uпр при Iпр.макс, В fмакс, кГц КЦ404Е КЦ404Ж КЦ404И КЦ405А КЦ405Б КЦ405В КЦ405Г КЦ405Д КЦ405Е КЦ405Ж КЦ405И КЦ407А КЦ410А КЦ410Б КЦ410В КД906А КД906Б КД906В КД906Г КД906Д КД906Е 1 0,6 0,6 1 1 1 1 1 1 0,6 0,6 0,5 3 3 3 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 100 600 500 600 500 400 300 200 100 600 500 300 50 100 200 75 50 30 75 50 30 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 2,5 1,2 1,2 1,2 1 1 1 1 1 1 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 20 – – – 500 500 500 500 500 Приборы КД205А – КД205Л – диоды кремниевые диффузионные. В пластмассовом корпусе собираются по два электрически не соединённых диода. Масса прибора не более 6 г. Расположение выводов диодных сборок типов КЦ402, КЦ403, КЦ404, КЦ405 указано на корпусах сборок.

КЦ405А Расположение выводов диодной сборки типа КЦ407А указано на следующем рисунке 1.

3 2 Жёлтая точка - вывод 4 5 3 2 4 5 Рис. Диодные сборки КД906 состоят из 4 кремниевых диодов. Диоды сборок КД906А, КД906Б, КД906В соединены по схеме моста (смотрите ниже приведённый рисунок 2).

КД906А, Б, В 2 КД906Г, Д, Е 1 4 2 1 3 4 4 2 Рис. 2 КЦ410А – КЦ410В – блоки из кремниевых диффузионных диодов [25, стр. 161]. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип блока и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Диоды в сборке собраны по однофазной мостовой схеме. Масса блока не более 20 г.

3.3 Светодиоды Таблица 3.3.1. Светодиоды.

Светодиод АЛ103А АЛ103Б, мкм 0,95 0,95 t окружающей фронта светово- спада световосреды, °C го импульса, нс го импульса, нс 25 25 25±10 25±10 25±10 -40…+85 -40…+85 25 200 – 300 200 – 300 10 10 10 20 20 400 – 2400 500 500 20 20 20 – – 1200 Примечание Инфракрасные Инфракрасные Инфракрасные Инфракрасные Инфракрасные Инфракрасные Инфракрасные Бескорпусные Рисунок 1 1 2 2 2 3 3 АЛ106А 0,92…0,935 АЛ106Б 0,92…0,935 АЛ106В 0,92…0,935 АЛ107А АЛ107Б 0,9…1,2 0,9…1, АЛ109А 0,92…0, Рисунки к таблице 3.3.1.

Направление излучения + Не излучающая поверхность Рис. Рис. Рис. 3 АЛ Рис. Утолщение "+" Рис. Таблица 3.3.2. Светодиоды красного цвета свечения [6, стр. 202 – 203], [28, стр. 114 – 117], [41].

Значения параметров при T = 25 C Тип прибора I, мккд (L, кд/м2) [Ie, мВт/ср] 1П5А-К 1П5Б-К 1П6А-К 1П6Б-К 1П6А-П 1П6А-Л 1П7А-К 1П7Б-К 1П7А-П 1П7А-Л 1П8А-К 1П8Б-К 1П8А-П 1П8А-Л 1П9А-К 1П9Б-К 1П9А-П 1П9А-Л 1П10А-К 1П10А-П 1П10А-Л 1П10Б-К 1П12А-П 1П16А-П 1П18А-К 1П18А-Л 1П18А-П 1П18Б-К 1П19А-К 1П19А-Л 1П19А-П 1П19Б-К 3Л102А 3Л102Б 900 2000 900 2000 700 4000 900 2000 700 4000 600 1000 700 1500 600 1000 700 1500 900 700 10000 2000 700 20000 900 10000 700 2000 900 10000 700 2000 20 Предельные значения при T = 25 C Iпр.макс, мА 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 20 Iпр, Uпр, IпрUпр, мА 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 5 макс, мкм 0,65…0,67 0,65…0,67 0,65…0,675 0,65…0,675 0,65…0,675 0,66 0,65…0,675 0,65…0,675 0,65…0,675 0,66 0,65…0,675 0,65…0,675 0,65…0,675 0,66 0,65…0,675 0,65…0,675 0,65…0,675 0,66 0,65…0,675 0,65…0,675 0,66 0,65…0,675 0,65…0,68 0,66 0,65…0,675 0,66 0,65…0,675 0,65…0,675 0,65…0,675 0,65…0,675 0,65…0,675 0,65…0,675 0,69 0, Iпр.и. макс, мА – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – 60 Uобр. tи, мс макс, В 2 2 – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – 2 2 – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – 10 10 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 В 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 3 мА 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 5 Значения параметров при T = 25 C Тип прибора I, мккд (L, кд/м2) [Ie, мВт/ср] 3Л102Г 3Л102Д 3Л365А АЛ102АМ АЛ102БМ АЛ102ГМ АЛ112А АЛ112Б АЛ112В АЛ112Г АЛ112Д АЛ112Е АЛ112Ж АЛ112И АЛ112К АЛ112Л АЛ112М АЛ301А-1 АЛ301Б-1 АЛ307АМ АЛ307БМ АЛ307КМ АЛ307ЛМ АЛ316А АЛ316Б АЛ310А АЛ310Б АЛ336А АЛ336Б АЛ336К АЛ341А АЛ341Б АЛ341И АЛ341К ИПД04А-1К ИПД04Б-1К 60 200 [0,1] 130 200 400 (1000) (600) (250) (350) (150) (1000) (600) (250) (1000) (600) (250) 25 100 200 900 2000 6000 800 250 600 250 6000 20000 40000 150 500 300 700 15000 Предельные значения при T = 25 C Iпр.макс, мА 20 20 30 20 20 20 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 11 11 22 22 22 22 20 20 12 12 20 20 20 20 20 30 30 30 Iпр, Uпр, IпрUпр, мА 10 20 20 5 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 5 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 макс, мкм 0,69 0,69 0,675 0,69 0,69 0,69 0,68 0,68 0,68 0,68 0,68 0,68 0,68 0,68 0,68 0,68 0,68 0,7 0,7 0,665 0,665 0,665 0,665 0,67 0,67 0,67 0,67 0,655…0,68 0,655…0,68 0,655…0,68 0,69…0,71 0,69…0,71 0,69…0,71 0,69…0,71 0,7 0, Iпр.и. макс, мА 60 60 100 60 60 60 – – – – – – – – – – – – – 100 100 100 100 – – – – 100 100 100 60 60 100 100 – – Uобр. tи, мс макс, В 2 2 20 2 2 2 – – – – – – – – – – – – – 2 2 2 2 – – – – 2 2 2 2 2 2 2 – – 10 10 10 10 10 10 – – – – – – – – – – – – – 10 10 10 10 – – – – 10 10 10 10 10 10 10 – – 2 2 – 2 2 2 – – – – – – – – – – – – – 2 2 2 2 – – 4 4 2 2 2 2 2 2 2 2 В 3 3 2 2,8 2,8 2,8 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2,8 2,8 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2,8 2,8 2 2 2 мА 10 20 20 5 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 5 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 Значения параметров при T = 25 C Тип прибора I, мккд (L, кд/м2) [Ie, мВт/ср] ИПД13А-К ИПД14А-К ИПД14Б-К ИПД25А-К ИПМ01Б-1К КИПД02А-1К КИПД02Б-1К КИПД05А-1К КИПД06А-1К КИПД06Б-1К КИПД07А-К КИПД07Б-К КИПД14А-К КИПД14А1-К КИПД14Б-К КИПД17А-К КИПД17Б-К КИПД17В-К КИПД21А-К КИПД21Б-К КИПД21В-К КИПД23А-К КИПД23А1-К КИПД23А2-К КИПД24А-К КИПД24Б-К КИПД24В-К КИПД31А-К КИПД31Б-К КИПД31В-К КИПД31Г-К КИПД35А-К КИПД35Б-К КИПД35В-К КИПД36А1-К КИПД36Б1-К 14000 1000 2500 11500 1000 400 1000 200 4000 6000 400 150 1000 1000 2500 2000 1000 500 1000 4000 8000 200 700 400 1000 2500 4000 500 1000 2000 4000 1000 3000 5000 10000 Предельные значения при T = 25 C Iпр.макс, мА 25 20 20 25 30 20 20 6 25 25 20 20 20 20 20 20 20 20 30 30 30 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 30 30 30 30 Iпр, Uпр, IпрUпр, мА 10 5 5 10 20 5 5 5 25 25 5 5 5 2 5 10 10 10 10 10 20 2 2 2 5 5 5 10 10 10 10 20 20 20 20 макс, мкм 0,66…0,675 0,67 0,67 0,66…0,675 0,7 0,7 0,7 0,7 0,7 0,7 0,67 0,67 0,67 0,67 0,67 0,66 0,66 0,66 0,65…0,67 0,65…0,67 0,65…0,67 – – – – – – 0,65…0,67 0,65…0,67 0,65…0,67 0,65…0,67 0,65…0,69 0,65…0,69 0,65…0,69 – – Iпр.и. макс, мА 55 100 100 55 60 100 100 20 75 75 100 100 100 100 100 – – – 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 Uобр. tи, мс макс, В 2,5 5 10 10 2,5 2 2 2 2 2 2 1 1 1 1 – – – 2 2 2 1 1 1 1 1 1 2 2 2 2 1 1 1 1 1 5 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 – – – 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 40 3 3 40 5 3 3 2 10 10 3 3 3 3 3 3 3 3 2,2 2,2 2,2 – – – 3 3 3 2 2 2 2 2,2 2,2 2,2 2 В 17,5 2 2 20 2 1,8 1,8 1,8 5,5 5,5 1,8 1,8 2 2 2 2,5 2,5 2,5 2 2 2 2 2 2 2,5 2,5 2,5 2 2 2 2 2 2 2 2 мА 10 5 5 10 20 4 4 5 25 25 5 5 5 2 5 10 10 10 10 10 20 2 2 2 5 5 5 10 10 10 10 20 20 20 20 Значения параметров при T = 25 C Тип прибора I, мккд (L, кд/м2) [Ie, мВт/ср] КИПМ01А-1К КИПМ01Б-1К КИПМ02А-1К КИПМ02Б-1К КИПМ03А-1К КИПМ03Б-1К КИПМ04А-1К КИПМ04Б-1К КИПМ05А-1К КИПМ05А1-1К КИПМ05Б-1К КИПМ05Б1-1К КИПМ06А-1К КИПМ06А1-1К КИПМ06Б-1К КИПМ06Б1-1К КИПМ07А-1К КИПМ07А1-1К КИПМ07Б-1К КИПМ07Б1-1К КИПМ10А-1К КИПМ10Б-1К КИПМ10В-1К КИПМ10Г-1К КИПМ11А-1К КИПМ11Б-1К КИПМ11В-1К КИПМ11Г-1К КИПМ12А-1К КИПМ12Б-1К КИПМ12В-1К КИПМ12Г-1К КИПМ13А-1К КИПМ13Б-1К КИПМ13В-1К КИПМ13Г-1К 400 1000 400 1000 400 1000 400 1000 800 500 1200 800 800 500 1200 800 800 500 1200 800 3000 2000 1000 500 3000 2000 1000 500 3000 2000 1000 500 3000 2000 1000 Предельные значения при T = 25 C Iпр.макс, мА 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 Iпр, Uпр, IпрUпр, мА 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 макс, мкм 0,7 0,7 0,7 0,7 0,7 0,7 0,7 0,7 – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – Iпр.и. макс, мА 60 60 60 70 70 70 70 70 60 60 60 60 60 60 60 60 60 60 60 60 – – – – – – – – – – – – – – – – Uобр. tи, мс макс, В 2 2 2 2 2 2 2 2 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 – – – – – – – – – – – – – – – – 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 – – – – – – – – – – – – – – – – 5 5 5 5 5 5 5 5 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 – – – – – – – – – – – – – – – – В 2 2 2 2 2 2 2 2 1,9 1,9 1,9 1,9 1,9 1,9 1,9 1,9 1,9 1,9 1,9 1,9 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 мА 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 Значения параметров при T = 25 C Тип прибора I, мккд (L, кд/м2) [Ie, мВт/ср] КИПМ14А-1К КИПМ14Б-1К КИПМ14В-1К КИПМ14Г-1К КИПМ15А-1К КИПМ15Б-1К КИПМ15В-1К КИПМ15Г-1К 3000 2000 1000 500 3000 2000 1000 Предельные значения при T = 25 C Iпр.макс, мА 30 30 30 30 30 30 30 Iпр, Uпр, IпрUпр, мА 10 10 10 10 10 10 10 макс, мкм – – – – – – – – Iпр.и. макс, мА – – – – – – – – Uобр. tи, мс макс, В – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – В 2 2 2 2 2 2 2 мА 10 10 10 10 10 10 10 Максимальная температура для светодиодов, приведённых в таблице 3.3.2 – 70 C. Исключения: КИПД17А-К, КИПД17Б-К, КИПД17В-К – 85 C и КИПД06-1К, КИПД06Б-1К – 55 C.

Таблица 3.3.3. Светодиоды жёлтого цвета свечения [6, стр. 203 – 204], [28, стр. 117 – 118], [41].

Значения параметров при T = 25 C Тип прибора I, мккд Iпр, Uпр, IпрUпр, В 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,5 2,5 2,5 3,5 3,5 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 17,5 20 2, Предельные значения при T = 25 C Iпр.макс, мА 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 12 12 20 20 20 22 22 25 25 макс, мкм 0,58…0,6 0,58…0,6 0,58…0,6 0,58…0,6 0,58…0,6 0,58…0,6 0,58…0,6 0,58…0,6 0,58…0,6 0,58…0,6 0,58…0,6 0,58…0,6 0,58…0,6 0,58…0,6 0,58…0,6 0,58…0,6 0,58…0,6 0,58…0,6 0,58…0,6 0,56;

0,7 0,56;

0,7 0,56;

0,7 0,67;

0,56 0,67;

0,56 0,675…0,702 0,675…0,702 0,675…0,702 0,68…0,7;

0,55…0,56 0,68…0,7;

0,55…0,56 0,582…0,595 0,582…0,595 0, Iпр.и. макс, мА – – – – – – – – – – – – – – – – – – – 60 60 60 – – 60 60 60 22 22 55 55 Uобр. tи, мс макс, В – – – – – – – – – – – – – – – – – – – 2 2 2 – – 2 2 2 2 2 2,5 2,5 2 – – – – – – – – – – – – – – – – – – – 10 10 10 – – 10 10 10 10 10 5 5 10 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 4 4 2 2 2 2 2 40 40 (L, кд/м2) мА 1П5А-Ж 1П5Б-Ж 1П6А-Ж 1П6Б-Ж 1П7А-Ж 1П7Б-Ж 1П8А-Ж 1П8Б-Ж 1П9А-Ж 1П9Б-Ж 1П10А-Ж 1П10Б-Ж 1П13А-Ж 1П13Б-Ж 1П13В-Ж 1П18А-Ж 1П18Б-Ж 1П19А-Ж 1П19Б-Ж АЛ307ДМ АЛ307ЕМ АЛ307ЖМ АЛ310Д АЛ310Е АЛ336Д АЛ336Е АЛ336Ж АЛ341Д АЛ341Е ИПД13Б-Ж ИПД25Б-Ж КИПД02Д-1Ж 400 1000 400 1000 400 1000 400 1000 400 1000 400 1000 400 1000 2000 400 1000 400 1000 400 1500 6000 600 250 4000 10000 15000 150 500 8000 8000 250 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 мА 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 Значения параметров при T = 25 C Тип прибора I, мккд Iпр, Uпр, IпрUпр, В 2,5 2,5 2 2 3 3 3 3 3 3 2,8 2,8 2,8 3 3 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2, Предельные значения при T = 25 C Iпр.макс, мА 20 6 20 20 18 18 18 18 18 18 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 макс, мкм 0,63 0,63 – – 0,58 0,58 0,58 – – – 0,565…0,625 0,565…0,625 0,565…0,625 – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – Iпр.и. макс, мА 60 20 60 60 – – – 60 60 60 100 100 100 100 100 100 60 60 60 60 60 60 60 60 60 60 60 – – – – – – – – – Uобр. tи, мс макс, В 2 2 1 1 – – – 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 – – – – – – – – – 10 10 10 10 – – – 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 – – – – – – – – – 3 2 3 3 3 3 3 3 3 3 2,2 2,2 2,2 2 2 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 – – – – – – – – – (L, кд/м2) мА КИПД02Е-1Ж КИПД05В-1Ж КИПД14Е-Ж КИПД14И-Ж КИПД17А-Ж КИПД17Б-Ж КИПД17В-Ж КИПД24А-Ж КИПД24Б-Ж КИПД24В-Ж КИПД35А-Ж КИПД35Б-Ж КИПД35В-Ж КИПД36Д1-Ж КИПД36Е1-Ж КИПМ05Д-1Ж КИПМ05Д1-1Ж КИПМ05Е-1Ж КИПМ05Е1-1Ж КИПМ06Д-1Ж КИПМ06Д1-1Ж КИПМ06Е-1Ж КИПМ06Е1-1Ж КИПМ07Д-1Ж КИПМ07Д1-1Ж КИПМ07Е-1Ж КИПМ07Е1-1Ж КИПМ10И-1Ж КИПМ10К-1Ж КИПМ11И-1Ж КИПМ11К-1Ж КИПМ12И-1Ж КИПМ12К-1Ж КИПМ13И-1Ж КИПМ13К-1Ж КИПМ14И-1Ж 650 100 1000 1500 1500 750 400 1000 2500 4000 1000 3000 5000 7000 10000 800 500 1200 800 800 500 1200 800 800 500 1200 800 400 750 400 750 400 750 400 750 400 5 5 10 10 10 10 10 10 10 10 20 20 20 30 30 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 мА 4 5 10 10 10 10 10 10 10 10 20 20 20 30 30 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 Значения параметров при T = 25 C Тип прибора I, мккд Iпр, Uпр, IпрUпр, В 2,8 2,8 2,8 5,5 5,5 5, Предельные значения при T = 25 C Iпр.макс, мА 30 30 30 10 20 макс, мкм – – – 0,64 0,64 0, Iпр.и. макс, мА – – – – – – Uобр. tи, мс макс, В – – – – – – – – – – – – – – – – – – (L, кд/м2) мА КИПМ14К-1Ж КИПМ15И-1Ж КИПМ15К-1Ж КЛ101А КЛ101Б КЛ101В 750 400 750 (10) (15) (20) 20 20 20 10 20 мА 20 20 20 10 20 Максимальная температура для светодиодов, приведённых в таблице 3.3.3 – 70 C. Исключения: КИПД17А-Ж, КИПД17Б-Ж, КИПД17В-Ж – 85 C.

Таблица 3.3.4. Светодиоды оранжевого цвета свечения [6, стр. 203], [28, стр. 118 – 119].

Значения параметров при T = 25 C Тип прибора I, мккд 400 1000 400 1000 400 1000 400 1000 400 1000 400 1000 400 1000 2000 400 1000 400 1000 7000 15000 400 750 400 750 400 750 400 750 400 750 400 Предельные значения при T = 25 C Iпр.макс, мА 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 Iпр, Uпр, IпрUпр, мА 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 30 30 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 макс, мкм 0,63…0,65 0,63…0,65 0,63…0,65 0,63…0,65 0,63…0,65 0,63…0,65 0,63…0,65 0,63…0,65 0,63…0,65 0,63…0,65 0,63…0,65 0,63…0,65 0,63…0,65 0,63…0,65 0,63…0,65 0,63…0,65 0,63…0,65 0,63…0,65 0,63…0,65 – – – – – – – – – – – – – – Iпр.и. макс, мА – – – – – – – – – – – – – – – – – – – 100 100 – – – – – – – – – – – – Uобр. tи, мс макс, В – – – – – – – – – – – – – – – – – – – 1 1 – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – 10 10 – – – – – – – – – – – – 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 – – – – – – – – – – – – В 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 3 3 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2, мА 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 30 30 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 1П5А-О 1П5Б-О 1П6А-О 1П6Б-О 1П7А-О 1П7Б-О 1П8А-О 1П8Б-О 1П9А-О 1П9Б-О 1П10А-О 1П10Б-О 1П14А-О 1П14Б-О 1П14В-О 1П18А-О 1П18Б-О 1П19А-О 1П19Б-О КИПД36Ж1-Р КИПД36И1-Р КИПМ10Л-1Р КИПМ10М-1Р КИПМ11Л-1Р КИПМ11М-1Р КИПМ12Л-1Р КИПМ12М-1Р КИПМ13Л-1Р КИПМ13М-1Р КИПМ14Л-1Р КИПМ14М-1Р КИПМ15Л-1Р КИПМ15М-1Р Максимальная температура для всех светодиодов в таблице 3.3.4 равна 70 C.

Таблица 3.3.5. Светодиоды зелёного цвета свечения [6, стр. 204 – 205], [28, стр. 119 – 121], [41].

Значения параметров при T = 25 C Тип прибора I, мккд 400 1000 400 1000 400 400 1000 1000 400 400 1000 1000 400 400 1000 1000 400 400 1000 1000 400 400 1000 1000 400 1000 2000 400 400 1000 400 400 1000 Предельные значения при T = 25 C Iпр.макс, мА 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 Iпр, Uпр, IпрUпр, мА 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 макс, мкм 0,55…0,57 0,55…0,57 0,55…0,57 0,55…0,57 0,55…0,57 0,55…0,57 0,55…0,57 0,55…0,57 0,55…0,57 0,55…0,57 0,55…0,57 0,55…0,57 0,55…0,57 0,55…0,57 0,55…0,57 0,55…0,57 0,55…0,57 0,55…0,57 0,55…0,57 0,55…0,57 0,55…0,57 0,55…0,57 0,55…0,57 0,55…0,57 0,55…0,57 0,55…0,57 0,55…0,57 0,55…0,57 0,55…0,57 0,55…0,57 0,55…0,57 0,55…0,57 0,55…0,57 0,55…0, Iпр.и. макс, мА – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – Uобр. tи, мс макс, В – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 В 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2, мА 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 1П5А-З 1П5Б-З 1П5А-И 1П5Б-И 1П6А-З 1П6А-И 1П6Б-З 1П6Б-И 1П7А-З 1П7А-И 1П7Б-З 1П7Б-И 1П8А-З 1П8А-И 1П8Б-З 1П8Б-И 1П9А-З 1П9А-И 1П9Б-З 1П9Б-И 1П10А-З 1П10А-И 1П10Б-З 1П10Б-И 1П15А-И 1П15Б-И 1П15В-И 1П18А-З 1П18А-И 1П18Б-З 1П19А-З 1П19А-И 1П19Б-З 1П19Б-И Значения параметров при T = 25 C Тип прибора I, мккд 250 450 600 400 1500 6000 16000 600 250 10000 15000 20000 20000 50000 150 500 800 11500 500 1000 1500 11500 2500 800 600 250 500 100 3000 5000 500 1000 1500 1500 750 Предельные значения при T = 25 C Iпр.макс, мА 22 22 22 22 22 22 22 12 12 20 20 20 20 20 22 22 12 25 20 20 20 25 30 12 12 20 20 6 25 25 20 20 20 18 18 Iпр, Uпр, IпрUпр, мА 20 20 20 20 20 20 20 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 20 10 10 5 5 5 25 25 10 10 10 10 10 макс, мкм 0,53 0,56 0,56 0,567 0,567 0,567 0,567 0,55 0,55 0,554…0,572 0,554…0,572 0,554…0,572 0,554…0,572 0,554…0,572 0,55…0,56 0,55…0,56 0,55…0,56 0,558…0,57 – – – 0,558…0,57 0,56 0,55…0,56 0,55…0,56 0,55 0,55 0,55 – – – – – 0,56 0,56 0, Iпр.и. макс, мА 60 60 60 60 60 60 60 – – 60 60 60 60 60 60 60 250 55 60 60 60 55 60 250 250 60 60 20 50 50 60 60 60 – – – Uобр. tи, мс макс, В 2 2 2 2 2 2 2 – – 2 2 2 2 2 2 2 10 2,5 1 1 1 2,5 2 10 10 2 2 2 2 2 1 1 1 – – – 10 10 10 10 10 10 10 – – 10 10 10 10 10 10 10 16 5 10 10 10 5 10 16 16 10 10 10 10 10 10 10 10 – – – 2 2 2 2 2 2 2 4 4 2 2 2 2 2 2 2 8 40 3 3 3 40 5 8 8 3 3 2 10 10 3 3 3 3 3 В 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 3,5 3,5 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 7 17,5 2,5 2,5 2,5 20 2,8 7 7 2,5 2,5 2,5 7,5 7,5 2,5 2,5 2,5 3 3 мА 20 20 20 20 20 20 20 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 20 10 10 4 4 5 25 25 10 10 10 10 10 3Л102В АЛ102ВМ АЛ102ДМ АЛ307ВМ АЛ307ГМ АЛ307НМ АЛ307ПМ АЛ310В АЛ310Г АЛ336В АЛ336Г АЛ336И АЛ336И1 АЛ336Н АЛ341В АЛ341Г ИПД01А-1Л ИПД13В-Л ИПД14В-Л ИПД14Г-Л ИПД14Д-Л ИПД25В-Л ИПМ01Д-1Л КИПД01А-1Л КИПД01Б-1Л КИПД02В-1Л КИПД02Г-1Л КИПД05Б-1Л КИПД06В-1Л КИПД06Г-1Л КИПД14В-Л КИПД14Г-Л КИПД14Д-Л КИПД17А-Л КИПД17Б-Л КИПД17В-Л Значения параметров при T = 25 C Тип прибора I, мккд 1000 2500 4000 1000 3000 5000 7000 10000 400 1000 2500 400 1000 2500 400 1000 2500 400 1000 2500 800 500 1200 800 800 500 1200 800 800 500 1200 800 2000 1000 500 Предельные значения при T = 25 C Iпр.макс, мА 18 18 18 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 Iпр, Uпр, IпрUпр, мА 10 10 10 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 макс, мкм – – – 0,535…0,59 0,535…0,59 0,535…0,59 – – 0,56 0,56 0,56 0,56 0,56 0,56 0,56 0,56 0,56 0,56 0,56 0,56 – – – – – – – – – – – – – – – – Iпр.и. макс, мА 60 60 60 100 100 100 100 100 60 60 60 70 70 70 70 70 70 70 70 70 60 60 60 60 60 60 60 60 60 60 60 60 – – – – Uобр. tи, мс макс, В 1 1 1 1 1 1 1 1 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 – – – – 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 – – – – 3 3 3 2,2 2,2 2,2 2 2 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 – – – – В 3 3 3 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2, мА 10 10 10 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 КИПД24А-Л КИПД24Б-Л КИПД24В-Л КИПД35А-Л КИПД35Б-Л КИПД35В-Л КИПД36В1-Л КИПД36Г1-Л КИПМ01В-1Л КИПМ01Г-1Л КИПМ01Д-1Л КИПМ02В-1Л КИПМ02Г-1Л КИПМ02Д-1Л КИПМ03В-1Л КИПМ03Г-1Л КИПМ03Д-1Л КИПМ04В-1Л КИПМ04Г-1Л КИПМ04Д-1Л КИПМ05В-1Л КИПМ05В1-1Л КИПМ05Г-1Л КИПМ05Г1-1Л КИПМ06В-1Л КИПМ06В1-1Л КИПМ06Г-1Л КИПМ06Г1-1Л КИПМ07В-1Л КИПМ07В1-1Л КИПМ07Г-1Л КИПМ07Г1-1Л КИПМ10Д-1Л КИПМ10Е-1Л КИПМ10Ж-1Л КИПМ11Д-1Л Значения параметров при T = 25 C Тип прибора I, мккд 1000 500 2000 1000 500 2000 1000 500 2000 1000 500 2000 1000 Предельные значения при T = 25 C Iпр.макс, мА 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 Iпр, Uпр, IпрUпр, мА 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 макс, мкм – – – – – – – – – – – – – – Iпр.и. макс, мА – – – – – – – – – – – – – – Uобр. tи, мс макс, В – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – В 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2, мА 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 КИПМ11Е-1Л КИПМ11Ж-1Л КИПМ12Д-1Л КИПМ12Е-1Л КИПМ12Ж-1Л КИПМ13Д-1Л КИПМ13Е-1Л КИПМ13Ж-1Л КИПМ14Д-1Л КИПМ14Е-1Л КИПМ14Ж-1Л КИПМ15Д-1Л КИПМ15Е-1Л КИПМ15Ж-1Л Максимальная температура для светодиодов, приведённых в таблице 3.3.5 – 70 C. Исключения: КИПД17А-Л, КИПД17Б-Л, КИПД17В-Л – 85 C и КИПД06В-1Л, КИПД06Г-1Л – 85 C.

Таблица 3.3.6. Светодиоды синего цвета свечения [6, стр. 205], [28, стр. 121].

Значения параметров при T = 25 C Тип прибора I, мккд Предельные значения при T = 25 C Iпр.макс, мА Iпр, Uпр, IпрUпр, мА макс, мкм 0, Iпр.и. макс, мА – Uобр. tи, мс макс, В – – – В мА КЛД901А Таблица 3.3.7. Светодиоды переменного (красного – зелёного) цвета свечения [6, стр. 205], [28, стр. 121].

Значения параметров при T = 25 C Тип прибора I, мккд Iпр, мА 10;

20 10;

20 10 10 10 10 10 10 10 20 Предельные значения при T = 25 C Iпр.макс, мА 12;

22 12;

22 20 20 20 20 20 20 20 22 Uпр, IпрUпр, В 2;

2,8 2;

2,8 3 3 4 2,4;

2,8 2,4;

2,8 2,2;

2,8 2,2;

2,8 2,2;

2,8 2,2;

2, макс, мкм 0,65…0,67;

0,55…0,57 0,65…0,67;

0,55…0,57 0,56;

0,7 0,56;

0,7 0,56;

0,7 0,61…0,64;

0,563…0,567 0,61…0,64;

0,563…0,567 – – – – Iпр.и. макс, мА – – 70 100;

60 100;

60 60 60 100;

60 100;

60 100;

60 100;

мА 10;

20 10;

20 10 10 10 10 10 10 10 20 tи, мс – – 2 2 2 1 1 1 1 1 Uобр. макс, В – – 10 10 10 10 10 10 10 10 10 2 2 2 2 2 3 3 3 3 3 1П17-К/З 1П21-К/З 3ЛС331А 3ЛС331АМ АЛС331АМ КИПД18А-М КИПД18Б-М КИПД19А-М КИПД19Б-М КИПД37А-М КИПД37А1-М 1000;

400 1000;

1000 250 1000 1000 1000 3000 2000 4000 5000 Таблица 3.3.8. Светодиоды переменного (красного, жёлтого и зелёного) цвета свечения [28, стр. 121].

Значения параметров при T = 25 C Тип прибора I, мккд 500;

500;

1000 500;

500;

Предельные значения при T = 25 C Iпр.и. макс, мА 90;

60;

90 90;

60;

Iпр, мА 10 Uпр, В 2;

2,5;

2,8 2;

2,5;

2, IпрUпр, макс, Iпр.макс, мА 10 Uобр. tи, мс макс, В 2 2 10 10 4 мкм – – мА 20 КИПД33А-М КИПД33Б-М Таблица 3.3.9. Светодиоды с антистоксовыми люминофорами зелёного цвета свечения [28, стр. 121].

Значения параметров при T = 25 C Тип прибора I, мккд 300 600 300 Предельные значения при T = 25 C Iпр.макс, мА 20 20 20 Iпр, Uпр, IпрUпр, мА 10 10 10 макс, мкм 0,55…0,56 0,55…0,56 0,55…0,56 0,55…0, Iпр.и. макс, мА 80 80 80 Uобр. tи, мс макс, В 3 3 3 3 4 4 4 4 – – – – В 1,7 1,7 1,7 1, мА 10 10 10 АЛ360А АЛ360Б АЛ360А1 АЛ360Б Максимальная температура для всех светодиодов, приведённых в таблицах 3.3.6, 3.3.7 – 70 C, а в таблицах 3.3.8 и 3.3.9 – 85 C. Для подавляющего большинства отечественных светодиодов, полярность которых определяется длинным выводом, последний является анодом.

АЛ102А, АЛ102Б, АЛ102В, АЛ102Г Светодиоды фосфидогаллиевые эпитаксиальные [29, стр. 201, 202]. Масса светодиода не более 0,25 г.

0,3 0,5 3 + 2,5 1, Электрические и световые параметры. Яркость свечения не менее: для АЛ102А для АЛ102Б для АЛ102В для АЛ102Г Цвет свечения: для АЛ102А, АЛ102Б, АЛ102Г для АЛ102В Постоянное прямое напряжение1 не более: для АЛ102А для АЛ102Б, АЛ102В для АЛ102Г 5 нт 40 нт 20 нт 10 нт Красный Зелёный 3,2 В 4,5 В 3,0 В 1. При Iпр = 2 мА для АЛ102Б, АЛ102В;

Iпр = 5 мА для АЛ102А;

Iпр = 10 мА для АЛ102Г. Предельные эксплуатационные данные. Постоянный прямой ток при температуре от -60 до 55 C: для АЛ102А, АЛ102Г 10 мА для АЛ102Б, АЛ102В 20 мА Постоянный прямой ток при температуре от 50 до 70 C: для АЛ102А, АЛ102Б, АЛ102Г 10 мА для АЛ102В 20 мА Импульсное обратное напряжение при длительности импульса не более 20 мкс и частоте не более 1 кГц 2В Рабочий диапазон температур окружающей среды от -60 до 70 C 3.4 Семисегментные индикаторы На рисунке 1 показано соответствие между сегментами индикатора и буквенными обозначениями.

a f e gb dc h Рис. Рис. На рисунке 2 показан внешний вид светодиодного семисегментного индикатора VQE24F, имеющего зелёный цвет свечения. Нумерация его выводов показана на следующем рисунке 3.

VQE24F 16 14 1 3 2 15 17 18 11 13 8 6 7 12 10 a b c d e f g h a b c d e f g h Рис. 5 "+" 4 "+" АЛС324Б 1 13 11 8 7 2 10 АЛС324А 14 13 3 9 14 8 7 6 1 2 a b c d e f g h Рис. a b c d e f g h Рис. 4 На рисунке 4 показана нумерация выводов индикаторов АЛС324Б, АЛС321Б, АЛС333Б, АЛС333Г, АЛС334Б, АЛС335Б, АЛС335Г, 3ЛС338Б, 3ЛС338Г. На рисунке 5 показана нумерация выводов индикаторов АЛС321А, АЛС324А, АЛС333А, АЛС333В, АЛС334А, АЛС334В, АЛС335А, АЛС335В, 3ЛС338А, 3ЛС338В. Индикатор АЛС324Б имеет красный цвет свечения, номинальный прямой ток 20 мА, максимальный постоянный прямой ток 25 мА, максимальный импульсный прямой ток 300 мА, прямое падение напряжения 2,5 В, мощность рассеяния 500 мВт. Индикаторы знакосинтезирующие, на основе соединения арсенид – фосфид – галлий, эпитаксиально – планарные [41, стр. 475 – 478]. Предназначены для отображения цифровой информации. Индикаторы имеют 7 сегментов и децимальную точку. Выпускаются в пластмассовом корпусе. Высота знака 3 мм. Масса прибора не более 0,25 г.

4x1= АЛ304А, АЛ304Б, АЛ304В, АЛ304Г АЛ304А-Г 7 6 4 2 1 10 9 10 9 8 7 6 5, a b c d e f g h АЛ304(А,Б,В) 3, 8 3 10 7 9 1 2 6 5 5, 12345 5, 6, АЛ304Г 3, АЛ304А – АЛ304В: 1 – анод e (смотрите рисунок 1);

2 – анод d;

3, 8 – катод общий;

4 – анод c;

5 – анод h;

6 – анод b;

7 – анод a;

9 – анод g;

10 – анод f. АЛ304Г: 1 – катод e;

2 – катод d;

3, 8 – анод общий;

4 – катод c;

5 – катод h;

6 – катод b;

7 – катод a;

9 – катод g;

10 – катод f. Электрические и световые параметры. Цвет свечения индикаторов: АЛ304А, АЛ304Б, АЛ304Г АЛ304В Красный Зелёный Яркость при Iпр = 5 мА, не менее: АЛ304А АЛ304Б АЛ304В при токе через сегмент 10 мА АЛ304Г Неравномерность яркости между элементами Постоянное прямое напряжение при Iпр = 5 мА, не более: Т = +25 и +70 C для АЛ304А, АЛ304Б Т = -60 для АЛ304А, АЛ304Б Т = +25 и +70 C для АЛ304В, АЛ304Г Т = -60 для АЛ304В, АЛ304Г Предельные эксплуатационные данные. Постоянный прямой ток : через каждый сегмент через все сегменты Рассеиваемая мощность Температура окружающей среды 140 кд / м2 80…320 кд / м2 60 кд / м2 350 кд / м2 -60 % 2В 2,4 В 3В 3,6 В 11 мА 88 мА 264 мВт -60 … +70 C 3.5 Оптроны 3ОТ110А, 3ОТ110Б, 3ОТ110В, 3ОТ110Г, АОТ110А, АОТ110Б, АОТ110В, АОТ110Г Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения мышьяк – галлий – алюминий и составного кремниевого фототранзистора. Предназначены для использования в качестве переключателя в гальванически развязанных электрических цепях радиоэлектронной аппаратуры [41, стр. 637 – 639]. Выпускаются в металлическом корпусе. Масса прибора не более 1,5 г.

90o 4 5 3 2 8, o 5 6, 0,5 20 9, Основные характеристики. Входное напряжение при Iвх = 25 мА, не более Остаточное (выходное) напряжение при Iвх = 25 мА, Iвых = 100 мА для 3ОТ110Б, 3ОТ110В, АОТ110Б, АОТ110В, Iвых = 200 мА для 3ОТ110А, 3ОТ110Г, АОТ110А, АОТ110Г, не более Ток утечки на выходе при Iвх = 0, Т = +25 C, Uком = 15 В для 3ОТ110Г, АОТ110Г, Uком = 50 В для 3ОТ110А, 3ОТ110Б, 3ОТ110В, АОТ110А, АОТ110Б, АОТ110В, не более Сопротивление изоляции при Uиз = 100 В, не менее Предельные эксплуатационные данные. Коммутируемое напряжение: 3ОТ110А, 3ОТ110В, АОТ110А, АОТ110В 3ОТ110Б, АОТ110Б 3ОТ110Г, АОТ110Г Напряжение изоляции 2В 1,5 В 110 мкА 109 Ом 30 В 50 В 15 В 100 В Обратное входное напряжение Постоянный входной ток1 при Т = -60 … +35 C Амплитуда входного тока2 при tи 10 мкс, Т = -60 … +35 C Постоянный выходной ток при Т = -60 … +35 C: 3ОТ110А, 3ОТ110Г, АОТ110А, АОТ110Г 3ОТ110Б, 3ОТ110В, АОТ110Б, АОТ110В Амплитуда выходного тока при tи 10 мс: 3ОТ110А, 3ОТ110Г, АОТ110А, АОТ110Г 3ОТ110Б, 3ОТ110В, АОТ110Б, АОТ110В Средняя рассеиваемая мощность3 при Т = -60 … +35 C Температура окружающей среды 0,7 В 30 мА 100 мА 200 мА 100 мА 200 мА 100 мА 360 мВт -60…+70 C 1. В диапазоне температур окружающей среды +35 … +70 C Iвх.макс снижается линейно с коэффициентом 0,43 мА / C. 2. При изменении длительности импульса от 10-5 до 10-2 с и температуры окружающей среды в диапазоне +35 … +70 C Iвх.и.макс определяется по формуле Iвх.и.макс= 70 102 3 Т lg 45, мА. 3 tи 3. При температуре окружающей среды свыше +35 C допустимая рассеиваемая мощность определяется по формуле Pср.макс = Rт (80 – Т), мВт, где Rт = 8,0 мВт / C.

АОУ115А, АОУ115Б, АОУ115В, АОУ115Г, АОУ115Д На следующем рисунке изображена цоколёвка оптрона АОУ115(А-Д).

АОУ115А 5 1, 11, Динисторные оптопары АОУ115А, АОУ115Б, АОУ115В, АОУ115Г, АОУ115Д состоят из арсенид – галлиевого инфракрасного излучателя и фотоприёмника – кремниевого фотодинистора, изолированных друг от друга [3], [41, том 3, стр. 666 – 668]. Данные оптроны изготавливают по гибридной технологии. Масса прибора – не более 0,8 г. Ключом при определении цоколёвки оптрона служит верхняя по рисунку часть корпуса, скошенная под углом 45°. Основные характеристики. Ток включения (ток излучателя), мА, не более, при напряжении на закрытом фотодинисторе 10 В 20 Падение напряжения на излучателе, В, не более, при входном токе 20 мА 2 Время включения, мкс, не более 10 Время выключения, мкс, не более 200 Предельные эксплуатационные данные. Максимальный входной постоянный ток, мА 30 Максимальный входной импульсный ток, мА 60 Наибольшее прямое выходное напряжение на закрытом фотодинисторе, В, для АОУ115А 50 АОУ115Б, В 200 АОУ115Г, Д 400 Наибольшее постоянное обратное напряжение на фотодинисторе, В, для АОУ115В 200 АОУ115Д 400 Максимальный выходной постоянный ток, мА 100 Минимальное выходное напряжение на закрытом фотодинисторе, В 10 Напряжение изоляции, В 3, 3ОТ127А, 3ОТ127Б, АОТ127А, АОТ127Б, АОТ127В Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий – алюминий – мышьяк и кремниевого фототранзистора [41, стр. 646 – 649]. Предназначены для бесконтактной коммутации цепей постоянного тока с гальванической развязкой между входом и выходом. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Масса прибора не более 2 г.

9,5 1,2 4 1, 0,5 6 1,5 Ключ 1 2, 2 Электрические параметры. Входное напряжение при Iвх = 5 мА, не более Остаточное (выходное) напряжение при Iвх = 5 мА, Iвых = 70 мА для 3ОТ127А, 3ОТ127Б, АОТ127А при Iвх = 5 мА, Iвых = 15 мА для АОТ127Б, АОТ127В при Iвх = 0,5 мА, Iвых = 2,5 мА для 3ОТ127А Ток утечки на выходе, не более: при Iвх = 0, Uком = 30 В для 3ОТ127А, 3ОТ127Б, АОТ127А, АОТ127Б при Iвх = 0, Uком = 15 В для АОТ127В Сопротивление изоляции при Uиз = 500 В, не менее Предельные эксплуатационные данные. Обратное постоянное или импульсное входное напряжение Коммутируемое напряжение:

6, 3, 1,6 В 1,5 В 1,5 В 1,2 В 10 мкА 10 мкА 1011 Ом 1,5 В 3ОТ127А, 3ОТ127Б, АОТ127А, АОТ127Б АОТ127В Напряжение изоляции1 Постоянный (импульсный при tи > 10 мкс) входной ток2 при Т +35 C: 3ОТ127А, 3ОТ127Б АОТ127А, АОТ127Б, АОТ127В Импульсный входной ток3 при tи 10 мкс, Т +35 C: 3ОТ127А, 3ОТ127Б АОТ127А, АОТ127Б, АОТ127В Выходной ток4: 3ОТ127А, 3ОТ127Б АОТ127А, АОТ127Б, АОТ127В Температура окружающей среды 30 В 15 В 1000 В 20 мА 15 мА 85 мА 100 мА 100 мА 70 мА -60…+85 C 1. В диапазоне температур окружающей среды +35 … +85 C Uиз снижается линейно до 500 В. 2. В диапазоне температур окружающей среды +35 … +85 C Iвх.макс снижается линейно с коэффициентом 0,3 мА / C. 3. В диапазоне температур окружающей среды +35 … +85 C Iвх.и.макс снижается линейно с коэффициентом 1,3 мА / C. При изменении длительности импульса от 10-2 … 10-5 с Iвх.и.макс определяется по формуле 65 lg Iвх.и.макс= 3 102 tи, для 3ОТ127А, 3ОТ127Б;

20, мА.

, для АОТ127А – АОТ127В. 102 85 lg tи Iвх.и.макс= 15, мА. 3 4. В диапазоне температур окружающей среды +35 … +85 C Iвх.макс снижается линейно с коэффициентом 1,6 мА / C.

3.6 Стабилитроны Таблица 3.6.1. Стабилитроны.

Тип стабилитрона Д808 Д809 Д810 КС147 КС158А КС162А* КС168В КС170А КС175А КС182А КС191А КС210Б КС213Б* КС211Б КС211В КС211Г КС211Д КС215Ж КС433А КС439А КС447А КС456А КС468А КС533А КС620А КС650А КС680А 2С920А 2С930А 2С950А Номинальное напряжение стабилизации Uс, В Минимум 7 8 9 4,1 – – – – – – – – – 11 9,3 9,9 9,9 13,5 – – – – – 29,7 – – – – – – Среднее – – – – 6,8 6,2 6,8 7 7,5 8,2 9,1 10 13 – – – – 15 3,3 3,9 4,7 5,6 6,8 – 120 150 180 120 130 150 Максимум 8,5 9,5 10,5 5,2 – – – – – – – – – 12,6 11 12,1 12,1 16,5 – – – – – 36,3 – – – – – – Iс, мА 5 5 5 10 10 10 10 10 5 5 5 5 5 10 10 10 10 2 30 30 30 30 30 10 50 25 25 – – – rд, Iс.макс, ТКU 10-4 °C-1 Ом мА 6 10 12 56 28 35 28 20 16 14 18 22 25 – – – – 70 25 25 18 12 5 40 150 255 330 100 120 170 7 8 9 – 6 – – – – – – – – 2 -2 ±1 ±0,5 9,5 -10 -10 -8 … +3 5 6,5 10 20 20 20 16 16 16 33 29 26 58 45 22 20 20 18 17 15 14 10 33 33 33 33 10 191 176 159 139 119 17 42 33 28 42 38 Тип стабилитрона 2С980А Номинальное напряжение стабилизации Uс, В Минимум – Среднее 180 Максимум – Iс, мА – rд, Iс.макс, ТКU 10-4 °C-1 Ом мА 220 16 В таблице 3.6.1. отмечены * двуанодные стабилитроны КС162А и КС213Б. Таблица 3.6.2. Стабилитроны.

Тип стаби- Uc.мин, Uc.макс, IсUc, Iс.макс, Iс.мин, литрона В В мА мА мА Д814А Д814Б Д814В Д814Г Д814Д Д815А Д815Б Д815В Д815Г Д815Д Д815Е Д815Ж Д811 Д818Г Д818Д Д818Е Д818А Д818Б Д818В КС630А 2С107А 2С156А КС133А КС139А Д811 Д813 7 8 9 10 11,5 5 6,1 7,4 9 10,8 13,3 16,2 10 8,55 8,55 8,55 9,00 7,65 8,10 117 0,57 4,7 3,3 3,9 10 11,5 8,5 9,5 10,5 12 14 6,2 7,5 9,1 11 13,3 16,4 19,8 12 9,45 9,45 9,45 10,35 9,00 9,90 143 0,73 6,6 3,3 3,9 12 14 5 5 5 5 5 1000 1000 1000 500 500 500 500 – 10 10 10 10 10 10 5 1 10 10 10 – – 40 36 32 29 24 1400 1150 950 800 650 550 450 23 33 33 33 33 33 33 38 100 55 81 – 23 20 – – – – – 50 50 50 25 25 25 25 3 – – – – – – – 1 – 3 – 3 3 Стабистор У стабилитронов не имеющих в названии буквы “П”, корпус является положительным электродом (например, Д815А). Стабилитроны, в названии которых имеется буква “П” (например, Д815АП) имеют обратную полярность. Примечания Тип стаби- Uc.мин, Uc.макс, IсUc, Iс.макс, Iс.мин, литрона В В мА мА мА Д816А Д816Б Д816В Д816Г Д816Д Д817А Д817Б Д817В Д817Г КС509А КС509Б КС509В КС196А КС196Б КС196В КС482А КС515А КС518А КС522А КС527А 19,6 24,2 28,5 35 42,5 50,5 61 74 90 13,8 16,8 18,8 9,6 9,6 9,6 7,4 13,5 16,2 19,8 24,3 24,2 29,5 36 43 51,5 61,5 75 90 110 15,6 19,1 21,2 9,6 9,6 9,6 9 16,5 19,8 24,2 29,7 – – – – – – – – – – – – – – – 5 5 5 5 5 230 180 150 130 110 90 75 60 50 42 35 31 20 20 20 96 53 45 37 30 10 10 10 10 10 5 5 5 5 0,5 0,5 0,5 3 3 3 1 1 1 1 Примечания У стабилитронов не имеющих в названии буквы “П”, корпус является положительным электродом (например, Д816А). Стабилитроны, в названии которых имеется буква “П” (например, Д816БП) имеют обратную полярность.

Маркируются меткой красного цвета. Маркируются меткой жёлтого цвета. Маркируются меткой зелёного цвета. Предназначены для использования в качестве прецизионного источника опорного напряжения в цифровой технике. Температурный коэффициент напряжения стабилизации для КС482А равен 0,08 %/C, а для КС515А, КС518А, КС522А и КС527А равен 0,1 %/C. Стабильность величины напряжения стабилизации ± 1,5 %.

КС520В, КС531В, КС547В, КС568В, КС596В Стабилитроны кремниевые диффузионно – сплавные [29, стр. 167]. Предназначены для использования в качестве источников опорного напряжения. Выпускаются в пластмассовом корпусе. Масса диодов КС520В, КС531В, КС547В 0,8 г. Масса диодов КС568В, КС596В 1,3 г.

L H 1,0 2,8 14 0, l S Место маркировки Таблица 3.6.3. Размеры в миллиметрах (смотрите рисунок).

Тип прибора КС520В, КС531В, КС547В КС568В, КС596В L 11 14 l 7,5 10 H 5 6 S 5 Таблица 3.6.4. Электрические параметры.

Параметры Напряжение стабилизации1, В: при 25 C при 100 C Минимальный ток стабилизации, мА [35] Максимальный ток стабилизации, мА [35] Температурный коэффициент напряжения стабилизации2 не более, % / C Дифференциальное сопротивление1 не более, Ом Дифференциальное сопротивление, соответствующее минимальному току стабилизации 3 мА, не более, Ом 120 210 50 350 280 490 400 700 560 980 19…21 29,45…32,55 44,65…49,35 64,6…71,4 91,2…100,8 18,8…21,2 29,33…32,67 44,25…49,75 64,1…71,9 90,4…101,5 3 22 3 15 3 10 3 10 3 КС520В КС531В КС547В КС568В КС596В ±0, ±0, ±0, ±0, ±0, 1. При Iст = 10 мА для КС531В;

Iст = 5 мА для остальных типов стабилитронов. 2. Классификация стабилитронов произведена при T = 55 и 100 C.

3.7 Варикапы Таблица 3.7.1. Параметры варикапов [30, стр. 648].

Тип вариCном*, пФ Uобр.макс, В Qв**, не менее капа Д901А Д901Б Д901В Д901Г Д901Д Д901Е Д902 КВ101А КВ102А КВ102Б КВ102В КВ102Г КВ102Д КВ103А КВ103Б КВ104А КВ104Б КВ104В КВ104Г КВ104Д КВ104Е КВ105А КВ105Б КВ106А КВ106Б КВ107А КВ107Б КВ107В КВ107Г КВ109А*** КВ109Б*** 22 … 32 22 … 32 28 … 38 28 … 38 34 … 44 34 … 44 6 … 12 160 … 240 14 … 23 19 … 30 25 … 40 19 … 30 19 … 30 18 … 32 28 … 38 90 … 120 106 … 144 128 … 192 95 … 143 128 … 192 95 … 143 400 … 600 400 … 600 20 … 50 15 … 35 10 … 40 10 … 40 30 … 65 30 … 65 2,3 … 2,8 2,0 … 2,3 80 45 80 45 80 45 25 4 45 45 45 45 80 80 80 45 45 45 80 80 45 90 50 120 90 5,5 … 16 5,5 … 16 13 … 31 13 … 31 25 25 25 30 25 30 25 30 30 12 40 40 40 100 40 50 40 100 100 100 100 100 150 500 500 40 60 20 20 20 20 300 300 Iобр (при Uобр.макс, tокр = 25 C), мкА, не более 1,0 1,0 1,0 1,0 1,0 1,0 – 1,0 1,0 1,0 1,0 1,0 1,0 10 10 5,0 5,0 5,0 5,0 5,0 5,0 50 50 20 20 100 100 100 100 0,5 0,5 Тип вариCном*, пФ Uобр.макс, В Qв**, не менее капа КВ109В*** КВ109Г*** КВ110А КВ110Б КВ110В КВ110Г КВ110Д КВ110Е КВС111А КВС111Б 8,0 … 17 8,0 … 17 12 … 18 14 … 21 17 … 26 12 … 18 14 … 21 17 … 26 33 33 25 25 45 45 45 45 45 45 30 30 160 160 300 300 300 150 150 150 200 Iобр (при Uобр.макс, tокр = 25 C), мкА, не более 0,5 0,5 1,0 1,0 1,0 1,0 1,0 1,0 1,0 1, * При Uобр = 0,8 В для КВ101А;

Uобр = 25 В для КВ109А и КВ109Б;

Uобр = 3 В для КВ109В и КВ109Г и Uобр = 4 В для варикапов остальных типов. ** При f = 1 МГц для КВ105А, КВ105Б;

f = 10 МГц для КВ104А – КВ104Е;

КВ107А – КВ107Г и f = 50 МГц для варикапов остальных типов и при температуре 25 C. *** Варикапы КВ109А – КВ109Г предназначены для использования в резонаторах диапазона дециметровых волн (ДМВ).

3.8 Туннельные диоды Таблица 3.8.1. Усилительные туннельные диоды [28, стр. 80], [29, стр. 187, 201 – 203].

Значения параметров при Т = 25 C Тип прибора Iп, Iп, мА мА Cд.мин, пФ 0,9 1,4 1,8 1 1,6 2,2 1,2 0,8 0,6 0,5 0,45 0,4 0,4 1,8 2,3 1 0,8 0,7 1 – 2 – 2,5 – 4,5 Cд.макс, пФ 1,8 2,2 3 2 2,6 3,2 2,2 1,9 1,4 1,1 1 0,9 0,8 2,7 3,5 2,1 1,6 1,3 3,2 4 8 5 10 8 13 Iп/Iв 5 5 5 5 5 5 5 4 4 4 4 4 4 5 5 4 4 4 4 5 5 6 6 6 6 Uп, мВ 100 100 100 90 90 90 90 90 90 90 100 100 100 90 90 90 90 90 90 160 160 160 160 180 180 Lд, {Lкор}, нГн {0,35} {0,35} {0,35} 0,35 0,35 0,35 {0,35} 0,13 0,13 0,13 1,3 1,3 1,3 {0,35} {0,35} 0,35 0,35 0,35 0,35 1,3 1,3 1,3 1,3 1,3 1,3 rп, Ом 6 6 4,5 6 6 4,5 6 6 6 7 7 7 8 4 3 6 6 6 7 18 16 16 14 8 7 Iобр.и, мкА 20 20 20 25 25 25 30 100 100 100 100 100 100 30 30 100 100 100 100 30 30 40 40 80 80 Предельные значения параметров при Т = 25 C Uпр. мВ – – – – – – – 400 400 400 400 400 400 – – 400 400 400 400 600 600 600 600 600 600 Iпр. мА 3 3 3 4 4 4 5,4 1 1 1 1 0,51 0,51 5,4 5,4 1,5 1,5 1,5 1,5 – – – – – – Iобр. мА 3 3 3 4 4 4 5,4 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 5,4 5,4 1,5 1,5 1,5 1,5 – – – – – – макс, макс, макс, Тмакс, C 70 70 70 70 70 70 70 70 70 70 70 70 70 70 70 70 70 70 70 85 85 85 85 85 1И102А 1И102Б 1И102В 1И102Г 1И102Д 1И102Е 1И102Ж 1И104А 1И104Б 1И104В 1И104Г 1И104Д 1И104Е 1И104И 1И104К ГИ103А ГИ103Б ГИ103В ГИ103Г АИ101А АИ101Б АИ101В АИ101Д АИ101Е АИ101И 1,5 0,25 1,5 0,25 1,5 0,25 2 2 2 0,3 0,3 0, 2,7 0,4 1,5 0,2 1,5 0,2 1,5 0,2 1,5 0,2 1,5 0,2 1,5 0,2 2,7 0,4 2,7 0,4 1,5 0,3 1,5 0,3 1,5 0,3 1,7 0,4 1 1 2 2 5 5 0,25 0,25 0,3 0,3 0,5 0, Таблица 3.8.2. Генераторные туннельные диоды [28, стр. 80], [29, стр. 188].

Значения параметров при Т = 25 C Тип прибора Iп, Iп, мА мА Cд.мин, Cд.макс, пФ 3И202А 3И202Б 3И202В 3И202Г 3И202Д 3И202Е 3И202Ж 3И202И 3И202К 3И203А 3И203Б 3И203Г 3И203Д 3И203Ж 3И203И АИ201А АИ201В АИ201Г АИ201Е АИ201Ж АИ201И АИ201К АИ201Л 10 10 10 20 20 20 30 30 50 10 10 20 20 30 30 10 10 20 20 50 50 100 100 1 1 1 2 2 2 3 3 5 1 1 2 2 3 3 1 1 2 2 5 5 10 10 – 1,5 2,3 – 2 3 – 4 – – 1,5 – 1,5 – 2,5 – – – 6 – 10 – 10 пФ 3 3 4,8 4 45 2,5 5 8 10 2 3 3 – 3 4,5 8 8 10 20 15 30 20 50 Iп / Iв 8 8 8 8 8 8 8 8 8 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 Uп, Lд, rп, Iобр.и, Uпр.макс, мВ нГн Ом 200 0,5 200 0,5 200 0,5 220 0,5 220 0,5 220 0,5 240 0,5 240 0,5 260 0,5 200 0,3 200 0,3 220 0,3 240 0,3 180 1,3 180 1,3 200 1,3 200 1,3 5 4 4 4 3 3 3 3 2 6 4 4 3 8 8 5 4 мкА 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 100 100 100 100 220 220 220 220 мВ 400 400 400 450 450 450 450 450 450 400 400 450 450 450 450 600 600 600 450 600 600 600 600 Предельные значения параметров при Т = 25 C Iобр. Iпр.макс, мА – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – макс, мА 20 20 20 40 40 40 60 60 100 5 5 10 10 15 15 – – – – – – – – Тмакс, C 85 85 85 85 85 85 85 85 85 85 85 85 85 85 85 85 85 85 85 85 85 85 220 0,3 3,5 240 0,3 2, 260 1,3 2,5 260 1,3 2,5 330 1,3 2,2 330 1,3 2, АИ101А - АИ101И (-) 0,3 (+) 9, 2,8 3.9 Фотографии диодной сборки, диодов, стабилитрона, светодиода, оптрона АОУ115А АЛ307 Д817Г КЦ402В КД221А КД522А 2Д201В Д237А 4 Тиристоры 4.1 Тиристоры импульсные Д235А, Д235Б, Д235В, Д235Г Тиристоры кремниевые диффузионно – сплавные структуры p-n-p-n триодные не запираемые [42, стр. 48 – 51]. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов средней мощности. Выпускаются в металлическом корпусе с жёсткими выводами. Тип тиристора приводится на корпусе. Масса тиристора не более 16 г.

Д235А, Д235Б, Д235В, Д235Г 21,5 М 40 22 УЭ Катод Анод 3, Электрические параметры. Напряжение в открытом состоянии при Iос = 2 А, Iу.от = 50 мА, не более: Т = +25 C Т = -60 C Отпирающее импульсное напряжение управления при Uзс = 10 В и Т = -60 C, не более Постоянный ток в закрытом состоянии при Uзс = Uзс.макс, не более: Т = +25 и -60 C Т = +100 C, Тк = +80 C Постоянный обратный ток при Uобр = Uобр.макс, не более: Т = +25 и -60 C Т = +100 C, Тк = +80 C Отпирающий постоянный ток управления при Uзс = 10 В, не более: Т = +25 C Т = -60 C 2В 2,5 В 5В 2 мА 3 мА 2 мА 3 мА 30 мА 50 мА Отпирающий импульсный ток управления при Uзс = 10 В: Т = -60 C, не более Т = +100 C, не менее 250 мА 0,5 мА Предельные эксплуатационные данные. Обратное постоянное напряжение управления 1В Постоянное напряжение в закрытом состоянии: при Т = +25 C: Д235А, Д235В 50 В Д235Б, Д235Г 100 В при Т = -60 и +100 C: Д235А, Д235В 40 В Д235Б, Д235Г 80 В Постоянное обратное напряжение: при Т = +25 C: Д235В 50 В Д235Г 100 В при Т = -60 и +100 C: Д235В 40 В Д235Г 80 В 1 Постоянный ток в открытом состоянии при Тк = -60 … +70 C 2А Импульсный ток в открытом состоянии: при Iос.ср 1 А и tи 10 мс 10 А при одиночных импульсах длительностью до 50 мкс 60 А Постоянный ток управления при Тк = -60 … +100 C 150 мА Импульсный ток управления при tи = 50 мкс и Тк = -60 … +100 C 350 мА 1 Средняя рассеиваемая мощность при Тк = -60 … +70 C 4 Вт Температура окружающей среды -60 … Тк = +100 C 1. При Тк = +70 … +100 C максимально допустимые постоянный ток в открытом состоянии и средняя рассеиваемая мощность определяются по формулам:

Iос.макс= 102 – Тк ;

16 Рср.макс= 102 Тк. Д238А, Д238Б, Д238В, Д238Г, Д238Д, Д238Е Тиристоры кремниевые диффузионно – сплавные триодные не запираемые [42, стр. 52 – 54]. Предназначены для применения в качестве переключаемых элементов большой мощности. Выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами. Тип тиристора приводится на корпусе. Масса тиристора с крепёжным фланцем не более 42,5 г, масса крепёжного фланца не более 6,5 г.

25,6 22,6 R8, А УЭ Д238(А-Е) R6, К 125o 7,5 15, 16 3 Электрические параметры. Напряжение в открытом состоянии при Iос = 10 А, Iу.от 150 мА, не более: Т = +25 C Т = -60 C Отпирающее импульсное напряжение управления при Uзс = 10 В, fу = 50 … 100 Гц, tи = 10 мкс, не более Постоянный ток в закрытом состоянии при Uзс = Uзс.макс и |dUзс / dt|кр 5 В / мкс, не более: Т = +25 и -60 C Т = +100 C Постоянный обратный ток при Uобр = Uобр.макс, не более: Т = +25 и -60 C Т = +100 C Отпирающий постоянный ток управления при Uзс = 10 В, Т = -60 и +25 C, не более: Отпирающий импульсный ток управления при Uзс = 10 В, fу = 50 … 100 Гц, tи = 10 мкс, не более: Предельные эксплуатационные данные. Постоянное напряжение в закрытом состоянии: Д238А, Д238Г Д238Б, Д238Д Д238В, Д238Е Постоянное обратное напряжение: Д238Г Д238Д Д238Е Обратное постоянное напряжение управления Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при Uзс = Uзс.макс, fу = 50 Гц, Iу.от.и 150 мА, не менее Средний ток в открытом состоянии при Тк +70 C Постоянный ток в открытом состоянии при Тк +40 C1 Импульсный ток в открытом состоянии при Iос.ср 0,5 А и tи 50 мкс 2В 2,5 В 8В 20 мА 30 мА 20 мА 30 мА 150 мА 150 мА 50 В 100 В 150 В 50 В 100 В 150 В 1В 5 В / мкс 5А 10 А 100 А Прямой постоянный ток управления Средняя рассеиваемая мощность при Тк +40 C1 Температура окружающей среды 350 мА 20 Вт -60 … Тк = +100 C 1. При Тк = +40 … +100 C максимально допустимые постоянный ток в открытом состоянии и средняя рассеиваемая мощность определяются по формулам:

Iос.макс= 100 – Тк ;

6 Рср.макс= 100 Тк. КУ101А, КУ101Б, КУ101Г, КУ101Е Тринисторы кремниевые [29, стр. 217, 218], [42, стр. 54 – 58] диффузионно – сплавные p-типа триодные не запираемые. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов. Выпускаются в металлостеклянном герметичном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора приводится на корпусе. Масса не более 2,5 г.

КУ101 Управляющий электрод Анод Катод 8 Точка катода Ток утечки, не более, мА Обратный ток утечки, не более, мА Ток спрямления при Uпр = 10 В, мА Предельные эксплуатационные данные. Постоянный или средний прямой ток при температуре от -55 до +50 °С, мА Прямой ток управляющего электрода, мА Прямое импульсное напряжение, В: для КУ101А, КУ101Б для КУ101Г для КУ101Е Обратное напряжение, В: для КУ101А для КУ101Б для КУ101Г для КУ101Е Электрические параметры. 0,3 0,3 0,05 … 7, 75 15 50 50 50 10 50 80 2У103В, КУ103А, КУ103В Тиристоры кремниевые мезапланарные p-типа триодные не запираемые [29, стр. 219], [42, стр. 62, 63]. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов малой мощности. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Со стороны катодного вывода ставится маркировочная точка. Масса тиристора не более 2,5 г.

2У103В, КУ103А, КУ103В Управляющий электрод Анод Катод 8 11, Точка катода Электрические параметры. Напряжение в открытом состоянии при Iос = 1 мА, Iу.от = 10 мА, не более: Т = +25 С Т = -60 С для 2У103В Т = -45 С для КУ103А, КУ103В Ток утечки в прямом направлении1 для КУ103А, КУ103В не более: при +25 С при +55 С при -40 С Обратный ток утечки2 не более: при +25 С при +55 С при -40 С Прямое напряжение на управляющем электроде при f = 50 Гц для 2У103В для КУ103А, КУ103В Остаточное напряжение (пиковое значение) Ёмкость тиристора при f = 5 · 106 Гц не более 1. При предельных прямых напряжениях. 2. При предельных обратных напряжениях. Предельные эксплуатационные данные. Постоянное напряжение в закрытом состоянии и постоянное обратное напряжение: 2У103В 4, 3В 10 В 10 В 0,3 мА 0,5 мА 0,4 мА 0,3 мА 0,5 мА 0,4 мА 0,4…2,0 В 0,3…2,0 В 5В 50 пФ 300 В КУ103А, КУ103В Обратное постоянное напряжение управления Средний ток в открытом состоянии Средний обратный ток Прямой постоянный ток управления Средняя рассеиваемая мощность Диапазон рабочих частот коммутируемых сигналов Температура окружающей среды: для 2У103В для КУ103А, КУ103В 150 В 2В 1 мА 1 мА 40 мА 150 мВт 50…10000 Гц -60…+70 C -45…+85 C 2У107А, 2У107Б, 2У107В, 2У107Г, 2У107Д, 2У107Е Тиристоры кремниевые планарные p-типа триодные не запираемые. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов малой мощности. Выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора приводится на корпусе. Масса тиристора не более 2 г.

0,55 2У107(А-Е) 8,8 9,8 А 6, УЭ К Электрические параметры. Постоянное напряжение в открытом состоянии при Iос = Iос.макс, Т = -60 … +25 C, не более Отпирающее постоянное напряжение управления при Uзс = 10 В: Т = +25 C Т = +125 C, не менее Т = -60 C, не более Напряжение включения при Uзс = Uвкл, не менее: 2У107А, 2У107Б 2У107В, 2У107Г 2У107Д, 2У107Е Импульсное напряжение в открытом состоянии при Iос.и = 20 А, не более: 2У107А, 2У107Б 2У107В, 2У107Г, 2У107Д, 2У107Е Ток удержания, не более: 2У107А 2У107Б 1,5 В 0,35…0,55 В 0,55 В 0,8 В 350 В 200 В 75 В 30 В 25 В 0,3 мА 0,6 мА 2У107В 2У107Г, 2У107Д 2У107Е 0,5 мА 1 мА 0,15 мА Предельные эксплуатационные данные. Постоянное напряжение в закрытом состоянии при Uу = -10 В, Rу = 5…51 кОм: 2У107А, 2У107Б 250 В 2У107В, 2У107Г 150 В 2У107Д, 2У107Е 60 В Постоянное обратное напряжение 10 В Обратное постоянное напряжение управления 10 В 1 Постоянный ток в открытом состоянии при Т = -60 … +65 C 100 мА Прямой постоянный ток управления при Т = -60 … +65 C1 40 мА 1 Импульсный ток в открытом состоянии при Т = -60 … +65 C : 2У107А, 2У107Б при l2t 0,02 А2·с 25 А 2 2 2У107В, 2У107Г, 2У107Д, 2У107Е при l t 0,05 А ·с 45 А Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при Т = -60 … +65 C 10 В / мкс 1 Средняя рассеиваемая мощность при Т = -60 … +65 C 200 мВт Температура окружающей среды -60 … +125 C 1. При Т = +65 … +125 C максимально допустимый постоянный ток в открытом состоянии снижается линейно на 0,8 мА / C;

максимально допустимый прямой ток управления снижается линейно на 0,3 мА / C;

максимально допустимый импульсный ток снижается линейно на 5 мА / C;

максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность снижается линейно на 2,4 мВт / C.

КУ202А, КУ202Б, КУ202В, КУ202Г, КУ202Д, КУ202Е, КУ202Ж, КУ202И, КУ202К, КУ202Л, КУ202М, КУ202Н Тринисторы кремниевые [29, стр. 221 – 223]. Выпускаются в металлическом герметичном корпусе. Масса не более 25 г.

КУ 21 12,5 43 М Предельные эксплуатационные данные. Постоянный или средний прямой ток при t = 50 °С, А Прямой ток управляющего электрода, мА Прямое напряжение тринистора, В: для КУ202А, КУ202Б для КУ202В, КУ202Г для КУ202Д, КУ202Е для КУ202Ж, КУ202И для КУ202К, КУ202Л для КУ202М, КУ202Н Обратное напряжение, В: для КУ202Б для КУ202Г для КУ202Е для КУ202И для КУ202Л для КУ202Н Для других групп подача обратного напряжения не допускается.

10 300 25 50 100 200 300 400 25 50 100 200 300 КУ208А, КУ208Б, КУ208В, КУ208Г Тринисторы кремниевые планарно – диффузионные [29, стр. 225 – 227]. Предназначены для работы в качестве симметричных управляемых ключей средней мощности для схем автоматического регулирования в коммутационных цепях силовой автоматики на переменном токе. Выпускаются в металлическом герметичном корпусе с винтом, масса не более 18 г.

21,5 14 М КУ 40 12, Управляющий электрод Катод Анод 6 Электрические параметры. Ток утечки, не более, мА Ток выключения при Uпр = 10 В и температуре -55 °С, не более, мА 5 Предельные эксплуатационные данные. Прямой ток управляющего электрода, мА Обратное или прямое напряжение, В: для КУ208А для КУ208Б для КУ208В для КУ208Г Амплитуда тока перегрузки: при температуре от -55 °С до + 50 °С, А при температуре 70 °С, А 500 100 200 300 400 30 2У221А (ТИЧ5-100-8-12), 2У221Б (ТИЧ5-100-8-21), 2У221В (ТИЧ5-1006-23), КУ221А, КУ221Б, КУ221В, КУ221Г, КУ221Д Тиристоры кремниевые диффузионные структуры p-n-p-n триодные не запираемые импульсные высокочастотные [42, стр. 153 – 159]. Предназначены для применения в телевизионных приёмниках цветного изображения при частоте до 30 кГц. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами. Тип тиристора приводится на корпусе. Масса тиристора не более 7 г.

17, УЭ R8, К 24,4 14,9 31, А 2отв.3,8 12,7 2,5 R3, 0,85 Электрические параметры. Импульсное напряжение в открытом состоянии при Iос.и = 20 А, tи = 40…60 мкс, Iу.пр.и = 0,15…1 А, tу = 10…100 мкс и f 200 Гц, не более Отпирающее импульсное напряжение управления при Uзс = 440 В, Iос.и = 11 А, tи = 10…50 мкс, tу = 2 мкс и f 200 Гц, не более: для 2У221А – 2У221В для КУ221А – КУ221В Отпирающий импульсный ток управления при Uзс.и = 440 В, Iос.и = 11 А, tи = 10…50 мкс, tу = 2 мкс и f 200 Гц, не более:

9, 7, 3,5 В 5В 5В для 2У221А – 2У221В для КУ221А – КУ221В Предельные эксплуатационные данные. Импульсное напряжение в закрытом состоянии: 2У221А, 2У221Б 2У221В, КУ221Г КУ221А, КУ221В КУ221Б КУ221Д Постоянное напряжение в закрытом состоянии: 2У221А, 2У221Б 2У221В КУ221А – КУ221Д Импульсное обратное напряжение Минимальное напряжение в закрытом состоянии Обратное импульсное напряжение управления 2У221А, 2У221В, КУ221А, КУ221Г, КУ221Д 2У221Б, КУ221Б, КУ221В Не повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии: КУ221А, КУ221В КУ221Б КУ221Г КУ221Д Импульсный ток в открытом состоянии: пилообразная форма импульсов тока при tи = 27 мкс и f = 16 кГц для 2У221А – 2У221В, КУ221А – КУ221В синусоидальная форма импульсов тока при tи = 13 мкс и f = 16 кГц для 2У221А – 2У221В, КУ221А – КУ221В синусоидальная форма импульсов тока при tи = 50 мкс и f = 50 Гц прямоугольная форма импульсов тока при tи = 2 мкс, dUзс / dt 100 А / мкс и f = 20 кГц для 2У221А – 2У221В экспоненциальная форма импульсов тока при tи = 1,5 мс, tнр = 80 мкс и f = 3 Гц для КУ221А – КУ221Д Средний ток в открытом состоянии в однофазной однополупериодной схеме с активной нагрузкой и синусоидальной форме тока при f = 50 Гц и = 180 Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии: 2У221А КУ221А 2У221Б, 2У221В, КУ221Б – КУ221Д Прямой импульсный ток управления 100 мА 150 мА 800 В 600 В 700 В 750 В 500 В 500 В 400 В 300 В 50 В 10 В 10 В 30 В 750 В 800 В 700 В 600 В 8А 15 А 100 А 15 А 70 А 3,2 А 700 В / мкс 500 В / мкс 200 В / мкс 2А Минимальный импульсный ток управления: 2У221А – 2У221В, КУ221А – КУ221В 0,15 А КУ221Г, КУ221Д 0,1 А Минимальная длительность импульса прямого тока управления: 2У221А – 2У221В 0,5 мкс КУ221А – КУ221Д 2 мкс Температура окружающей среды: для 2У221А – 2У221В -60…Тк = +85 C для КУ221А – КУ221Д -40…Тк = +85 C Таблица 4.1.1. Тиристоры серии BStB.

Тиристор BStB0106 BStB0113 BStB0126 BStB0133 BStB0140 BStB0146 BStB0206 BStB0213 BStB0226 BStB0233 BStB0240 BStB0246 Uт.обр.макс, В 100 200 400 500 600 700 100 200 400 500 600 700 Iт.ср.макс, А 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 3 3 3 3 3 3 Uуэ, В 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 Iуэ, мА 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 Таблица 4.1.2. Отечественные аналоги болгарским тиристорам.

Болгарский тиристор Отечественный аналог T7-025A T7-025 T7-05A T7-05 T7-1A T7-1 T7-2A T7-2 T7-3 T7-4 КУ202А, КУ202Б КУ202А, КУ202Б КУ202В, КУ202Г КУ202В, КУ202Г КУ202Е, КУ202Д КУ202Е, КУ202Д КУ202Ж, КУ202И КУ202Ж, КУ202И КУ202К, КУ202Л КУ202М, КУ202Н 4.2 Диодные тиристоры Таблица 4.2.1. Диодные тиристоры (динисторы) [30, стр. 656].

Тип прибора Iос.ср.макс, Iзкр, мкА, не Iобр, мА, мА более не более КН102А КН102Б КН102В КН102Г КН102Д КН102Ж КН102И 200 200 200 200 200 200 200 100 100 100 100 100 100 100 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 Uвкл, В 20 28 40 56 80 120 150 Uоткр.макс, Iос.и.макс (при Iос = В 200 мА, и = 10 мс), А 10 10 10 10 10 10 10 2,0 2,0 2,0 2,0 2,0 2,0 2, 4.3 Оптотиристоры Таблица 4.3.1. Оптотиристоры [38, стр. 176 – 179].

Предельные значения параметров режима Тип прибора При Тп.макс = 110 C Iос.ср. макс, А ТО125-12,5-1 ТО125-12,5-2 ТО125-12,5-3 ТО125-12,5-4 ТО125-12,5-5 ТО125-12,5-6 ТО125-12,5-7 ТО125-12,5-8 ТО125-12,5-9 ТО125-12,5-10 ТО125-12,5-11 ТО125-12,5-12 ТО125-12,5-13 ТО125-12,5-14 12,5 12,5 12,5 12,5 12,5 12,5 12,5 12,5 12,5 12,5 12,5 12,5 12,5 12,5 Uзс. Uобр. п, В 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 1300 1400 п, В 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 1300 1400 Iос. удр, А 350 350 350 350 350 350 350 350 350 350 350 350 350 350 Iу.пр.и, А Uу.пр.и. Электрические и временные параметры При Тп = 25 C Uос. Iос. Iу.от, и, В и, А 1,4 1,4 1,4 1,4 1,4 1,4 1,4 1,4 1,4 1,4 1,4 1,4 1,4 1,4 38,2 38,2 38,2 38,2 38,2 38,2 38,2 38,2 38,2 38,2 38,2 38,2 38,2 38,2 мА 80 80 80 80 80 80 80 80 80 80 80 80 80 80 Uу. от, В 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 При Тп.макс = 110 C Рисунок Мин Макс макс, В 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 Rразв, tвкл, tзд, tвыкл, Iзс.п, Iобр.п, МОм 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 мкс мкс 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 мкс 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 мА 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 мА 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 33 3,6 Тип Дата А УЭ К УЭ Рисунок 1.

+ 4.4 Фотографии разных тиристоров 2У101Е КУ103А 2У107В КУ221А КУ202Н Д235Г 5 Транзисторы 5.1 Биполярные транзисторы Таблица 5.1.1. Транзисторы p-n-p малой мощности (Рк.макс 0,3 Вт) низкой частоты (fгр 3 МГц) [39].

Предельные значения параметров при Tп = 25 °С Тип прибоUкэR.гр, Uэбо. ра Iк.макс, Iк.и.макс, мА 1Т102 1ТМ115А 1ТМ115Б ГТ108А ГТ108Б ГТ108В ГТ108Г ГТ109Б ГТ115А ГТ124А ГТ125А ГТ125Б ГТ125В ГТ125Г ГТ125Д ГТ125Е ГТ125Ж ГТ125И ГТ125К ГТ125Л КТ214Е-1 М5А М5Б М5В М5Г М5Д МП13 МП13Б МП14 МП14А МП14Б 6 100 100 50 50 50 50 20 30 50 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 50 70 70 70 70 70 20 20 20 20 20 мА – – – – – – – – – 100 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 100 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 {Uкэо.макс}, B 5 40 40 – – – – 6 – {20} {30} {30} {30} {30} {30} {30} {30} 40 40 40 {20} {15} {15} {15} {15} {15} 15 15 15 30 30 Рк.макс, Значения параметров при Tп = 25 °С h21э, {h21Э} 20 20…60 50…150 20…50 35…80 60…130 111…250 35…80 20…80 {28…56} 28…56 45…90 71…140 120…200 {28…56} {45…90} {71…140} {28…56} {45…90} {71…140} 40 {20…50} {35…80} {60…130} {110…250} {20…60} 12 20…60 20…40 20…40 30…60 Uкб, {Uкэ}, B 5 1 1 5 5 5 5 5 1 {0,5} {5} {5} {5} {5} {0,5} {0,5} {0,5} {0,5} {0,5} {0,5} 1 1 1 1 1 1 5 5 5 5 5 Iэ, {Iк}, мА 1 25 25 1 1 1 1 1 25 100 25 25 25 25 {100} {100} {100} {100} {100} {100} 0,04 10 10 10 10 10 1 1 1 1 1 Uкэ. нас, B – 0,2 0,15 – – – – – – 0,5 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,6 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 – – – – – Iкбо, мкА 10 50 50 10 10 10 10 5 40 15 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 1 20 20 20 20 20 200 200 200 200 200 fгр, {fh21}, МГц 1 {1} {1} {0,5} {1} {1} {1} {1} 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 – 1 1 2 3 1 0,5 1 1 1 1 1 2 2 3 3 3 3 4 5 5 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 7 5 5 5 5 5 6 6 6 6 6 Рисунок макс, {Рк.и.макс}, B мВт 5 50 50 – – – – – 20 10 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 10 10 10 10 10 15 15 15 30 30 30 50 50 75 75 75 75 30 150 75 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 50 75 75 75 75 75 150 150 150 150 Предельные значения параметров при Tп = 25 °С Тип прибоUкэR.гр, Uэбо. ра Iк.макс, Iк.и.макс, мА МП14И МП15 МП15А МП15И МП16 МП16А МП16Б МП20 МП21 МП21А МП21Б МП25 МП25А МП25Б МП26 МП26А МП26Б МП39 МП39Б МП40 МП40А МП41 МП41А МП42 МП42А МП42Б П27 П27А П27Б П39 П39Б П40 П41 П40А 20 20 20 20 100 100 100 100 100 100 100 150 150 150 150 150 150 30 30 30 30 30 30 100 100 100 6 6 6 20 20 20 20 20 мА 150 150 150 150 300 300 300 300 300 300 300 400 400 400 400 400 400 150 150 150 150 150 150 200 200 200 – – – 150 150 150 150 150 {Uкэо.макс}, B 30 15 15 15 15 15 15 {30} 35 35 40 40 40 40 70 70 70 15 15 15 30 15 15 15 15 15 5 5 5 15 15 15 15 30 Рк.макс, Значения параметров при Tп = 25 °С h21э, {h21Э} 20…80 30…60 50…100 20…80 {20…35} {30…50} {45…100} 50…150 20…60 50…150 20…80 10…25 20…50 30…80 10…25 20…50 30…80 12 20…60 20…40 20…40 30…60 50…100 {20…35} {30…50} {45…100} 20…90 20…60 42…126 12 20…60 20…80 30…100 20…80 Uкб, {Uкэ}, B 5 5 5 5 {1} {1} {1} 5 5 5 5 20 20 20 35 35 35 5 5 5 5 5 5 {1} {1} {1} 5 5 5 5 5 5 5 5 Iэ, {Iк}, мА 1 1 1 1 {10} {10} {10} 25 25 25 25 2,5 2,5 2,5 1,5 1,5 1,5 1 1 1 1 1 1 {10} {10} {10} 0,5 0,5 0,5 1 1 1 1 1 Uкэ. нас, B 0,2 – – 1 0,15 0,15 0,15 0,3 0,3 0,3 0,3 – – – – – – – – – – – – 0,2 0,2 0,2 – – – – – – – – Iкбо, мкА 200 200 200 200 25 25 25 50 50 50 50 75 75 75 75 75 75 15 15 15 15 15 15 25 25 25 3 3 3 15 15 15 15 – fгр, {fh21}, МГц 1 2 2 2 1 1 1 1 1 1 0,465 0,25 0,25 0,5 0,25 0,25 0,5 0,5 0,5 1 1 1 1 1 1 1 1 1 3 0,5 0,5 1 1 – 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 Рисунок макс, {Рк.и.макс}, B мВт 30 15 15 15 – – – 50 50 50 50 40 40 40 70 70 70 10 10 10 10 10 10 – – – – – – 5 10 10 10 5 150 150 150 150 200 200 200 150 150 150 150 200 200 200 200 200 200 150 150 150 150 150 150 200 200 200 30 30 30 150 150 150 150 Таблица 5.1.2. Транзисторы n-p-n малой мощности (Рк.макс 0,3 Вт) низкой частоты (fгр 3 МГц) [39].

Предельные значения параметров при Tп = 25 °С Тип прибоUкэR.макс, Uкбо. Рк.макс, ра Iк.макс, Iк.и.макс, мА 2Т127А-1 2Т127Б-1 ГТ112А ГТ122Б ГТ122В ГТ122Г М3А МП9А МП10 МП10А МП10Б МП11 МП11А МП35 МП36А МП37 МП37А МП37Б МП38 МП38А МП101 МП101Б МП103А МП111 МП111А МП111Б МП112 МП113 ТМ3А 50 50 20 20 20 20 50 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 50 мА – – 150 150 150 150 100 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 100 100 100 100 100 100 100 100 100 {Uкэо.гр}, B {25} {25} {35} {20} {20} {20} {15} {15} {15} {30} {30} {15} {15} 15 15 15 30 30 15 15 20 20 10 20 10 20 10 10 {15} Значения параметров при Tп = 25 °С h21э, {h21Э} {15…60} {40…200} {15…45} {15…45} {30…60} {30…60} {18…55} 15…45 10…30 15…30 25…50 22…55 45…100 13…125 15…45 15…30 15…30 25…50 25…55 45…100 10…25 15…45 10…30 10…25 10…30 15…45 15…45 15…45 {18…55} Uкб, B {5} {5} {5} {5} {5} {5} 1 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 {5} 5 5 1 Iэ, мА 1 1 1 1 1 1 10 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 10 {Uкэ}, {Iк}, Uкэ.нас, B 0,5 0,5 – – – – 0,5 – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – 0,5 Iкбо, мкА 1 1 20 20 20 20 {20} 30 30 {30} {50} 30 30 30 30 30 30 30 30 30 {3} {3} {3} 3 1 3 3 3 {20} fгр, МГц 0,1 0,1 {1} {1} {2} {2} 1 {1} {1} {1} {1} {2} {2} {0,5} {1} {1} {1} {1} {2} {2} {0,5} {0,5} {1} {0,5} {0,5} {0,5} {0,5} {1} 1 8 8 6 6 6 6 2 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 5 {IкэR}, {fh21}, Рисунок макс, {Р макс}, B мВт 25 25 35 20 20 20 15 15 15 30 30 15 15 15 15 15 30 30 15 15 15 15 10 20 10 20 10 10 15 15 15 {150} {150} {150} {150} 75 {150} {150} {150} {150} {150} {150} {150} {150} {150} {150} {150} {150} {150} 150 150 {150} {150} {150} {150} {150} {150} Таблица 5.1.3. Транзисторы p-n-p малой мощности (Рк.макс 0,3 Вт) средней частоты (3 МГц < fгр 30 МГц) [39].

Предельные значения параметров при Tп = 25 °С Тип прибоUкэR, Рк.макс, Uкбо. ра Iк.макс, Iк.и.макс, мА 1Т101Б 2Т203В КТ207В КТ208Б КТ209А КТ209Б КТ209В КТ209Г КТ209Д КТ209Е КТ209Ж КТ209И КТ209К КТ209Л КТ209М П28 П406 П407 10 10 10 150 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 6 5 5 мА – 50 50 300 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 – – – {Uкэо.макс}, макс, B B 15 15 {15} 20 15 15 15 30 30 30 45 45 45 60 60 5 {6} {6} 15 15 15 20 15 15 15 30 30 30 45 45 45 60 60 5 6 6 мВт 50 150 15 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 30 30 Значения параметров при Tп = 25 °С h21Э, {h21э} {60…120} {60…200} {30…200} 40…120 20…60 40…120 80…240 20…60 40…120 80…240 20…60 40…120 80…160 20…60 40…120 {33…100} {20} {20} Uкб, B 5 5 5 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 5 6 6 Iэ, мА 1 1 1 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 0,5 1 1 {Uкэ}, {Iк}, Uкэ.нас, B – – 0,5 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 – – – Iкбо, мкА 15 – 0,05 – – – – – – – – – – – – 3 6 6 fгр, {fh21}, МГц {5} 10 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 {5} {10} {20} 1 9 10 11 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 6 13 13 Рисунок {Рк.и.макс}, Как определить тип и буквы транзисторов серии КТ203 в пластиковом корпусе? На боковой поверхности корпуса транзистора находится тёмно-красная точка. Буквенный индекс определяется по цвету точки на торце транзистора. Тёмнокрасная точка – КТ203АМ;

жёлтая – КТ203БМ;

тёмно-зелёная – КТ203ВМ. Как определить тип и буквы транзисторов серии КТ209 в пластиковом корпусе? На боковой поверхности корпуса транзистора находится серая точка. Буквенный индекс определяется по цвету точки на торце транзистора. Тёмно-красная точка – КТ209АМ;

жёлтая – КТ209БМ;

тёмно-зелёная – КТ209ВМ;

голубая – КТ209ГМ;

синяя – КТ209ДМ;

белая – КТ209ЕМ;

коричневая – КТ209ЖМ;

серебристая – КТ209ИМ;

оранжевая – КТ209КМ;

светло-табачная – КТ209ЛМ;

серая – КТ209ММ.

Таблица 5.1.4. Транзисторы n-p-n малой мощности (Рк.макс 0,3 Вт) средней частоты (3 МГц < fгр 30 МГц) [39].

Предельные значения параметров при Tп = 25 °С Тип прибоUкбо. ра Iк.макс, Iк.и.макс, UкэR.макс, Рк.макс, макс, B 80 80 80 60 80 120 120 мА П307 П307А П307Б П307В П307Г П308 П309 30 30 15 30 15 30 30 мА 120 120 120 120 120 120 120 B 80 80 80 60 80 120 120 мВт 250 250 250 250 250 250 Значения параметров при Tп = 25 °С h21э 16…50 30…90 50…150 50…150 16…50 30…90 16…50 Uкб, B 20 20 20 20 20 20 20 Iэ, мА 10 10 10 10 10 10 10 Uкэ.нас, B – – – – – – – Iкбо, мкА 3 3 3 3 3 3 3 fгр, МГц 20 20 20 20 20 20 20 16 16 16 16 16 16 16 Рисунок Таблица 5.1.5. Транзисторы p-n-p малой мощности (Рк.макс 0,3 Вт) высокой частоты (30 МГц < fгр 300 МГц) [39], [18, стр. 148 – 149].

Предельные значения параметров при Tп = 25 °С Тип прибора Iк. макс, мА 1Т305А 1Т305Б 1Т305В 1ТМ305А 1ТМ305Б 1ТМ305В 1Т308А 1Т308Б 1Т308В 1Т308Г 1Т335В 1Т335Г 1Т335Д 2Т326А 2Т360А-1 2Т392А-2 2Т3129А9 2Т3129Б9 2Т3129В9 2Т3129Г9 2Т3129Д9 2N2906 2N2906A 2N2907 2N2907A ГТ305А ГТ305Б ГТ305В ГТ308А ГТ308Б ГТ308В ГТ308Г ГТ309А ГТ309Б ГТ309В 40 40 40 40 40 40 50 50 50 50 150 150 150 50 20 10 100 100 100 100 100 600 600 600 600 40 40 40 50 50 50 50 10 10 10 Iк.и. макс, мА 100 100 100 100 100 100 120 120 120 120 250 250 250 – 75 20 200 200 200 200 200 – – – – 100 100 100 120 120 120 120 – – – UкэR.макс, {Uкэо.гр}, [Uкэо.макс], B {12} {12} {12} {12} {12} {12} {15} {15} {15} {15} {10} {10} {10} 15 20 [40] 40 40 {20} {20} 20 50 50 50 50 {12} {12} {12} {15} {15} {15} {15} 10 10 10 Uкбо. Uэбо. макс, B 15 15 15 15 15 15 20 20 20 20 20 20 20 20 25 40 50 50 30 30 20 60 60 60 60 15 15 15 20 20 20 20 – – – макс, B 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 3 3 3 3 3 3 3 4 5 4 5 5 5 5 5 5 5 5 5 1,5 1,5 1,5 3 3 3 3 – – – Рк.макс, мВт 75 75 75 75 75 75 150 150 150 150 200 200 200 250 10 15 200 200 200 200 200 400 400 400 400 75 75 75 150 150 150 150 50 50 50 h21Э, {h21э} 25…80 60…180 {40…120} 25…80 60…180 {40…120} 25…75 50…120 80…150 100…300 40…70 60…100 50…100 20…70 25…70 40…180 30…120 80…250 80…250 200…500 200…500 {25} {40} {50} {100} 25…80 60…180 {40…120} 25…75 50…120 80…150 90…200 20…70 60…180 20…70 Uкб, B 1 1 5 1 1 5 1 1 1 1 3 3 3 1 5 5 5 5 5 5 5 10 10 10 10 1 1 5 1 1 1 1 {5} {5} {5} Значения параметров при Tп = 25 °С Iэ, мА 10 10 5 10 10 5 10 10 10 10 50 50 50 10 10 2,5 2 2 2 2 2 1 1 1 1 10 10 5 10 10 10 10 5 5 5 Uкэ. B 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 1,5 1,2 1,2 – 1,5 1,5 1,5 0,3 0,35 – 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 – – – – 0,5 0,5 0,5 1,5 1,2 1,2 1,2 – – – Iкбо, мкА 6 6 6 6 6 6 5 5 5 5 10 10 10 0,5 1 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,02 0,01 0,02 0,01 6 6 6 5 5 5 5 5 5 5 fгр, {fмакс}, МГц 140 160 160 140 160 160 100 120 120 120 300 300 300 250 300 300 200 200 200 200 200 200 200 200 200 140 160 160 100 120 120 120 120 120 80 Кш, дБ – – – – – – – – 8 6 – – – – – 5 – – – – – – – – – – – – – – 8 – – 6 – 14 14 14 2 2 2 15 15 15 15 16 16 16 17 18 19 20 20 20 20 20 17 17 17 17 14 14 14 15 15 15 15 21 21 21 Рисунок {Uкэ}, {Iк}, нас, Предельные значения параметров при Tп = 25 °С Тип прибора Iк. макс, мА ГТ309Д ГТ309Е ГТ310А ГТ310Б ГТ310В ГТ310Г ГТ310Д ГТ310Е ГТ320В ГТ322А ГТ322Б ГТ322В ГТ322Г ГТ322Д ГТ322Е ГТ328Б ГТ328В КТ313А КТ313Б КТ326АМ КТ326БМ КТ343А КТ343Б КТ343В КТ343Г КТ349А КТ349Б КТ349В КТ350А КТ351А КТ351Б КТ352А КТ352Б КТ357А КТ357Б КТ357В КТ357Г КТ360А-1 10 10 10 10 10 10 10 10 150 10 10 10 5 5 5 10 10 35 35 50 50 50 50 50 50 10 10 10 60 50 50 50 50 40 40 40 40 20 Iк.и. макс, мА – – – – – – – – 300 30 – 30 – – – – – – – – – 150 150 150 150 40 40 40 600 400 400 200 200 80 80 80 80 75 UкэR.макс, {Uкэо.гр}, [Uкэо.макс], B 10 10 10 10 10 10 10 10 9 10 6 10 15 15 15 15 15 5 5 15 15 17 17 9 17 15 15 15 15 15 15 15 15 [6] [6] [20] [20] 20 Uкбо. Uэбо. макс, B – – 12 12 12 12 12 12 20 25 25 25 15 15 15 15 15 6 6 20 20 20 20 – – 20 20 20 20 20 20 20 20 6 6 20 20 25 макс, B – – – – – – – – 3 – – – – – – 0,25 0,25 5 5 5 5 4 4 4 4 4 4 4 5 5 5 5 5 3,5 3,5 3,5 3,5 5 Рк.макс, мВт 50 50 20 20 20 20 20 20 200 50 50 50 50 50 50 50 50 300 300 200 200 150 150 150 150 200 200 200 300 300 300 300 300 100 100 100 100 10 h21Э, {h21э} 20…70 60…180 {20…70} {60…120} {20…70} {60…120} {20…70} {60…120} 80…250 {30…100} 50…120 {20…120} {50…120} {20…70} {50…120} 40…200 10…50 30…120 80…300 20…70 45…160 30 50 30 20 20…80 40…160 120…330 20…200 20…80 50…200 25…120 70…300 20…100 60…300 20…100 60…300 20… Значения параметров при Tп = 25 °С Uкб, B {5} {5} 5 5 5 5 5 5 1 {5} {5} {5} {5} {5} {5} 5 5 10 10 2 2 0,3 0,3 0,3 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0,5 0,5 0,5 0,5 5 Iэ, мА 5 5 1 1 1 1 1 1 10 {1} {1} {1} 1 1 1 3 3 1 1 10 10 10 10 10 150 10 10 10 500 300 300 200 200 {10} {10} {10} {10} 10 Uкэ. B – – – – – – – – 2 – – – – – – – – 0,5 0,5 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 1 1,2 1,2 1,2 – 0,6 0,6 0,6 0,6 0,3 0,3 0,3 0,3 0,35 Iкбо, мкА 5 5 – – – – – – 10 4 4 4 4 4 4 10 10 0,5 0,5 0,5 0,5 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 5 5 5 5 1 fгр, {fмакс}, МГц 40 40 160 160 120 120 100 100 200 80 80 50 50 50 50 300 300 200 200 250 250 300 300 300 300 300 300 300 100 200 200 200 200 300 300 300 300 300 – – – – – – – – – – Кш, дБ – – 3 3 4 4 4 4 – 4 4 4 – – – 7 7 – – – – – – – – 21 21 4 4 4 4 4 4 22 23 23 23 23 23 23 24 24 17 17 25 25 17 17 17 17 17 17 17 26 26 26 26 26 27 27 27 27 18 Рисунок {Uкэ}, {Iк}, нас, Предельные значения параметров при Tп = 25 °С Тип прибора Iк. макс, мА КТ361А КТ361Б КТ361В КТ361Г КТ361Д КТ361Е КТ380А КТ380Б КТ380В КТ3104А КТ3104Б КТ3104В КТ3104Г КТ3104Д КТ3104Е КТ3107А КТ3107Б КТ3107В КТ3107Г КТ3107Д КТ3107Е КТ3107Ж КТ3107И КТ3107К КТ3107Л КТ3108А М4Д М4Е П401 П402 П403 П403А П414 П414А П414Б П415 П415А П415Б 50 50 50 50 50 50 10 10 10 10 10 10 10 10 10 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 200 40 40 20 20 20 20 10 10 10 10 10 10 Iк.и. макс, мА – – – – – – – – 25 – – – – – – 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 – 100 100 – – – – 30 30 30 30 30 30 UкэR.макс, {Uкэо.гр}, [Uкэо.макс], B 25 20 40 35 40 35 17 17 9 [30] [30] [30] [15] [15] [15] [45] [45] [25] [25] [25] [20] [20] [45] [25] [20] 60 {12} {12} 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 Uкбо. Uэбо. макс, B 25 20 40 35 40 35 – – – 30 30 30 15 15 15 50 50 30 30 30 25 25 50 30 25 60 15 15 – – – – 10 10 10 10 10 10 макс, B 4 4 4 4 4 4 4 4 4 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 1,5 1,5 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 Рк.макс, мВт 150 150 150 150 150 150 15 15 15 15 15 15 15 15 15 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 75 75 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 h21Э, {h21э} 20…90 50…350 40…160 50…350 20…90 50…350 30…90 50…150 30…90 15…90 50…150 70…280 15…90 50…150 70…280 70…140 120…220 70…140 120…220 180…460 120…220 180…460 180…460 380…800 380…800 50…150 50…120 90…200 {16…300} {16…250} {30…100} {16…200} {25…100} {60…120} {100…200} {25…100} {60…120} {100…200} Значения параметров при Tп = 25 °С Uкб, B 10 10 10 10 10 10 {0,3} {0,3} {0,3} {1} {1} {1} {1} {1} {1} 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 1 1 1 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 Iэ, мА 1 1 1 1 1 1 10 10 10 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 10 10 10 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 Uкэ. B – – – – – – 0,3 0,3 0,3 1 1 1 1 1 1 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,25 0,5 0,5 – – – – – – – – – – Iкбо, мкА 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,2 6 6 10 5 5 5 4 4 4 4 4 4 fгр, {fмакс}, МГц 250 250 250 250 250 250 300 300 300 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 250 80 80 {30} {60} {120} {120} 60 60 {60} {120} {120} {120} Кш, дБ – – – – – – – – – 8 8 8 8 8 8 10 10 10 10 10 4 4 10 10 4 6 – – – – – – – – – – – – 28 28 28 28 28 28 29 29 29 18 18 18 18 18 18 26 26 26 26 26 26 26 26 26 26 17 30 30 22 22 22 22 31 31 31 31 31 31 Рисунок {Uкэ}, {Iк}, нас, Предельные значения параметров при Tп = 25 °С Тип прибора Iк. макс, мА П416 П416А П416Б П417 П417А П418И П418К П418Л П418М П422 П423 ТМ4А 25 25 25 10 10 10 10 10 10 20 20 40 Iк.и. макс, мА 120 120 120 – – – – – – – – 100 UкэR.макс, {Uкэо.гр}, [Uкэо.макс], B 12 12 12 {8} {8} {6,5} {6,5} {7} {7} 10 10 {12} Uкбо. Uэбо. макс, B 15 15 15 – – – – – – – – 15 макс, B 3 3 3 0,7 0,7 0,3 0,3 0,3 0,3 – – 1,5 Рк.макс, мВт 100 100 100 50 50 50 50 50 50 100 100 75 h21Э, {h21э} 25…80 60…125 90…200 {24…100} {65…200} 60…170 60…170 8…70 8…70 {24…100} {24…100} 20… Значения параметров при Tп = 25 °С Uкб, B 5 5 5 5 5 1 1 1 1 5 5 1 Iэ, мА 5 5 5 5 5 10 10 10 10 1 1 10 Uкэ. B 2 1,7 1,7 – – – – – – – – 0,5 Iкбо, мкА 5 5 5 3 3 3 3 3 3 5 5 6 fгр, {fмакс}, МГц 40 60 80 200 200 200 200 200 200 50 100 50 Кш, дБ – – – – – – – – – 10 10 – 22 22 22 32 32 33 33 33 33 22 22 2 Рисунок {Uкэ}, {Iк}, нас, Как отличить транзисторы типов КТ315 от КТ361? У транзисторов серии КТ361 буква заключена в тире, а у КТ315 свободно стоит у края корпуса. -E В 2 КТ361E КТ315В Как определить тип и буквы транзисторов серии КТ3107? На боковой поверхности корпуса транзистора находится голубая точка. Буквенный индекс определяется по цвету точки на торце транзистора. Розовая точка – А;

жёлтая – Б;

синяя – В;

бежевая – Г;

оранжевая – Д;

электрик – Е;

салатная – Ж;

зелёная – И;

красная – К;

серая – Л. Как определить тип и буквы транзисторов типов КТ326АМ и КТ326БМ? Эти транзисторы маркируются розовой и жёлтой точкой соответственно. Транзисторы типа КТ350А в пластиковом корпусе маркируются точками серого и розового цветов. Транзисторы типа КТ351А в пластиковом корпусе маркируются точками жёлтого и розового цветов, а транзисторы типа КТ351Б маркируются двумя жёлтыми точками.

Транзисторы типа КТ352А в пластиковом корпусе маркируются точками зелёного и розового цветов, а транзисторы типа КТ352Б маркируются точками зелёного и жёлтого цветов. Транзисторы 2N2906, 2N2906A, 2N2907, 2N2907A имеют корпус TO-18. Длина выводов может быть 12,7 мм, а диаметр выводов – 0,48 мм. Ближайшие отечественные аналоги 2N2906, 2N2906A – КТ313А, а 2N2907, 2N2907A – КТ313Б.

Таблица 5.1.6. Транзисторы n-p-n малой мощности (Рк.макс 0,3 Вт) высокой частоты (30 МГц < fгр 300 МГц) [39, стр. 70 – 79], [18, стр. 134 – 135].

Предельные значения параметров при Tп = 25 °С Тип прибора Iк. макс, мА 2Т3117А 2Т3117Б 2Т3130В9 2Т3130Г9 2Т3130Д9 2Т3130Е9 2N2222 SF136D SF136E SF136F SF137D SF137E SF137F ГТ311А ГТ311Б КТ312Б КТ315А КТ315Б КТ315В КТ315Г КТ315Д КТ315Е КТ315Ж КТ315И КТ339А КТ339АМ КТ339Б КТ339Г КТ339Д КТ340А КТ340В КТ340Г КТ340Д КТ342Б КТ342В КТ342Г 400 400 100 100 100 100 800 200 200 200 200 200 200 50 50 30 100 100 100 100 100 100 50 50 25 25 25 25 25 50 50 75 50 50 50 50 Iк.и. макс, мА 800 800 – – – – – – – – – – – – – 60 – – – – – – – – – – – – – 200 200 500 200 200 300 300 UкэR.макс, B 60 75 20 15 20 15 50 20 20 20 40 40 40 12 12 35 25 20 40 35 40 35 15 60 {25} {25} {12} {25} {25} {15} {15} {15} {15} 25 10 60 Uкбо. Uэбо. Рк.макс, макс, {Pмакс}, B 4 4 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 2 2 4 6 6 6 6 6 6 6 6 4 4 4 4 4 5 5 5 5 5 – – мВт {300} 300 200 200 200 200 500 300 300 300 300 300 300 150 150 {225} 150 150 150 150 150 150 100 100 260 260 260 260 260 {150} {150} {150} {150} 150 250 250 B 60 75 30 20 30 20 60 20 20 20 40 40 40 – – – – – – – – – – – 40 40 25 40 40 – – 15 – – – – {Uкэо.макс}, макс, h21Э, {h21э} 40…200 100…300 200…500 400…1000 200…500 400…1000 100…300 112…280 224…560 450…1120 112…280 224…560 450…1120 15…180 30…180 25…100 20…90 50…350 20…90 50…350 20…90 50…350 30…250 30 25 25 15 40 15 100…150 35 16 40 200…600 100…1000 {50…125} Uкб, B 5 {5} 5 5 5 5 10 1 1 1 1 1 1 3 3 2 {10} {10} {10} {10} {10} {10} {10} {10} 10 10 10 10 10 {1} {2} {2} {1} 5 {5} {5} Значения параметров при Tп = 25 °С Iэ, мА 200 200 {2} {2} {2} {2} 150 10 10 10 10 10 10 15 15 20 1 {1} {1} {1} {1} {1} {1} {1} 7 7 7 7 7 {10} {200} {500} {10} 1 1 {1} Uкэ. B 0,5 0,6 0,2 0,2 0,2 0,2 – – – – – – – 0,3 0,3 0,8 0,4 0,4 0,4 0,4 1 1 0,5 – – – – – – 0,2 0,4 0,6 0,3 0,1 0,1 0,2 Iкбо, мкА 5 10 0,1 0,1 0,1 0,1 0,01 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 5 5 10 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0,05 0,05 0,05 fгр, МГц 200 250 – – – – 250 300 300 300 300 300 300 – – – 250 250 250 250 250 250 150 250 300 300 250 250 250 – – 300 300 300 – 300 {Uкэ}, {Iк}, нас, {IкэR}, {fh21}, РисуКш, нок дБ – – – – 4 – – 7,8 7,8 7,8 6,8 6,8 6,8 – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – 17 17 20 20 20 20 17 17 17 17 17 17 17 34 34 35 28 28 28 28 28 28 28 28 117 118 117 117 117 9 9 9 9 17 17 Предельные значения параметров при Tп = 25 °С Тип прибора Iк. макс, мА КТ358Б КТ373А КТ373В КТ373Г КТ375Б КТ379А КТ379Г КТ3102А КТ3102АМ КТ3102Б КТ3102БМ КТ3102В КТ3102ВМ КТ3102Г КТ3102ГМ КТ3102Д КТ3102ДМ КТ3102Е КТ3102ЕМ КТ3102Ж КТ3102ЖМ КТ3102И КТ3102ИМ КТ3102К КТ3102КМ КТ3117А 30 50 50 50 100 30 30 100 200 100 200 100 200 100 200 100 200 100 200 200 200 200 200 200 200 400 Iк.и. макс, мА 60 200 200 200 200 100 100 200 – 200 – 200 – 200 – 200 – 200 – – – – – – – 800 UкэR.макс, B 30 30 10 60 30 30 60 {50} 50 {50} 50 {30} 30 20 20 {30} 30 {50} 20 50 50 50 50 30 30 50 Uкбо. Uэбо. Рк.макс, макс, {Pмакс}, B 4 5 5 5 5 5 5 5 – 5 – 5 – 5 – 5 – 5 – – – – – – – 4 мВт {100} 150 150 150 200 25 25 {250} 250 {250} 250 {250} 250 {250} 250 {250} 250 {250} 250 250 250 250 250 250 250 300 B – – – – 30 – – 50 – 50 – 30 – 20 – 30 – 50 – – – – – – – 60 {Uкэо.макс}, макс, h21Э, {h21э} 25…100 100…250 500…1000 50…125 50…280 100…250 50…125 100…250 100…250 200…500 200…500 200…500 200…500 400…1000 400…1000 200…500 200…500 400…1000 400…1000 100…250 100…250 200…500 200…500 200…500 200…500 40… Значения параметров при Tп = 25 °С Uкб, B {5,5} 5 5 5 {2} 5 5 5 – 5 – 5 – 5 – 5 – 5 – – – – – – – 5 Iэ, мА 20 1 1 1 20 {1} {1} 2 – 2 – 2 – 2 – 2 – 2 – – – – – – – 200 Uкэ. B 0,8 0,1 0,1 0,1 0,4 0,1 0,2 – – – – – – – – – – – – – – – – – – 0,6 Iкбо, мкА 10 0,05 0,05 0,05 1 0,05 0,05 0,05 0,05 0,05 0,05 0,015 0,015 0,015 0,015 0,015 0,015 0,015 0,015 0,05 0,05 0,05 0,05 0,015 0,015 10 fгр, МГц 120 250 – 250 250 250 – – – – – – – – – – – – – – – – – – – 200 {Uкэ}, {Iк}, нас, {IкэR}, {fh21}, РисуКш, нок дБ – – – – – – – 10 – 10 – 10 – 10 – 4 – 4 – – – – – – – – 27 36 36 36 37 35 35 17 37 17 37 17 37 17 37 17 37 17 37 37 37 37 37 37 37 Как определить тип и буквы транзисторов серии КТ3102 в пластиковом корпусе? На боковой поверхности корпуса транзистора находится зелёная точка. Буквенный индекс определяется по цвету точки на торце транзистора. Тёмно-красная точка – КТ3102АМ;

жёлтая – КТ3102БМ;

тёмно-зелёная – КТ3102ВМ;

голубая – КТ3102ГМ;

синяя – КТ3102ДМ;

белая – КТ3102ЕМ. Как определить тип и буквы транзисторов серии КТ342 в пластиковом корпусе? Транзистор типа КТ342АМ имеет маркировку: прямоугольный треугольник и буква “А” или синяя метка на боковой поверхности и тёмно-красная на торце;

КТ342БМ имеет маркировку: треугольник и буква “Б” или синяя метка на боковой поверхности и жёлтая на торце;

КТ342ВМ имеет маркировку: треугольник и буква “В” или синяя метка на боковой поверхности и тёмно-зелёная на торце.

Транзисторы 2N2222, SF136D, SF136E, SF136F, SF137D, SF137E, SF137F имеют корпус TO-18. Длина выводов может быть 12,7 мм, а диаметр выводов – 0,48 мм. Ближайшие отечественные аналоги 2N2222 – КТ3117А, SF136D – КТ342А, SF136E – КТ342Б, SF136F – КТ342В, SF137D – КТ342А, SF137E – КТ342Б, SF137F – КТ342В. Ниже показаны типовые входные характеристики транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г и типовые выходные характеристики транзистора КТ315Г [27].

Iк, мА Iэ, мА 1,8 1,6 1,4 1,2 1,0 0,8 0,6 0,4 0,2 0 0,2 0,4 0,6 0,8 Uэб, В 0 5 10 15 20 25 30 35 20oC 100 oC -40oC 50 45 40 35 30 25 20 15 10 0, 0,55 0,5 0,45 0,4 0,35 0, Температура 0,25 0,2 0, 0,1 Ток базы 0,05 мА Uкэ, В Рисунок 1. Типовые входные характеристики транзисторов типа КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г при различной температуре окружающей среды (в схеме с общем эмиттером).

Рисунок 2. Выходные характеристики транзистора типа КТ315Г (в схеме с общем эмиттером и при температуре окружающей среды 20 C).

Таблица 5.1.7. Транзисторы p-n-p малой мощности (Рк.макс 0,3 Вт) сверхвысокой частоты (fгр > 300 МГц) [39, стр. 80 – 83].

Pages:     || 2 | 3 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.