WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

«сигналом). В двухтактных можно использовать и прозрачные регистры "защелки". Функция записи в n-разрядном регистре сдвига на D-триггерах задается в виде условий: D0=DS=x, Di=Q(i-1), где i=1,2,...,n-1. DS - ...»

-- [ Страница 2 ] --

Элементы памяти расположены на кристалле в виде матрицы 512 * 512 = 29 * 29, управляемой двумя линейными дешифратороми строк и столбцов, каждый с 9-ю адресными входами. Если сигнал строка/столбец ~R/C на входе выбора S мультиплексора, равен нулю, то A(0..8) = Y(0..8) и в микросхему передается адрес строки. Этот адрес фиксируется отрицательным фронтом строба адреса строк ~RAS. При ~R/C = 1 на выходы мультиплексора передается адрес столбцов A(9..17), который защелкивается отрицательным перепадом строба адреса столбцов ~CAS. Вход ~WE управляет записью/чтением. Оперативная память персональных ЭВМ - (SIMM, EDO, SDRAM..) является динамической памятью. Время обращения к ней меньше 10нс, а емкость достигает 256M в одном корпусе. 6.2.3. ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА С ПРОИЗВОЛЬНОЙ ВЫБОРКОЙ На рис. 6.5 показано обозначение ЗУПВ и его внутренняя структура.

Рис. 6.1. Схема КМОП инвертора. Чтобы реализовать на подложке n-типа не только p-канальный транзистор, но и n-канальный, последний изготавливается в так называемом "кармане", как показано на рис. 6. Рис. 6.2. Конструкция инвертора на КМОП транзисторах. Аналогично на четырех МОП транзисторах (2 n-МОП и 2 p-МОП, включенных параллельно и последовательно) можно построить и другие базовые логические элементы "И" и "ИЛИ" и, соответственно, на их основе строятся все другие более сложные логические схемы. Как известно, быстродействие МОП транзисторов в первую очередь ограничивается большой входной емкостью затвор-исток (подложка). Уменьшение геометрических размеров приборов (площади затвора и длины канала) при увеличении степени интеграции увеличивает граничную частоту. Малое потребление энергии позволяет использовать КМОП ИМС с питанием от микробатареи как ПЗУ, где располагается часть операционной системы, которая осуществляет начальную загрузку всей системы (программа Setup). 6.2.1 ОЗУ СТАТИЧЕСКОГО ТИПА В качестве элемента памяти используется простейший D-триггер защелка. В микросхеме 537РУ10 каждая ЯП состоит из восьми триггеров и располагаются ячейки на кристалле в виде прямоугольной матрицы.

Рис. 6.4. Конструкция ячейки ДОЗУ. Снизу представлен разрез схемы по линии А-А. Количество адресных входов и габариты должны увеличиться. Чтобы не допустить этого, адресные линии внутри микросхемы разбиваются на две группы, например старшая и младшая половина. Две одноименные k-линии каждой группы подключаются к двум выходам внутреннего k-го демультиплексора "1 в 2", а его вход соединяется с k-ым адресным входом микросхемы. Количество адресных входов, при этом уменьшается в два раза, но зато передача адреса в микросхему должна производиться, во-первых в два приема, что несколько уменьшает быстродействие, и во-вторых потребуется дополнительный внешний мультиплексор адреса. В процессе хранения бита конденсатор разряжается. Чтобы этого не допустить заряд необходимо поддерживать. Естественно, что в микросхеме динамического ОЗУ есть один или несколько тактовых генераторов и логическая схема для восстановления информационного заряда, стекающего с конденсатора. Это несколько "утяжеляет" конструкцию ИМС. Чаще всего и СОЗУ, и ДОЗУ выполнены в виде ЗУ с произвольной выборкой, которые имеют ряд преимуществ перед ЗУ с последовательным доступом. Суммируя, можно перечислить чем отличается динамическое ОЗУ от статического: 1)мультиплексированием адресных входов, 2)необходимостью регенерации хранимой информации, 3)повышенной емкостью (до нескольких Мбит), 4)более сложной схемой управления. На рисунке внизу приведено условное обозначение м/с 565РУ7 емкостью 256K*1 (218K) и способ подключения 18-ти линий адреса к девяти адресным входам с помощью 9-ти мультиплексоров "2 в 1", например трех счетверенных селекторовмультиплексоров типа 1533КП16.

На рисунке приведены обозначения: n-адресных входов (A0.. An-1), DIO - двунаправленная восмиразрядная шина данных, вход разрешения выходов - ~OE, вход выбора микросхемы - ~CS и вход разрешения записи ~WE, который часто обозначают по другому - ~WR/RD, подчеркивая этим, что при низком значении сигнала на этом входе производится запись байта, а при высоком уровне - чтение. EO, DI, WR - внутренние сигналы вырабатываемые блоком управления чтением/записью/хранением. Доступ к произвольной ЯПj производится с помощью прямоугольного дешифратора, состоящего из двух обычных дешифраторов, причем k-адресных линий заводится на дешифратор столбцов (DCc), а оставшиеся n-k линий подключены к дешифратору строк (DCr). Количество строк и столбцов будет соответственно равно 2n-k и 2k, т.е. общее количество, обслуживаемых ЯП, равно 2k * 2n-k = 2n. На рисунке внизу показан фрагмент внутренней структуры микросхемы, по которому можно проследить основные режимы ее работы. Здесь же дано условное обозначение микросхемы.

Следует обратить внимание на то, что выходы всех 2^n j-ых элементов памяти должны подключаться к общему j-му выводу микросхемы - DIOj. Такое объединение выходов возможно с помощью схемного либо монтажного И(ИЛИ). Монтажное И(ИЛИ) не требует дополнительных схем и может выполняться на элементах с открытым коллектором или с третьим состоянием. Внутри рассматриваемой схемы j-е выходы ЭП объединены на общем резисторе Rj, служащем нагрузкой элементов И-НЕij с открытым коллектором. Для увеличения информационной емкости,отдельные микросхемы группируются в банки и их одноименные выходы должны объединяться. По этой причине выходы всех микросхем памяти также выполняются с открытым коллектором либо с третьим состоянием. В ЭВМ статическое ОЗУ используется в быстродействующей Cashпамяти. 6.2.2 ОЗУ ДИНАМИЧЕСКОГО ТИПА В отличие от статических ЗУ, которые хранят информацию пока включено питание, в динамических ЗУ необходима постоянная регенерация информации, однако при этом для хранения одного бита в ДОЗУ нужны всего 1-2 транзистора и накопительный конденсатор (рис. 6.3). Такие схемы более компактны. По этой причине, при одинаковых размерах кристалла, информационная емкость DRAM выше, чем у SRAM.

На рисунке схемы с открытым коллектором и третьим состоянием обозначены ОК и Z - соответственно. Точками выделен один (j-ый) из восьми элементов i-ой ячейки памяти. Схема И с номером i = (r * 2k + c) является одним из 2n выходных узлов прямоугольного дешифратора, где r и c - номера строк и столбцов матрицы. Инверсный вход (C)hip (S)elect - ~CS, во всех микросхемах, где он встречается, служит для приведения схемы в рабочее состояние низким уровнем сигнала на этом входе. Если ~CS = 1 (пассивный уровень), микросхема - не выбрана и операции с ней производить невозможно. Из рис. видно, что в этом случае на L-входе D-триггера - ноль, запись невозможна и триггер хранит ранее записанный бит. Прочитать выходной код - Q тоже нельзя, т.к. на прямом входе EO разрешения выхода запрещающий нулевой сигнал и вход/выход DIOi находится в третьем состоянии. С поступлением ~CS = 0, схемы ИЛИ-НЕ разблокируются и дальше все зависит от значений сигналов ~WE и ~OE. В режиме записи сигнал ~WE = 0. Поэтому независимо от значения сигнала ~OE на входе схемы, внутренний сигнал EO, тоже равен 0, и чтение данных во время записи невозможно. На верхнем входе элемента Иi единица и, если на адресных входах код An-1,An-2,...,A1,A0(BIN) = i(DEC), то сигналы на линиях Yr и Yc тоже равны 1 и триггер ij прозрачен для записи входной информации DIOj. В режиме чтения ~WE=1, ~OE=0 и при Yr=Yc=1, выходной сигнал ~Q после инверсии элементом Иij с открытым коллектором проходит на выход DIOi. Рис. 6.3. Запоминающая ячейка динамического ОЗУ.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.