WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

«№ 5, май 2005 e mail: ekis СОДЕРЖАНИЕ АЦП и ЦАП В. Макаренко 2 Прецизионные ЦАП с интерфейсом I C фирмы Analog Devices.............................................................. 3 МИКРОКОНТРОЛЛЕРЫ И ...»

-- [ Страница 2 ] --

Рис. 5. Зависимость теплопередачи и срока службы жала паяльника от толщины стального покрытия Внешний вид паяных соединений Форма паяного соединения всегда служила инди катором его качества. К сожалению, опыт, приобре тенный при визуальном контроле соединений на ос нове оловянно свинцовых припоев, нельзя приме нить при контроле бессвинцовых соединений, так как б) а) Рис. 6. Паяное соединение: с применением бессвинцового (а) и оловянно свинцового (б) припоя формы этих соединений имеют существенные отли чия. Например, поверхность паяного соединения ма товая, а галтель из за меньшей текучести бессвинцо вых сплавов имеет другую форму (рис. 6). Так как внешний вид паяных соединений с исполь зованием бессвинцовых припоев существенно отли чается от вида соединений, выполненных с использо ванием оловянно свинцовых припоев, такие органи зации, как IPC, начинают выпускать стандарты с опи санием внешнего вида бессвинцовых соединений, хотя некоторые фирмы изготовители электронных изделий выпускают и собственные документы. Наи более важным для этих фирм является обучение служб контроля правильной оценке качества соеди нений, иначе может увеличиться процент годных из делий, ошибочно отбракованных вследствие недо статочного опыта контролеров. Заключение Чтобы избежать слишком большого нагревания па яных соединений и уменьшить вероятность поврежде ния изделия, необходимо учитывать следующее: • использование жала оптимальных размеров и формы увеличивает площадь его соприкоснове ния с площадкой и выводом компонента, повышает эффективность теплопередачи • желательно использование трубчатого припоя с увеличенным содержанием флюса, это способст вует улучшению паяемости, однако, может услож нить последующую очистку платы • мощность паяльника должна быть достаточной для обеспечения требуемой температуры и ско рости нагрева места пайки, что важно также для активации флюса • если форма жала выбрана правильно и выполне ны все подготовительные операции, то пайку можно выполнять при температуре жала, близкой к оптимальной (более высокая температура мо жет потребоваться при пайке соединений с боль шой теплоемкостью). Внедрение бессвинцовых припоев потребует более тщательного, чем когда либо прежде, контроля произ водственного процесса. Должен быть более полно ого ворен весь комплекс требований к процессу ручной пай ки, включая требования к мощности паяльника, форме и температуре его жала и эффективности теплопередачи.

№ 5, май e mail: ekis@vdmais.kiev.ua ТЕЛЕКОММУНИКАЦИИ ПРИМЕНЕНИЕ PIN ДИОДОВ ДЛЯ ЗАЩИТЫ ПРИЕМНИКОВ * В статье рассматривается применение PIN диодов для защиты чувствительных цепей приемников от мощного излучения передатчиков. А. Мельниченко PIN LIMITER DIODES EFFECTIVELY PROTECT RECEIVERS L imiters shield sensitive front end semiconductor components from transmitter signal damage are dеscribed. A. Melnichenko В приемопередающих устройствах выходной кас кад передатчика и входной каскад приемника, как пра вило, подключены к общей антенне. При этом возника ет опасность повреждения чувствительных входных цепей приемника мощным сигналом передатчика. Од ним из способов уменьшения уровня сигнала, попада ющего на вход приемника, является применение огра ничительных каскадов, построенных на PIN диодах. Ограничительный PIN диод (positive intrinsic nega tive diode) представляет собой трехслойный полупро водниковый прибор, в котором между слоями с Р и N проводимостью находится так называемый I слой. Толщина и удельное сопротивление I слоя, а также площадь соединения этого слоя с областью Р прово димости выбираются из условий компромисса, обес печивающего получение требуемых электрических характеристик диода: сопротивления, емкости, вре мени восстановления и порогового уровня. В электрических цепях диод может функциониро вать как переменное сопротивление, величина кото рого зависит от подводимой к нему мощности высо кочастотного сигнала. Таким образом, можно постро ить одно или многозвенную ограничительную цепь, содержащую один или несколько диодов, разделен ных четвертьволновыми отрезками длинных линий. Добавив направленный ответвитель и детектор на ди оде Шотки, можно уменьшить пороговый уровень ог раничения сигнала. Простая схема ограничителя для защиты приемни ка состоит из параллельно включенных PIN диода и ка тушки индуктивности, необходимой для согласования емкостного сопротивления диода с волновым сопро тивлением линии (рис. 1). На входе и выходе ограничи теля обычно включают развязывающие конденсаторы. Для этой цепи коэффициент подавления сигналов большого уровня составляет, как правило, 20 30 дБ. Для сигналов малого уровня импеданс диода мак симален, так как их мощность недостаточна для пере хода носителей в I слой. При этом потери, вносимые защитной цепью, не превышают 0.5 дБ. Передаточная функция для сигналов, лежащих ниже порогового уровня диода, линейна. При увеличении уровня входного сигнала выше по рогового сопротивление диода уменьшается, коэф фициент подавления возрастает пока сопротивление диода не достигнет минимального значения (рис. 2). Согласование импедансов нарушается, вследствие чего основная часть энергии сигнала отражается об ратно к источнику. В режиме большого входного сиг нала напряжение на выходе ограничителя превышает пороговый уровень диода на 2 4 дБ. Если же входной сигнал увеличивается и после того, как сопротивле ние диода достигнет минимального значения, напря жение сигнала на выходе ограничителя также пропор ционально увеличивается. Работа ограничителя в та Рис. 1. Схема однокаскадного ограничителя на PIN диоде Рис. 2. Мощность радиосигнала на входе и выходе ограничителя * По материалам статьи: Rick Cory. PIN limiter diodes effectively protect receivers // "EDN", December 17, 2004 (http://www.edn.com/article/CA486567.html).

www.ekis.kiev.ua № 5, май ТЕЛЕКОММУНИКАЦИИ ком режиме нежелательна, поскольку может привести к перегрузке диода. При уменьшении уровня сигнала ниже порогового уровня сопротивление диода после некоторой задержки вновь восстанавливается до максимального значения. Коэффициент подавления сигнала ограничителем определяется из уравнения: KДБ = 20 lg [Z0/(2RД)+1], где Z0 – волновое сопротивление линии передачи, RД – сопротивление диода. Передаточная характеристика простого ограничи теля показана на рис. 3. Как показано на рис. 2, в работе ограничителя на блюдается небольшое запаздывание, вследствие чего в первый момент появления мощного сигнала на вхо де ограничителя почти весь он проходит на выход, а после уменьшения сигнала ниже порога сопротивле ние диода восстанавливается также с некоторой за держкой. Задержка срабатывания диода в обоих слу чаях определяется временем, необходимым для того, чтобы носители заполнили или освободили I слой. При выборе диода следует стремиться к тому, чтобы длительность переходных процессов в ограничителе была минимальной. После окончания действия радиочастотного сиг нала внешнее электрическое поле, способствующее оттоку носителей из I слоя, отсутствует. Единствен ный способ восстановления высокоимпедансного со стояния диода – рекомбинация отрицательно заря женных электронов с положительно заряженными дырками. Длительность этого процесса пропорцио нальна времени жизни неосновных носителей заряда. Для уменьшения этого времени кремниевые пласти ны для производства PIN диодов подвергают легиро ванию золотом путем тепловой диффузии в I слой. Время жизни неосновных носителей заряда в легиро ванном I слое толщиной 2 мкм при емкости перехода 0.1 пФ составляет около 5 нс. Без легирования это время составило бы 20 40 нс. Многокаскадные ограничители Если подавления, которое обеспечивает простой однокаскадный ограничитель, недостаточно, можно построить многокаскадный ограничитель. Пример двухкаскадного ограничителя показан на рис. 4. PIN диод второго каскада имеет, как правило, бо лее тонкий I слой. Пороговый уровень этого диода должен быть достаточно мал, чтобы защитить эле менты приемника. Для первого каскада выбирают ди од с большей толщиной I слоя. Тому есть несколько причин. Во первых, площадь Р слоя в этом случае мо жет быть больше при сохранении прежнего значения емкости, обеспечивающего низкие потери, вносимые при малом уровне сигналов. Во вторых, величины теплового и электрического сопротивлений такого диода меньше, чем у диода второго каскада, что обеспечивает больший коэффициент подавления. Отдельно следует остановиться на расположении диодов каждого каскада. Диод первого каскада рас полагается на расстоянии четвертьволнового отрезка линии (или нечетного их числа) от диода второго кас када и источника сигнала. При таком включении для малых сигналов оба диода имеют высокий импеданс и потери определяются, главным образом, емкостью диодов и небольшими потерями рассогласования. При появлении мощного сигнала его фронт прохо дит через оба каскада ограничителя, так как диоды на ходятся в состоянии высокого импеданса. Первым пе Рис. 3. Передаточная характеристика однокаскадного ограничителя В правильно разработанной схеме использование ограничительного диода с допустимой рассеиваемой мощностью в несколько долей ватта позволяет с ус пехом защитить приемник от сигналов, мощность ко торых превосходит указанную на несколько порядков. При наличии на входе сигнала большого уровня по давляющая часть его не рассеивается диодом, а от ражается обратно, после чего отраженный сигнал мо жет быть излучен антенной или через циркулятор (или вентиль) подан на рассеивающую его резистивную нагрузку. Тепловое сопротивление диода представляет собой важный параметр, поскольку с ростом темпе ратуры перехода срок службы полупроводниковых компонентов, как правило, уменьшается. Несмотря на то, что в нормальном режиме диод рассеивает лишь небольшую часть мощности высокочастотного сигна ла, она может приводить к заметному повышению его температуры. Нагрев, прежде всего, влияет на об ласть перехода между I и N слоями, которая опреде ляет сопротивление диода. Анализ тепловой модели диода достаточно сложен. Существует также класс защитных схем, в которых происходит не подавление сигнала, а его ограниче ние. Хотя между этими схемами нет четкой грани, по своему построению и принципу действия они имеют некоторые различия.

№ 5, май e mail: ekis@vdmais.kiev.ua ТЕЛЕКОММУНИКАЦИИ тем же: в каждом следующем каска де следует применять диоды с бо лее тонким I слоем. Уменьшение порогового уровня ограничительного диода Пороговый уровень выпускае мых в настоящее время PIN диодов с I слоем минимальной толщины со ставляет около 7 дБм. Если на таком диоде построить ограничитель, то пик энергии, проходящей через него в момент появления фронта радио сигнала, все же может повредить очень чувствительные компоненты приемника. Добавив диод Шотки и несколько пассивных компонентов, как показано на рис. 4, можно уменьшить пороговый уровень огра ничительного диода. Диод Шотки Рис. 4. Схема двухкаскадного ограничителя действует как пиковый детектор или детектор огибающей. Чаще всего он реходит в состояние низкого импеданса диод второго подключается к выходу ограничительного каскада через направленный ответвитель. Ток диода Шотки каскада, как имеющий более тонкий I слой. Таким об через дроссель направляется в ограничительный ди разом, к источнику сигнала оказывается подключен од, создавая в нем дополнительный ток смещения. ным короткозамкнутый отрезок линии, в котором обра Пороговый уровень такой схемы зависит от коэффи зуется стоячая волна. Максимум напряжения этой вол ны приходится на диод первого каскада, ускоряя его циента передачи направленного ответвителя и напря переход в состояние низкого импеданса. В результате жения открывания диода Шотки и может быть снижен основное подавление сигнала осуществляется диодом до значения не более 0 дБм. первого каскада с более низким импедансом, а пара метры диода второго каскада определяют пороговый уровень всего ограничителя и ту часть сигнала, которая проходит на выход в первый момент его появления. Пример. В первом каскаде двухкаскадного огра ничителя может быть использован диод CLA4607 000 с толщиной I слоя 7 мкм и тепловым сопротивлением 40 °C/Вт, во втором – CLA4603 000 с толщиной I слоя 1.5 мкм и тепловым сопротивлением 100 °C/Вт. Ем кость обоих диодов не превышает 0.2 пФ, сопротив ление – 0.2 Ом при токе 10 мА. При необходимости можно построить и трехкас кадный ограничитель. Принцип построения остается Вниманию подписчиков ЭКиС!

Вышли из печати новые каталоги, изданные VD MAIS:

"Измерительные приборы", "Микросхемы Analog Devices", "Профессиональное оборудование для производства и ремонта электронной техники", а также компакт диски с перечнями и техническими характеристиками изделий компаний: Analog Devices, Sonitron, Tyko Electronic, Geyer Electronics, Rittal, Schroff, Cotco, Kingbright, Agilent Technologies, Fordata, WAGO, LAPPKABEL, PAPST, Medisoncable. Все включенные в каталоги и диски изделия поставляются фирмой VD MAIS. Каталоги и диски бесплатно рассылаются по запросу оформившим подписку на 2005 г.

www.ekis.kiev.ua № 5, май ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ НОВЫЕ DC/DC ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ КОМПАНИИ GAЇA CONVERTER МОЩНОСТЬЮ 35 И 75 Вт К омпания Gaїa Converter постоянно расширяет номенклатуру выпускае мых устройств электропитания. В статье описаны новые DC/DC преобразователи мощностью 35 и 75 Вт, отличающиеся ши роким диапазоном входных напряжений (соответственно 4:1 и 5:1), высоким КПД и предназначенные для жестких условий эксплуатации. Г. Местечкина NEW HI REL DC/DC CONVERTERS MGDI/M 35, MGDM 75 SERIES 35W AND 75W OUTPUT POWER ew Hi Rel DC/DC Converters 35W and 75W with wide input voltage range and wide output voltage choices from Gaїa Converter company describes in article.

G. Mestechkina N Компания Gaїa Converter предлагает широкий вы бор DC/DC преобразователей из более чем 3500 ти пов источников питания мощностью от 4 до 150 Вт с напряжениями от 4.5 до 150 В на входе и от 3.3 до 48 В – на выходе. Описываемые в статье новые семейства обеспечи вающих высокую удельную мощность модулей DC/DC преобразователей с выходной мощностью 35 и 75 Вт имеют соответственно широкий (4:1) и сверхширокий (5:1) диапазон входных напряжений и рассчитаны на ра боту при наличии импульсных помех по цепи питания. Это позволяет применять эти модули в имеющих рас пределенную систему питания устройствах, для которых именно эти требования являются первостепенными. Кроме того, эти модули рассчитаны на жесткие ус ловия эксплуатации, соответствующие требованиям стандартов для военной и промышленной техники, в том числе по допустимому уровню механических воз действий: вибраций и ударов. Такие эксплуатационные характеристики делают предлагаемые модули незаменимыми в транспортном оборудовании: на железных дорогах, в городском транспорте (в трамваях и метро), в местном подвижном составе. В промышленности они находят применение в оборудовании промышленных установок: в управлении энергетическими комплексами, робототехнике, систе мах автоматизации, охраны объектов и контроля за со стоянием окружающей среды. DC/DC преобразователи Gaїa широко применяются в авиационной и военной тех нике: коммерческой и военной авиации, военной назем ной и военно морской технике, в торпедах и ракетах. В [1] показаны возможности комплексных реше ний задач электропитания с использованием предло женной компанией Gaїa Converter модульной архи тектуры, даны рекомендации по выбору модулей для построения систем питания. В развитие этого на правления в дополнение к предположенным в [1] DC/DC преобразователям мощностью 30 и 150 Вт, закрывая возникший пробел, и выпущены новые се рии преобразователей мощностью 35 и 75 Вт. Модули MGDI 35 размещены в стандартном герме тичном металлическом корпусе и рассчитаны на работу в диапазоне температур от 40 до 71 °С окружающей среды (до 95 °С температуры базовой платы). Диапазон рабочих температур модулей этой серии может быть расширен при линейном снижении выходной мощности от 100% до 0 в интервале температур окружающей сре ды от 71 до 95 °С. Модули MGDM 75 также размещены в герметичном металлическом корпусе, рассчитаны на работу в диапазоне температур базовой платы от 40 до 105 °С и имеют опции для более жестких условий экс плуатации: с суффиксом "Т" в обозначении, для кото рых диапазон рабочих температур расширен до 55 °С. Модули обеих серий работают при фиксированном значении частоты преобразования (с возможностью внешней синхронизации), обеспечивают продолжи тельную защиту от КЗ, "мягкий" запуск для предотвра щения бросков тока, регулировку выходного напряже ния, дистанционное включение/выключение и защиту от снижения входного напряжения за пределы допуска. Диапазон входных напряжений преобразователей мощностью 35 Вт имеет три поддиапазона: 9 36, 18 75, 36 140 В, а мощностью 75 Вт – два: 9 45 и 16 80 В. Выходные напряжения модулей MGDI/M 35 имеют номинальные уровни 3.3, 5, 12 и 15 В, а MGDM 75 – 3.3, 5, 12, 15, 24 и 28 В. Большая удельная мощность преобразователей достигнута благодаря высокому КПД (85% – для MGDI/M 35 и 86% – для MGDM 75), а металлический корпус обеспечивает улучшенный отвод тепла и соот ветственно расширение диапазона рабочих темпера тур. Высокое качество и надежность преобразовате лей достигаются благодаря не только принятым схем ным и конструктивным решениям, но и полной автома тизации процессов сборки, монтажа и контроля на всех этапах производства. Кроме обеспечиваемых в обеих сериях регулировки выходного напряжения, дистанционного включения/выключения, защиты от № 5, май e mail: ekis@vdmais.kiev.ua ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ граничного значения (110% Iном), автоматическое восстановление работы модуля происходит при снижении тока нагрузки до номи нального значения. В случае повы шения выходного напряжения до 120±5% Uном срабатывает защита от перенапряжения (OVP). Работо способность модуля восстанавли вается автоматически после сни жения выходного напряжения до допустимого уровня. На рис. 3, б приведена диаграмма защиты от 75 перегрева (ОТР), которая срабаты вает при температуре базовой платы модуля 115 °С (±5%). Восстановление работоспособности модуля про исходит автоматически с гистерезисом при снижении температуры платы на 10 °С до допустимого уровня 105 °С. Защита от снижения входного напряжения (Uвх) за допустимый уровень (UVLO) срабатывает, как показано на рис. 3, в, при достижении порогового уровня Uвх, а восстановление работоспособности модуля происхо дит с гистерезисом автоматически после увеличения входного напряжения на 1.5 В выше порогового уровня. Выполнение функций защиты от снижения вход ного напряжения (UVLO) для модулей MGDI 35 обес печивается при подключении между выводами моду ля 1 (UVLO) и 2 (Gi) резистора, сопротивление которо го определяет уровень срабатывания защиты UVLOtrim и может быть рассчитано по формуле:

Рис. 1. Блок схема модуля MGDM КЗ и снижения напряжения на входе, в модулях мощ ностью 75 Вт предусмотрена защита от перегрева, а также от перегрузки и перенапряжения на выходе. На рис. 1 приведена блок схема модуля MGDM 75. В модулях MGDM 75 выполнение функций защиты от перегрузки (Over Current Protection – ОСР), перенапряже ния (Over Voltage Protection – OVP), перегрева (Over Tem perature Protection – ОТР) и снижения входного напряже ния (Under Voltage Lock Out – UVLO) обеспечивается с использованием независимого источника напряжения, входящего в состав каждого модуля. Для измерения вы ходного напряжения предусмотрен вход "Sense", выво ды которого соединяются непосредственно с нагрузкой. Для обеспечения соответствия требованиям стан дарта MIL STD 461C по электромагнитной совмести мости компания Gaїa Converter рекомендует исполь зовать на входе модулей MGDM 75 фильтр, электри ческая схема которого показана на рис. 2. Защита Предусмотренные 4 вида защиты модулей MGDM 75 обеспечивают их надежную работу. Временные диа граммы срабатывания трех видов защиты приведены на рис. 3. Показанная на рис. 3, а диаграмма срабатывания защиты от перегрузки (ОСР) иллюстрирует снижение вы ходного напряжения при превышении током нагрузки UVLOtreshold – минимально допустимый уровень вход ного напряжения для соответствующего поддиапазо Рис. 2. Электрическая схема включения фильтра на входе модуля MGDM www.ekis.kiev.ua № 5, май ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ выполняется с использованием одного внешнего резис тора, в качестве которого может быть использован потен циометр для плавной регулировки Uвых. При этом попытка увеличить выходное напряжение более чем до 110% Uном будет безуспешной, т.к. при этом сработает защита от пе ренапряжения. При увеличении выходного напряжения также следует помнить, что ток нагрузки должен быть сни жен до уровня, при котором выходная мощность не превы шает допустимого значения. Для увеличения выходного напряжения резистор подключается между выводами Trim и S+, для уменьшения – между выводами Trim и S, как по казано на рис. 4, а и рис. 4, б соответственно. Расчет вели чины сопротивления можно произвести по формулам: для повышения Uвых для понижения Uвых Рис. 3. Диаграммы срабатывания защиты модулей MGDM 75 от перегрузки (а), перегрева (б) и снижения входного напряжения (в) где R1=3.8 кОм, R2=270 Ом, С=1 мкф, Uref=2.5±0.05 B. Показанная на рис. 4, в схема позволяет выпол нять регулировку выходного напряжения изменением управляющего напряжения, при этом уровень выход ного напряжения определяется из формулы:

на, a K=0.932/1.34/1.66 соответственно для входных напряжений поддиапазонов H/O/Q. Регулировка выходного напряжения В модулях MGDM 75 обеспечена регулировка выход ного напряжения в пределах не менее ±10% Uном, которая Величины R1, R2 и Uref остаются такими же, как и при резистивном управлении. Диапазон регулировки выходного напряжения моду лей MGDI 35 находится в пределах 90 105% Uном. Для ре гулировки Uвых при необходимости его увеличения можно Рис. 4. Схемы регулировки выходного напряжения модуля MGDM 75 подключением резистора для увеличения/уменьшения Uвых (а/б) и изменением управляющего напряжения (в);

модуля MGDI/М 35 – изменением управляющего напряжения (г) № 5, май e mail: ekis@vdmais.kiev.ua ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ использовать напряжение Uref, которое подается с вывода 7 (Uref) через резистор Ru на вывод 5 (Тrim) модуля. Вели чина сопротивления резистора вычисляется по формуле: Синхронизация частоты преобразования Сигнал тактовой частоты преобразования для мо дулей MGDM 75 может быть как внутренним, так и по ступающим извне. Внешняя синхронизация необходи ма при совместной работе нескольких модулей. Часто та прямоугольных импульсов внешней синхронизации должна находиться в пределах от 860 до 940 кГц, а уровни "0" и "1" должны быть соответственно меньше 0.5 В и в пределах 4±0.5 В, время нарастания импульса должно быть не более 30 нс, а спада – не более 100 нс, как показано на рис. 6, а. Схема подключения к внеш нему тактовому генератору приведена на рис. 6, б. Для взаимной синхронизации нескольких модулей их выводы Sync соединяют между собой по схеме, при веденной на рис. 7. При этом частота сигнала, форми руемого на выводе 2 (Sync), в два раза превышает час тоту преобразования (2420 кГц), его амплитуда со ставляет 3.5±0.5 В с импедансом 4.7 кОм на уровне "0". Для синхронизации модулей MGDI/М 35 от внеш него источника на вывод 6 (Sync) должен быть подан сигнал частотой 550 600 кГц с уровнями "0" менее 0.5 В и "1" – в пределах 4±0.5 В с длительностью фронта не более 30 нс, а спада – не более 100 нс.

Для уменьшения выходного напряжения выводы 5 и 2 (Gi) соединяются через резистор RD, величина со противления которого определяется из формулы:

Регулировка выходного уровня с использованием управляющего напряжения выполняется, как показа но на рис. 4, г, при этом уровень выходного напряже ния определяется по формуле U0=U0ном (0.0565Ucontr+0.887). Измерение напряжения на нагрузке Измерение напряжения непосредственно на на грузке модулей MGDM 75 необходимо для исключе ния влияния на результаты измерений падения напря жения на соединительных проводах между выходом модуля и собственно нагрузкой. Для этого необходи мо соединить выводы S+ и S модуля с нагрузкой от дельными проводами, как показано на рис. 4, а, б, при этом обеспечивается компенсация падения напряже ния на проводах в пределах ±10% выходного напря жения. Защита от перенапряжения будет срабаты вать и выключать модуль, если уровень выходного на пряжения превысит 110% Uном. Дистанционное включение/выключение Управление включением/выключением модулей MGDM 75 выполняется через выводы 3 (On/Off) и 1 (Gi), как показано на рис. 5. Для коммутации может быть использован транзистор с открытым коллекто ром, переключатель, контакты реле или оптопара. При уровне "0" (0.2 В, 1 мА) на выводе 3 работа мо дуля блокируется, при уровне "1" (3.5 В) или большом сопротивлении (разрыв цепи) модуль включается. Сиг нал блокировки подается на вывод 3 и при срабатыва нии любого из видов защиты: UVLO, OVP, OTP и OCP. Управление включением/выключением модулей MGDI/M 35 выполняется аналогично через выводы 8 (On/Off) и 2 (Gi).

Рис. 6. Схема подключения к внешнему тактовому генератору модуля MGDM Рис. 5. Схема дистанционного включения/выключения модуля MGDM Рис. 7. Схема подключения нескольких модулей для взаимной синхронизации модулей MGDM www.ekis.kiev.ua № 5, май ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ Контроль температуры базовой платы модуля MGDM 75 Максимальная температура базовой платы при полной нагрузке не должна превышать 105 °С, тепло может отводиться от нее тремя способами: • естественной конвекцией с переносом излучаемо го тепла на корпус, а затем – в окружающую среду • через теплоотвод, на который устанавливается модуль • с использованием принудительного обдува. Чаще всего для снижения температуры платы ис пользуется теплоотвод, но при необходимости расшире ния диапазона рабочих температур модуля без снижения выходной мощности применяется принудительный об дув или теплоотвод и принудительный обдув вместе. Для расчета максимальнодопустимой температу ры окружающей среды можно воспользоваться сле дующей методикой, исходя из максимальной темпе ратуры базовой платы 105 °С и зная выходную мощ ность (Рout) и КПД (): • определить рассеиваемую мощность (Pdiss) (1) Pdiss=Рout(1/ 1) • рассчитать максимальнодопустимую температуру окружающей среды (Та) (2) Та=(105 Rth(b a))Pdiss, где Rth(b a) – тепловое сопротивление между базовой платой и окружающей средой. При этом тепловое со противление Rth(b a) является суммой тепловых сопро тивлений Rth(b h) (базовая плата теплоотвод) и Rth(b a) (теплоотвод окружающая среда). Причем величина сопротивления Rth(b h) зависит также от компаунда, со единяющего плату и теплоотвод, и может быть в пре делах от 0.4 до 0.1 °С/Вт. В табл. 1 приведены значения Rth(b a) и Rth(b h), необ ходимые для расчета максимальной температуры ок ружающей среды, при разных режимах отвода тепла. Пример: Пользуясь формулами (1) и (2), приведен ным выше значением КПД и данными табл. 1, выполним расчет допустимой температуры окружающей среды для выходной мощности 75 Вт. Приняв КПД=0.86 с ис пользованием теплоотвода HS2159DC и принудитель ного обдува, определяем величину рассеиваемой мощности и рассчитываем температуру окружающей среды, при которой обеспечиваются все параметры Рис. 8. Графики зависимости допустимой температуры окружающей среды (Тa) и выходной мощности (Рout) от условий отвода тепла для модуля типа MGDS 75 0 F модуля для скорости воздушного потока 2 м/с:

Та=(105 1.4)12.2=87.9 °С. На рис. 8 приведены графики зависимости допус тимой температуры окружающей среды (Тa) и выход ной мощности (Рout) от условий отвода тепла для мо дуля типа MGDS 75 0 F (с выходным напряжением 15 В), установленного на теплоотвод HS2159DC. По лученное в результате расчета значение допустимой температуры окружающей среды совпадает с най денным из соответствующего графика рис. 8. Основные параметры и характеристики DC/DC пре образователей MGDI/M 35 и MGDM 75 приведены в табл. 2, 3 [2, 3]. В обозначении модулей MGDI/M 35 пе ред видом исполнения: I/M (Industry/Military) – для про мышленной/военной техники – приводится число выхо дов: суффикс S, B или T – для одиночного, сдвоенного или строенного модуля. Выпуск модулей MGDM 35 пока Таблица 1. Тепловые сопротивления для разных условий отвода тепла № 5, май e mail: ekis@vdmais.kiev.ua ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ Таблица 2. Основные характеристики модулей MGDI/M 35 и MGDM Таблица 3. Основные параметры модулей MGDI 35 и MGDM 75 Примеры обозначения модулей:

* В таблице приведены максимальные значения токов нагрузки каждого источника, при этом суммарная мощность не должна превышать 35 Вт.

не освоен. Модули MGDM 75 выпускаются только в ис полнении Military (М), поэтому буква М в обозначении опускается, а буква S означает одинарный выход. Дополнительную информацию об изделиях компании Gaїa Converter можно получить в фирме VD MAIS или в се ти Интернет по адресу: http://www.gaїa converter.com ЛИТЕРАТУРА 1. Местечкина Г. Комплексные решения самых сложных задач электропитания // ЭКиС. – Киев: VD MAIS, 2004, № 10. 2. Gaїa Converter FC04 035.10/04 Revision В. 3. Gaїa Converter FC03 032.09/04 Revision C.

№ 5, май e mail: ekis@vdmais.kiev.ua ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ МИКРОСХЕМЫ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ ДЛЯ СВЕТОДИОДОВ В статье рассмотрены параметры выпускае мых компанией SiTI (Silicon Touch Technolo gy Inc.) микросхем источников питания для све тодиодов. Микросхемы DD211, DD212, DD231, DD233, DD311 предназначены для работы в ус тройствах с низковольтными автономными ис точниками питания. В. Охрименко HIGH POWER CHARGE PUMP FOR WHITE LEDs WITH LOW SUPPLY VOLTAGE C DD211, DD212, DD231, DD233, DD311 is de signed specifically for driving a white LEDs as a light source with low supply voltage. V. Ohrimenko I Как правило, типовое значение напряжения пита ния портативной аппаратуры находится в диапазоне 1.8…4.2 В. Для подсветки клавиатуры, а также цветных и монохромных жидкокристаллических (LCD) дисплеев в такой аппаратуре используются светодиоды синего, оранжевого и белого цвета свечения. Эти светодиоды отличаются сравнительно большим прямым падением напряжения (примерно 3.5…4.0 В). Многие производи тели импульсных источников питания (в том числе и компания SiTI) выпускают специализированные микро схемы, обеспечивающие питание светодиодов [1, 2]. Микросхему DD211 можно использовать в качест ве источника питания светодиодов с белым или синим цветом свечения, имеющих высокое прямое падение напряжения. Аналогично импульсным повышающим напряжение преобразователям, реализованным на основе метода "charge pump", микросхема DD211 обеспечивает удвоение напряжения питания. В схеме включения используется только один внешний кон денсатор емкостью 0.1 мкФ. Встроенный генератор формирует выходные импульсы частотой 350 кГц (скважность 1.3). Для ограничения выходного тока имеется встроенный резистор. Максимальный им пульсный ток 37 мА. Микросхема DD211 изготовлена по КМОП технологии, имеет низкий ток потребления (всего 0.75 мА) и выпускается в малогабаритном кор пусе SOT 25.

Для питания светодиодов в микросхеме DD212 производится удвоение напряжения питания. В схеме включения используется только один внешний кон денсатор емкостью 1 мкФ. Максимальный импульс ный ток 520 мА. Выходные импульсы имеют частоту 350 кГц (скважность 2). На рис. 1 приведена структур ная схема микросхемы DD212, на рис. 2, 3 – соответ ственно схема включения и временная диаграмма ее работы. Для ограничения выходного тока использует ся внешний резистор Rext сопротивлением (4 5 Ом). Микросхемы DD231 и DD233 представляют соответ ственно трех и четырехканальные источники постоян ного тока, используемые для подключения трех или че тырех светодиодов. Изменение тока через светодиоды производится с помощью устанавливаемого в цепи уп Рис. 2. Схема включения DD Рис. 1. Структурная схема микросхемы DD Рис. 3. Диаграмма работы DD www.ekis.kiev.ua № 5, май ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ Таблица параметров микросхем источников питания светодиодов Рис. 4. Структурная схема микросхемы DD311 равления внешнего резистора сопротивлением от 12 до 70 кОм. Максимальный ток через каждый светодиод 30 мА, максимальное напряжение источника питания све тодиодов 17 В. В источнике тока ИМС DD233, кроме то го, имеется вход разрешения ENABLE. Микросхема DD231 изготавливается по КМОП технологии и выпус кается в малогабаритном корпусе SOT 26, DD233 – в корпусе 8 SOP или 8 MSOP. Микросхема DD311, структурная схема которой приведена на рис. 4, – источник постоянного тока, ре ализованный по схеме "токового зеркала". Макси мальный выходной ток 1 А, максимальное напряжение источника питания 33 В. В микросхеме предусмотрен вход разрешения ENABLE. Микросхема DD311 выпус кается в малогабаритном корпусе TO 252. Для регу лировки тока используется внешний резистор. В таблице приведены основные параметры выпус каемых компанией SiTI микросхем источников пита ния для светодиодов. Более детальную информацию о микросхемах ис точников питания для светодиодов, выпускаемых компанией SiTI, можно найти в сети Интернет по ад ресу: http://www.siti.com.tw ЛИТЕРАТУРА: 1. High power charge pump for white leds with low supply voltage. – SiTI, 2004 (http://www.siti.com.tw). 2. http://www.siti.com.tw ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ ФИРМЫ SHROFF * В статье приведены краткая характеристика и ос новные параметры источников питания, выпуска емых фирмой Schroff. А. Мельниченко SCHROFF POWER SUPPLY UNITS S chroff power supply units performances are exa mined. A. Melnichenko Фирма Schroff – известный производитель корпу сов и шкафов для электронного оборудования – вы пускает в широкой номенклатуре и источники пита ния. Большинство их выполнено в виде стандартных модулей, предназначенных для установки в 19 дюй мовые корпуса (рис. 1). Высота модулей равна 3 и 6U (1U = 44.5 мм), ширина – от 3 до 14НР (1HP = 5.08 мм), глубина – 172 мм. Несколько иное конструктивное исполнение име ют источники питания семейства "Open Frame". Они выполнены в виде субблоков со встроенными венти ляторами (рис. 2).

Рис. 1. Модули источников питания * Electronic Packaging. – Каталог фирмы Schroff 39601 302, 08/2003.

№ 5, май e mail: ekis@vdmais.kiev.ua ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ Рис. 2. Субблоки источников питания со встроенными вентиляторами Рис. 3. Блок питания в 19 дюймовом корпусе Таблица 1. Выходные параметры импульсных источников питания мощность. КПД составля ет порядка 80 83%. Источ ники отличаются широким диапазоном входных на пряжений (от 90 100 до 254 264 В переменного тока частотой 50 Гц или от 100 120 до 340 360 В по стоянного тока). В источ никах мощностью выше 100 Вт обеспечивается коррекция коэффициента мощности (Power Factor Correction). Наличие цепи распределения тока (ac tive Current Share Bus) поз воляет организовать па * Высота 6U, остальных – 3U. раллельную работу источ ников. При работе источ Таблица 2. Выходные параметры источников питания "Open Frame" ников большой мощности с выходными токами, близкими к предельным, необходим их принуди тельный обдув. Выпуска ются источники с различ ным числом выходных на пряжений (от 1 до 4). Их основные параметры при ведены в табл. 1. Импульсные источники питания семейства "Open * Ширина 127 мм, высота – 66 мм. Frame" выпускаются на 3 и 4 выходных напряжения (регулируемых). Их параметры Все источники питания можно разделить на следу приведены в табл. 2. ющие группы: Линейные • импульсные источники питания источники питания • линейные источники питания Эти источники отличаются высокой точностью • преобразователи постоянного напряжения. поддержания выходного напряжения, малыми пуль Кроме того, выпускаются блоки питания в 19 дюй сациями и очень малым уровнем электромагнитных мовых корпусах (рис. 3). помех. Они удовлетворяют требованиям, предъявля Импульсные емым к источникам питания медицинской аппарату источники питания ры. Напряжение питания – переменное, 230 В часто Импульсные источники выпускаются под различны той 50 Гц. Основные параметры источников приведе ми торговыми марками: "slimpower", "ecopower", "max power". Их преимуществом является большая удельная ны в табл. 3.

www.ekis.kiev.ua № 5, май ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ Таблица 3. Выходные параметры линейных источников питания Преобразователи постоянного напряжения Преобразователи имеют один или несколько выходов, гальваниче ски изолированных друг от друга и от первичной цепи. Некоторые из них имеют вход дистанционного включе ния. Основные параметры преобра зователей приведены в табл. 4. Блоки питания Блоки с выходной мощностью от 100 до 1000 Вт и выходным напряже нием 56 В предназначены для пита ния устройств телекоммуникации. Их высокая надежность достигается ре зервированием встроенных источни ков питания. Наличие внутренней ак кумуляторной батареи напряжением 48 В и емкостью 7 А·ч позволяет обес печить бесперебойное питание при кратковременном пропадании вход ного напряжения. Напряжение пита ния блоков – переменное 230 В (195 256) частотой 50 Гц, габаритные раз меры (ШВГ) 426.7133.4275 мм. Дополнительную информацию об источниках питания фирмы Schroff можно получить в сети Ин тернет по адресу: www.schroff.biz или в фирме VD MAIS.

* Высота 3U.

Таблица 4. Основные параметры преобразователей напряжения * Высота 3U.

№ 5, май e mail: ekis@vdmais.kiev.ua КОММУТАЦИОННЫЕ ИЗДЕЛИЯ ОСНОВНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ СОВЕРШЕНСТВОВАНИЯ СОЕДИНИТЕЛЕЙ ДЛЯ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННЫХ ИЗДЕЛИЙ * роизводство телекоммуникационного оборудования – од на из наиболее быстроразвивающихся отраслей элек тронной промышленности. Для создания конкурентоспособ ной продукции в этой отрасли требуются наиболее современ ные решения. В статье рассмотрены некоторые направления развития соединителей для телекоммуникационного оборудо вания. М. Леонтьев, технический специалист ООО "Акцент" (г. Санкт Петербург) П REFERENCE DIRECTIONS OF CONNECTORS OF TELECOMMUNICATION DEVICES ENHANCEMENT R eference directions developments of con nectors of telecommunication devices are presented. М. Leont'ev Backplane разъемы Практически ни одно крупное телекоммуникационное изделие не обходится без разъемов, пред назначенных для соединения плат расширения с основной (кросс) платой. Как правило, эти платы располагаются под прямым углом друг к другу. В зарубежной литера туре подобный тип соединения по лучил название Backplane. Наиболее часто для этой цели используются соединители стан дарта DIN 41612 (рис. 1, 2). Этот стандарт был разработан для нужд телекоммуникационной промыш ленности в 60 годах прошлого века и широко используется по сей день. Помимо типового располо жения кросс платы и плат расши рения под прямым углом, стандарт позволяет осуществлять как па раллельное соединение, называе мое мезонинным (Mezzanine), при котором одна плата расположена параллельно другой, так и соеди нение плат между собой в одной плоскости. Среди соединителей, отвечающих требованиям данного стандарта, встречаются серии, имеющие различные электричес кие параметры: комбинированные разъемы с коаксиальными либо силовыми вставками, а также со единители с экраном, ослабляю щим воздействие помех на сигнал. Разъемы стандарта DIN 41612 имеют шаг между рядами и между контактами 2.54 мм (1/10 дюйма). Число рядов соединителей – от 2 до 5, общее число контактов – до 160. Для изделий с функцией "го рячей замены" производятся со единители с контактами разной высоты, что позволяет разнести во времени коммутацию разных це пей (например, цепей питания и сигнальных). Среди соединителей этого стандарта есть и кабельные, предназначенные для соединения с периферийными устройствами. Если число контактов соедини телей стандарта DIN 41612 недо статочно для выполнения задачи, можно использовать несколько со единителей данного типа. В слу чае, когда по какой либо причине это не удается, используют соеди нители семейства AMP HDI (High Density – высокой плотности), ко торые имеют такой же шаг, как и разъемы стандарта DIN 41612, но увеличенное до 440 число контак тов (рис. 3). Но прогресс, как известно, не стоит на месте. В 80 годах XX века были разработаны новые стандар ты: IEC 61076 4 101 и IEC 917 (DIN 43355). Корпорация Tyco Electro nics/AMP выпускает соединители Рис. 1. Соединители стандарта DIN Рис. 2. Применение соединителей DIN Рис. 3. Соединители типа AMP HDI * Леонтьев М. Основные направления совершенствования соединителей в телекоммуникационных изделиях // ЭК, 2003, № 1. – Москва: ООО "ИД Электроника". Статья перепечатана с разрешения редколлегии журнала "Электронные компоненты" (www.elcp.ru).

www.ekis.kiev.ua № 5, май КОММУТАЦИОННЫЕ ИЗДЕЛИЯ под названием Z PACK HM (рис. 4, 5), соответствующие этим передачи были разработаны моду ли Z PACK HM Zd (рис. 6, 7). Благо MultiGig RT (рис. 9), плотность раз мещения контактов в которых со Рис. 6. Соединители типа Z PACK HM Zd Рис.

4. Соединители типа Z PACK HM Рис. 5. Применение соединителей Z PACK HM стандартам. Эти соединители имеют расстояние между рядами и между контактами 2 мм. Главное их отличие от соединителей стан дарта DIN 41612 в том, что разъе мы Z PACK (подобно детскому "конструктору") могут набираться встык и образовывать колодки не обходимой длины, позволяя из на бора компонентов получать сбор ки различной сложности. Кроме того, соединители этого семейст ва имеют модули с оптическими контактами, использование кото рых связано с тенденциями со временных технологий в области телекоммуникационного обору дования. Соединители семейства Z PACK обеспечивают расшире ние возможностей экранирования и имеют контакты различной высо ты для устройств с функцией "го рячей" замены. Число контактов в стандартном исполнении – 5 или 8. Для сигналов с высокой скоростью Рис. 7. Кабельный разъем серии Z PACK HM Zd даря особой конструкции эти моду ли обеспечивают устойчивую связь при скорости передачи до 5 Гбод на каждую пару контактов. Кроме того, каждая пара контактов модуля име ет Г образный экран (рис. 8) и обра зует "дифференциальную пару" или квазикоаксиальное соединение. Модули Z PACK HM Zd могут вклю чаться в колодку стандартных со единителей Z PACK HM. Помимо соединителей семейства Z PACK для решения подобных задач также используют соединители типа Рис. 9. Соединители типа MultiGig RT ставляет 113 контактов на квад ратный дюйм, предназначенные для сигналов со скоростью пере дачи до 6.4 Гбод. Контакты этих соединителей выполнены на пе чатной плате, а контакты ответной части разъема подпружинены, что обеспечивает высокую надеж ность соединения и долговечность разъема. В настоящее время большинст во телекоммуникационных изде лий ведущих зарубежных компа ний строится на базе соедините лей стандарта Z PACK HM. Перспективной разработкой в этой области на данный момент являются соединения, построен ные по технологии MPI (Metallized Particle Interconnect) – соединение на основе металлизированных ча стиц (рис. 10). Данная технология позволяет соединять платы между собой таким образом, чтобы свес Рис. 8. Г образный экран разъема типа Z PACK HM Zd Рис. 10. Конструкция соединения MPI SI (боковой интерфейс) № 5, май e mail: ekis@vdmais.kiev.ua КОММУТАЦИОННЫЕ ИЗДЕЛИЯ ти к минимуму влияние соедине ния на электрические параметры сигнала. Соединение, выполнен ное по технологии MPI, основано на пленке из полимерного матери ала, в которую вставлены металли зированные частицы. Таким обра зом, в материале формируются микроколонны диаметром 0.635 и высотой 1 мм. Электрические ха рактеристики этих микроколонн оптимизированы для прохождения сигнала с высокой скоростью, их индуктивность – менее 0.04 нГн, а емкость не превышает 0.01 пФ. Благодаря небольшой высоте колонны практически "прозрачны" на гигагерцовых скоростях пере дачи сигнала. MPI колонна имеет среднюю задержку распростране ния сигнала не более 30 пС. Мезонинные разъемы Мезонинные (параллельные) соединения встречаются в изде лиях телекоммуникационной про мышленности не менее часто, чем Backplane. Для подобных соеди нений на современном рынке так же наблюдаются определенные тенденции развития. В связи с ми нимизацией конечных изделий растут требования к плотности расположения контактов. Увели чилась и скорость прохождения сигналов, вследствие чего пона добились дополнительные меры по экранированию контактов. По дробно мезонинные соединения рассмотрены в [1], поэтому оста новимся только на последних раз работках в данной области. Среди них, в первую очередь, следует от метить соединители стандарта MICTOR (рис. 11). Соединители этого семейства имеют защитный экран, что позволяет ослабить воздействие помех на сигнал и обеспечить его прохождение с ми нимальными искажениями. Для подобных соединений можно так же использовать и упомянутую вы ше технологию MPI, которая обес печивает превосходный контакт, и благодаря небольшим размерам MPI колонн позволяет добиться высокой плотности их размеще ния (рис. 12, 13). Среди соединителей под плос кий кабель наиболее широко ис пользуется семейство разъемов AMP LATCH (рис. 16). Достаточно заглянуть в системный блок любо го современного компьютера, что бы увидеть одну или несколько шин, выполненных с применением этих разъемов. Для малогабарит ных изделий были разработаны соединители серии AMP Micro MaTch (рис. 17). Это миниатюрные низкопрофильные двухрядные разъемы, контакты которых распо Рис. 12. MPI соединение "плата плата" Рис. 14. Соединители семейства CHAMP 0.8 мм Рис. 13. Конструкция MPI соединения "плата плата" Соединения кабель плата Эту группу соединителей мож но условно разделить на две части: соединители под круглый и плос кий (шлейф) кабели. Для соединителей под круглый кабель характерна тенденция уп лотнения расположения контак тов, а также использование техно логии IDC (соединение посредст вом прокола изоляции). Среди них следует отметить разъемы CHAMP 0.8 мм (рис. 14). Получившие наи большее распространение соеди нители типа D sub (рис. 15), пред назначенные для этой цели, по дробно описаны в [2, 3].

Рис. 15. Соединители типа D sub Рис. 11. Соединители серии MICTOR Рис. 16. Соединители серии AMP LATCH www.ekis.kiev.ua № 5, май КОММУТАЦИОННЫЕ ИЗДЕЛИЯ Рис. 19. MPI соединение "шлейф плата" Рис. 22. Соединители серии AMPOWER Multi Pin разъемов этой серии рассчитаны на ток силой до 185 А. В заключение можно отметить, что в настоящее время развитие со единителей для нужд телекоммуни кационной промышленности идет в следующих направлениях. В первую очередь, это унификация соедини телей (как пример можно привести соединители семейства Z PACK, ко торые подобно "конструктору" поз воляют решать сложные задачи, пользуясь набором простых эле ментов). Во вторых, в связи с тем, что в современной технике должны обеспечиваться высокая скорость передачи сигналов и минимальные искажения, для решения этих задач необходимо сочетание оптических и проводных линий передачи. И, наконец, уменьшение габаритных размеров оборудования требует миниатюризации соединителей и расширения ассортимента комби нированных разъемов. ЛИТЕРАТУРА: 1. Леонтьев М. Разъемы для ме зонинных соединений // ЭК – М ва: ООО "ИД Электроника", 2002, № 6. 2. Леонтьев М. Компания "Ак цент": дистрибуция разъемов и техническое сопровождение про ектов // ЭК – М ва: ООО "ИД Эле ктроника", 2001, № 5. 3. Леонтьев М. Компания "Ак цент": дистрибуция разъемов и техническое сопровождение про ектов (соединение кабеля с печат ной платой) // ЭК – М ва: ООО "ИД Электроника", 2001, № 6. 4. Леонтьев М. Соединители семейства Mate n Lok и инстру мент для установки контактов на кабель // ЭК – М ва: ООО "ИД Эле ктроника", 2002, № 3.

Рис. 17. Соединители серии AMP Micro MaTch ложены в шахматном порядке. По мимо более компактных размеров, отличающих эту группу соедините лей, в ней реализованы некоторые технические решения, позволяю щие избежать "феттинг корозии" (когда под воздействием вибрации контакт совершает микродвиже ния, вызывающие истирание за щитной оксидной пленки и нару шение контакта). Розетки разъе мов типа Micro MaTch (рис. 18) Рис. 20. Конструкция MPI соединения "шлейф плата" Соединители для подведения электропитания Помимо соединителей для ком мутации информационных сигналов в телекоммуникационных изделиях широко используются разъемы для подведения питания. Как правило, подобные задачи решаются при по мощи соединителей серии Mate n Lok (рис. 21), которые подробно Рис. 18. Технология AMP Micro MaTch: 1 – контакт PIN, 2 – кон такт Socket, 3 – пружина имеют подпружиненные гнезда, что позволяет избежать возникно вения этих микродвижений и га рантирует надежность контакта на весь срок эксплуатации разъемов. Для сигналов с высокой скоро стью передачи соединение платы с плоским кабелем возможно с применением MPI технологии (рис. 19, 20).

Рис. 21. Соединители серии Mate n Lok рассмотрены в [4]. В этой области необходимо отметить тенденцию использования комбинированных разъемов, позволяющих коммути ровать цепи источников питания различной мощности. Один из при меров соединителей этого типа – разъемы серии AMPOWER Multi Pin (рис. 22). Самые мощные контакты www.ekis.kiev.ua № 5, май ВЫСТАВКИ И КОНФЕРЕНЦИИ НЕДЕЛЯ ПРОМЫШЛЕННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ С 25 по 28 апреля в выставочном центре "КиевЭкспоПлаза" в рамках "Недели промышленных техно логий 2005" прошли семь выста вок, экспозиции которых были раз мещены в двух павильонах общей площадью около 15 000 кв. м Участниками выставок стали бо лее 500 компаний (в 1.5 раза боль ше, чем в 2004 г.) из 17 стран мира. Число посетителей превысило 14.5 тыс. Зарубежные участники со ставили около 20% общей числен ности представленных компаний, что свидетельствует о росте между народного экономического сотруд ничества производителей совре менной техники, а также о призна нии мировым сообществом научно технического и промышленного по тенциала Украины. Об этом же гово рит и проект "Изобретения и инно вации", призванный привлечь част ный капитал к финансированию прикладной науки и изобретатель ства, разработки национальных ин новационных программ, которые, исходя из анализа опыта мировой экономики, являются наиболее пер спективными как для отдельных предприятий, так и для целых стран. На семи выставках: "Элком Украина – Энергетика. Энергосбе режение. Электротехника", "Про мышленное освещение", "Элек тронные и электромеханические компоненты", "МашМет – машино строение и металлообработка", "Сварка", "Трубопроводный транс порт" и "Изобретения и иннова ции" был продемонстрирован весь спектр промышленного оборудо вания и технологий для этих обла стей промышленности. К чести ус троителей "Недели промышлен ных технологий 2005" – компании "Евроиндекс" – следует отметить высокий уровень организации вы ставок, начиная с этапа подготовки и заканчивая их проведением. Наибольший интерес для чита телей нашего журнала, ставшего участником выставки "Электрон ные компоненты", несомненно, представляют две из вышепере численных: "Электронные и эле ктромеханические компонен ты" и "Элком Украина", в которых приняла участие и фирма VD MAIS, издатель журнала ЭКиС. В рамках экспозиции "Элком Ук раина" были продемонстрированы современные технологии производ ства, передачи и распределения электроэнергии, энергосбереже ния, системы автоматического уп равления и мн.др. На выставке "Эле чики новой электронной техники, которым был предложен комплекс ный подход к решению стоящих пе ред ними задач, начиная с выбора элементной базы, измерительного оборудования, оборудования и ма териалов для поверхностного мон тажа и включая проектирование и изготовление печатных плат. Такой выбор тематики докладов является отражением подхода фирмы VD MAIS к предоставлению заказ чику полного комплекса услуг. При всех позитивных сторонах организации выставок не вызыва ет сомнения, что эффективность проведения выставки "Электрон ные компоненты" могла быть зна чительно выше при ее размещении в одном павильоне с выставкой "Элком Украина", т.к. они во мно гом являются взаимодополняющи ми и привлекают одну и ту же ауди торию посетителей. Это касается и стендов специа лизированных изданий, в том чис ле "ЭКиС", "ChipNews Украина", "Электронные компоненты Украи на" и др., также размещенных в пределах выставки "Электронные компоненты". Резюмируя, хочется отметить, что "Неделя промышленных техно логий 2005" стала местом встречи промышленной элиты Украины, наиболее знаковым промышлен ным форумом, позволила устано вить новые деловые связи, расши рить сотрудничество с зарубежны ми партнерами, дала новый им пульс повышению конкурентоспо собности отечественной продук ции, а "Неделе промышленных технологий 2006" хочется поже лать еще полнее отразить успехи и перспективы развития промыш ленности Украины в 2006 г. мышленности. Среди участников выставки была и фирма VD MAIS, представившая промышленные шкафы и корпуса, средства авто матизации (промышленные ком пьютеры, контрольно измеритель ную аппаратуру, устройства теле метрии), источники питания, ком мутационные изделия и др. Выставка привлекла внимание более 10 тыс. посетителей. Ре зультатом работы выставки стала не только демонстрация достиже ний, но и обмен опытом, установ ление новых контактов, оценка перспектив развития тяжелой промышленности Украины, перед которой уже сегодня открываются новые широкие горизонты.

Сотрудники VD MAIS;

В. Давиденко – директор, А. Новицкий и К. Бараненко (справа налево) на выставке "Элком Украина 2005" ктронные компоненты" были широко представлены полупроводниковые и электромеханические компонен ты, датчики и микросхемы, источни ки питания, пассивные компоненты и др. электронные устройства, необ ходимые для разработки и изготов ления современной техники. Важной частью выставок стала и программа специализированных мероприятий – тематических кон ференций, семинаров, презента ций. Журнал "ЭКиС", используя удачный опыт 2004 года, организо вал в рамках проведения выставки "Электронные компоненты" конфе ренцию на тему "Современные электронные компоненты, при боры и технологии". Прочитан ные специалистами высокого уров ня А. Валентиком, В. Охрименко, А. Лукушиным, Н. Малиновским и В. Зинченко доклады вызвали ин терес слушателей, число которых превысило 60 человек. Участника ми конференции стали разработ 17 20 мая в Запорожье прошла XIII Международная специализи рованная выставка "Машиностро ение. Металлургия 2005", широко известная в деловых кругах стран СНГ, Восточной и Центральной Ев ропы и собравшая 240 участников. Ими стали не только ведущие от раслевые предприятия со всех промышленных регионов Украины, но и известные во всем мире фир мы, лидирующие в машинострои тельной и металлургической про

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.