WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 || 3 | 4 |

«РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ИНСТИТУТ ОБЩЕЙ ФИЗИКИ им. А. М. ПРОХОРОВА На правах рукописи УДК 533.922 537.533.2 ЛОЗА Олег Тимофеевич СИЛЬНОТОЧНЫЕ РЕЛЯТИВИСТСКИЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ ПУЧКИ МИКРОСЕКУНДНОЙ ДЛИТЕЛЬНОСТИ ...»

-- [ Страница 2 ] --

справа - при полной компенсации радиального движения изменением магнитного поля в диоде [112]. Вместе с тем необходимо отметить, что толщина трубчатого РЭП постепенно росла. Это явление также было замечено в [33]: "наряду со стабилизацией положения области пучка с максимальной плотностью тока, происходит постоянное расплывание пучка, которое наблюдается и в отсутствие стабилизирующего магнитного поля." В [112] были продолжены описанные в §2 исследования [84] движения катодной плазмы с помощью СВЧ-излучения карсинотрона с циклотронной селекцией мод. Для коррекции радиуса электронного пучка в [112] также применялся соленоид (виток) дополнительного магнитного поля B(t), установленный в диоде. Длительность импульса B(t) была равна 3.5 мкс. Сначала была исследована зависимость длительности импульса СВЧ-излучения от начального радиуса электронного пучка. Для этого момент включения витка коррекции выбирался таким, чтобы магнитное поле в диоде практически не менялось в течение импульса тока РЭП, см. Рис. 42. Дополнительное (встречное) магнитное поле B(t) витка варьировалось от выстрела к выстрелу. С увеличением индукции встречного поля витка магнитное поле в диоде уменьшалось, уменьшался начальный радиус пучка в карсинотроне, и увеличивалась задержка между началом импульса напряжения и моментом достижения радиусом РЭП оптимального значения для СВЧ-генерации.

Рис. 42. Синхронизация импульсов дополнительного магнитного поля (3.5 мкс) и напряжения на катоде ускорителя (1 мкс): коррекция радиуса РЭП во время прохождения тока отсутствует. На Рис. 43 показана взаимосвязь магнитного поля витка B(t) и времени работы СВЧ-генератора. На левой оси абсцисс Рис. 43 а показана величина этого поля B, на правой оси абсцисс показана величина r, характеризующая изменение радиуса магнитной силовой линии в карсинотроне в зависимости от B(t):

r = rg rc Bc B. Bg (1.2.3.2) Здесь rc — радиус катода, rg и Bg — соответственно, оптимальный радиус пучка и магнитное поле в карсинотроне. При B0 Bg (~ 1 Тл), rg rc ( Рис. 43. а - взаимосвязь индукции магнитного поля витка B и времени работы СВЧ-генератора [112]. б, в, г – СВЧ-импульсы, соответствующие: б – отрезку AB, B=5;

в – отрезку CD, B=10;

г - отрезку AD, B=B(t).

2 см), а также при B0 >>B(t):

B rc B r rc 1 1 B0 2 B (1.2.3.3) Нетрудно видеть, что при r = vpt, формула (1.2.3.3) совпадает с (1.2.3.2). Масштаб времени на Рис. 43 а - г одинаковый, ноль отсчета совпадает с началом импульса напряжения на катоде. На Рис. 43 б, в приведены осциллограммы СВЧ-импульсов, соответствующие различным значениям B в диоде в условиях Рис. 42, т.е. когда магнитное поле в диоде практически не менялось в течение импульса тока РЭП. Эти и другие СВЧ-импульсы условно показаны на Рис. 43 а в виде горизонтальных отрезков, начало и конец которых соответствуют моментам включения и выключения процесса СВЧ-генерации, а абсцисса — индукции магнитного поля B в диоде. Фактически, это не отрезки прямой, а куски осциллограммы B(t) (Рис. 42), точнее, ее вершины, примерно от 1.1 до 1.7 мкс. Так, отрезок AB соответствует СВЧ-импульсу, изображенному на Рис. 43 б, который был получен при B 5, отрезок CD соответствует СВЧ-импульсу на Рис. 43 в, полученному при B 10, и т.д. Соединив эти отрезки (пунктир на), получим некую "область СВЧгенерации" на плоскости (B, t). Внутри этой области происходит излучение СВЧ-мощности, вне ее – СВЧ-генератор выключен. На Рис. 43 а видно, что средняя скорость радиального перемещения "области СВЧ-генерации", т.е. наклон кривой r(t), соответствует измеренной с помощью коллекторной методики (Рис. 41) скорости увеличения радиуса электронного пучка: 6105 см/с.

Пусть теперь виток коррекции включается в такой момент времени, что корректирующее магнитное поле в диоде увеличивается по закону B(t), а суммарное поле уменьшается, см. Рис. 44. На Рис. 43 г приведена осциллограмма СВЧ-импульса, полученная при изменяющемся поле Рис. 44. Синхронизация дополнительного магнитного поля B(t) (3.5 мкс) и напряжения на катоде ускорителя (1 мкс) для коррекции радиуса РЭП во время прохождения тока. витка. Видно, что продолжительность процесса генерации СВЧ совпадает со временем нахождения кривой B(t) в "области СВЧ-генерации". Отметим, что кривая B(t) и "область СВЧ-генерации" на Рис. 43 а определялись по осциллограмме тока через виток (с пояса Роговского). Поэтому шкала B приводится в относительных единицах, чтобы подчеркнуть Таким отсутствие образом, пересчета индукции магнитных что полей и связанных с этим ошибок. было продемонстрировано, уменьшение скорости поперечного разлета катодной плазмы РЭП соответственно увеличивает длительность СВЧ-генерации в карсинотроне. Однако, следует заметить, что полная стабилизация радиуса электронного пучка (это контролировалось коллекторным приемником, установленным в камере коллектора, см. ниже Рис. 65 на стр. 140)— не привела к дальнейшему существенному удлинению СВЧ-импульса.

Более того, метод импульсной магнитной компрессии был применен в [113], при этом стабилизированный электронный пучок, имевший без СВЧ-генерации постоянный радиус, в присутствие СВЧ-волны начинал расширяться, в Главе 2. и длительность СВЧ-импульса после стабилизации практически не изменялась. Подробнее об этом эффекте будет рассказано 3. Генерация РЭП со стабильными параметрами в течение микросекундной длительности импульса В предыдущем разделе было показано, что плазма взрывоэмиссионного катода распространяется поперек силовых линий магнитного поля со скоростью 105 — 106 см/с. Соответственно, радиус РЭП увеличивается с течением микросекундного импульса на несколько миллиметров. Многочисленные способы уменьшения скорости расширения электронного пучка обладают разной степенью сложности и в разной степени эффективны. Созданный автором диод со взрывоэмиссионным катодом, который описан в этом разделе, позволяет стабилизировать параметры сильноточного РЭП. Оказалось, что не только форма, но и питч-углы электронов РЭП, полученного с помощью этого диода, сохраняются неизменными в течение, по крайней мере, 1 мкс. §1. Способы воздействия на поперечное движение плазмы Процесс магнитного появления можно и движения катодной плазмы на поперек несколько поля очень условно разделить последовательных шагов. Целенаправленное вмешательство на любом из этих шагов может приводить к изменению скорости поперечного разлета плазмы. Суммируем кратко изложенные выше известные экспериментальные данные и рассмотрим, какие именно действия экспериментатора могли бы привести к торможению плазмы. Рождение плазменных факелов. С ростом электрического поля E уменьшается время задержки взрыва ~ E-3 [4], уменьшается роль экранировки [76], возрастает число эмиссионных центров. Увеличение числа катодных факелов уменьшает плотность тока через каждый из них, уменьшая концентрацию плазмы, быстрее переводя ее в режим насыщения (плотность тока РЭП j enpvTe, где np — концентрация плазмы, vTe — тепловая скорость ее электронов) и усиливая ее торможение электрическим полем. Кроме того, с увеличением напряженности электрического поля на катоде (при уменьшении толщины катода) уменьшается нестабильность [114]. Таким образом, существенное, на порядки увеличение электрического поля, например, с помощью острий уменьшает разлет плазмы. Разлет плазменных струй в скрещенных полях: магнитном и электрическом. Если плазма из эмиссионного центра влетает со скоростью ~ 106 см/с в магнитное поле B перпендикулярно его силовым линиям, т. е. по радиусу, она поляризуется и дрейфует по радиусу благодаря азимутальному электрическому полю поляризации E со скоростью: vr =cE/B. Показано [74, 115], что в данных условиях (B ~ 1 Тл, E < 1 МВ/см, концентрация плазмы np ~ 1013 1014 см-3, T ~ 3 эВ) плазма движется по радиусу с той же скоростью ~ 106 см/с по крайней мере до завершения образования плазменного слоя, т. е. на расстояние порядка расстояния между затравочными эмиссионными центрами. При дальнейшем сохранении поляризации и азимутального поля E (например, вследствие развития центробежной неустойчивости, см. далее) радиальное движение продолжается. Вывод: чем меньше расстояние между затравочными эмиссионными плазменного слоя. Центробежная неустойчивость дрейфующей плазмы. Инкремент центробежной неустойчивости плазмы, дрейфующей со скоростью v по окружности, равен [115]:

v, где rn центрами, тем короче путь плазмы перпендикулярно силовым линиям магнитного поля до образования rn — некоторый характерный размер изменения концентрации плазмы по радиусу. Радиальное электрическое поле в плазме меньше, чем поле Er в вакууме в 1+ i i раз, т. е.

скорость дрейфа v = cEr/B, а инкремент центробежной неустойчивости ~ Er B, где М — масса ионов плазмы. Существенно увеличить n prn 4 Mc знаменатель этого выражения трудно: np ~ 1013 1014 см-3, rn имеет величину порядка нескольких миллиметров (определяется трубчатостью РЭП, создающего плазму). Можно уменьшить числитель ф.(1.2.1.1), но для этого надо увеличивать размеры диода. Центробежную неустойчивость можно подавлять, помещая плазму в сходящиеся линии магнитного поля [107], как это было предложено в [108]. Можно, как в [79], с той же целью периодически менять направление кривизны эквипотенциалей, вдоль которых дрейфует плазма. Вывод: если развивается центробежная неустойчивость, то есть способы до некоторой степени ее подавлять. В предыдущем разделе были описаны многочисленные методы стабилизации поперечного размера РЭП, полученного с помощью взрывоэмиссионного катода. Попробуем оценить их эффективность, пользуясь приведенными выше соображениями. Управление геометрией микросекундного РЭП с помощью формы напряжения на катоде кажется малоперспективным. Ускоритель с микросекундной длительностью импульса — это, как правило, ГИН, нагруженный на вакуумный диод. У него может быть какой-то обостритель импульса, но укорочение фронта импульса напряжения до величины ~ 1 нс весьма проблематично. То же относится и к вершине импульса, которая должна быть плоской или слабо нарастающей ("поляризационный дрейф влияет на разлет плазмы" [87]): для этого потребуется накопитель-формирователь. Промежуточные формирователи (типа ДФЛ и т.п.) широко применяются с ускорителями наносекундного диапазона, но при микросекундной длительности очень громоздки и дороги. Поэтому способы стабилизации геометрии РЭП, основанные на столь специфической форме импульса микросекундного ускорителя, мало пригодны на практике. Что же касается конкретно результатов [87], то они вызывают сомнения, поскольку противоречат [5], где "не обнаружено существенной зависимости vp от напряженности внешнего электрического поля". Пробочная форма магнитных силовых линий положительно влияет на геометрию микросекундного РЭП, замедляя разлет катодной плазмы. Правда, скорость расширения РЭП снижается отнюдь не до нуля и растет с ростом напряжения на катоде, но, тем не менее, такой способ стабилизации заслуживает внимания. Полностью скомпенсировать скорость расширения РЭП можно с помощью синхронной импульсной магнитной компрессии, нельзя только повлиять на изменение толщины трубчатого пучка со временем. Кроме того, нельзя не учитывать и техническую сложность метода. Так, для стабилизации РЭП длительностью 1 мкс нужно обеспечить надежную работу (в вакууме) витка с током порядка 80 кА при напряжении 25 кВ и длительности импульса 3.5 мкс. При увеличении длительности импульса сложности еще более возрастают. Если взрывоэмиссионный катод изготовлен из проводника, то почти все равно, из какого именно: разница в скорости разлета катодной плазмы не очень существенна [31], хотя графит предпочтителен. А вот применение катодов из других материалов для генерации трубчатых РЭП с большой плотностью тока (порядка нескольких кА/см2) и стабильной формой вряд ли оправдано. Форма катода имеет большое влияние на поперечную скорость расширения катодной плазмы. Так, "добавление" торцевой поверхности к кромочному катоду в несколько раз снижает скорость расширения плазмы в сторону оси. Конусная кромка у торцевого катода позволяет еще снизить скорость расширения РЭП, по крайней мере, в течение нескольких сотен наносекунд. В определенных условиях проблема разлета катодной плазмы эффективно — практически, полностью — решается применением многоострийного взрывоэмиссионного катода. Здесь применяются и усиление электрического поля остриями, и малая площадь поверхности, перпендикулярной магнитным силовым линиям, и магнитная пробка. К недостаткам следует отнести небольшую среднюю плотность тока, которая влечет за собой немалые размеры, и трудоемкость изготовления, т. е. высокую стоимость. И, конечно, ограничение [104]: "стабильная работа только при напряжениях, при которых отсутствует эмиссия со вспомогательных элементов катодного узла", а именно, 250 кВ при полном токе 0.5 кА. Итак, существовавшие к началу 1990-х годов диоды на основе взрывоэмиссионного катода не позволяли генерировать сильноточные РЭП микросекундной длительности с высокой плотностью тока и стабильной формой. В следующем параграфе показано, как это можно сделать.

§2. Катод с лезвийным острием, перпендикулярным магнитному полю Описанные выше способы воздействия на катодную плазму с целью стабилизации формы РЭП — усиление электрического поля с помощью острия и минимизацию поверхности, перпендикулярной магнитному полю, — можно осуществить. Для этого нужно "развить поверхность острий" иголок многоострийного катода и сделать катод в виде лезвия с острием, перпендикулярного магнитному полю [116]. Договоримся о терминах. Трубчатые катоды с острым краем, направленным вдоль линий магнитного поля, обычно называют "кромочными", "острокромочными" или "лезвийными". В предлагаемой конструкции острие (лезвие) катода направлено поперек линий магнитного поля, поэтому в дальнейшем будем называть такой катод поперечнолезвийным. Работа проводилась на ускорителе "Терек-3" [8] с катодным напряжением 500 кВ в КДМИ с диаметром анода 15.3 см и магнитным полем 1 Т. Полный ток РЭП 2 кА. Радиальный профиль плотности тока измерялся секционированным коллекторным приемником, расположенным на расстоянии ~ 30 см от катода. Результаты измерений представлены на последующих рисунках. На гистограммах показано распределение плотности тока пучка J по радиусу r в различные моменты времени. Ноль отсчета на оси абсцисс соответствует внешнему радиусу катода. На Рис. 45 показан поперечно-лезвийный кольцевой катод, сделанный из листовой нержавеющей стали толщиной 1 мм. Внешний диаметр кольца 38 мм*, ширина 2 мм, край заострен. Держателями катода служат два отдельных стержня-подвеса 2, которые, в свою очередь, закреплены на катододержателе 1.

Рис. 45. Слева: кольцевой поперечно-лезвийный катод из нержавеющей стали (3) на двух стержнях-подвесах (2) и катододержателе (1). Справа: радиальный профиль плотности тока РЭП [116] для 4-х моментов времени.

* РЭП c диаметром 38 мм использовался в карсинотроне на моде E02, см. Главу 2. Видно, что в течение первых 500 нс средний радиус РЭП практически не изменяется, при этом толщина пучка примерно соответствует ширине торцовой части катода. Между 500 и 700 нс после начала импульса профиль плотности тока "расплывается". Справедливости ради следует заметить, что распределение плотности тока кольцевого поперечно-лезвийного катода, заявленное в [116] и показанное на Рис. 45, наблюдалось нечасто. Многочисленные более поздние измерения, результаты которых показаны ниже, позволили установить, что можно получать стабильное распределение плотности тока РЭП, показанное на Рис. 46.

2 11 mm 12 mm 13 mm 1.5 14 mm 15 mm 16 mm 1 17 mm J, отн. ед.

0. 0 200 400 600 Время, нс 800 Рис. 46. Радиальный профиль плотности тока РЭП с кольцевого поперечно-лезвийного катода 28 мм и шириной 2 мм для 5 моментов времени.

Недостатки кольцевого поперечно-лезвийного катода со стержневыми подвесами очевидны. Эмиссия электронов со стержнейподвесов, наблюдаемая при изменении угла между ними и щелевой диафрагмой коллекторного приемника, приводит к образованию на них плазмы и расширению РЭП. Кроме этой азимутальной неоднородности РЭП, эмиссия непосредственно с катододержателя, хорошо видная на автографах пучка на мишенях, сводит к нулю область практического применения такой конструкции катода.

Для избежания эмиссии с катододержателя и стержней-подвесов крепление кольцевого катода в [116] было сделано в виде конуса, см. Рис. 47. Эмитирующее кольцо с острым краем, конус и часть катододержателя представляли собой единую аксиально-симметричную конструкцию. Внешний диаметр лезвийного кольца был равен 38 мм, ширина 4 мм.

Рис. 47. Слева: кольцевой поперечно-лезвийный катод [116] 38 мм и шириной 4 мм с конусным держателем. Справа: радиальный профиль плотности тока РЭП для 4-х моментов времени.

Радиальный профиль плотности тока РЭП катода с конусным держателем [116] показан на Рис. 47. Внешняя граница трубчатого РЭП практически не смещается по радиусу в течение 700 нс, но пучок постепенно расплывается вовнутрь, в сторону оси симметрии. Вероятно, электронная эмиссия с острого внутреннего края кольца и части конусного держателя также способствует появлению катодной плазмы. Скругление внутреннего края катода при сохранении ширины кольца не дало существенного эффекта. Уменьшение ширины кольца до 2 мм вызвало увеличение внешнего радиуса РЭП, начиная с 300 — 500 нс.

Рис. 48. Слева: дисковый поперечно-лезвийный катод [117] с держателем. Справа: радиальный профиль плотности тока РЭП для 4-х моментов времени.

Нетрудно догадаться, что причиной этого была эмиссия электронов с конусного держателя, образование и расширение плазмы. Численные оценки напряженности электрического поля будут приведены ниже. Увеличение ширины кольца и уменьшение диаметра конуса привели к появлению конструкции [117], см. Рис. 48. "Катод выполнен в виде диска клинообразного сечения с радиально направленным наружу острым краем. Торцевая поверхность катода выполнена в виде сплошного плоского круга" [117] диаметром 38 мм. Радиальный профиль плотности тока РЭП такого поперечно-лезвийного дискового катода показан на Рис. 48. Видно, что в течение 700 нс профиль плотности тока практически не меняется: внешний радиус не выходит за границу 20 мм, полная толщина трубчатого пучка остается равной 4 мм, а плотность тока спадает от периферии к оси. Когда-то Charles B. Wharton образно сравнил трубчатый острийный катод с трубочкой для вырезания печенья из теста: "cookey-cutter" [118]. Развивая гастрономическую традицию, дисковый поперечно-лезвийный катод вполне можно сравнить с резаком для пиццы. §3. Особенности функционирования поперечно-лезвийных катодов Рис. 48 позволяет сделать вывод, что в течение всего импульса внешняя граница плазмы, эмитирующая электроны, находится на радиусе, равном внешнему радиусу катода. Это следует из того, что в начальные моменты времени размер плазмы мал, и электроны эмитируются практически с поверхности катода, а в дальнейшем внешняя граница РЭП не смещается. На один из механизмов уменьшения скорости плазмы указывалось в [31, 119]: "… возрастает число эмиссионных центров на катоде, и ток на один центр уменьшается … уменьшение тока, снимаемого с эмиссионного центра, приводит к уменьшению скорости плазмы". Число эмиссионных центров возрастает при увеличении скорости нарастания электрического поля [120], когда снижается эффект экранировки [76]. В свою очередь, скорость нарастания поля повышается за счет укорочения фронта импульса или за счет увеличения амплитуды поля, которое в значительной степени зависит от формы катода. Нетрудно оценить среднее, т. е. без учета наличия на катоде микроострий, электрическое поле E при указанных выше параметрах эксперимента: катодном напряжении 500 кВ, диаметрах анода и катода 15.3 см и 3.8 см, соответственно. На боковой поверхности цилиндрического катода поле E 0.2 МВ/см, а на острие поперечнолезвийного катода радиусом ~ 0.1 мм поле Е 8 МВ/см. Поскольку характерный размер микроострий (~ 10 мкм [14]) много меньше радиуса острия лезвийного катода, то так же отличаются и реальные поля. Это понятно: микрорельеф поверхности и коэффициент усиления поля E определяются материалом поверхности и его обработкой, и при одинаковом для двух катодов материале профиль ближайших к поверхности эквипотенциалей будет одинаков. Одинакова, таким образом, будет и геометрия силовых линий электрического поля вблизи поверхности, отличающихся по густоте (т. е. по напряженности поля), в данном случае — в 40 раз. Как показано в [76, 4], время задержки рождения эмиссионных центров сильно зависит от напряженности E электрического поля: ~ E-3. Тогда можно предположить, что линейная плотность затравочных эмиссионных центров ~ 3 см-1, зарегистрированная в [74] на цилиндрическом катоде, в случае поперечно-лезвийного катода будет существенно превышена.

Рис. 49. Зависимость [121] экспериментальной задержки пробоя от средней напряженности электрического поля и материала катода. Согласно [74], формирование плазменного слоя из отдельных факелов снимает поляризацию и уменьшает скорость радиального разлета плазмы. Формирование слоя завершается при уходе плазмы факелов по радиусу на расстоянии порядка расстояния между эмиссионными центрами. Для цилиндрической поверхности катода [74] это расстояние ~ 3 мм, скорость разлета плазмы факелов 2106 см/с, и, т. о., время формирования плазменного слоя ~ 100 нс. Для поперечно-лезвийного катода время формирования слоя, по-видимому, существенно меньше, поскольку расстояние между факелами меньше. Возможно также, что в условиях, когда велико давление электрического поля E 2 B2 > >> nkT, 8 скорость разлета плазмы факелов меньше указанной, слабее эффект экранировки, и еще больше число образующихся эмиссионных центров. Напомним, что механизм [5] распространения катодной плазмы поперек магнитного поля в КДМИ включает в себя 2 этапа. Первый этап — это разлет катодной плазмы в виде струй, исходящих из отдельных эмиссионных центров на катоде при их одновременном размножении и образовании в некоторый момент более или менее однородного плазменного слоя вокруг катода. Усиление электрического поля E на острие поперечно-лезвийного между ними и катода приводит к существенному формирования уменьшению задержки рождения эмиссионных центров, уменьшению расстояния сокращению времени плазменного слоя. Второй этап механизма [5] распространения катодной плазмы — это расширение образовавшегося плазменного слоя вследствие развития центробежной неустойчивости [107]. Этот этап существенно более длительный, и именно он определяет результат разлета плазмы. Оказывается, что сильное электрическое поле на острие поперечнолезвийного катода стабилизирует неустойчивость, не позволяя плазме распространяться поперек силовых линий магнитного поля. Стабилизация желобковой неустойчивости плазмы неоднородным электрическим полем была описана в [122], где этот эффект был количественно рассмотрен в модели двухжидкостной гидродинамики холодной бесстолкновительной плазмы. Здесь мы только качественно поясним стабилизирующее действие неоднородного электрического поля на желобковую неустойчивость. Физическую картину поведения плазмы [122] можно представить следующим образом. Когда в плазме возникает флуктуация плотности (желобок), происходит разделение заряда вследствие разного азимутального дрейфа электронов и ионов в магнитном поле. Разделение заряда приводит к появлению азимутального поляризационного поля и радиальному дрейфу плазмы. При наличии неоднородного по радиусу электрического поля возникший желобок будет вращаться, причем скорость вращения будет также неоднородной по радиусу. Эта неоднородность скорости приводит к искажению формы желобка и, тем самым, уменьшению азимутального компонента поляризационного электрического поля в желобке. При достаточно большой неоднородности радиального электрического поля азимутальная компонента поляризационного поля может даже изменить знак, что приведет к стабилизации желобковой неустойчивости. Это будет происходить в условиях, когда время искажения формы желобка окажется сравнимо (или меньше) времени развития желобковой неустойчивости:

Vdr ~ r (1.3.3.1) Здесь Vdr — скорость неоднородного электрического дрейфа (вращения) плазмы, — инкремент развития желобковой неустойчивости. Величины Vdr r и характеризуют, соответственно, время искажения формы желобка и время развития желобковой неустойчивости в плазме. Нетрудно оценить описанный эффект применительно к поперечнолезвийному катоду. Пусть rs — радиус скругления острия. В условиях, когда радиус катода Rc >> rs, ось скругления можно считать прямой, а не окружностью с радиусом Rc: кривизна 1/ =1/Rc +1/rs 1/rs. Электрическое поле E около острия быстро спадает как E, где r — расстояние от оси скругления, а Vdr c V ~ E ~ dr. С другой стороны, инкремент развития r rs B r Vdr, где rn 1 r желобковой неустойчивости можно представить в виде [115]:

rn — некоторый характерный размер изменения концентрации плазмы по радиусу. В данных условиях, когда толщина лезвия достаточно мала, rs ~ rn, т. е. развитие желобковой неустойчивости, по крайней мере, сильно затруднено. Заметим, кстати, что даже само понятие дрейфа теряет первоначальный смысл [123] в условиях очень сильного электрического поля, когда E > B. Итак, на острие поперечно-лезвийного катода появляется значительное количество плазменных факелов, которые быстро сливаются в сравнительно тонкий плазменный слой, но дальнейшего расширения плазмы поперек магнитного поля не происходит. Возможно движение плазмы вдоль линий магнитного поля, но такое движение не влияет на форму РЭП. Возможно также появление плазменных факелов на торцевых поверхностях катода. Здесь напряженность электрического поля значительно меньше, чем на кромке лезвия, во-первых, из-за плоской формы эмитирующей поверхности а, во-вторых, из-за экранировки ее электронами, эмитированными с кромки. Поэтому и поверхностная плотность факелов здесь существенно меньше. На торцевых поверхностях электрическое и магнитное поля направлены параллельно, и образующаяся плазма распространяется вдоль линий магнитного поля. Напомним, кстати, про упоминавшуюся уже выше особенность торцевой поверхности: замедление радиального разлета катодной плазмы [5]. Если распространение плазмы поперек магнитного поля обусловлено дрейфом в скрещенном магнитном поле и электрическом поле поляризации плазмы Ep, то поперечная скорость движения плазмы уменьшается при наличии торцов или металлических проводников, закорачивающих Ep. Важнейшим экспериментальным фактом, позволяющим понять процессы разлета катодной плазмы мы считаем результат, полученный в [64], а именно, то что: "плазма распространяется вдоль магнитного поля клином с вершиной вблизи радиуса катода". Это значит, что процесс расширения плазмы происходит в основном на самом катоде, а не в пространстве ее распространения. К сожалению, мы не имели возможности провести подобные оптические эксперименты с поперечнолезвийными катодами. Отметим, что и плазма, распространяющаяся в обратную сторону, т. е. в сторону катододержателя, также не расширяется по радиусу, иначе электроны с нее вносили бы вклад в основной пучок, и это было бы заметно на профиле плотности тока. Учитывая это, а также результаты оптических измерений [64], можно схематично представить картину формирования РЭП как она показана в следующем параграфе на Рис. 56 слева. В заключение отметим, что процессы разлета плазмы на поперечнолезвийном катоде и на цилиндрическом острийном (трубчатом) катоде принципиально отличаются. Сразу снимем кажущееся противоречие: на кромке трубчатого катода напряженность электрического поля может быть не меньше, чем на поперечно-лезвийном, а радиальный разлет плазмы имеет место. Это действительно так, однако эмитированные с кромки трубчатого катода электроны не влияют на электрическое поле, образование и разлет плазмы на боковой поверхности. А именно наличие боковой поверхности, нормальной к радиусу, определяет радиальное движение плазмы и расширение РЭП. Примером является многоострийный катод [104]: у него нет боковой поверхности, нет при определенных условиях и расширения РЭП, заметного в течение ~ 1 мкс.

§4. Поперечно-лезвийные катоды и профиль магнитного поля Стабилизация РЭП с помощью поперечно-лезвийных катодов была предложена в [116, 117], однако по очевидным соображениям [124] первая публикация [125] появилась существенно позже. Проведенные за это время исследования показали, что стабилизация профиля плотности тока возможна при определенных, не очень сильных ограничениях.

Рис. 50. Диодный узел. 1 — вакуумная камера;

2, 4 — детали катододержателя;

3 — отражатель, 5 — катод, 6 — коллекторный измеритель профиля плотности тока РЭП;

7 — катушки магнитного поля.

Схема диодного узла показана на Рис. 50. Катод диаметром 28 мм находился в магнитном поле ~ 1 Тл в камере 153 мм. При катодном напряжении 500 кВ полный ток с катода был 1.8 кА. Коллекторный измеритель профиля плотности тока (6), который на Рис. 50 схематично показан на краю узкой трубы дрейфа, на самом деле находился на достаточном удалении, ~ 0.5 м от него. Конфигурация магнитного поля рассчитывалась по программе, описанной в 1-м разделе настоящей главы. На Рис. 51 показан контур катододержателя со сферическим отражателем, сечения соленоидов с числом витков N в каждом и 4 варианта профиля магнитной силовой линии, выходящей с кромки катода. Горизонтальная и вертикальная шкалы градуированы в сантиметрах, нижняя граница рисунка соответствует оси симметрии.

Рис. 51. 1, 2, 3, 4 — расчетные профили магнитной силовой линии в поле последовательно соединенных катушек с числом витков N. Переход от одного профиля к другому осуществлялся в эксперименте двумя способами. В первом способе питание катушки "N=10" осуществлялось от отдельного источника, в зависимости от тока в катушке силовая линия упиралась в сферический отражатель или проходила мимо, образуя обратный ток диода [15, 16]. Таким способом можно было "загнуть" силовую линию значительно сильнее, чем показано на Рис. 51. В другом способе использовались диамагнитные свойства отражателя, изготовленного из меди толщиной 1 мм. Длительность импульса магнитного поля была ~ 5 мс, и при различных задержках относительно его начала (см. раздел 1, §2) профиль магнитного поля различен. На Рис. 52 показаны участок катододержателя, сферического отражателя и отрезки выходящей с кромки катода магнитной силовой линии при разных задержках относительно начала импульса магнитного Рис. 52. Отрезки магнитной силовой линии, выходящей с кромки катода, при задержках 1.8, 2.3, 2.8 и 3.8 мс относительно начала импульса магнитного поля. Диаметр измерительного зонда 200 мм. поля. Профиль магнитного поля измерялся катушками-зондами, одна из них имела диаметр 28 мм, равный диаметру катода, и устанавливалась вместо него, а другая — 200 мм, близкий к диаметру отражателя, и устанавливалась, как показано на Рис. 52. Используя Рис. 50 и приближение сферического конденсатора нетрудно оценить, что при катодном напряжении U = 500 кВ напряженность электрического поля на сферическом отражателе радиуса r = 128 мм равна E = U/RR/r 60 кВ/см. Здесь R = 292 мм, а R = r + R. Заметная эмиссия электронов с металла может начаться в поле такой напряженности через несколько сотен наносекунд. Если магнитные силовые линии с катода упираются в сферический отражатель, как показано на Рис. 52 для линий "2.8" и "3.8", то электроны с отражателя могут попадать в канал транспортировки РЭП.

2 J, отн. ед. 11 mm 12 mm 13 mm 1.5 14 mm 15 mm 16 mm 1 17 mm 0. 0 200 400 600 Время, нс 800 Рис. 53. Радиальный профиль плотности тока РЭП с дискового поперечно-лезвийного катода 28 мм для 5 моментов времени. Магнитные силовые линии с катода упираются в поверхность отражателя.

На Рис. 53 проиллюстрирована именно такая ситуация. Через 700 нс после начала импульса тока РЭП внешняя граница электронного пучка начинала расширяться. Причиной этому, вероятно, было начало интенсивной электронной эмиссии со сферического отражателя. Кроме того, запертые между катодом и отражателем (магнитное поле на котором ~ 0.1 Тл) электроны могли постепенно смещаться по радиусу.

2.5 J, отн. ед. 11 mm 12 mm 2 13 mm 14 mm 1.5 15 mm 16 mm 17 mm 0. 0 200 400 600 Время, нс 800 Рис. 54. Радиальный профиль плотности тока РЭП с дискового поперечно-лезвийного катода 28 мм для 5 моментов времени. Магнитные силовые линии с катода касаются поверхности отражателя. Ситуация, когда магнитные силовые линии с катода касались поверхности сферического отражателя (т.е. позиция "2.3" на Рис. 52) проиллюстрирована на Рис. 54. Видно, что движение внешней границы РЭП наружу все еще имеет место, но уже менее заметно.

Если же магнитные силовые линии с катода проходили на значительном расстоянии от отражателя (катушка "N = 10" на Рис. 51 выключена или включена противофазно), то внешняя граница РЭП не расширялась в течение 1 мкс, как показано на Рис. 55.

J, отн. ед.

11 mm 12 mm 13 mm 1. 14 mm 15 mm 16 mm 17 mm 0. 0 200 400 600 Время, нс 800 Рис. 55. Радиальный профиль плотности тока РЭП с дискового поперечно-лезвийного катода 28 мм для 5 моментов времени. Магнитные силовые линии с катода проходят вдали от поверхности отражателя. Тем не менее, профиль плотности тока РЭП все-таки претерпевает небольшие изменения в течение импульса, а именно, немного расширяется вовнутрь. Это может быть связано с изменением формы катодной плазмы, распространяющейся в сторону коллектора. Для устранения этого эффекта в [117] было предложено покрыть торцевую поверхность катода слоем изолятора, смысл предложения иллюстрируется на Рис. 56. На катоде без покрытия торцевая поверхность может эмитировать электроны, на ней могут появляться плазменные факелы, число и положение которых может меняться со временем. На поверхности катода, покрытой надежным диэлектриком, электронная эмиссия невозможна, и плазма не появится.

Рис. 56. Модель формирования РЭП на дисковом поперечно-лезвийном катоде. Слева — катод без покрытия, справа — катод, с покрытием торцевой поверхности изолятором. 1 — катод на держателе, 2 — обратный ток диода, 3 — РЭП. В качестве диэлектрика для аналогичных целей — предотвращения эмиссии с оправы вельветового катода — в работе [44] было успешно использовано анодирование поверхности (покрытие твердым слоем окиси алюминия) толщиной 50 µm. Мы пробовали использовать этот метод, однако катода с твердым покрытием толщиной более 5 µm нам получить не удалось. Поэтому, вероятно, после нескольких импульсов тока РЭП слой Al2O3 на поверхности выгорал в кольце шириной до 2 мм по периметру катода. Измеренный радиальный профиль плотности тока РЭП не имел принципиальных отличий от приведенного на Рис. 55, поэтому здесь не приводится. Тем не менее, небольшие отличия можно было видеть, и они позволяли надеяться на успех применения метода в будущем.

§5. Максимальная длительность РЭП, формируемого поперечнолезвийным катодом Наши исследования формирования РЭП на дисковом поперечнолезвийном катоде показали, что максимальная длительность пучка со стабильным профилем плотности тока зависит от диаметра трубчатого РЭП. Так, нам не удалось стабилизировать РЭП диаметром 13 мм в течение микросекунды. Профиль плотности тока сохранялся в течение нескольких сотен наносекунд, но затем внешняя граница РЭП начинала расширяться. Оказалось, что периферия РЭП определялась плазмой, появляющейся на катододержателе и расширяющейся по радиусу. Образование и скорость расширения плазмы на катододержателе зависит от напряженности электрического поля, которая зависит, в частности, от обратного тока диода. Если силовые линии магнитного поля проходят далеко от отражателя, а катод и держатель находятся в однородном магнитном поле, то обратный ток с катода можно рассчитать так же, как ток двойного катода. Магнитное поле будем считать бесконечно сильным. Для оценки обратного тока с катода воспользуемся работой [13], где рассчитывался ток двойного катода. Согласно [13], см. Рис. 57, обратный ток с катода будет равен:

Рис. 57. Модель для расчета обратного тока КДМИ с радиусами: анода — 2R, катода и электронного пучка (пунктир) — 2b, катододержателя — 2r. I= mc 3 1 b b 1 1 1 2 0, b 1 e 2 ln R r (1.3.5.1) где ln b mc 3 mc 2 r — геометрический фактор, U — 17 кА, 511 кВ, = 0 R e e ln r напряжение на катоде, полной энергии электронов соответствует 0 = 1+ U0, mc 2 e а кинетической энергии электронов соответствует b = 3 8 1 1 + ( 0 1). 2 9 Потенциал электронов, формирующих обратный ток с катода, отличается от потенциала катода на U = mc 2 ( 0 b ), а напряженность e электростатического поля на поверхности катододержателя равна:

E (r ) = U mc 2 0 b =. e r ln b r ln b r r (1.3.5.2) На Рис. 58 показана зависимость напряженности электрического поля на катододержателе и обратного тока с катода в зависимости от радиуса катододержателя. Напряжение на катоде равно U0 = 500 кВ, радиус катода b = 1.9 см, а радиус анода R = 4.6 см. На поверхности цилиндрического U0 b ln R катода напряженность электрического поля равна 300 кВ/см. Экранировка поверхности b катододержателя электронами несколько уменьшает электрическое поле на ней, однако в широком диапазоне изменения радиуса катододержателя поле на нем не опускается ниже ~ 200 кВ/см, что недостаточно для прекращения эмиссии.

E, кВ/см 200 E, кВ/см I, кА r, см 0 0 0.5 1 1.5 Рис. 58. Зависимости обратного тока диода I и напряженности электрического поля E на катододержателе от его радиуса r. Напряжение 500 кВ, радиусы: катода — 1.9 см, анода — 4.6 см. Нетрудно видеть, что при выбранных параметрах эксперимента предотвратить образование плазмы на катододержателе невозможно. Становится также понятным, почему кольцевой поперечно-лезвийный катод с конусным держателем, Рис. 47, формировал пучок со стабильной формой при ширине кольца 4 мм, а при ширине кольца 2 мм внешнего радиуса РЭП увеличивался, начиная с 300 — 500 нс. Можно оценить радиальную скорости плазмы как 6105 см/с, как было показано выше, эта скорость характерна для расширения плазмы на боковой поверхности цилиндрического катода. Тогда в первом случае, при ширине кольца 4 мм, плазма не успевала достаточно расшириться в течение импульса, а во втором случае выходила за радиус катода. Это объясняет также, почему нам не удалось получить стабильный микросекундный РЭП диаметром 13 мм (для плазменного СВЧ-генератора, Глава 3): зазор между кромкой катода и катододержателем всегда оказывался слишком малым. Таким образом, область применения дисковых поперечно-лезвийных катодов для формирования РЭП большой длительности имеет ограничение. Оно определяется разлетом плазмы с катододержателя и связано с размером пучка: чем больше его диаметр, тем дольше можно поддерживать неизменный профиль плотности его тока. §6. Питч-углы электронов с поперечно-лезвийного катода Эксперименты [51, 52] по исследованию траекторий электронов РЭП, сформированного в вакуумном КДМИ на взрывоэмиссионном дисковом поперечно-лезвийном катоде, проводились на ускорителе с энергией электронов 500 кэВ и длительностью импульса 1 мкс. Как было показано выше, электронные пучки, полученные таким способом, не меняют своей геометрии за микросекундные интервалы времени. Трубчатый электронный пучок с током 2 кА и 28 мм распространялся в однородном квазистационарном магнитном поле 1.1 Тл по трубе 90 мм (где величина предельного вакуумного тока превышала 3 кА) на расстояние ~ 1 м. На участке, где уменьшающееся до нуля квазистационарное поле компенсировалось быстропеременным полем, был установлен анализатор [52] (его устройство см. в §4, 1-й раздел). В качестве регистратора использовались астралоновые мишени, поэтому результатом был максимальный питч-угол за время импульса. Кроме того, регистрировался полный ток, прошедший в диафрагму прибора, он позволял одновременно следить за профилем плотности тока РЭП, т. е. оценивать радиальное положение измерителя.

Рис. 59. Распределение питч-углов и плотности тока электронов J по радиусу R. Зависимость плотности тока РЭП по радиусу показана на Рис. 59. Распределение демонстрирует, что электронный пучок — трубчатый, его внешний радиус 15 мм, а толщина ~ 3 мм. Здесь же показано радиальное распределение питч-углов электронных траекторий. Видно, что по всему сечению электронного потока, плотность тока в котором меняется на порядок, питч-углы электронных траекторий примерно равны и не превышают 5°. Измерения, результаты которых показаны на Рис. 59, были получены при длительности импульса тока ускорителя 1 мкс. Эта длительность, однако, могла быть изменена от 300 нс до 1 мкс, и описанные выше эксперименты были проведены для нескольких значений длительности тока в этом диапазоне. Полученные результаты мало отличаются от показанных на Рис. 59, поэтому можно утверждать, что питч-углы электронных траекторий мало меняются в течение микросекундного импульса тока. Заключение Эта глава была посвящена экспериментальным исследованиям релятивистского электронного пучка микросекундной длительности. Проведение и результат экспериментальной работы в значительной степени зависят от аппаратуры, методик и качества диагностики, в том числе и оригинальных, они способны существенно облегчить работу исследователя. Созданный диод ускорителя, в котором детали можно было легко перемещать без нарушения вакуума, намного ускорил проведение многих серий экспериментов. Измерения радиального профиля плотности тока РЭП на разных расстояниях от катода и разные моменты времени быстро и удобно проводились с помощью коллекторного датчика с радиальной диафрагмой. Предложенный принцип измерения питч-углов электронных траекторий позволил впервые измерить параметры сильноточного РЭП в сильном магнитном поле с разрешением по времени, в разных точках по сечению пучка и погрешностью ~ 1. Времення эволюция профиля плотности тока РЭП определяется, в основном, поведением плазмы на взрывоэмиссионном катоде. Изучение процессов на катоде продолжалось не одно десятилетие, а число попыток стабилизации геометрии РЭП во времени разными способами исчисляется десятками. Тем не менее, нам удалось найти эффективный способ воздействия на катодную плазму. Мы показали, что усиление электростатического поля на катоде до очень высоких значений способствует стабилизации радиального положения плазмы катода в магнитном названных поле. нами Принцип действия взрывоэмиссионных позволяет катодов, поперечно-лезвийными, генерировать сильноточные РЭП в течение микросекундных интервалов времени, сохраняя неизменными их геометрию и малые поперечные скорости электронов. При этом катоды просты в изготовлении и дешевы. Сильноточные РЭП микросекундной длительности с фиксированными параметрами могут быть использованы в различных практических приложениях, в частности, их энергия может быть преобразована в энергию СВЧ-излучения. Проблеме генерации СВЧ импульсов большой мощности и длительности посвящена следующая Глава 2. Хотя материалы об электронном пучке и СВЧ-излучении выделены в отдельные главы, в главе об электронном пучке уже встречалось описание экспериментов с СВЧ-излучением, которое в этом случае характеризовало качество электронного пучка.

Глава 2. Влияние плазмы на длительность СВЧ-импульсов в устройствах, использующих микросекундные РЭП Эффект укорочения СВЧ-импульса Использование сильноточных РЭП в СВЧ-электронике позволило существенно увеличить мощность СВЧ-излучения, до ~ 1010 Вт на длине волны 3 см [6]. Однако использовать электронные пучки микросекундной длительности для эффективной генерации СВЧ-излучения не удавалось: при уровне мощности ~ 108 Вт прекращение процесса излучения СВЧволны наступало обычно через ~ 100 нс [85, 126, 127]. После срыва СВЧгенерации пучок продолжал проходить через электродинамическую систему генератора в течение нескольких микросекунд, но процесс генерации не восстанавливался. Этот эффект был впервые подробно описан в [128], значительно позднее за ним укрепилось название "укорочение СВЧ-импульса"*. В работе [128] приведен график, который воспроизведен на Рис. 60. На Рис. 60. Из [128]: Зависимости длительности импульсов СВЧ излучения от мощности для двух типов гофрированной структуры. I — l = 4 мм;

II — l = 3 мм.

* Англ. "microwave pulse shortening" графике представлена зависимость длительности СВЧ-импульсов от их мощности, полученная на одной установке в приблизительно одинаковых условиях. Видно, что длительность уменьшается с ростом мощности. Эта же тенденция иллюстрируется показанными на Рис. 61 осциллограммами СВЧ-импульсов из нашей работы [129]. Три СВЧимпульса получены в одинаковых условиях и имеют пиковую мощность 1000, 500 и 200 МВт, а их длительность, соответственно, растет от 15 нс до 70 нс.

Рис.

61.

Из [129]:

осциллограммы СВЧ мощности с максимальными значениями 0.2, 0.5 и 1 ГВт и напряжения на диоде UD длительностью 100 нс. Там же в [129] был приведен результат статистической обработки большой серии СВЧ-импульсов, он представлен на Рис. 62. На гистограмме показана взаимозависимость пиковой мощности импульсов СВЧ-излучения и числа таких импульсов в серии при условии, что все импульсы были получены в одинаковых условиях. Вид гистограммы свидетельствует, что на процесс генерации импульсов СВЧ-излучения оказывает влияние какой-то случайный, неконтролируемый фактор. Нетрудно догадаться, (см. §2 Введения), что этот неконтролируемый фактор - паразитная плазма, которая появляется в различных частях установки. Рис. 62. Из [129]: зависимость количества импульсов N от мощности P СВЧ-излучения, полученного в данном импульсе. В настоящей Главе с целью классификации причин укорочения СВЧ-импульса рассмотрены возможные механизмы образования плазмы в приборах вакуумной релятивистской сильноточной СВЧ-электроники. В дальнейшем обсуждаются только СВЧ-генераторы, т. к. влияние плазмы на процессы взаимодействия пучка с электромагнитной волной в СВЧусилителях и СВЧ-генераторах аналогичны. Кроме того, ограничимся рассмотрением прямопролетных аксиально-симметричных устройств, получивших наибольшее распространение.

Рис.

63.

Схема прямопролетного аксиально-симметричного СВЧ генератора. 1 — катод;

2 — анодная диафрагма, 3 — трубчатый РЭП;

4 — соленоиды магнитного поля;

5 — замедляющая структура;

6 — коллектор;

7 — окно. Такие устройства, как правило, состоят из основных узлов, показанных на Рис. 63. Сильноточный электронный пучок формируется в диоде на взрывоэмиссионном ~ 1 Тл. Пучок катоде. В через диоде и далее для транспортировки пучка используется продольное магнитное поле с индукцией проходит анодную диафрагму, ограничивающую его внешний размер, и попадает в пространство взаимодействия с электромагнитной волной (замедляющую структуру), где отдает часть своей энергии. Далее магнитное поле ослабевает, его силовые линии расходятся, и электроны осаждаются на коллектор, а СВЧизлучение транспортируется дальше по волноводному тракту к выходному диэлектрическому окну. Целью работ, описанных в данной главе, было: • исследование причин появления плазмы;

• поиск путей устранения этих причин;

• если появления самой плазмы устранить невозможно, то поиск путей устранения влияния плазмы на генерацию импульсов СВЧ-излучения. Устройство диода и проблемы генерации РЭП микросекундной длительности с помощью взрывоэмиссионного катода были подробно описаны в предыдущей главе. Здесь рассматриваются причины образования плазмы в остальных частях СВЧ-генератора: на диафрагме (раздел 1), на коллекторе (раздел 2), в замедляющей структуре генератора (раздел 3). Хотя работа проводилась с вакуумным СВЧ-генератором одного типа, карсинотроном, бльшая часть полученных закономерностей применима к любому типу приборов сильноточной релятивистской электроники.

1. Коллекторная плазма Плазма на коллекторе образуется вследствие бомбардировки поверхности релятивистскими электронами и распространяется вдоль магнитных силовых линий в направлении замедляющей структуры СВЧгенератора [49]. Механизм ускорения коллекторной плазмы описан в [50], он сводится к следующему. "Быстрый разлет коллекторной плазмы обусловлен пондеромоторным воздействием на нее со стороны сильного электростатического поля электронного пучка (подобно тому, как тело из диэлектрика или металла втягивается в краевое поле конденсатора). … Если за некоторый малый интервал времени объем плазмы возрастает на V, то соответствующее уменьшение энергии электростатического поля 2 0 Ecp V / (2.1.1) движения на плазмы, превращается образовавшейся в энергию за этот поступательного интервал времени коллекторе, бомбардируемом электронным пучком N i M i vl2 V / (2.1.2) где Еcp, — средняя по сечению канала транспортировки величина электростатического поля, Ni — объемная концентрация ионов, Mi;

– их масса, vl – продольная скорость плазмы. Исходя из приблизительного равенства (1) и (2), получим оценку для скорости плазмы vl Ecp 0 / N i M i (2.1.3) Примем, в соответствии с [130], Ni = 1017 1018 м-3 и будем считать, что в коллекторной плазме преобладают продукты крекинга углеводородов Н, С, СН, С2 с массами ионов Mi = (2, 12, 14, 24)1.610-27 кг, соответственно.

Тогда для условий нашего эксперимента [65] (ток электронного пучка 1 кА, потенциал стенки канала транспортировки относительно катода инжектора электронов 320 кВ, диаметр пучка электронов ~ 20 мм, диаметр канала транспортировки 40 мм) Ecp 5106 В/м и, согласно ф.(2.1.2), скорость разлета плазмы должна находиться в пределах 105 - 106 м/с, т. е. по порядку величины совпадает с измеренной в эксперименте." Конец цитаты [50]. Итак, плазма с плотностью ~ 1012 см-3 движется со скоростью 107 — 108 см/с по направлению к катоду, поэтому конструкция коллекторного узла сильно влияет на процесс СВЧ-излучения [131], особенно в микросекундном диапазоне длительностей импульса. Один из возможных механизмов ограничения длительности СВЧ-импульса был предложен в [132]: "С приходом в рабочий объем генератора (где расстояние до стенки канала минимально) ионы плазмы бомбардируют канал и инициируют высокочастотный пробой, распространяющийся вдоль генератора. На плотной плазме разряда происходит эффективное переизлучение рабочей моды Е01 в волну Н01, для которой сужение в генераторе не является закритическим. … плазма быстро перекрывает выход излучению, вызывая СВЧ-пробой." Конец цитаты [132]. В работе [133] коллектором электронов служил выходной волновод генератора, как это показано на Рис. 63. Длительность импульса СВЧизлучения в карсинотроне на моде E01 сильно зависела от однородности распределения электронного пучка по коллектору. По мере увеличения однородности токооседания (что достигалось подбором конфигурации магнитного поля корректирующего соленоида) длительность излучения сначала росла, а затем стабилизировалась на одном уровне. Стабилизация происходила после снижения плотности энерговыделения пучка на коллекторе ниже пороговой для образования коллекторной плазмы [48]: 2 Дж/см2. Изучение влияния коллекторной плазмы на длительность процесса СВЧ-генерации были проведены нами в работе [84] с использованием РЭП микросекундной длительности и параметрами 500 кэВ, 3.3 кА. В начале процесса исследований применялся осесимметричный - “классический” развал электронного пучка на стенки выходного рупора установки, см. Рис. 64. При изменении конфигурации соленоидов, создающих магнитное поле, возможно было осуществлять коаксиальный развал на диаметрах 6 см (диаметр выхода карсинотрона) и 12 см - в рупоре.

Рис. 64. Осесимметричный развал РЭП: 1 — на 6 см;

2 — на 12 см;

3 — фотоаппарат или ФЭУ с коллиматором. Мы 6 см. вслед за другими в зарегистрировали свете образование коллекторной плазмы при осесимметричном развале пучка с током 1 кА на Фотографирование видимом зарегистрировало повышенную яркость свечения в области коллектора с характерными яркими радиальными струями. Фотоаппарат был установлен на некотором расстоянии от оси, чтобы не "видеть" свет от взрывоэмиссионного катода. При токе 3.3 кА и осесимметричном развале электронного пучка как на 6 см, так и на 12 см, наблюдалось СВЧ-излучение длительностью менее 200 нс.

Рис. 65. Коллекторный узел [84] с поворотом РЭП. 1 — РЭП;

2 — замедляющая структура;

3 — рупор;

4 — соленоиды;

5 — коллектор;

6 — переходное отверстие в камеру коллектора;

7 — измеритель профиля плотности тока РЭП. Для устранения влияния коллекторной плазмы был применен коллекторный узел [84] с поворотом электронного пучка, схема которого показана на Рис. 65. Электронный пучок 1 выходит из замедляющей структуры 2 СВЧ-генератора в рупор 3. Здесь установлены соленоиды, создающие магнитное поле, направленное перпендикулярно основному. Электронный пучок, следуя магнитным силовым линиям, поворачивает к стенке рупора. В рупоре имеется отверстие 6, позволяющее электронам беспрепятственно проникнуть в достаточно длинную камеру, где установлен коллектор 5.

Профиль магнитных силовых линий и параметры соленоидов рассчитывались на ЭВМ по программе, описанной в Главе 1. Проверка расчетов транспортировки проводилась по автографам, фотографии которых показаны на Рис. 66.

Рис. 66. Коллекторный узел [84] с поворотом РЭП: а — отпечаток РЭП на астралоновой мишени, параллельной осям соленоидов;

пунктир — расположение металлической мишени. б — отпечаток РЭП на металлической мишени, перпендикулярной оси камеры коллектора. Черная тонкая линия — расчетный контур. При движении на повороте к коллектору частицы претерпевают дрейф в направлении, перпендикулярном плоскости Рис. 65. Скорость дрейфа релятивистской частицы с зарядом e и массой m, адиабатически движущейся со скоростью v в электрическом E и магнитном B полях, равна [134]:

ud = c mc 2 E B] + 2vl2 + v ) [ BB ], 2[ 3( B 2eB B, — релятивистский фактор, c — B где B = B, vl = v b, v = [ v b ], b = скорость света. Первое слагаемое определяет дрейфовое движение электронов вдоль поверхности трубчатого пучка в кулоновском поле его заряда и не влияет на положение пучка как целого (что, строго говоря, выполняется в аксиально-симметричном случае). Рассмотрим два последних слагаемых, описывающих, соответственно, центробежный и градиентный дрейф. Обозначим: H = v eB — циклотронная частота, = arctg — mc vl питч-угол, введем, следуя [134], радиус кривизны магнитного поля:

B2 Rc =, тогда при повороте магнитных силовых линий на угол [ BB] электрон расстояние = сместится со скоростью или, после ud = 1 H mc 2 2vl2 + v ) 3( Rc 2eB на = Rc ud vl несложных преобразований:

1 1 1 1 + cos = 0 + cos v H 2 cos 2 cos Здесь величина 0 = mc B e 2 1 определяет дрейфовый сдвиг электрона с питч-углом = 0, а второй сомножитель - зависимость сдвига от питч-угла. Таблица 1 показывает, что дрейфовый сдвиг существенно зависит от лишь при очень больших питч-углах: > 60° — 70°.

Таблица 1. Дрейф электрона с питч-углом. /0 0° 45° 1 1.06 55° 1.16 65° 1.45 75° 2.06 80° 2.97 85° 5. Величина 0 экспериментально определялась по отпечатку пучка на мишени, установленной так же, как на Рис. 66б. При этом оси соленоидов были расположены в плоскости Рис. 65, гофры карсинотрона закрыты гладкой тонкостенной (0.4 мм) трубой для подавления СВЧ-генерации, а питч-углы электронов пучка, сформированном в КДМИ, были малы: < 45°. Последнее гарантировалось дополнительной катушкой, увеличивающей индукцию магнитного поля на небольшом отрезке дрейфового пространства более чем вдвое. Экспериментально полученное значение 0 6 мм соответствовало его оценке для угла поворота = /2 и численным расчетам. Для удобства проведения эксперимента в дальнейшем соленоиды были сдвинуты так, чтобы максимально скомпенсировать дрейф на 0, и центр повернутого пучка находился примерно в плоскости Рис. 65. Именно такие условия реализованы при получении отпечатка, изображенного на Рис. 66. Конфигурация системы явилась компромиссом, учитывающим несколько требований. Так, например, чтобы не искажать структуру СВЧизлучения, необходим минимальный размер переходного отверстия в камеру коллектора, а это, в свою очередь, требует усиления магнитного поля. Но магнитная пробка, отражающая электроны, изменяет режим работы карсинотрона, поэтому такая конфигурация недопустима. Большая величина тока ~ 3 кА накладывала ограничения на соотношение размеров электронного пучка и рупора в области поворота во избежание образования виртуального катода: желательно было максимально прижать пучок к стенкам, уменьшив индукцию магнитного поля. С другой стороны, недопустимо было иметь на траектории РЭП области циклотронного резонанса для нерелятивистских электронов из-за возможности образования плазмы микросекундным пучком электронов в остаточном газе. Напомним, что карсинотрон с циклотронной селекцией мод работает при таком значении магнитного поля, когда циклотронная частота релятивистских электронов немного (~ 20%) превышает частоту излучения. Это означает, что ослабление магнитного поля в области поворота по сравнению с замедляющей структурой (карсинотроном) допустимо не более чем в ( 2) раз. Рассчитать ток РЭП, при котором не произойдет образования виртуального катода в пучке при расширяющейся стенке рупора (т. е. точно решить на ЭВМ трехмерную электродинамическую задачу) мы в то время (1990 г.) не имели возможности. Ответ на этот вопрос дал эксперимент с целью выяснить: как влияет увеличение тока диода на ток, регистрируемый на коллекторе. Конструкция катододержателя [9] для перемещения катода без нарушения вакуума и квазиплоская геометрия диода с двойным катодом (Рис. 3 на стр. 27) и длительности импульса тока < 200 нс позволили проделать этот эксперимент достаточно быстро. Было выяснено, что при превышении током диода величины ~ 4 кА на коллекторном токе появляются характерные высокочастотные (> 200 МГц по показаниям осциллографа 6ЛОР-04) колебания. Мы интерпретировали их как проявление виртуального катода. Все последующие эксперименты были проделаны при токе РЭП 3.3 кА. Коллектор можно было установить как вплотную к рупору, так и отодвинуть на расстояние L < 15 см. При изменении величины L от нуля до 5 см длительность СВЧ-импульса увеличивалась от 150 нс до 300 нс. Дальнейшее увеличение расстояния от коллектора до рупора не изменяло длительности СВЧ-импульса.

Это однозначно свидетельствовало, что в данном эксперименте удалось устранить влияние коллекторной плазмы, и ограничение длительности СВЧ-импульса определялось другими причинами. Приведенные результаты позволяют оценить скорость расширения плазмы вдоль силовых линий магнитного поля: 5 см/150 нс 3107 см/с, что согласуется с известными данными [49, 50, 131]. Добавим к этому, что при использовании коллектора с поворотом пучка свечения в области рупора не наблюдалось. Таким образом, коллекторный узел с поворотом пучка позволяет удалить из электродинамической системы плазму коллектора на достаточно большое расстояние, заведомо исключив ее влияние на процесс генерации СВЧ-излучения. Кроме того, становится возможным измерять параметры электронного пучка во время СВЧ-импульса: приемник [11] для измерения профиля плотности РЭП может быть расположен в камере удаленного коллектора, поз. 7 на Рис. 65. Существенно, по сравнению со случаем коаксиального развала РЭП, упрощается защита от тормозного рентгеновского излучения электронов на коллекторе (в отличие, например, от [135]). Появляется реальная возможность использования коллекторов, расcчитанных на большой энерговклад, например при частотном режиме работы ускорителя, и даже рекуперации энергии пучка по типу [136].

2. Плазма на анодной диафрагме Анодная диафрагма применяется в устройствах сильноточной СВЧэлектроники для фиксации внешнего радиуса электронного потока. Плазма возникает на поверхности диафрагмы под действием бомбардировки электронами основного пучка или паразитных пучков, эмитированных с боковой поверхности катододержателя [14, 137]. Плазма с входной диафрагмы имеет то же происхождение, что и коллекторная плазма (бомбардировка электронами РЭП), а потому такую же плотность ~ 1012 — 1013 см-3 и скорость 107 — 108 см/с. Она распространяется вдоль магнитных силовых линий [63], а также и поперек, в том числе в направлении оси, и взаимодействует с электронами пучка. Концентрация релятивистских электронов имеем порядок 1010 1011 см-3 ( 21011j[кА/см2], где j — плотность тока). Как будет показано ниже, при таком соотношении параметров пучка и плазмы они эффективно взаимодействуют, и это взаимодействие может привести к разбросу электронов РЭП по поперечным импульсам и, в конечном итоге, срыву процесса генерации СВЧ-излучения. Поэтому с наличием диафрагменной плазмы приходится считаться. Именно образование плазмы на входной диафрагме явилось, по мнению авторов [133], причиной срыва генерации СВЧ-импульса в карсинотроне на моде E01. Для увеличения задержки появления плазмы в рабочем объеме генератора здесь применялась трубка дрейфа, установленная между диафрагмой и замедляющей системой. Уменьшение разности радиусов катода и диафрагмы или перекос электронного пучка в области диафрагмы приводили к укорочению СВЧ-импульса. Во всех случаях длительность электромагнитного излучения (до 400 нс) была существенно меньше длительности электронного пучка ( 2 мкс).

Плазма с диафрагмы может, кроме того, распространяться в сторону катода, сокращая время закоротки диода, особенно в присутствии мощного СВЧ-излучения [138], а также проникать в пространство взаимодействия, нарушая процесс СВЧ-генерации [139]. Мы также провели небольшое исследование данной проблемы в работе [84]. Заметим, что оно было проведено нами еще до создания диода для генерации микросекундных РЭП со стабильной геометрией, описанного в предыдущей главе.

Рис. 67. Исследование диафрагменной плазмы в [84]. 1 — катододержатель;

2 — катод;

3 — анодная диафрагма;

4 — шунт;

5 — емкостной делитель;

6 — коллектор;

7 — рентгеновский ФЭУ с коллиматором. Схема эксперимента показана на Рис. 67. Диафрагма представляла собой диск с концентричным отверстием, вокруг которого располагалась тонкостенная трубка цилиндрической либо слегка конической (~ 2°, расширяющейся в сторону коллектора) формы. Тонкостенная ( 0.5 мм) трубка была выполнена из нержавеющей стали, а коническая диафрагма — из графита. Длина трубки определялась двумя соображениями. С одной стороны, необходимо, чтобы образующаяся на плоской части диафрагмы плазма не успевала за время импульса распространиться до края трубки. С другой стороны, длина трубки должна превышать длину шага ларморовской спирали релятивистского электрона, чтобы все частицы, которые могут находиться на больших радиусах, были ею задержаны. Анод похожей формы применялся нами и раньше, например, в [10, 17, 126] при работе с двойным катодом в квазиплоском диоде. Форма и продольный размер анодной диафрагмы ( 7 см) позволяли надеяться, что при правильной юстировке и с учетом скорости продольного разлета плазмы ~ 107 см/с плазма с плоской части анода не попадет в канал транспортировки в течение нескольких сотен наносекунд. Для изучения влияния диафрагменной плазмы на генерацию СВЧизлучения исследовался ток на диафрагмы с различным диаметром отверстия: 4.2 см и 4.8 см при диаметре катода 3.8 см. Образование плазмы на анодной диафрагме после осаждения на нее части тока РЭП контролировалось с помощью шунта и по рентгеновской методике. Когда радиус электронного пучка был стабилизирован (с помощью импульсной магнитной компрессии, см. Рис. 41 на стр. 95), ток с катода на диафрагму начинался через ~ 0.5 мкс после начала импульса напряжения независимо от диаметра катода и достигал примерно 100 А к концу импульса через ~ 1 мкс. Ток на диафрагму, по-видимому, не был связан с электронами основного боковой пучка, а определялся электронами, На это эмитированными поверхностью катододержателя.

указывает тот факт, что при поперечном рассовмещении осей катода и диафрагмы на расстояние до 1.5 мм в любую сторону (а конструкция установки допускала и такую процедуру без нарушения вакуума) интенсивность рентгеновского излучения диафрагмы и длительность СВЧимпульса не изменялись. И только при смещении катода от оси карсинотрона на 2 мм (когда СВЧ-излучение полностью исчезало) рентгеновское излучение диафрагмы увеличивалось в 1.5 раза. Это увеличение связано с электронами основного пучка. И, наконец, увеличение расстояния от диафрагмы до начала электродинамической системы на 10 см не изменяло длительности СВЧ-импульса. Это свидетельствует, во-первых, об эмиссии с поверхности катододержателя (начинавшейся через 0.5 мкс после основного тока), а, во-вторых, - об отсутствии электронами бомбардировки и отсутствии внутренней поверхности плазмы диафрагмы в канале диафрагменной транспортировки РЭП. Плазма не была зарегистрирована и с помощью датчика потенциала пучка (5 на Рис. 67), установленного сразу за диафрагмой. Для различных диаметров диафрагмы результаты экспериментов практически не отличались. В работе [140] и других в качестве диафрагмы использовали толстый графитовый диск с конусным отверстием, расширяющимся в сторону катода. Такая конструкция была призвана Наша максимально конструкция развить была поверхность, подверженную бомбардировке расширяющимся пучком, и уменьшить удельное энерговыделение. ориентирована в основном на РЭП со стабилизированным радиусом, при котором плазма возникает на поверхности диафрагмы под действием паразитных пучков, эмитированных с боковой поверхности катододержателя. Однако, генерации паразитных пучков можно избежать, например, с помощью специального профиля магнитного поля: Рис. 55 на стр. 124, см. также [16, 15 и др.]. Итак, образование плазмы на анодной диафрагме как причины укорочения СВЧ-импульсов может быть устранено полностью, равно как и необходимость применения диафрагмы как таковой. Для этого необходимо генерировать РЭП, не расширяющийся по радиусу, например, как это описано в Главе 1.

3. Плазма в замедляющей структуре Из четырех основных частей релятивистского вакуумного СВЧгенератора, в которых может образовываться плазма, были рассмотрены три: диод, диафрагма и коллектор. Было показано, как можно устранить причины образования плазмы в этих частях установки или нейтрализовать ее влияние. В Главе 1 описан диод на основе взрывоэмиссионного катода, который формирует электронный пучок с постоянным радиусом в течение всего импульса тока. При постоянном радиусе РЭП и соответствующем выборе профиля магнитного поля в диоде можно исключить появление диафрагменной плазмы. А появление коллекторной плазмы в области распространения СВЧ-волны исключается, если отработавший пучок осаждается на коллектор вдали от волноводного тракта. В этом разделе будет показано, что при выполнении перечисленных выше условий эффект укорочения СВЧ-импульса определяется процессом образования плазмы в замедляющей структуре, а его механизм и скорость зависит от конкретного типа этой структуры. В настоящей работе в качестве СВЧ-генератора использовалась релятивистская лампа обратной волны (ЛОВ) — карсинотрон — рассчитанный на генерацию излучения в диапазоне 3 см. Коротко напомним некоторые его свойства, которые пригодятся при рассмотрении причин эффекта укорочения СВЧ-импульса. Карсинотрон [141] — замедляющая структура, в которой электромагнитная волна состоит из бесконечного набора гармоник Электронный пучок черенковским образом взаимодействует с (-1)-й гармоникой обратной волны, т. е. возбуждает волну, направленную навстречу пучку. Волна, усиливаясь на пути от выхода карсинотрона до входа, отражается от сужения на входе (см. Рис. 63 на стр. 135), проходит обратно к выходу и излучается. Амплитуда электрического поля СВЧ волны вдоль карсинотрона длиной L схематично показана на Рис. 68. Видно, что амплитуда электрического поля на входе вдвое превышает амплитуду на выходе.

Рис. 68. Распределение амплитуды волн в карсинотроне: пунктир — усиливаемая (обратная) и прямая волны, сплошная линия — суммарная амплитуда. Для того чтобы возбуждался только один из многих возможных типов колебаний, а именно, мода E02, применялась циклотронная селекция мод, смысл которой заключается в следующем [85, 140]. С помощью черенковского механизма в карсинотроне могут генерироваться волны многих типов. Оказывается, что при определенном, одном для всех резонансном значении индукции ведущего магнитного поля эти волны могут раскачивать поперечные (циклотронные) колебания электронов РЭП, отдавая им свою энергию. Поглощения энергии волны электронами не происходит, если только электроны распространяются на радиусе, где поперечная составляющая Er электрического поля волны близка к нулю. Иными словами, если магнитное поле сделать резонансным по величине, а радиус rb трубчатого РЭП подобрать так, чтобы поле основной (быстрой) гармоники волны на этом радиусе Er(rb) = 0, то такая волна будет излучаться, а остальные поглощаться.

В данной работе использовался карсинотрон с циклотронной селекцией моды E02, его средний радиус 2.8 см, а условие Er = 0 для основной гармоники волны типа E02 выполнялось на радиусе 2.0 см.

§1. Экспериментальная регистрация наличия плазмы в карсинотроне Проверка наличия плазмы в замедляющей структуре вакуумного карсинотрона проводилась, в основном, оптическими методами. Сложность заключается в том, что при наличии мощного СВЧ-излучения изготовление отверстия в металлической стенке волновода с большой вероятностью приводит к СВЧ-пробою на нем и появлению там светящейся плазмы. Кроме того, световод, которым можно воспользоваться при наличии такого отверстия, светится под действием рентгена, поэтому нуждается в тщательной экранировке. Регистрация света может осуществляться и через прозрачное выходное окно. Но в этом случае свет от возможного пробоя в замедляющей структуре СВЧгенератора нужно регистрировать на фоне интенсивного свечения плазмы взрывоэмиссионного катода. Тем не менее, нами был проведен эксперимент по оптической регистрации СВЧ-разряда в карсинотроне именно этим способом. Схема нашего эксперимента [28] показана на Рис. 69. В гофрированном волноводе — карсинотроне — находился источник света (1). Свет от источника проходил через собирающую линзу (2) с фокусным расстоянием 40 см и коллиматор (3) — трубку длиной 5 см и диаметром 1 см, изготовленную из поглотителя СВЧ-излучения (проводящей резины). За коллиматором размещался оптический регистратор (4) — ФЭУ с разрешением по времени 5 нс. Линза (2) могла перемещаться вдоль оси. На Рис. 69 сплошной линией показано положение линзы, при котором количество света от источника, попадающего на ФЭУ, максимально. С Рис. 69. Схема оптических измерений [28]. 1 — источник света, 2 — длиннофокусная линза, 3 — коллиматор, 4 — ФЭУ. помощью простых геометрических построений (которые, однако, загромоздили бы рисунок) или вычислений нетрудно показать, что при сдвиге линзы вдоль оси количество света от источника, попадающего на ФЭУ, уменьшается. Такое положение линзы показано пунктиром. Калибровка осуществлялась следующим образом. Образцовый источник — лампочка от карманного фонарика — размещался в определенном месте внутри карсинотрона. Определялось положение линзы, при котором поток света, падающего на ФЭУ, максимален. После такой настройки оптической системы сдвиг линзы вдоль оси на 4 см приводил к уменьшению сигнала в 5 8 раз. Такая процедура проводилась для нескольких положений источника. Оптическая система устанавливалась на оси установки за прозрачным вакуумным окном и экранировалась (кроме линзы) от СВЧизлучения и магнитного поля соленоидов. Кроме того, осуществлялась проверка действия рентгена на стекло линзы, для этого выходной рупор закрывался черной тканью, и регистрировалось отсутствие сигнала ФЭУ во время импульса ускорителя. В нашем эксперименте имела место хорошая воспроизводимость результатов от импульса к импульсу, поэтому за несколько импульсов можно было определить положение линзы, соответствующее максимальному свету на ФЭУ. Используя такую методику, можно было определять положение светящегося объекта с погрешностью не более 20 см и следить за изменением интенсивности свечения с течением времени.

Рис. 70. Свечение плазмы в замедляющей структуре [28]: а – СВЧгенератор выключен;

б – СВЧ-генератор включен;

в - импульс СВЧ-излучения. На Рис. 70 показаны сигналы ФЭУ при закрытых гофрах карсинотрона, т. е. при отсутствии СВЧ-генерации, и при работе СВЧгенератора, а также синхронизированный импульс СВЧ-излучения. Без СВЧ-генерации регистрировалось нарастающее во времени свечение катода. При включении СВЧ-генератора на свечение катода накладывался сигнал от другого светового источника, перемещением линзы удалось выяснить его положение: примерно в середине карсинотрона (который имел длину более 40 см), ближе к его началу. Видно, что с началом СВЧ-генерации свечение начинается с нулевого уровня и нарастает до окончания СВЧ-импульса, затем уменьшается с большой постоянной времени.

Осциллограммы были получены многократно с хорошей повторяемостью. Более того, задержка СВЧ-импульса относительно начала прохождения тока могла меняться с помощью управляемого радиуса РЭП, как это описано в Главе 1. Возникновение источника света в карсинотроне совпадало с началом процесса СВЧ-генерации. Мы интерпретируем это свечение как следствие СВЧ-пробоя в замедляющей структуре. Примерно в то же время авторы [142] зарегистрировали спектр светового излучения из рупора примерно в тех же условиях, что и в описанном выше эксперименте. В начале импульса регистрировались линии H и C, предположительно, из области диода, в котором был установлен графитовый взрывоэмиссионный катод. Спустя некоторое время появлялась линия Cu, материала, из которого был изготовлен карсинотрон. Авторы интерпретировали это как следствие СВЧ-пробоя на поверхности металла. Еще один способ проведения оптических измерений плазмы был предложен авторами [139]. На обращенной к коллектору стороне анодной диафрагмы было размещено зеркало, отражающее луч He-Ne лазера, и пространство между электронным пучком и гофрированной стенкой замедляющей структуры стало плечом интерферометра. Регистрировалась динамика изменения средней величины , где neи L — соответственно, концентрация и размер плазменного образования. В отсутствие СВЧ-излучения — гофры были заменены гладкой трубой — был зарегистрирован линейный рост в течение более 1 мкс (длительность РЭП 350 нс). Авторы объясняют это тем, что электронный пучок задевал за стенки запредельного отверстия на входе: концентрация плазмы падала с увеличением радиуса, когда лазерный луч смещался на 2 мм в сторону гофров.

Рис. 71. Сигнал интерферометра [139]. "0" на шкале времени соответствует началу СВЧ-импульса. При наличии СВЧ-импульса с длительностью 50 нс примерно через 200 нс после его начала начинался быстрый рост. Еще через 200 нс, значение достигало 21016 см-2, после чего уменьшалось с большой постоянной времени, см. Рис. 71. Задержку более чем 300 нс между окончанием СВЧ-импульса и максимумом сигнала интерферометра авторы объясняют тем, что за это время плазма проходит по радиусу от стенки до лазерного луча. Приведем краткое описание еще одного эксперимента, проведенного неоптическим методом. В работе [143] СВЧ-пробой специально провоцировался в условиях, когда укорочения микроволнового импульса в обычных условиях еще не происходит. Для проверки влияния на длительность импульса взрывной эмиссии один из гофров замедляющей системы заменялся гофром той же формы, но с кольцевой графитовой вставкой, Рис. 72. Наличие графита в гофрированном волноводе не изменяло его электродинамических свойств, а лишь облегчало условия развития взрывоэмиссионных процессов. Форма импульсов катодного напряжения и тока РЭП оставалась неизменной.

Рис. 72. Автограф электронного тока между гофрами и схема его получения [143]. 1 – гофрировка замедляющей системы, 2 – РЭП, 3 – мишень из винипроза, 4 – графитовая вставка. Установка гофры с графитовой вставкой вызывала укорочение СВЧимпульса. Наиболее значительное укорочение достигалось при расположении ее вблизи середины замедляющей системы. В тех случаях, когда СВЧ-импульс укорачивался, в промежутке между гофрами в окрестности гофры со вставкой наблюдался интенсивный поток электронов, движущихся вдоль силовых линий магнитного поля.

Отпечатки на мишени из винипроза (Рис. 72, справа) свидетельствуют о высокой плотности тока (~ 1 кА/см2), которую может обеспечить только взрывная электронная эмиссия. Результаты приведенных экспериментальных фактов можно кратко суммировать следующим образом. Плазма появляется в замедляющей структуре СВЧ-генератора синхронно с СВЧ-импульсом. Количество плазмы быстро нарастает в течение СВЧ-импульса и сравнительно медленно, за несколько микросекунд, уменьшается после его окончания. Плазма появляется на стенке примерно в середине замедляющей структуры и со скоростью ~ 106 см/с распространяется к центру. Концентрация плазмы достигает значений ~ 1015 см-3.

§2. Увеличение питч-углов электронных траекторий при наличии СВЧ-излучения Плазма, зарегистрированная в замедляющей структуре СВЧгенератора, искажает не только электродинамические свойства структуры. Она, как оказалось, существенно влияет и на качество электронного пучка. Наш эксперимент [28] по регистрации электронов с большими питчуглами был проведен с использованием особенностей транспортировки РЭП на повороте в камеру удаленного коллектора, который описан ранее на стр. 140. Эксперимент дает еще одно подтверждение факту наличия плазмы в замедляющей структуре после СВЧ-импульса. Схема эксперимента показана на Рис. 73.

Рис. 73. Регистрация больших питч-углов РЭП в эксперименте [28]. 1 - РЭП, 2 — карсинотрон, 3 — выходной рупор, 4 — камера коллектора, 5 — коллиматор рентгеновского ФЭУ;

L1 и L2 — дополнительные соленоиды.

Соленоиды L1 и L2 небольшого диаметра ( 7 см) размещались в вакуумной камере до входа в замедляющую структуру и сразу после выхода карсинотрона. Эти соленоиды позволяли увеличивать индукцию ведущего магнитного поля на сравнительно небольших участках транспортировки РЭП более чем вдвое. В силу адиабатичности движения электроны с v < v (т.е. с питч-углами > 45°) отражались от магнитной пробки. Таким образом, соленоиды L1 и L2 играли роль фильтров частиц с питч-углами < 45°. Как показывает Таблица 1 на стр. 143, такие электроны дрейфуют в неоднородном магнитном поле на повороте к удаленному коллектору почти одинаково и независимо от поперечной скорости. Напомним, что величина дрейфового сдвига электронов с питчуглами < 45° составляла 0 6 мм. Рентгеновский коллектора. При ФЭУ попадании с коллиматором был установлен на края непосредственно под переходным отверстием между рупором и камерой релятивистских электронов переходного отверстия регистрировался сигнал. Отверстие было сделано с большим запасом, в отсутствие СВЧ-излучения расстояние от внешней границы РЭП до краев отверстия было не менее 13 мм 20, поэтому без СВЧ-излучения отсутствовало. При включении СВЧ-генерации транспортировка РЭП изменялась. Следы электронов пучка на покрытых специальной краской краях переходного отверстия показали, что имеет место сильный, более 13 мм сдвиг траекторий электронов РЭП, направление смещения соответствовало направлению дрейфа частиц в магнитном поле такой конфигурации. Такое возможно при наличии электронов с питч-углами ~ 80° и более (см. таблицу на стр. 143). рентгеновское излучение с переходного отверстия Электронная бомбардировка краев переходного отверстия, т. е. появление электронов с большой поперечной энергией, была зафиксирована и рентгеновским ФЭУ, установленным под входом в камеру коллектора. На Рис. 74а видно, что включение СВЧ-генератора вызывает появление двух разделенных во времени электронных фракций. Одна группа частиц регистрируется одновременно с СВЧ-излучением, вторая группа увеличивается с течением времени и достигает максимального значения к концу импульса тока.

Рис. 74. Рентгеновское излучение с переходного отверстия в камеру коллектора в эксперименте [28]. (а) — катушка L2 выключена;

(б) — катушка L2 включена;

(в) - мощность СВЧ-излучения. Включение катушки L1 на входе в карсинотрон не оказывало влияния на форму импульса рентгеновского излучения. При увеличении индукции магнитного поля на 28% с помощью катушки L2 электроны с питч-углами > 60° теряли возможность преодоления с обеих сторон пробки на выходе карсинотрона. Результат показан на Рис. 74б. Первая, синхронная с СВЧ-импульсом группа электронов немного уменьшалась, фон несколько увеличивался, а вторая, нарастающая со временем группа электронов, полностью исчезала. Мы интерпретируем это следующим образом. Синхронная с СВЧ-излучением группа электронов состоит из двух фракций. Электроны первой фракции приобретают большую поперечную скорость в карсинотроне, второй — в выходном рупоре. Напомним, что в карсинотроне с циклотронной селекцией мод индукция магнитного поля имеет почти резонансное значение. Электроны приобретают поперечную скорость, гася паразитные моды при их зарождении, поэтому число частиц с большими поперечными скоростями невелико. Именно они не проходят магнитную пробку L2, уменьшая сигнал рентгеновского ФЭУ. Магнитное поле остается резонансным и на некоторых участках поворота РЭП к коллектору. Однако, в отличие от замедляющей структуры, электрическое поле основной СВЧ-волны здесь уже не параллельно траекториям частиц. Поэтому в выходном рупоре и происходит циклотронная "раскачка" поперечных скоростей. Некоторое увеличение уровня фона связано с электронами, отраженными от коллектора (которые подробно рассмотрены ниже в §5). Эти электроны имеют широкий угловой спектр, в том числе, присутствуют и частицы с питч-углами > 60°. Такие отраженные от коллектора электроны дважды дрейфуют в одну сторону: на пути от коллектора к магнитной пробке L2 и, после отражения от нее, на обратном пути к коллектору. Нетрудно видеть, см. таблицу на стр. 143, что для них дрейфовый сдвиг не меньше /0 1.5 в каждую сторону, и в этом смысле они не отличаются от электронов РЭП с углами = 80°, для которых / 3. И те, и другие регистрируются при оседании на стенки рупора рентгеновским ФЭУ. Увеличивающаяся со временем группа электронов, которая исчезает при включении магнитной пробки на выходе карсинотрона — это электроны РЭП, приобретающие большую поперечную скорость непосредственно в карсинотроне, после L1, но до L2. Большие поперечные скорости — это результат их рассеяния в плазме, которая образовалась в замедляющей структуре в течение СВЧ-импульса и продолжает расширяться после его окончания. Амплитуда сигнала рентгеновского ФЭУ соответствует току электронов примерно в нескольких ампер. Общий ток электронов с углами > 20° - критическими для данного черенковского СВЧ-генератора – наверняка значительно больше этих нескольких зарегистрированных ампер. И тогда неудивительно, что процесс генерации СВЧ-излучения срывается и не восстанавливается. Итак, несколько методов диагностики показали, что импульс СВЧизлучения влечет за собой появление плазмы в замедляющей структуре СВЧ-генератора. Эта плазма, влияя на электродинамику структуры и параметры РЭП, приводит к срыву процесса СВЧ-генерации. Рассмотрим теперь возможные механизмы появления плазмы в карсинотроне.

§3. Влияние различных факторов на появление плазмы В замедляющую структуру СВЧ-генератора плазма может распространиться из диода, с анодной диафрагмы или с коллектора. Эти процессы описаны ранее и здесь рассматриваться не будут. Основными причинами рождения плазмы непосредственно в замедляющей структуре могут быть только два достаточно энергичных источника: электроны РЭП и СВЧ-волна. Оценим воздействие этих факторов на процесс образования плазмы в замедляющей структуре СВЧ-генератора. Такие оценки делались, напр., в [144] и многих других работах, ссылки на которые приведены ниже. Существенно более слабые воздействия, напр., фотоионизация, здесь рассматриваться не будут. Плазма может рождаться или в объеме замедляющей структуры, т. е. в остаточном газе, или на ее поверхности. Энергия для образования плазмы, как указывалось выше, может черпаться из РЭП или СВЧ-волны. Оценим каждую из 4-х возможностей: ионизацию остаточного газа благодаря прохождению микросекундного РЭП или вследствие СВЧпробоя и рождение плазмы на поверхности благодаря электронной бомбардировке или сильному полю СВЧ-волны. Приведем полный список параметров, необходимых для оценок. Трубчатый РЭП с радиусом 20 мм и толщиной 4 мм (см. Рис. 48 на стр. 111.) в течение 1 мкс проходит через карсинотрон со средним радиусом 2.8 см и глубиной гофрировки 3 мм. Энергия электронов РЭП 500 кэВ, ток 3 кА, индукция магнитного поля 0.8 Тл, мощность СВЧ-излучения до 50 МВт. Ударная ионизация газа релятивистским электронным пучком. Концентрацию образованной плазмы np оценим по формуле dnp/dt = nbNvb. Здесь сечение взаимодействия электронов РЭП с атомами 10-18 см-3, концентрация газа N ~1012 см-3, концентрация электронов РЭП nb ~ 1011 см-3, их скорость vb c = 31010 см/с. Нетрудно видеть, что за время = 1 мкс нарабатывается плазма с концентрацией ~109 см-3, которая почти не влияет на работу СВЧ-генератора. Эксперимент, проводившийся в отсутствие СВЧ-генерации, также не подтвердил наличия нейтрализации электронного пучка. Емкостные делители, установленные между анодной диафрагмой и входом в генератор, а также в выходном рупоре, зафиксировали отрицательные сигналы, повторяющие форму сигнала катодного потенциала и имеющие амплитуду, соответствующую отсутствию дополнительного заряда. СВЧ-пробой остаточного газа. На нашей установке были проведены исследования [148] по СВЧ-пробою в газах низкого давления. В этой работе СВЧ-излучение фокусировалось в объеме газа, и исследовалась зависимость времени, необходимого для пробоя газа, от давления и сорта газа. Результаты измерений показаны на Рис. 75. Здесь p — давление газа, E и — амплитуда и круговая частота электрического поля, соответственно, 0 — колебательная энергия электронов. Указанная частота ионизации i рассчитывалась как i = ln ncr 20, где — / n Рис. 75. Зависимости [148] величины i/p от E/ и 0. 1 — эксперимент, 2 — теория по [145, 146], 3 — эксперимент по [147].

длительность СВЧ-импульса до пробоя. Пересчитав указанные данные для давления p = 10-4 Toр воздуха, можно нарисовать кривую зависимости длительности СВЧ-импульса от напряженности электрического СВЧ-поля. Эта кривая имеет минимум: при значении поля 70 кВ/cм, длительность равна 50 мкс. В более сильных полях растет колебательная скорость электронов, падает сечение их взаимодействия с газом, и увеличивается длительность СВЧ-импульса. Результаты исследования [148] совершенно определенно указывали, что СВЧ-пробой в объеме замедляющей структуры при остаточном давлении воздуха < 10-4 Тор (и мощности СВЧ-излучения ~ 100 МВт, но это не имеет значения) за указанное время 1 мкс невозможен. К аналогичным выводам пришли и авторы [149], которые меняли давление остаточного газа непосредственно в карсинотроне и следили за формой СВЧ-импульса. СВЧ-пробой на стенке замедляющей структуры обычно считается главным "виновником" укорочения СВЧ-импульса в карсинотроне [150, 151, 143]. Вкратце, механизм его развития следующий. Сильное СВЧ-поле порождает на стенке вторично-эмиссионный десорбируют с разряд [152, 153]. Образующиеся электроны поверхности молекулы остаточного газа [154, 155, 156]. Рядом со стенкой образуется слой газа, и происходит его лавинообразная ионизация электронами, эмитированными как из стенки, так и из самого газового объема. Подробнее процесс образования и накопления пристеночной плазмы описан в [143]. Электрическое поле на стенке замедляющей структуры складывается, однако, из двух компонентов: поля СВЧ-волны и поля собственного заряда электронов пучка. Если поле РЭП достаточно велико, суммарное электрическое поле на стенке будет всегда препятствовать выходу из нее электронов. В [157] показано, что в гладком волноводе с радиусом R, в котором распространяются волна мощностью P типа E0n с длиной и электронный пучок с током I, это условие выполняется при:

0.12 I 2 1 0.15 2 R P 4 > (2.3.3.1).

Здесь = (1 2 ) 2 — безразмерная скорость электронов РЭП, мощность измеряется в ГВт, а ток в кА. Для ЛОВ с выводом излучения в сторону коллектора (т. е. удвоением поля, см. Рис. 68), ток РЭП должен быть вдвое больше, чтобы удвоить компенсирующее электростатическое поле. Обозначив групповую скорость волны, нормированную на скорость света c как g, формулу (2.3.3.1) можно привести к виду: P[МВт] < 3. I 2 [kA] 2 R[cm] g (2.3.3.2) Неявно присутствующий в формуле радиальный индекс волны n "содержится" в скорости g. Дисперсионная характеристика используемого в наших экспериментах карсинотрона на моде E02 была измерена методом малого возмущающего тела [158], g 0.31. Для указанных выше параметров эксперимента (I 3.3 кА, 2 0.75) было получено условие постоянства знака электрического поля на стенке: P < 63 МВт. Как указано выше, эффективность СВЧ-генерации никогда не превышала ~ 100 МВт, а указанные исследования проводились при мощности до ~ 50 МВт. Т. о., автоэлектронная эмиссия со стенок карсинотрона была сама по себе невозможна. Бомбардировка стенки релятивистскими электронами. При попадании релятивистских электронов на стенку замедляющей структуры происходит активная десорбция молекул. Коэффициент десорбции (число молекул на одно столкновение) g растет с ростом энергии электрона, составляя g ~ 10 для 100 кэВ [156]. При наклонном падении электронов на поверхность этот коэффициент, как и коэффициент вторичной эмиссии электронов, еще более возрастает [159]. Ионизация газового слоя может происходить и самими релятивистскими электронами, и полем СВЧволны, но необходимо, чтобы изначально релятивистские электроны оседали на стенку замедляющей структуры. Электроны РЭП могут сорваться с ведущей силовой линии магнитного поля и осесть на стенке под действием сильного СВЧ-поля. Разрушение РЭП в поле СВЧ-волны с интенсивным, до 10% проходящего тока, выбросом электронов на стенку замедляющей структуры наблюдали авторы [138]. Механизм схода электронов с силовой линии ведущего магнитного поля предложен в [113]. "Наличие сильного СВЧ поля в пространстве взаимодействия генератора должно приводить к радиальному дрейфу частиц. Для оценки скорости такого дрейфа можно рассмотреть движение электронов в поле синхронной с пучком электромагнитной волны с учетом конечной величины ведущего магнитного поля. В предположении постоянства фазы волны относительно частиц задача сводится к анализу движения в эквивалентных статических полях. Скорость радиального дрейфа зависит от фазы влета частиц в генератор. Для оценки максимальной скорости дрейфа Vdr возьмем характерные значения амплитуд продольной компоненты электрического поля Еz = 100 кВ/см и азимутальной компоненты магнитного поля волны В = 300 Гс. В соответствии с формулой (система СИ) Vdr = E z B B при ведущем магнитном поле B0 = 7 кГс получим Vdr = 6105 м/с. При этом радиальное смещение частиц за время пролета ими генератора длиной L ~ 30 см может достигнуть нескольких миллиметров." Конец цитаты [113]. Авторы [150] привели более удобное для практического использования выражение для дрейфового смещения электрона по радиусу. Пренебрегая множителями ~ 1, его можно представить в виде:

100 kV E L cm r 0.33 cm 30 cm B 10 kG (2.3.3.3) Здесь L — длина пролета, E — электрическое поле СВЧ-волны, а B — ведущее магнитное поле. Авторы [150] подчеркивают, что дрейфовый сдвиг пропорционален произведению [ЕzВ], которое, в свою очередь, пропорционально полной мощности волны P.

Рис. 76. Зависимости [160] полного коэффициента отражения быстрых электронов RH от начальной энергии E0. Кроме электронов РЭП, движущихся от катода к коллектору, в замедляющей структуре присутствует еще одна группа быстрых электронов, а именно – электронов, отраженных от коллектора [160]. Их число достаточно велико, Рис. 76, а энергия достаточна, Рис. 77, чтобы преодолеть потенциальный барьер, образованный собственным зарядом РЭП. Последние экспериментальные исследования [161], подкрепленные численным расчетом, показали, что при далеком от предельного вакуумного значения токе РЭП отраженные электроны могут увеличивать потенциал пучка вдвое. Нетрудно видеть, что при указанных параметрах эксперимента (500 кВ, 3 кА), коллектор из меди может "возвратить" в замедляющую структуру до трети приходящих электронов с энергией в 300 кВ. Даже при расходящихся силовых линиях магнитного поля в районе коллектора число рассеянных на коллекторе электронов может быть достаточным для интенсивной бомбардировки стенок в замедляющей структуре. Экспериментальные факты, описанные ниже, это подтверждают. Итак, из четырех потенциально возможных механизмов образования плазмы непосредственно в замедляющей структуре СВЧ-генератора реально действующими могут быть только два, а именно, СВЧ-пробой на Рис. 77. Зависимости [160] энергии отраженных электронов E от начальной энергии E0. стенке и бомбардировка стенки релятивистскими электронами. В свою очередь, этими электронами могут быть как электроны, оторвавшиеся от прямого РЭП при его разрушении в поле СВЧ-волны, так и отраженные от коллектора. Если эмиссии со эффективность стенок, то СВЧ-генератора СВЧ-разряд настолько велика, что электростатического поля РЭП не хватает для подавления электронной может развиваться вполне самостоятельно и приводить к срыву СВЧ-генерации [143]. Заметим, что в условиях нашего эксперимента ситуация была другой. СВЧ-поле само по себе не способно было инициировать образование плазмы, поскольку его амплитуда была меньше амплитуды электростатического поля РЭП. С другой стороны, прохождение РЭП через электродинамическую систему само по себе не очень сильно влияет на длительность СВЧимпульса, судя по результатам эксперимента, описанного в Главе 1 (Рис. 43 на стр. 97). Там было показано, что длительность СВЧ-импульса оставалась примерно постоянной независимо от того, с какой задержкой относительно начала прохождения тока он появлялся. Иными словами, срыв процесса СВЧ-излучения в значительной степени определялся наличием самого СВЧ-излучения. Таким образом, в качестве механизма, ответственного за появление плазмы в замедляющей структуре вакуумного СВЧ-генератора, следует рассматривать совместные действия обоих факторов: СВЧ-поля и релятивистских электронов, движущихся в непосредственной близости от стенок замедляющей структуры.

§4. Расширение РЭП под действием СВЧ-излучения Расширение и даже разрушение структуры электронного пучка в сильном СВЧ-поле было описано в [138], где поток электронов генерировал в многоволновом черенковском СВЧ-генераторе мощность ~ 1010 Вт. РЭП проходил через металлический волновод с периодически переменным радиусом вблизи его стенки и терял при этом до 10% тока. Длительность импульса тока РЭП была ~ 1 мкс, однако СВЧ-импульс продолжался в течение всего 60 нс, т. е. имел место эффект укорочения СВЧ-импульса. Это явление специально изучалось позже в [113], где радиус электронного пучка микросекундной длительности был стабилизирован с помощью метода синхронной импульсной магнитной компрессии [32, 33]. Однако после включения СВЧ-генератора увеличение радиуса электронного пучка компенсировать не удавалось. Нами также были проведены исследования [162] транспортировки РЭП в карсинотроне и влияния на нее СВЧ-излучения в условиях, близких к [113] и значительно более "мягких", чем в [138]: мощность СВЧ-волны была на два порядка ниже. Целью изучения было получить зависимость параметров СВЧ-импульса от радиуса РЭП, хотя мы и понимали, что для карсинотрона с циклотронной селекцией мод интерпретация результатов может быть непростой. Для изменения радиуса РЭП использовался эффект, проиллюстрированный на Рис. 5, стр. 30: сдвиг фазы импульсного магнитного поля при наличии металлических деталей. Этот эффект позволял несколько уменьшить индукцию магнитного поля в замедляющей структуре (медном карсинотроне с толщиной стенки ~ 1 мм) практически без изменения ее в других частях установки. Ослабление магнитного поля приводило к увеличению радиуса РЭП в карсинотроне, и при некотором значении индукции поля - к осаждению внешней части пучка на стенки. Схема эксперимента представлена на Рис. 11, стр. 39. Рентгеновский ФЭУ с коллиматором диаметром 6 см (примерно равным внешнему диаметру гофров) регистрировал осаждение электронов на стенки в середине карсинотрона, где магнитное поле было минимально, и силовая линия с внутреннего радиуса диафрагмы ближе всего подходила к поверхности СВЧ-генератора. Для фиксации внешнего радиуса электронного пучка была установлена анодная диафрагма. Эксперименты проводились как при отсутствии СВЧ-генерации (гофры карсинотрона были закрыты гладкой тонкостенной трубой), так и при работающем СВЧ-генераторе. Без СВЧ-поля рентгеновский сигнал, свидетельствующий о касании стенок электронным пучком, появлялся в точном соответствии с расчетным значением индукции магнитного поля. Силовая линия магнитного поля, проходившая по краю диафрагмы, касалась (с точностью 0.5 мм) стенок гладкой трубы, что и приводило к осаждению адиабатически движущихся электронов. При этом осаждение пучка на поверхность наблюдалось более или менее равномерно в течение всего импульса тока РЭП.

Рис.

78.

Ограничение СВЧ-импульса вследствие РЭП бомбардировки [162]: а – поверхности карсинотрона электронами рентгеновский сигнал;

б – СВЧ-излучение. При работающем СВЧ генераторе касание стенок электронами наблюдалось, когда радиус соответствующей магнитной силовой трубки был, по крайней мере - в пределах чувствительности метода - на 2 мм меньше внутреннего радиуса гофров. При сравнительно малом радиусе РЭП рентгеновские сигналы отсутствовали, а мощность и длительность СВЧ излучения были максимальными. Когда радиус электронного пучка увеличивался, то и можно было видеть короткий (< 30 нс) рентгеновский сигнал, синхронизированный увеличении с задним фронтом СВЧ-импульса, электронная длительность которого при этом несколько уменьшалась, Рис. 78. При дальнейшем радиуса в электронного течение пучка бомбардировка поверхности процесса СВЧ-генерации становилась более продолжительной, а мощность и длительность излучения снижались. Нам не удалось, к сожалению, уверенно регистрировать рентгеновские сигналы из центра карсинотрона при каждом импульсе СВЧ-генератора. Мы полагаем, это связано с тем, что выброс электронов на стенки мог происходить по всей длине замедляющей структуры, а не только там, где был установлен приемник рентгеновского излучения. Кроме того, чувствительность метода была ограничена уровнем фонового излучения в системе. Калибровка рентгеновского приемника с помощью диафрагм генератора. Этот эксперимент показал, что СВЧ-поле увеличивает внешний радиус электронного пучка в области наблюдения, по крайней мере, на 2 мм, и что интенсивная электронная бомбардировка гофров вызывает срыв генерации СВЧ-излучения, причем после этого срыва процесс генерации не восстанавливается. различного диаметра показала, что фон соответствует бомбардировке металла электронами с током < 1 А/см по длине §5. Отраженные электроны с коллектора В работах [163, 164] и других указывалось на наличие электронов, движущихся в направлении, обратном основному потоку электронов и обусловленных отражением от коллектора. Нами были проведены эксперименты по регистрации релятивистских электронов, отраженных от коллектора. Исследовалась как система с поворотом пучка, Рис. 65 на стр. 140, так и случай коаксиального развала РЭП на поверхность рупора, Рис. 64 на стр. 139. Кроме особо оговоренных случаев, СВЧ-излучение в этой серии экспериментов отсутствовало: гофры карсинотрона были закрыты гладкой трубой. Мишень из окрашенной нержавеющей стали устанавливалась на пути электронного пучка между замедляющей структурой и рупором. Автограф электронного пучка вырезался, и в дальнейшем пучок проходил через отверстие в мишени, соответствующее его поперечному размеру. Со стороны коллектора на мишени располагалась астралоновая пленка, чувствительная к попаданию на нее электронов. Пленка частично по Рис. 79. Коаксиальная система. След на астралоновой мишени: обратные электроны с коллектора на выходе замедляющей структуры.

азимуту закрывалась тонкой алюминиевой фольгой толщиной 10 мкм. Фольга применялась, чтобы предотвратить попадание медленных частиц на чувствительную пленку и регистрировать только быстрые частицы: через нее могли проникать электроны с энергией > 40 кэВ [53]. При коаксиальном развале пучка на поверхность рупора было зарегистрировано потемнение астралона по контуру отверстия в мишени на ширину 3 4 мм, Рис. 79. Интенсивность уменьшалась к периферии.

Рис. 80. Система с поворотом пучка. След на астралоновой мишени: обратные электроны с коллектора на выходе замедляющей структуры. Горизонтальные линии справа — камера удаленного коллектора.

Это означало, что электроны с коллектора преодолевали потенциал пучка ( 100 кВ) и алюминиевую фольгу ( 40 кэВ) и вызывали потемнение пленки. При этом степени потемнения участков закрытых фольгой и открытых практически не отличались. В системе с поворотом пучка затемненный участок астралона имел серповидную форму: прямой и обратный трубчатые пучки конечной толщины дрейфовали в одну сторону, Рис. 80. Максимальная ширина “засветки” составляет 13 мм, т. е. соответствует двойной величине дрейфового сдвига электронов пучка на повороте, см. стр. 143.

Рис. 81. Система с поворотом пучка. След на астралоновой мишени: обратные электроны с коллектора на диафрагме. Кроме мишени на выходе замедляющей структуры астралон устанавливался также на анодной диафрагме со стороны коллектора. На Рис. 81 видны отпечатки серповидной формы, т. е. обратные электроны распространяются между РЭП и стенкой и попадают на гофры СВЧгенератора: ширина “засветки” составляет всего 3 мм, а на выходе карсинотрона (Рис. 80) прямой и обратный пучки рассовмещены на 13 мм. Было также подтверждено [160], что коллектор из нержавеющей стали создает существенно более интенсивный поток отраженных электронов, чем графитовый коллектор. Напомним, что энергия проникающих через фольгу частиц > 40 кэВ. Таким образом, было экспериментально показано, что в замедляющей структуре СВЧ-генератора присутствуют отраженные от коллектора релятивистские электроны, которые оседают на ее стенки. А оседание электронов на стенку в работающем карсинотроне, как показано выше в §4, является достаточным условием срыва процесса СВЧгенерации. Для уменьшения числа отраженных с коллектора электронов можно применять развал РЭП на коллектор большой площади, расположенный в слабом магнитном поле, или/и осаждение пучка на коллектор под малым углом (исходя из результатов [164]). Это, однако, не гарантирует полного отсутствия в карсинотроне частиц с коллектора. Чтобы полностью избавиться от них, прямой и обратный пучки электронов должны быть разделены в пространстве. Это можно сделать, используя дрейф электронов в неоднородном магнитном поле [165], например, если камера коллектора представляет собой часть тора, и пучок поворачивает в ней на некоторый угол, Рис. 82. Рассмотрим такую систему подробнее.

Пусть трубчатый электронный пучок имеет радиус r0 в поле B0 в замедляющей структуре. В процессе адиабатического движения в камере дрейфа в поле B его радиус равен r = r0 B0 B (2.3.5.1) Рис. 82. Способ [166] полного удаления отраженных от коллектора электронов из СВЧ-генератора. Сечения РЭП: 1 — на входе в камеру коллектора 4;

2 — на коллекторе 5;

3 — на ловушке. Для полного рассовмещения двух пучков необходимо, чтобы каждый из них при прохождении поворотной камеры смещался на расстояние, равное радиусу: 0 = r. Используя ф. (2.3.5.1) и результаты раздела 1 на стр. 142, нетрудно получить, что угол поворота пучка в камере равен:

= e r0 B0 B mc 2 2 (2.3.5.2) Для = 2, r0 = 2 см, B0 = 9 кГс и ~ необходимо поле в камере поворота B = 1.5 кГс, причем B.

Оценим энергетические затраты на создание магнитного поля такой конфигурации, а для этого посчитаем энергию W магнитного поля B в объеме трубчатого пучка радиуса r длиной R:

W= 3 B2 e 2r r 2 R =... = B0 0 8 8 mc RB 2 (2.3.5.3) Здесь R — радиус поворота пучка, т. е. большой радиус тора. Видно, что здесь W B, а учитывая, что B понятно, что величину B выгодно уменьшать. Уменьшение B возможно до предела, определяемого адиабатичностью движения электронов. Последнее осуществимо при R > (23)r, а ларморовский шаг электрона mc 2 e 2 B r, откуда следует R B-1, что с учетом (2.3.5.3) и определяет нижнюю границу W, а также величины R, B и др. Численные расчеты, проведенные по описанному алгоритму, показывают, что энергоемкость такого коллекторного узла в несколько раз меньше, чем энергия магнитного поля в диоде и генераторной секции. Для полного рассовмещения прямого и обратного электронных потоков в условиях описываемой экспериментальной установки (см. стр. 163) достаточно осуществить дополнительный поворот РЭП на угол = 180° в магнитном поле 900 Гс с радиусом R 30 см.

Описанный метод был реализован, см. Рис. 83, и позволил полностью устранить отраженные от коллектора электроны в замедляющей структуре, что было проверено с помощью описанной выше методики. После устранения отраженных электронов длительность СВЧимпульса увеличилась до 400 нс, но при этом эффект укорочения остался: СВЧ-излучение прекращалось задолго до окончания прохождения тока через генератор.

Рис.

83.

Релятивистский СВЧ-генератор с полным устранением отраженных от коллектора электронов. Белая стрелка — камера дрейфовой ловушки [166] отраженных электронов.

4. Механизм укорочения и способы увеличения длительности СВЧ-импульса Выше было показано, что существует несколько причин возможного срыва процесса генерации СВЧ-излучения в релятивистском генераторе. Все они связаны с появлением плазмы в той или иной части генератора, но большинство из этих причин можно полностью преодолеть. Сильноточные РЭП с параметрами, постоянными в течение микросекундных интервалов времени, можно генерировать с помощью взрывоэмиссионных поперечно-лезвийных катодов. При наличии такого катода и недопущении электронов, эмитированных с катододержателя, в канал транспортировки РЭП исчезают причины появления плазмы на диафрагме (и вообще необходимость в диафрагме как таковой). Проблема плазмы коллектора и отраженных с него электронов решается с помощью удаленного коллектора с поворотной камерой-ловушкой. Наши эксперименты проводились с СВЧ-генератором одного типа, релятивистским карсинотроном с циклотронной селекцией мод, и наиболее трудная, не решенная полностью проблема связана именно с плазмой, образующейся непосредственно в замедляющей структуре. Было показано, что плазма появляется на стенке структуры, а причиной тому может быть бомбардировка стенки электронами и последующий СВЧразряд.

§1. Модель укорочения СВЧ-импульса в высокоэффективном генераторе излучения Электрическое поле на стенке замедляющей структуры складывается из двух компонентов: поля СВЧ-волны и поля собственного заряда электронов пучка. Если поле РЭП достаточно велико, суммарное электрическое поле на стенке будет всегда препятствовать выходу из нее электронов. Выше на стр. 166 приводились оценки, показывающие, что в условиях нашего эксперимента (I 3.3 кА, 2 0.75) электрическое поле на стенке не меняет знак при P < 63 МВт, а исследования проводились при мощности до ~ 50 МВт. Таким образом, изначально автоэлектронная эмиссия со стенок карсинотрона была невозможна. Модель укорочения СВЧ-импульса в карсинотроне с высокой эффективностью рассмотрена в [151], она сводится к следующему. Знакопеременное электрическое поле СВЧ-волны вызывает вторичноэмиссионный электронный разряд (ВЭР) на стенке [153]. Разряд вызывает десорбцию газа со стенки. Газ ионизируется в СВЧ-поле сначала электронами со стенки, а потом и накопленными при образовании плазмы. Плазма, объем которой лавинообразно увеличивается, распространяется по радиусу и длине СВЧ-генератора, приводя к срыву излучения. Таким образом, причиной начала образования плазмы является СВЧ-разряд на стенке. Анализ, проведенный в [151], показал, что процесс увеличения концентрации плазмы происходит в три этапа. Сначала, когда концентрация образующейся плазмы np мала, оба процесса, десорбция и ионизация, определяются электронами ВЭР, и np растет линейно со временем t. На второй стадии десорбцию газа все еще определяют электроны ВЭР, а в процесс ионизации газа включаются сами электроны плазмы, dn p dt n p, т.е. np растет экспоненциально. И, наконец, np настолько возрастает, что определяет оба процесса десорбции и ионизации. Тогда dn p dt n 2, т. е. концентрация плазмы np стремится к бесконечности за p некоторое конечное время. Это время и считается временем СВЧизлучения.

В модели [151] первопричиной пробоя является знакопеременное электрическое поле на стенке. Только оно определяет накопление плазмы в начале процесса, на линейной стадии и, частично, на экспоненциальной. Мы ставили перед собой изначально другую задачу: если СВЧ-поле на стенке замедляющей структуры не будет знакопеременным, означает ли это, что эффекта укорочения СВЧ-импульса можно избежать? В этом случае эффективность СВЧ-генератора должна быть мала, не превышая нескольких процентов, но микросекундная длительность могла бы восполнить энергию в импульсе. В наших экспериментах описанная в [151] причина укорочения СВЧ-импульса отсутствовала, т. к. кпд СВЧ-генератора не превышал 3%. Однако даже при такой низкой эффективности существуют причины образования показывают схема плазмы, данные мешающей длительной такой СВЧ-генерации. причиной Как экспериментов, является бомбардировка стенок релятивистскими электронами. В общих чертах развития пробоя, прекращающего процесс СВЧ-генерации, следующая. Стенки замедляющей структуры бомбардируют релятивистские электроны, отраженные от коллектора, или под действием СВЧ-поля происходит разрушение РЭП с уходом части электронов на стенки. Попадание электронов на стенку влечет за собой десорбцию газа и его ионизацию. Компенсация заряда РЭП делает возможным СВЧ-разряд, который в дальнейшем приводит к накоплению плазмы в объеме пространства взаимодействия РЭП с СВЧ-волной. Через некоторое время количество плазмы становится столь большим, что процесс СВЧгенерации срывается. Т. о., процесс накопления плазмы в случае сравнительно малой эффективности СВЧ-генератора также происходит за несколько этапов, ниже они рассмотрены подробнее.

§2. Компенсация заряда РЭП до начала СВЧ-излучения Причиной, порождающей появление плазмы и в дальнейшем приводящей к укорочению СВЧ-импульса, оказываются релятивистские электроны, которые оседают на поверхности электродинамической системы. Известное значение порога образования коллекторной плазмы меняется в широких пределах от 0.1 Дж/см2 [167] до 2 Дж/см2 [48]. Плотность тока РЭП обычно достигает ~ 1 кА/см2, или ~ 1 Дж/(см2нс), это значит, что при оседании электронов на поверхность коллектора плазма на ней образуется за время ~ 1 нс. Оказывается, что для начала образования плазмы не нужна такая высокая плотность потока электронов (1 кА/см2 21011 см-3 для 1). Покажем [168], что если релятивистские электроны десорбируют газ с поверхности, а затем его ионизируют, плотность тока, необходимого для образования плазмы, может быть намного меньше. Десорбция газа с поверхности описывается уравнением:

nm vm = g b ub nb sin + g e ve n p (2.4.1.2а) где nm и vm — концентрация и скорость молекул газа;

gb и ge — коэффициенты десорбции молекул электронами релятивистского пучка и образующейся плазмы, соответственно;

ub и nb — скорость и концентрация релятивистских электронов;

— угол между скоростью релятивистского электрона и поверхностью (т. наз. "угол скольжения");

np — концентрация образующейся плазмы, ve — скорость ее электронов. Здесь первый член в скобках описывает десорбцию газа релятивистскими электронами, а второй — электронами образующейся плазмы. Ионизация газа происходит по закону:

dn p dt = n m ( b u b nb + e v e n p ) (2.4.1.2б) где b и e — сечения ионизации газа электронами ВЭР и плазмы, соответственно. Аналогично (2а), первый член в скобках описывает ионизацию газа электронами РЭП, а второй — электронами образующейся плазмы. Формулы (2.4.1.2а) и (2.4.1.2б) вместе можно переписать в виде:

dn p dt = u g e ve g bub sin nb + n p e ve b b nb + n p vm g e ve e ve (2.4.1.2) Коэффициент десорбции [154] растет от ge ~ 10-3 молекул на электрон при энергии бомбардировки ~ 100 эВ [155] до gb ~ 10 при 70 кэВ [156]. Сечение ионизации молекул газа релятивистскими электронами b 310-18 см2, сечение ионизации электронами с энергиями (100 — 1000) эВ — e 310-16 см2. Скорость ve электронов образующейся плазмы определяется E ~ B дрейфом под действием электростатического поля РЭП E и ведущего магнитного поля B. При E ~ 105 В/см и B ~ 10 кГс она равна ve ~ vdr = c 109 см/с. Скорость релятивистских электронов ub c, а тепловая скорость молекул газа vm ~ 105 см/с. Угол осаждения релятивистских электронов на стенку соответствует питч-углу электронных траекторий. Величина sin зависит от происхождения электронов. Для электронов РЭП питч-угол был измерен в [52]: ~ 0.1. Для отраженных с коллектора электронов (особенно для прошедших из слабого магнитного поля на коллекторе в более сильное) этот угол больше: ~ 1. Коэффициент десорбции gb растет с уменьшением угла бомбардировки относительно поверхности. Учитывая также, что gb ~ 10 при 70 кэВ и растет с ростом энергии электронов, оценим произведение gbsin ~ 10.

Принимая такие оценки, из ф. (2.4.1.2) получим:

dn p dt ~ 3 10 6 3 10 5 nb + n p 0.3 nb + n p [ ][ ] (2.4.1.3) Таким образом, сначала (np << nb) происходит линейный по времени рост числа дрейфующих у стенки электронов np, когда и десорбция, и ионизация определяются электронами РЭП. Затем (np > nb) ионизация газа начинает определяться дрейфующими электронами, и рост np становится экспоненциальным. И, наконец, значительная величина np >> 105 nb начинает определять оба процесса, десорбции и ионизации. Плазма как квазинейтральная среда со специфическими свойствами в этом процессе не образуется. Этому мешает характер движения частиц в электростатическом поле пространственного заряда РЭП E ~ 105 В/см.

Рис. 84. Движение ионов i и электронов e в поле пространственного заряда РЭП E и ведущем магнитном поле B. Ведущее магнитное поле B ~ 104 Гс практически не препятствует уходу по направлению к оси образовавшихся ионов, и характерное расстояние d ~ 1 см между стенкой и РЭП ионы проходят за 2dM eE ~ 10 нс. Максимально возможный ток ионов (протонов) к оси можно 2 [ B]. Для оценить по закону “3/2” для плоского диода J 5.44 10 2 d [cm] потенциала Ф = 100 кВ и d = 1 см плотность тока протонов может достигать 1.7 А/см2, что соответствует потоку частиц ~ 1019 см-2с-1. При достаточном количестве ионов в пристеночном слое для полной компенсации заряда РЭП с поверхностной плотностью частиц ~ 1011см-2 необходимо то же самое пролетное время ~ 10 нс. Т. о., за рассматриваемые сторону РЭП. Электроны, образующиеся на расстоянии от поверхности металла, меньшем h = ve E mc mc 2 E = 2c =2 B eB e B промежутки времени порядка десятков и сотен наносекунд ионы практически беспрепятственно уходят от стенки в ~ 10-2 см, см. Рис. 84, оседают на стенку. Здесь — циклотронная частота электронов. Это происходит до момента времени t0, когда газ расширяется настолько, что его ионизация начинает происходить на расстояниях vmt0 ~ h от стенки, т.е. примерно через:

t0 = 2 ve 1 mc 2 E =2 evm B 2 vm (2.4.1.4) Для E ~ 105 В/см и B ~ 104 Гс это время ~ 100 нс после начала бомбардировки стенок. Тогда электроны начинают дрейф в скрещенных полях — электростатическом поле РЭП и ведущем магнитном поле — и приобретают скорость vdr = cE/B ~ 109 см/с, т. е. энергию ~ 300 эВ. Для процессов, описываемых уравнением:

dn = A[B + n][C + n], B >> C, dt характерные времена развития на любой стадии одинаковы и равны (AB)-1. Действительно, при n < C и dn dn dn ~ ABC это время равно t1 = n ~ C. dt dt dt dn ~ ABn весь dt 1 Для C << n << B и экспоненциального роста по закону процесс длится в ln dn ~ An 2 dt B B1 раз дольше: t 2 ~ ln. И, наконец, при B < n и C C AB 11 = At n0 n величина n меняется по "взрывному" закону с начального значения n0 ~ B, т. е. n = B1 процесса составляет ~ 2 + ln. C AB B. Т. о., полная длительность 1 ABt Компенсация РЭП ионами и накопление у стенки электронов, описываемое временем t1 ~ vm 1 e ve ub g b sin nb выражением ф. (2.4.1.2), происходит с характерным (2.4.1.5) и продолжается в ln g b sin e + 2 раз дольше. Учитывая оценочные ge b значения величин и ф. (2.4.1.4), нетрудно получить, что nbt1 ~ 1[c/см3], а полная длительность процесса ttotal[c] ~ 10[c/см3]/nb[см-3]. Для E ~ 105 В/см и B ~ 104 Гс и при плотности тока релятивистских электронов на стенку ~ 0.1 А/см2 (т. е. при nb ~ 107 [см-3]) начальное накопление газа, линейная и взрывная стадии накопления электронов длятся по ~ 100 нс, а полная продолжительность процесса примерно на порядок больше. Изложенные оценки позволяют проследить зависимость скорости накопления электронов от магнитного поля. Время t E задержки до B начала экспоненциального роста числа электронов, дрейфующих по азимуту вдоль стенки СВЧ-генератора, быстро уменьшается с ростом поля. А общая продолжительность накопления электронов t total B1 E nb (2.4.1.6) линейно растет с ростом магнитного поля и падает с ростом электрического. С ростом плотности тока бомбардировки стенок, т. е. концентрации релятивистских электронов n b, время накопления электронов уменьшается.

Бомбардировка единицы поверхности релятивистскими электронами за характерное время t1 происходит с энергией W ~ mc2nbtlcsin= mc3(nbtl) sin~ 10-4 Дж/см2. Общее время накопления электронов у стенки ~10tl, а энергия бомбардировки поверхности за это время ~ 10-3 Дж/см2. Заметим, что эта величина намного меньше приведенного в [167] порога образования коллекторной плазмы 0.1 Дж/см2. Итак, рост числа электронов, дрейфующих по азимуту вдоль стенки СВЧ-генератора, и последующая компенсация заряда РЭП могут быть вызваны весьма незначительной по интенсивности бомбардировкой стенки релятивистскими электронами. Это могут быть, например, электроны, отраженные на коллекторе при традиционном, аксиально-симметричном развале пучка. Такую плотность тока они вполне могут обеспечить, как было показано в [163, 161]. Процесс накопления у стенки СВЧ-генератора молекул газа и электронов определяется наличием радиального электростатического поля РЭП. Поэтому процесс замедляется по мере компенсации заряда РЭП ионами и заканчивается к ее завершению. К моменту завершения компенсации заряда РЭП ионами у стенки образуется слой газа с поверхностной плотностью m = nbttotalubgbsin ~ 1012 см-2 и электроны с поверхностной плотностью ~ 1011 см-2, равной поверхностной плотности электронов РЭП. СВЧ-поле полностью ионизирует этот газ за время (nmeve)-1 = ttotal(meve/vm)-1 < ttotal даже без электронной эмиссии со стенки. В результате на поверхности замедляющей структуры образуется слой плазмы с поверхностной плотностью ~ 1012 см-2. Напомним еще раз, что рассмотренные процессы могут протекать, во-первых, с характерным временем в десятки и сотни наносекунд и, вовторых, в отсутствие СВЧ-поля. Наличие СВЧ-поля, появляющегося на стенке после частичной компенсации пространственного заряда РЭП, приводит к появлению электронной эмиссии с нее и дополнительного включения механизма, описанного в [151]. Это, в свою очередь, ускоряет процессы компенсации заряда РЭП, накопления плазмы и срыва СВЧимпульса.

§3. Накопление плазмы в СВЧ-поле и срыв СВЧ-генерации Скорость и сам механизм накопления плазмы в СВЧ-поле сильно зависят от мощности и эффективности СВЧ-генератора. В карсинотроне с большой мощностью и высокой эффективностью, рассмотренном в [151], рождение плазмы определялось наличием знакопеременного СВЧ-поля большой амплитуды на стенке замедляющей структуры. Поэтому, хотя мощность СВЧ-излучения находилась на гигаваттном уровне, его длительность была сравнительно невелика, ~ 10 нс. При микросекундной длительности бомбардировки импульса стенок наличие даже относительно слабой к релятивистскими электронами приводит компенсации заряда РЭП ионами. А это значит, что для рассмотренного в [151] механизма укорочения СВЧ-импульса созданы все условия. Напомним, что моменту завершения компенсации заряда РЭП ионами у стенки образуется слой плазмы с плотностью ~ 1012 см-2. В дальнейшем микроплазменный механизм [169] (возбуждение e2 E 2 4m униполярных дуг) будет способствовать накоплению плазмы и ее распространению внутри СВЧ-генератора. Электроны с энергией ~ ~ 100 эВ ( — частота поля, e и m — заряд и масса электрона) уходят вдоль силовых линий магнитного поля, а плазма приобретает потенциал ~ 100 В относительно заземленной поверхности СВЧ-генератора. Дебаевский радиус плазмы со скоростью электронов ve ~ 109 см/с равен ve/0 ~10-3 см, поэтому среднее (без учета микроострий) электрическое поле у стенки ~ 105 В/см вызовет эмиссию электронов из металла. В результате — разогрев, образование “новой” плазмы с энергией электронов порядка потенциала ионизации, ее разогрев и т. д. Размер плазменного образования при этом может быть много меньше длины волны излучения. Образующаяся плазма растекается со скоростью ~ v e m ~ 107 см/с, M закорачивая гофры и перекрывая сечение волновода за время ~ 100 нс. В численных экспериментах [143] максимальное поглощение СВЧ-волны в карсинотроне достигалось при концентрации плазмы всего 0.51012 см-3, так что на самом деле процесс укорочения СВЧ-импульса может проходить еще быстрее. Таким образом, если появление СВЧ-волны в генераторе с микросекундной длительностью импульса тока предваряет даже слабая бомбардировка стенки релятивистскими электронами, срыв процесса СВЧизлучения неминуем. Такая бомбардировка может быть следствием, например, отражения электронов РЭП от коллектора. Здесь будет уместно сделать одно дополнение к результатам наших экспериментов по СВЧ-генерации в системе с осесимметричным развалом РЭП. Мы использовали два варианта развала РЭП 4 см: непосредственно за карсинотроном на 6 см или несколько дальше в рупоре на 12 см. Понятно, что во втором случае электроны, отраженные на коллекторе, встречаются с более сильной магнитной пробкой, поэтому и интенсивность бомбардировки ими гофров ниже. Выяснилось, что длительность СВЧ-излучения в первом варианте всегда была меньшей, чем во втором, а иногда процесс СВЧ-генерации вовсе не начинался, чего при использовании развала на 12 см в рупоре никогда не случалось. СВЧ-волну в генераторе с микросекундной длительностью импульса тока может не предварять, а сопровождать бомбардировка стенки релятивистскими электронами основного, рабочего электронного пучка. Механизм ухода электронов РЭП на стенки СВЧ-генератора был предположен в [113], см. стр. 167, он связывался с радиальным [ЕzВ] дрейфом в поле СВЧ-волны, скорость которого пропорциональна мощности излучения. Оценки влияния этого механизма, приведенные в [113] и [150], показывают, что в поле Еz ~ 100 кВ/см величина дрейфового сдвига по радиусу может достигнуть нескольких миллиметров. Позднее процесс разрушения РЭП изучался в [170], где рассматривалась диффузия электронного пучка в турбулентных полях. Было показано, что заметное, порядка нескольких миллиметров, расширение РЭП происходит в полях еще меньшей амплитуды, Еz ~ 10 кВ/см. Хотя результаты оценок скорости ухода электронов на стенку по указанной модели не противоречат результатам экспериментов [138, 171, 28], где наблюдали разрушения РЭП, механизм этого разрушения может быть сложнее и к настоящему времени до конца не изучен. Однако факт остается фактом: поскольку расстояние от РЭП до стенки карсинотрона 3-см диапазона длин волн не превышает нескольких миллиметров, оседание на стенку части релятивистских электронов имеет место даже при сравнительно малых величинах СВЧ-полей [28]. Механизм образования плазмы был рассмотрен выше. Для рассматриваемого случая — наличия СВЧ-поля — единственной разницей является дополнительное движение электронов в СВЧ-поле. Но эта разница несущественна, т. к. электростатическое поле РЭП Е± и СВЧ-поле Е~ имеют один порядок величины, и дрейфовые скорости электронов под действием этих полей примерно одинаковы, ~ 109 см/с, и соответствуют энергии в несколько сотен эВ. При некоторой фантазии из приведенных соображений можно получить любопытное следствие ф.(2.4.1.5), оценивающее характерную длительность электронов, СВЧ-импульса до срыва.

Формулу (2.4.1.5) можно переписать в виде: t1ve(nbubsin) ~ const. Здесь ve — дрейфовая скорость пропорциональная электрическому полю СВЧ-волны: ve E~ P1/2, где P — мощность излучения, а выражение nbubsin — это поток электронов на стенку. Представим теперь, что, как и в модели [113], радиальная скорость ухода электронов пропорциональна мощности излучения: ubsin P. Тогда приведенное соотношение представимо в виде: t1P3/2 ~ const. Это выражение хорошо известно экспериментаторам: чем больше мощность СВЧ-импульса, тем меньше его длительность. В [143] было показано, что "нелинейный характер чисто электронного поглощения делает его недостаточным для прекращения генерации", поскольку "чисто электронная нагрузка не может оказывать влияния на стартовый ток ЛОВ". Это следует из того, что мощность СВЧволны P E2, а ток электронов, эмитированных со стенки и ограниченный только пространственным зарядом, j E3/2. Поэтому полях E. Срыв СВЧ-генерации определяется именно наличием плазмы, которая искажает дисперсионные свойства волновода или изменяет параметры РЭП. Для оценки концентрации плазмы, приводящей к срыву СВЧ-генерации, будем считать плазму трубчатой. Дисперсионное соотношение для возбуждения электронами пучка низшей E-моды трубчатой плазмы [172]:

2 ktr = 2 c 2 k 2 + ktr c 2 1 2 + z =0, 2 p ub E j 0 при малых P ( ) где 1 R rp ln rp. Здесь ub —скорость электронов РЭП, p — ленгмюровская частота плазмы, kz — продольное волновое число, R — радиус волновода, r и — соответственно, толщина и радиус плазменного столба. В длинноволновом 2 p пределе kz (на пороге возбуждения):

Pages:     | 1 || 3 | 4 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.