WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 |   ...   | 2 | 3 ||

«Министерство образования РФ Ярославский государственный университет им. П.Г.Демидова На правах рукописи УДК 621.315.592 ЗИМИН Сергей Павлович Электрофизика пористого кремния и структур на его основе ...»

-- [ Страница 4 ] --

Прежде всего необходимо было ответить на вопрос о том, являются полученные пленки сплошными или наследуют пористую структуру ПК? Особенно актуальным этот вопрос является для макропористого кремния с диаметром пор около 1 мкм и для аморфизированной пористой пленки на поверхности, где размеры пор могут быть еще больше. Исследования проводились на акустическом микроскопе ELSAM в оптическом режиме и на электронном микроскопе JEOL JSM-5400. Было установлено, что на мезо- и микропористом кремнии с удаленной или неразвитой аморфной пленкой алюминиевая металлизация является сплошной и однородной уже при толщинах более 0,2 мкм (рис. 7.1,а). Своеобразное поведение отмечено для мезопористых слоев с толстой (1мкм) аморфной пленкой на поверхности и содержащей крупные поры выхода газообразных продуктов электрохимических реакций. Поверхность пленки Al толщиной 0,8 мкм в этом случае имела заполненные металлом кратеры и редкие сквозные поры (рис.7.1,б). Наиболее дефектная структура пленки Al наблюдалась для макропористого кремния на КЭФ-4,5 (100) с неудаленной аморфной пленкой. Это проиллюстрировано на серии микрофотографий, приведенных на рис.7.2. На рис.7.2,а показана поверхность аморфизированной пленки на ПК, имеющая крупные поры. Рис.7.2,б демонстрирует поверхность ПК после плазмохимического удаления аморфной пленки. На рис. 7.2,в приведена микрофотография алюминиевой пленки толщиной 0,5 мкм, напыленной на ПК с аморфным слоем. Поверхность Al в этом случае содержит крупные сквозные поры размерами до 5-10 мкм и более мелкие заполненные кратеры. Изучение кристаллической структуры алюминиевых пленок проводилось на дифрактометре ДРОН-1УМ в излучении кобальтового источника (=1,79 ). Было установлено, что изучаемые пленки в общем случае являются поликристаллическими. Такое свойство типично для алюминиевой металлизации на кремнии и диоксиде кремния и не содержит ничего необычного. Однако оказалось, что в определенных условиях на поверхности ПК может быть сформирована аксиально текстурированная пленка Al. Такой поверхностью является второй пористый слой на катодной стороне кремниевой пластины в методе Унно-Имаи, подробно описанный в разд.1.4. Это проиллюстрировано следующим экспериментом. Алюминиевые пленки толщиной 0,5 мкм наносились методом термовакуумного напыления в обычных режимах на катодную и анодную стороны пластин КЭС-0,01 и КДБ-0,03 ориентации (111) с последующим отжигом в инертной среде 300°С в инертной среде 20 минут. Пленки Al имели зеркальную поверхность и высокую адгезию к обеим сторонам а б Рис.7.1. Поверхность алюминиевых пленок на мезопористом кремнии (а) и на мезопористом кремнии с толстой поверхностной пористой аморфизированной пленкой (б). L= 100 мкм.

а б в Рис.7.2. а -микрофотография поверхностной аморфизированной пленки на ПК, б поверхность ПК после плазмохимического травления, в - поверхность алюминиевой пленки, нанесенной на аморфный (рис.7.2,а) слой ПК. L=100 мкм.

кремниевой пластины. На рис.7.3 приведены типичные штрих-дифрактограммы для Al пленок, полученных на катодной и анодной сторонах пластины. Как следует из приведенных дифрактограмм (рефлексы от кремниевой подложки опущены), на анодной стороне наблюдается формирование поликристаллической структуры алюминиевых пленок. В этом случае имел место рост кристаллитов с ориентациями [111], [100], [110], [311]. Преимущественным направлением, согласно таблицам интенсивностей из работы [428], являлось направление [111]. Аналогичная структура пленок фиксировалась нами на исходных кремниевых подложках, что типично для алюминиевой металлизации на кремнии [429]. На катодной стороне кремниевой пластины наблюдались только рефлексы Al (111) и Al (222). Это свидетельствует о росте текстурированной алюминиевой пленки с ориентацией кристаллитов в направлении [111] вдоль нормали к поверхности. Ширина рефлексов на половине высоты не превосходила аппаратную ширину, что позволяет говорить о том, что области когерентного рассеяния в алюминиевых пленках превышают 1000. Возможность выращивания строго (111)-ориентированной пленки алюминия на ПК, по всей видимости, имеет ту же природу, что и рост ориентированных пленок кубического -GaN [425] и Pb(ZrxTi1-x)O3 [426] на пористом подслое. Особенностью пористого слоя на катодной стороне кремниевой подложки является полное отсутствие аморфизированной фазы на поверхности, что способствует ориентированному росту алюминиевой металлизации. Полученные результаты являются очень важными с точки зрения разработки путей создания алюминиевой металлизации с повышенным сопротивлением к эффекту электромиграции. Известно, что это явление, приводящее к нарушению целостности токоведущих дорожек при высоких плотностях тока [430], связано с переносом алюминия по границам зерен в поликристаллической пленке и может быть уменьшено при помощи специальных приемов. Одним из таких способов является получение алюминиевых слоев с [111] аксиальной текстурой [431-433], что связано с меньшей подвижностью алюминия по границам зерен в пленках с такой ориентацией. Полученные экспериментальные результаты по росту [111] текстурированных алюминиевых пленок на катодной стороне кремниевых пластин являются одним из приемов создания металлизации с повышенным сопротивлением явлению электромиграции.

Рис.7.3. Штрих-дифрактограммы для алюминиевых пленок на анодной (а,б) и катодной (в,г) сторонах пластины. Кремний КДБ-0,03 - а,в, КЭС-0,01 - б,г.

7.2. Особенности структурных и электрических параметров стеклообразных пленок As2Se3 на пористом кремнии Халькогенидные стеклообразные полупроводники (ХСП) по некоторым своим свойствам отличаются от аморфных Si и Ge, что объясняется иным характером их электронной структуры в сравнении с полупроводниками тетраэдрического строения [42]. Атомы двухвалентных халькогенов образуют друг с другом цепи, кольца и ван-дерваальсовыми силами связаны слабо. Образование аморфных структур в халькогенидных полупроводниках происходит легче, чем в случае более жестко связанных атомов кремния или германия. Для аморфных халькогенидных полупроводников характерны широкие возможности смешивания элементов друг с другом и неподчинение закономерностям образования твердых растворов на основе кристаллических решеток. В связи с широким применением пленок ХСП в приборных структурах различного назначения, актуальными с научной и практической точек зрения являются вопросы роста пленок ХСП на пористой поверхности. Целью данного раздела явилось изучение особенностей формирования пленок ХСП на кремнии с буферным слоем ПК различной морфологии. В качестве ХСП был использован один из известных представителей этого класса - As2Se3 [40], применяемый в качестве оптического материала для инфракрасной области спектра. Ширина запрещенной зоны материала в аморфном состоянии составляет 1,76 эВ, величина удельного сопротивления 1013 Омсм [434]. Работа проведена совместно с Приходько О.Ю. и Рягузовым А.П. - сотрудниками Казахского государственного университета им.Аль-Фараби. В качестве подложек были использованы кремниевые пластины со слоями ПК, относящиеся к первой, второй и третьей группам. Основные сведения о буферном пористом слое приведены в табл. 7.1. Толщины пористых слоев составляли 5-20 мкм, удаления аморфизированной пленки с поверхности ПК не проводилось. Пленки триселенида мышьяка на подложках ПК были получены методом термического испарения синтеза As2Se3 в вакууме при давлении остаточных газов 210-5 мм рт.ст. Состав в синтезе был аморфным. Толщина полученных пленок ХСП, определенная на МИИ-4, составляла 0,4-0,6 мкм. Метод термозонда свидетельствовал о дырочном типе проводимости, что характерно для мышьякосодержащих ХСП, полученных термическим испарением в вакууме [435]. Морфология исходной поверхности ПК и структура выращенных пленок триселенида мышьяка исследовались на электронном микроскопе JEOL и акустическом микроскопе ELSAM в оптическом режиме с использованием различных контрастов, в том числе и контраста Номарски. Особенностью применяемых буферных слоев ПК было наличие на их поверхности аморфизированной пленки, содержащей неравномерно распределенные крупные поры. Эти поры с поперечным размером до 1 мкм являются местами выхода газообразных продуктов электрохимических реакций в процессе анодирования. Выращенные пленки ХСП были оптически прозрачными. На рис.7.4 приведены микрофотографии границы раздела As2Se3 и ПК, снятые при тонкой фокусировке на поверхность ПК. Видно, что поверхность ПК содержит макропоры и эти же макропоры наблюдаются сквозь прозрачную пленку триселенида мышьяка. Электронно-микроскопические исследования поверхности пленок As2Se3 показали, что пленка ХСП наследует пористую структуру поверхности ПК. На рис. 7.5 приведено два характерных РЭМ-изображения поверхности пленок триселенида мышьяка с макропорами 0,1-1 мкм, выращенных на поверхности слоя PS1.

Параметры пористого буферного слоя для роста пленок As2Se3 Табл.7.1. Кремний КЭС-0,01 (111) КЭФ-4,5 (100) КДБ-0,03 (111) Режимы анодной обработки ja = 5 мА/см2, ta =10-40 мин ja = 10 мА/см2, ta =5-40 мин ja = 10 мА/см2, ta =5-30 мин Пористость, % 15-17 4-7 16-25 Структура ПК Мезопористый Макропористы й Мезопористый Классификация по электрическим свойствам PS1 PS2 PS Для изучения электрических параметров выращенных пленок ХСП были созданы тестовые структуры Al/ХСП/ПК/Si/Al (рис.7.6,б) с площадью алюминиевых контактных площадок 4,5-5,0 мм2. Алюминий наносился методом термовакуумного напыления. ВАХ таких образцов измерялись в области малых смещений (до 0,2В) с целью подавления нелинейных явлений на контактах Al/ХСП и остальных переходах (разд. 3) многослойной структуры. Для образцов, содержащих слои PS1 и PS2, ВАХ были строго линейны (рис. 7.6,а). Это объясняется высоким сопротивлением слоя ХСП по сравнению с другими частями многослойной структуры и позволяет определить величину удельного сопротивления ХСП. Расчеты показали, что величины удельного сопротивления слоев ХСП вдоль направления роста составляют (1,0-2,2)108 Омсм. Эти результаты намного ниже, чем известные литературные данные (1013 Омсм) для аморфных пленок As2Se Рис.7.4. Поверхностное изображение боковой границы пленки ХСП. Видна однородная структура пленки ХСП, через прозрачную пленку ХСП видны макропоры приповерхностного аморфизированного слоя ПК. а - кремний КЭС-0,01 (111), б - КДБ0,03 (111). L=32 мкм.

а б Рис.7.5. Наличие макропор на поверхности пленок As2Se3, выращенных на PS1 c аморфизированным пористым слоем. Метка на РЭМизображении соответствует 1 мкм.

[434]. Аномально низкие значения удельного сопротивления для исследуемых пленок триселенида мышьяка металла объясняются в объем их поры макропористой и структурой. величины Нанесение удельного алюминиевой металлизации на такую поверхность способно привести к частичному проникновению сопротивления. ВАХ структур Al/ХСП/ПК/Si/Al со слоями PS3 обладали незначительным выпрямлением (кривая 3 на рис.7.6,а). Для полярности, показанной на вставке б и соответствующей для структур с ПК на p-Si прямому включению (разд.2), токи были в 1,2-1,3 раза меньше токов противоположного направления. Оценки показали, что в этом случае электрические сопротивления слоев ХСП и ПК сравнимы друг с другом и небольшой эффект выпрямления может быть связан с работой гетероперехода ХСП/ПК. Дополнительные исследования свидетельствовали о том, что такая структура является фоточувствительной в видимой области спектра и при ее подсветке появляется положительный ток короткого замыкания (5-15 нА) и отрицательная ЭДС холостого хода (50-100 мВ). Важно отметить, что для структур Al/ПК/Si/Al без стеклообразного слоя стабильно наблюдаются отрицательный ток короткого замыкания и положительная ЭДС холостого хода. Таким образом, результаты данного раздела свидетельствуют о том, что при росте халькогенидного стекла As2Se3 на пористом кремнии с макропористым поверхностным слоем происходит наследование пористой структуры буферного слоя и формирование макропористой пленки триселенида мышьяка. Следствием этого является уменьшение на несколько порядков величины удельного сопротивления пленки ХСП в направлении ее роста. 7.3. Рост пленок полупроводников AIVBVI на пористом кремнии Одним из перспективных направлений при создании приемников ИК диапазона на основе полупроводников AIVBVI считается переход на кремниевые подложки [436]. Кремний является прозрачным в инфракрасной области спектра, что делает возможным регистрацию излучения со стороны подложки. В этом случае фоточувствителельные структуры могут быть интегрированы в состав единой монолитной схемы, изготовленной по кремниевой технологии. Такой подход позволяет обеспечить сбор и обработку информации за счет преобразовательных и усилительных схем, сформированных в кремниевой подложке [437]. Однако непосредственный рост пленок халькогенидов свинца на кремнии сопряжен с рядом трудностей. Самая главная из них заключается в уменьшению Рис.7.6. а- типичные вольтамперные характеристики структур Al/ПК/Si/Al, сформированных на PS1 (1), PS2 (2) и PS3 (3). б - внешний вид многослойной структуры.

большом рассогласовании параметров кристаллических решеток и температурных коэффициентов линейного расширения. Сравнительная информация о свойствах полупроводников AIVBVI и кремния приведена в табл.7.2. Следствием такого рассогласования является низкое качество выращенных пленок халькогенидов свинца, проявляющееся в неудовлетворительной адгезии, поликристалличности, появлении сети микротрещин [438]. Выходом из данной ситуации является применение буферных слоев. Для качественного роста пленок AIVBVI на кремнии могут быть использованы переходные слои BaF2 (CaF2, SrF2) [437-440], YbS [441] или пористого кремния [413415,442]. Буферные слои на основе флуоридов II-й группы и редкоземельных халькогенидов выращиваются при достаточно высоких температурах (400-750 и 900Параметры полупроводников AIVBVI и кремния табл.7.2 Материал Si PbS PbTe PbSe Постоянная решетки, 5,43 5,94 6,46 6,12 Температурный коэффициент линейного расширения, 300K, 10-6, К-1 2,6 20,3 19,8 19,4 Ширина запрещенной зоны, эВ (300K) 1,1 0,42 0,31 0, 950°С, соответственно). Способ формирования буферных слоев на основе ПК является низкотемпературным и совместимым с технологическими процессами микроэлектроники. Кроме того, если в первых двух случаях переходные слои получаются диэлектрическими, то применение ПК позволяет варьировать величину удельного сопротивления в широких пределах. Поэтому изучение возможности эпитаксиального роста халькогенидов свинца на пористом кремнии с различной морфологией пор и широким интервалом удельного сопротивления представляется актуальным. В данном разделе будет описан набор экспериментальных данных по росту пленок PbS, PbTe и PbSe различными методами на поверхности ПК. Работа проводилась совместно с Сауниным И.В. и Бондоковым Р.Ц. (СПбГЭТУ), Зайкиной Р.Ф. и Борзовой Г.А. (КазГУ им. Аль-Фараби) [14A-16A,26A,28A,30A,35A,36A,46A и др.]. В табл.7.3 сведены данные, показывающие вид ПК, способ выращивания, условия роста и характеристику полученных слоев. В качестве исходных подложек использовались пластины кремния КДБ-0,03, КДБ-10, КЭФ-4,5, КЭС-0,03 ориентации (111) и (100). Толщина буферного пористого слоя составляла 3-20 мкм. Величина пористости не превышала 30%. На серии образцов проводилась операция плазмохимического травления для удаления поверхностной аморфизированной пленки. Для нанесения пленок халькогенидов свинца применялись методы термовакуумного осаждения (ТВО), горячей стенки (ГС) и молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Температура подложки (Тп) варьировалась в пределах 50-350°С. Толщина выращенных пленок AIVBVI составила 0,5-1,5 мкм. Получение и свойства пленок AIVBVI на пористом кремнии табл.7.3 Исходная подложка КДБ-0,03 (111) КДБ-10 (100) КЭФ-4,5 (100) КДБ-0,03 (111) КДБ-0,03 (111) КДБ-0,03 (111) КДБ-10 (100) КЭФ-4,5 (100) КЭС-0,03 (111) КЭФ-4,5 (100) КЭФ-4,5 (100) КЭФ-4,5 (100) КДБ-10 (100) Буферный пористый слой Мезопористый Микропористый Макропористый Мезопористый + аморфный слой Мезопористый Мезопористый Микропористый Макропористый Мезопористый Макропористый Макропористый Макропористый + электронное облучение Микропористый Пленка PbTe PbTe PbTe PbTe PbTe PbS PbS PbS PbS PbSe PbSe PbSe PbTe Метод и условия роста ТВО, Тп=350°С ТВО, Тп=350°С ТВО, Тп=350°С ТВО, Тп=350°С ГС, Тп=50°С ГС, Тп=50°С ГС, Тп=50°С ГС, Тп=50°С ГС, Тп=50°С ТВО, Тп=100°С ТВО, Тп=350°С ТВО, Тп=100°С МЛЭ, Тп=200°С Структурные параметры [100]-аксиально текстурированная, размеры блоков 20-60 мкм Поликристаллическая, Ориентация [111], [100] Поликристаллическая, ориентация [100], [110], [210] Поликристаллическая, ориентация [100], [110], [311] Поликристаллическая, ориентация [100], [110], [311], [211] Поликристаллическая, плохая адгезия [100]-аксиально текстурированная [100]-аксиально текстурированная Структурное совершенство пленок анализировалось методами рентгеновской дифрактометрии, полюсных фигур и кривых качания. Как следует из приведенной таблицы, буферный слой ПК при определенных условиях способен приводить к формированию качественных аксиально текстуророванных пленок халькогенидов свинца с высокой адгезией к подложке. Полученные пленки не содержали пор, микротрещин и выдерживали многократное термоциклирование 300-77-300К. Подробное описание всех экспериментальных результатов, представленных в табл.7.3, заняло бы очень много места. Поэтому в качестве примера подробно остановимся только на одном из перечисленных случаев - на выращивании аксиально текстурированных пленок теллурида свинца методом термовакуумного осаждения. Дополнительные сведения о других экспериментах по росту пленок халькогенидов свинца на ПК можно получить в наших публикациях по данной теме. 7.4. Получение аксиально текстурированных пленок теллурида свинца на ПК методом вакуумного осаждения Исследования проводились на кремниевых подложках КДБ-0,03, КДБ-10, КЭФ-4, ориентации (111) и (100). Информация о применяемых подложках и параметрах буферного слоя представлена в табл.7.4. Слои ПК были сформированы методом УнноИмаи при подсветке 310 люкс. После анодного электрохимического травления образцы промывались в потоке дистиллированной воды в течение 15 минут и высушивались при температуре 80°С в течение 30 минут. Пористость буферного слоя задавалась небольшой (менее 25%) для обеспечения механической прочности кристаллической матрицы. Для удаления поверхностной аморфизированной пленки проводилась операция плазмохимического травления. Дополнительной химической обработки перед эпитаксией не проводилось. Рост пленок теллурида свинца толщиной 0,55-0,74 мкм проводился в вакууме 10-6 Торр при температуре подложки 350°С. Выбранная температура подложки, с одной стороны, соответствует условиям роста качественных пленок PbTe на поверхности BaF2, а, с другой стороны, не превышает тех температур для ПК, при которых происходит резкое изменение удельного сопротивления. Выращенные пленки теллурида свинца имели зеркально гладкую поверхность и хорошую адгезию к ПК. Процессов отслаивания или появления трещин в многослойной структуре PbTe/ПК/Si на наблюдалось даже при многократных циклах охлаждениенагревание (300-77-300К). Изучение химического состава и профиля распределения атомов свинца и теллура в объеме пленки PbTe, выполненное при помощи ожеспектрометра PHI-660, показало однородное распределение Pb и Te как по толщине пленки, так и по линии, параллельной подложке. Атомы C, O, Cl, N присутствовали в объеме пленки в ничтожных количествах. Исследование морфологии поверхности было осуществлено на электронном сканирующем микроскопе TESLA BS-310 и акустическом микроскопе ELSAM. Изучаемы пленки были сплошными и не содержали трещин, пустот, пор, включений металла или халькогена. Поры в объеме теллурида свинца отсутствовали даже в случае макропористого буферного слоя с диаметром пор около 1 мкм. Это объясняется как заполнением устья пор продуктами электрохимических реакций, так и “нависанием“ растущей пленки над порами [409]. Для выявления границ зерен был использован селективный травитель, состоящий из18 мл 50% КОН, 4,5 мл C3H8O3 и 2,5 мл H2O2. Для всех образцов, за исключением случая с аморфной пленкой на поверхности ПК, структура пленки состояла из блоков (рис.7.7) размерами 20-60 мкм и не зависела от морфологии пористого слоя.

Технологические условия формирования слоев ПК табл.7.4 Исходный кремний КДБ-0,03 (111) КДБ-10 (100) Режимы анодирования 48% водный р-р HF, 10 мА/см2, 10-30 мин 48% водный р-р HF + изопропанол (1:1), 30 мА/см2, 1-10 мин 48% водный р-р HF, 10 мА/см2, 5-20 мин 48% водный р-р HF, 5 мА/см2, 10-50 мин Толщина ПК, мкм 15-20 1-3 Пористость, % 20-24 22-25 Аморфная пленка на поверхности Нет Нет Классификация по электрическим свойствам PS3 PS КЭФ-4,5 (100) КДБ-0,03 (111) 7-20 2- 5-7 19- Нет Есть PS2 PS Кристаллическое строение пленок PbTe было исследовано при помощи рентгеновского дифрактометра ДРОН1-УМ в излучении кобальтового источника с излучением 1,7889 (К1) и 1,7928 (К2). Типичные дифрактограммы пленок теллурида свинца, полученных на ПК без аморфной пленки, показаны на рис.7.8,а. В этом случае на рентгеновских дифрактограммах проявлялись только рефлексы, относящиеся к PbTe ориентации [100]. Рефлексы от теллурида свинца характеризовались большой интенсивностью. Полуширина линий не превышала аппаратной ширины, свидетельствуя о том, что области когерентного рассеяния превышают 1000. Рефлекс Рис.7.7. Блочная структура пленок PbTe, выявленная при помощи селективного химического травления. Размер масштабной метки 40 мкм.

Рис.7.8. Типичные рентгеновские дифрактограммы пленок PbTe, полученных на поверхности ПК без аморфизированной пленки (а) и с аморфизированной пленкой (б). Рефлексы от кремния опущены.

(600) PbTе четко разделяется на К1 и К2 линии (вставка к рис.7.8,а), показывая высокое структурное совершенство исследуемых пленок. В том случае, когда на поверхности ПК присутствовала аморфная пленка, на рентгеновских дифрактограммах, наряду с рефлексами (h00) PbTе, появлялись рефлексы (220) PbTе и кремниевое аморфное гало. Это свидетельствует о поликристаллическом строении пленок с ориентацией кристаллитов в направлениях [100] и [110] вдоль линии роста (рис.7.8,б). Интенсивность рефлексов при этом значительно меньше, чем при отсутствии аморфной пленки. На (100)-ориентированных пленках PbTе были проведены исследования полюсных фигур. Полюсные фигуры снимались с поверхности малой площади (50х250 мкм), что должно соответствовать нахождению в данной области только нескольких зерен. Полюсные фигуры были проанализированы при помощи специальной приставки к дифрактометру ДРОН-3М. Типичные (111)-полюсные фигуры для пленки PbTе показаны на рис.7.9. Угол наклона (=50-60° с шагом 1°) отложен по радиусу полюсной фигуры. Угол угол вращения вокруг нормали к поверхности отложен между радиус-вектором и горизонтальной осью. Максимумы интенсивности рентгеновских рефлексов соответствуют темным пятнам полюсной фигуры. Анализ полюсных фигур показал, что они имеют вид отдельных пятен. Все пятна расположены по окружности с =54-55°, что соответствует углу между (111) и (100) кристаллографическими плоскостями (=54,7°) в кубической решетке. Полный набор темных пятен соответствует набору нескольких фигур, состоящих из четырех симметричных точек [443]. Это дает право заключить, что зерна исследуемых пленок теллурида свинца ориентированы строго в направлении [100] и имеют разориентацию в плоскости пленки. Рост (100)-пленок PbTе на подложках с различной кристаллографической ориентацией (см. дополнительно данные табл.7.3) можно объяснить следующим образом. Известно, что направление [100] теллурида свинца соответствует минимуму суммарной свободной энергии и именно вдоль этого направления растут пленки при использовании неориентированных подложек [444]. Исследования структурных параметров пленок были продолжены на акустическом микроскопе ELSAM в режиме формирования акустического контраста на частоте 400 МГц. Акустические изображения пленок теллурида свинца показаны на рис.7.10, а-в. Для всех образцов без аморфной пленки наблюдалась мозаичная структура (рис.7.10,а,б), полностью повторяющая картину после селективного травления (рис.7.7).

Рис.7.9. Типичная рентгеновская полюсная фигура для нескольких зерен пленки PbTe.

Рис.7.10. Акустические изображения границ зерен в пленках PbTe (а,б). Акустическое изображение пленок PbTe, полученных на ПК с развитой аморфизированной пленкой (в). Масштабная метка - 40 мкм.

Таким образом, метод акустической микроскопии позволяет выявлять границы зерен и такой метод является неразрушающим. Акустическое изображение пленки PbTе, полученной на ПК с аморфной пленкой, содержит светлые и темные области (рис.7.10,в). Локальные исследования V(z)-кривых показали, что светлые области по своим механическим свойствам (рис.7.11) аналогичны пленкам теллурида свинца с ориентацией [100]. Принимая во внимание поликристаллическое строение пленок, можно предположить, что темные области связаны с зернами, имеющими ориентацию [110]. Определение концентрации и подвижности носителей заряда было выполнено по стандартной процедуре холловских измерений. Для исключения шунтирующего действия подложки и буферного слоя для измерений были использованы структуры с высокоомными слоями ПК (105-106 Омсм). Холловские измерения показали, что исследуемые слои имеют n-тип проводимости. Концентрация электронов при 300К составила 91016-21017 см-3, а подвижность - 100-350 см2/Вс. Полученные значения подвижности, хотя и уступают рекордным значениям для теллурида свинца, но, тем не менее, являются достаточно высокими и свидетельствуют о высоком структурном Неожиданные результаты были зафиксированы при измерении ВАХ структур Au/PbTe/ПК/Si/Al в диапазоне ±4 В и их сравнении с данными для Al/ПК/Si/Al, сформированных на этих же пластинах. Известно (разд.2,3), что для структур Al/ПК/Si/Al, содержащих слои PS2 или PS3, наблюдается сильное выпрямление, зависящее от параметров исходного кремния. Оказалось, что для всех без исключения образцов, описанных в табл.7.4, ВАХ структур Au/PbTe/ПК/Si/Al имели одинаковый вид, характеризующийся практически симметричной зависимостью (коэффициент выпрямления не превышал 2). Плотность тока для структур, содержащих теллурид свинца, была на 1-3 порядка ниже соответствующих значений для системы Al/ПК/Si/Al. Это явление нельзя объяснить дополнительным сопротивлением, вносимым слоем теллурида свинца, поскольку его сопротивление невелико (особенно для высокоомного ПК). По всей видимости речь может идти о формировании промежуточного диэлектрического слоя на границе PbTe/ПК. Оказалось, что ВАХ структуры Au/PbTe/ПК/Si/Al при обеих полярностях описываются общим законом IU и показатель степени =0,9-1,1 до напряжений ±(1-1,5) В и =1,8-2,1 при более высоких значениях внешнего смещения. Подобная ситуация наблюдалась нами для структур Au/PbTe/SiO2/Si/Al и Au/PbTe/BaF2/Si/Al, где диэлектрический слой диоксида кремния совершенстве выращенных пленок.

Рис.7.11. Локальные V(z)- кривые для пленки (100) PbTe (а), для светлой области (рис.7.10,в) пленки PbTe, выращенной на ПК с толстым аморфизированным слоем (б), для темной области этой пленки (в).

толщиной 8, 30 и 620 нм создавался методом термического окисления, а слой фторида бария (320 нм) - методом вакуумного осаждения. Поэтому можно говорить о том, что на границе PbTe/ПК действительно происходит формирование тонкого диэлектрического слоя, состоящего предположительно из оксидов кремния и образующегося при естественном окислении пористой поверхности. Такой результат делает возможным создание вертикальных p-n переходов на основе пленок теллурида свинца на ПК без дополнительной изоляции даже на низкоомных буферных слоях. Формирование идеальных гетеропереходов PbTe/ПК при данном технологическом подходе является затрудненным. Результаты данного раздела показывают, что на поверхности ПК с различной морфологией пор могут быть созданы пленки теллурида свинца высокого структурного совершенства. Формирование [100]-аксиально текстурированных пленок PbSe на пористой поверхности продемонстрировано нами также для случая низкотемпературного роста на поверхности макропористого кремния, подвергнутой облучению высокоэнергетичными электронами с энергией 2 МэВ флюенсом 1,31017 см-2 (табл.7.3). Однако самыми совершенными в структурном отношении на данный момент являются пленки теллурида свинца, выращенные совместно с сотрудниками ФИАН (г.Москва) на буферном слое ПК (3 мкм) на поверхности КДБ-10 (100) методом МЛЭ с предварительной очисткой поверхности перед эпитаксией в смеси NH4OH:H2O2:H2O = 1:1:4 при 80°С и термическим деоксидированием при 400°С в течение 60 мин. Структура данных пленок близка к монокристаллической, полуширина кривых качания для таких пленок не превышает 10.

Выводы по главе 7 1. Изучены особенности формирования пленок алюминия, триселенида мышьяка и узкозонных полупроводников AIVBVI (PbTe, PbS, PbSe) на кремниевых подложках с буферными слоями ПК различной электропроводности. 2. Показано, что на поверхности пористого слоя на катодной стороне двухсторонней пористой кремниевой структуры, формируемой в методе Унно-Имаи, имеет место рост [111]-аксиально текстурированных пленок алюминия, применение которых перспективно для снижения эффекта электромиграции в алюминиевой металлизации интегральных схем и полупроводниковых приборов. 3. Установлено, что при росте слоев As2Se3 на пористой поверхности, содержащей аморфизированную пленку с макропорами, слои ХСП наследуют макропористую структуру верхней части буферного слоя, в результате чего удельное сопротивление слоев As2Se3 на несколько порядков ниже обычных значений. 4. Показана возможность выращивания качественных, различных марок. 5. Обнаружено, что на интерфейсе PbTe/ПК имеет место образование тонкого промежуточного высокоомного слоя, способного выступать в качестве диэлектрической прослойки при создании фотоприемников ИК-диапазона. блочных [100]-аксиально текстурированных пленок халькогенидов свинца на буферных слоях ПК на кремнии Заключение В настоящей работе проведено комплексное изучение электрических свойств и явлений переноса носителей заряда в слоях пористого кремния с различной морфологией и в структурах на его основе. Для объяснения полученных результатов и привлечения моделей, описывающих поведение неупорядоченных полупроводников, дополнительно выполнены детальные исследования электрических и фотоэлектрических свойств сильно компенсированных квазиоднородных полупроводников на основе AIVBVI. На основании проведенных исследований получены следующие результаты и сделаны выводы: 1. Описаны технологические условия формирования слоев ПК с широким интервалом пористости (3-70%) и различной морфологией пор. Показано образование при определенных режимах анодирования пористого слоя аморфизированной пленки на поверхности ПК и предложены методы контролируемого его удаления. Для высокопористых образцов методами рентгеноструктурного анализа показано существование в объеме ПК фазы продуктов электрохимических реакций, химический состав которых может в зависимости от условий анодирования изменяться от аморфного гидрогенизированного кремния до SiO2. 2. Предложен акустический метод определения пористости для мезопористых образцов, основанный на измерении скорости рэлеевских поверхностных волн. Проведено теоретическое обоснование метода в рамках различных моделей, описаны области применения, его достоинства и недостатки. 3. Обнаружен и описан второй пористый слой, возникающий на катодной стороне кремниевой пластины при электрохимической обработке сильно легированного кремния методом Унно-Имаи. Проведен сравнительный анализ пористых слоев двухсторонней пористой структуры, показано наличие атомов Pt и Rh в объеме пористого слоя на катодной стороне, предложено объяснение наблюдаемым явлениям. 4. На основании детального изучения температурных зависимостей удельного сопротивления, коэффициента Холла, вольтамперных и импульсных переходных характеристик на слоях пористого кремния с различной морфологией пор показано многообразие электрических свойств ПК. Для ПК, сформированного на сильно легированных сурьмой подложках и обладающего невысокой пористостью (8-27%), показано отсутствие обеднения монокристаллической матрицы пористого материала. Явления переноса в таком материале соответствуют теории эффективной среды в модели «кремний+поры».

Для макропористого кремния с редкими крупными порами (P=5-10%), полученного на слабо легированных фосфором пластинах, комплекс электрофизических исследований показал наличие обедненных областей вокруг пор. Проанализированы причины появления обедненных областей. Продемонстрировано, что наилучшее согласие с экспериментом дает модель пассивации примесных атомов водородом. Показано, что перенос носителей заряда в таком ПК осуществляется в рамках теории эффективной среды в модели «кремний+поры+обедненные области». Для мезопористого кремния с невысокой пористостью (6-30%), сформированного на сильно легированных бором кремниевых пластинах, установлено сильное обеднение монокристаллической кремниевой матрицы ПК, в результате чего пористые слои проявляют эффективный электронный тип проводимости. Температурные зависимости проводимости имеют активационный характер, не подчиняющийся правилам МейераНелдела для аморфного гидрогенизированного кремния. Для объяснения транспорта носителей предложена модель дрейфа в случайном потенциальном рельефе. ПК с высокой пористостью (более 40-50%), содержащий в своем объеме фазу аморфного кремния, характеризуется высоким удельным сопротивлением, а температурные зависимости проводимости имеют активационный характер, соответствующий правилу Мейера-Нелдела для проводимости по распространенным состояниям в аморфном гидрогенизированном кремнии. Показано выполнение теории ТОПЗ для вольтамперных и переходных характеристик материала. Определены величины подвижности и их температурные зависимости. Продемонстрировано, что перенос носителей заряда в таком ПК осуществляется в рамках «pea-pod» модели по оболочке аморфного гидрогенизированного кремния, окружающего кремниевые нанокристаллиты. 5. На основании комплексного исследования электрофизических параметров ПК с различной морфологией пор и анализа имеющихся литературных данных предложена классификация электрических свойств ПК, в основу которой положены различия в морфологии пор и в образовании обедненных областей вокруг пор. Согласно данной классификации ПК может быть поделен на четыре группы (PS1-PS4), каждая из которых обладает индивидуальным набором электрических свойств и своим механизмом транспорта носителей. Проведена классификация электрических свойств переходов Al/ПК. Показано, что контакт алюминия с каждой группой (PS1-PS4) пористого материала описывается своими физическими моделями, основанными на теории перехода Al/Si с разным уровнем легирования. Описаны возможности формирования выпрямляющих и невыпрямляющих алюминиевых контактов к слоям ПК, приведены величины переходных сопротивлений. Предложен способ создания низкоомных контактов к кремнию посредством использования необедненных пористых слоев. На основе предложенной классификации электрических свойств ПК рассмотрены электрические характеристики перехода ПК/МК. Показано, что на границе ПК/МК при использовании пористого материала различных групп могут иметь место физические явления, приводящие к возникновению как выпрямляющих, так и невыпрямляющих свойств контактов. 6. Изучение влияния изохронного отжига в интервале 450-550С (для образцов PS2 в интервале 450-650С) на электрическую проводимость ПК с различной морфологией пор и с различной картиной распределения обедненных областей показало многообразие отклика пористого материала на проведение отжига. Для каждой группы PS1-PS4 установлен свой характер изменения величины электрической проводимости при термообработке. Определены температурные интервалы в которых пористый материал, относящийся к различным параметров. группам, проявляет относительную стабильность при электрофизических происходят Предложены режимы термообработки, которых существенные изменения электропроводности и которые могут быть использованы для целенаправленной модификации электрических свойств ПК. Для слоев PS2 и PS3 обнаружено явление перехода в низкоомное состояние при отжиге 650 и 500С, соответственно. Проведен анализ этого явления и показано, что оно достаточно хорошо описывается в рамках модели пассивации (депассивации) примесных атомов фосфора и бора водородом. Обнаружено и описано явление релаксации проводимости слоев PS3, закрытых пленкой металла, после перехода в низкоомное состояние. 7. Выяснено, что облучение ПК высокоэнергетичными электронами с энергией 2 МэВ приводит к разнообразным изменениям величины электрической проводимости пористого материала различных групп в интервале доз 1016-1017 см-2. Рассмотрены физические причины, объясняющие набор полученных экспериментальных фактов. Для слоев PS3 обнаружена двойная инверсия типа проводимости в используемом интервале доз.

Весь комплекс экспериментальных исследований по проведению термоотжига и электронного облучения ПК различных групп подтверждает справедливость предложенных в главах 2 и 3 моделей переноса носителей заряда в PS1-PS4. 8. Предложен и опробован способ изучения емкостных свойств ПК при помощи тестовых многослойных структур Al/ПК/МК/Al с толстыми слоями пористого материала. Данный подход позволил свести емкость измеряемой структуры к емкости слоя ПК и непосредственно измерять величину диэлектрической проницаемости пористого слоя. Экспериментально определена зависимость диэлектрической проницаемости ПК от величины пористости в интервале P=30-68% и проведен теоретический анализ полученной зависимости (Р) в рамках трехфазной модели, учитывающей диэлектрические свойства кремния, аморфного кремния и пространства пор. Показано, что диэлектрическая проницаемость пространства пор в рамках различных моделей составляет 2,3-4,8, что объясняется наличием влажного воздуха в объеме пор и адсорбированных молекул на их стенках. Проведенное изучение температурных и частотных зависимостей емкости многослойной структуры с толстыми слоями ПК в условиях вакуума свидетельствует о сложном характере протекающих физических процессов. Предложена эквивалентная схема, описывающая емкостные свойства многослойной структуры и учитывающая роль адсорбированных полярных молекул на стенках пор. Показано, что в области высоких частот определяющий вклад в емкость дает емкость слоя ПК, а в области малых частот емкость гетероперехода ПК/МК. Исследование частотных и температурных зависимостей динамической проводимости многослойных структур с толстыми слоями ПК подтвердило, что в определенном интервале температур и частот проводимость по пористому слою осуществляется по оболочке продуктов электрохимических реакций, близких по свойствам к аморфному гидрогенизированному кремнию -Si:H. 9. Изучены температурные зависимости (77-380К) коэффициента Холла, удельного сопротивления, времени релаксации фотопроводимости для модельных полупроводников с крупномасштабным случайным потенциальным рельефом на основе квазиоднородных сильно компенсированных полупроводников AIVBVI. Показано, что комплекс электрофизических и фотоэлектрических явлений для эпитаксиальных пленок компенсированных твердых растворов различных составов Pb1-xCdxS, методом Pb1-xSnxS, (PbS)1-x(PbO)x, эпитаксии 271 на Pb1-xCdxTe, BaF2, полученных общие молекулярно-лучевой подложках имеет закономерности. Температурные зависимости коэффициента Холла, электропроводности, времени релаксации фотопроводимости при засветке чередующимися световыми импульсами имели активационный характер, подчиняющийся формулам (6.2), (6.3), (6.7) и (6.8). Наблюдался эффект остаточной проводимости при засветке одиночными импульсами и увеличенное значение безразмерного коэффициента магнитосопротивления. Продемонстрировано, что при облучении легкими и тяжелыми частицами можно привести слои квазиоднородных твердых растворов узкозонных и широкозонных полупроводников в состояние с сильной компенсацией. Кроме этого, за счет создания эффективного рельефа зон и компенсации при введении дополнительных радиационных дефектов появляется возможность получать сильно компенсированные слои с модуляцией зон бинарных соединений AIVBVI. 10. Проведенные исследования электрических и фотоэлектрических свойств слоев PS3 в широком интервале температур показали, что для данного материала не выполняется комплекс явлений, характерных для полупроводников с крупномасштабными флуктуациями потенциального рельефа. Набор электрических и фотоэлектрических явлений в PS3 может быть описан в рамках модели разупорядоченных полупроводников с мелкомасштабными флуктуациями. проводимости вблизи уровня Ферми с переменной длиной прыжка. Показано, что время релаксации фотопроводимости в слоях PS3 может быть уменьшено или увеличено посредством термического отжига 500С и облучения потоком высокоэнергетичных электронов c энергией 2 МэВ при дозе 1017 см-2, соответственно. 11. Изучены особенности формирования пленок алюминия, триселенида мышьяка и узкозонных полупроводников AIVBVI (PbTe, PbS, PbSe) на кремниевых подложках с буферными слоями ПК различной электропроводности. Показано, что на поверхности пористого слоя на катодной стороне двухсторонней пористой кремниевой структуры, формируемой в методе Унно-Имаи, имеет место рост [111]-аксиально текстурированных пленок алюминия, применение которых перспективно для снижения эффекта электромиграции в алюминиевой металлизации интегральных схем и полупроводниковых приборов. Установлено, что при росте слоев As2Se3 на пористой поверхности, содержащей аморфизированную пленку с макропорами, слои ХСП наследуют макропористую 272 В области низких температур 90-200К обнаружен эффект трехмерной прыжковой структуру верхней части буферного слоя, в результате чего удельное сопротивление слоев As2Se3 на несколько порядков ниже обычных значений. Показана возможность выращивания качественных, блочных [100]-аксиально текстурированных пленок халькогенидов свинца на буферных слоях ПК на кремнии различных марок. Обнаружено, что на интерфейсе PbTe/ПК имеет место образование тонкого промежуточного высокоомного слоя, способного выступать в качестве диэлектрической прослойки при создании фотоприемников ИК-диапазона. В заключение автор считает своим приятным долгом поблагодарить Винке А.Л., Палашова В.Н. (ВОМЗ, г.Вологда), Бучина Э.Ю., Наумова В.В. (ИМИРАН, г.Ярославль), Дрозда И.А. (НПО ОРИОН, Москва) за помощь в изготовлении образцов и тестовых структур. Автор искренне признателен Зайкиной Р.Ф., Приходько О.П. (КазГУ, г.Алматы), Преображенскому М.Н., Световому В.Б., Маковийчуку М.И., Проказникову А.В., Смиронову В.К. (ИМИРАН), Балагурову Л.А., Яркину Д.Г. (ГИРЕДМЕТ, Москва), Кузнецову В.С. (ЯрГУ) за проведение совместных исследований. Автор благодарен Лебедеву А.А. (ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН, С.-Петербург), Цоггу Х., Зимину Д.С. (ЕТН, Цюрих), Бомчилу Г. (France Telecom CNET) за полезные консультации и дискуссии. Автор также признателен своим аспирантам за помощь в проведении экспериментальных исследований и всему коллективу кафедры микроэлектроники за дружескую поддержку при выполнении данной работы.

Список использованных источников [1] Uhlir A. Electropolishing of silicon // Bell System Tech. J..- 1956.- V.35.- P.333-338. [2] Turner D. Electropolishing silicon in hydrofluoric acid solutions // J. Electrochem.Soc.1958.- V.5.- P.402-405. [3] Properties of porous silicon. Edited by Canham L.- Malvern: DERA, 1997.- 400p. [4] Porous silicon. Science and technology. Edited by J.-C. Vial and J.Derrien.- Springer Verlad, Berlin Heidelberg and Les Edition de Physique, Les Ulis, 1995.- 355p. [5] Лабунов В.А., Бондаренко В.П., Борисенко В.Е. Пористый кремний в полупроводниковой электронике // Зарубежная электронная техника.- М.: ЦНИИ “Электроника”.- 1978, N.15.- С.3-47. [6] Николаев К.П., Немировский Л.Н. Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике// Обзоры по электронной технике. Серия 2. Полупроводниковые приборы.- 1989.- Вып.9.- С.1- 59. [7] Балагуров Л.А. Пористый кремний. Получение, свойства, возможные применения // Материаловедение.- 1998.- Вып.1.- С.50-56.- Вып.3.- С.23-45. [8] Parkhutik V. Porous silicon - mechanisms of growth and applications // Solid-State Electron.- 1999.- V.43.- P.1121-1141. [9] Горшкова О.В., Дрозд И.А., Стафеев В.И. Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок PbSnS и структур на их основе, обусловленные микро- и макронеоднородностями // ФТП.- 1992.- Т.26.- С.510-515. [10] Imai K., Unno H. FIPOS technology and its application to LSI`s // IEEE Trans. on Electron. Dev.- 1984.- V.ED-31.- P.297-302. [11] Foll H. Properties of silicon-electrolyte junctions and their application to silicon characterization // Appl. Phys. A.- 1991.- V.53.- P.8-19. [12] Николаев К.П., Немировский Л.Н. Катодные процессы на кремниевой пластине во время ее анодного растворения с жидкостным контактом // Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы.- 1989.- Вып.6.- С.34-36. [13] Arita Y., Sunohara Y. Formations and properties of porous silicon films // J. Electrochem. Soc.- 1977.- V.124.- P.285-295. [14] Da Fonseca R.J.M., Saurel J.M., Foucoran A. et al. Acoustic microscopy investigation of porous silicon // Thin Sol. Films.- 1995.- V.255.- P.155-158. [15] Unagami T. Formation mechanism of porous silicon layers by anodization in HF solutions // J. Electrochem. Soc.- 1980.- V.127.- P.476-483.

[16] Arita J. Formation and oxidation of porous silicon by anodic reaction // J.Crystal Growth.1978.- V.45.- P.383-390. [17] Перевощиков В.А., Скупов В.Д., Шенгуров В.Г. Многослойное строение структур с пористым кремнием // Поверхность.- 1998.- Вып.4.- С.44-46. [18] Noguchi N., Suemune I., Yamanishi M. et al. Study of luninescent region in anodized porous silicon by photoluminescence imaging and their microstructures // Jpn. J. Appl. Phys.1992.- V.31.- P. L490-L493. [19] Suemune I., Noguchi N., Yamanishi M. Photoirradiation effect on photoluninescence from anodized porous silicon and luminescence mechanism // Jpn. J. Appl. Phys.- 1992.- V.31.- P. L494-L497. [20] Fuchs H.D., Stutzmann M., Brandt M.S. et al. Porous silicon and siloxene: vibrational and structural properties // Phys. Rev. B.- 1993.- V.48.- P. 8172-8189. [21] Memming R., Schwandt G. Anodic dissolution of silicon in hydrofluoric acid solutions // Surf. Sc.- 1966.- V.4.- P.109-124. [22] Горячев Д.Н., Беляков Л.В., Сресели О.М. О механизме образования пористого кремния // ФТП.- 2000.- Т.34.- С.1130-1135. [23] Andrianov A.V., Polisski G., Morgan J. et al. Inelastic light scattering and X-ray diffraction from thik free-standing porous silicon films // J. of Lumin.- 1999.- V.80.- P.193-198. [24] Buttard D., Schoisswohl M., cantin J.L. et al. X-ray diffraction and electron microscopy investigation of porous Si1-xGex // Thin Sol. Films.- 1997.- V.297.- P.233-336. [25] Salonen J., Bjorkqvist M., Laine E. Comparison of different methods in microstructural characterization of porous silicon // J. Appl. Crystallogr.- 2000.- V.33, pt.3.- P.504-506. [26] Vita A., Morante J.R., Caussat B. et al. Phase segregation in SIPOS: formation of Si nanocrystals // Mat. Res. Soc. Symp. Proc.- 1999.- V.536.- P.481-486. [27] Cicala G., Losurdo M., Capezzuto P. et al. Enhancement of the amorphous to microcrystalline phase transition in silicon films deposited by SiF4-H2-He plasmas // Mat. Res. Soc. Symp. Proc.- 1999.- V.536.- P.493-498. [28] Мотт Н, Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах.- М.: Мир, 1982.- Т.1,2.- 664с. [29] Уманский А.С., Скаков Ю.А., Иванов А.Н. и др. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия.- М.: Металлургия, 1982.- 632 с. [30] Вайнштейн Б.К. Современная кристаллография.- М.: Наука, 1979.- Т.1.- 384с.

[31] Metzger T.H., Binder M., Peisl J. Structure and morphology of porous silicon/ In “Properties of porous silicon”, edited by Canham L.- Malvern: DERA, 1997.- P.112-117. [32] Metzger H., Franz H., Binder M. et al. X-ray investigation of porous silicon under angles of grazing incidence and exit // J. of Lumin.- 1993.- V.57.- P.201-204. [33] Berger M.G., Frohnhoff St., Theiss W. et al. Porous Si: from single porous layers to porosity superlattices / In: Porous silicon. Science and technology. Edited by J.-C. Vial and J. Derrien.- Springer Verlad, Berlin Heidelberg and Les Edition de Physique, Les Ulis, 1995.P.345-355. [34] Berbezier I., Halimaoui A. A microstructural study of porous silicon // J. Appl. Phys.1993.- V.74.- P.5421-5425. [35] Berbezier I. Nano characterization of porous silicon by transmission electron microscopy / In: “Porous silicon. Science and technology”, edited by Vial J.-C., Derrien J.- Springer Verlad, 1995.- P.207-224. [36] Vasquez R.P., Fathauer R.W., George T. et al. Electronic structure of light-emitting porous Si // Appl. Phys. Lett.- 1992.- V.60.- P.1004-1006. [37] Kunz R.R., Nitishin P.M., Clark H.R. et al. Observation of a nanocrystalline-to-amorphous phase transition in luminescent porous silicon // Appl. Phys. Lett.- 1995.- V.67.- P.1766-1768. [38] Pickering C., Beale M.I.J., Robbins D.J. et al. Optical studies of the structure of porous silicon films formed in p-type degenerate and non-degenerate silicon // J. Phys.C.- 1984.V.17.- P.6535-6552. [39] Скрышевский А.Ф. Структурный анализ жидкостей и твердых тел.- М.: Высшая школа, 1980.- 328с. [40] Фельц А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела.- М.: Мир, 1986.- 214с. [41] Постернак В.В. Влияние формы и размера областей когерентного рассеяния на форму пиков кривой приведенной интенсивности // Кристаллография.- 1993.- Т.38, вып.6.- С.271-273. [42] Аморфные и поликристаллические полупроводники. Под ред. В. Хейванга.-М.: Мир, 1987.- 160с. [43] Briggs A. Acoustic microscopy - a summary // Rep. Prog. Phys.- 1992.- V.55.- P.851-909. [44] Плаченов Т.Г., Колосенцев С.Д. Порометрия.- Л.: Химия, 1988.- 342с. [45] Черемской П.Г. Методы исследования пористости твердых тел.М.: Энергоатомиздат, 1985.- 112с.

[46] Айвазов А.А., Мушниченко В.В. Пористый окисленный кремний в технологии микроэлектроники// Вып.7.- С.1-44. [47] Pickering C., Beale M.I.J., Robbins D. Optical properties of porous silicon films // Thin Sol. Films.- 1985.- V.125.- P.157-165. [48] Мушниченко В.В., Губенко И.Б. Методы контроля пористости пористого кремния // Электронная техника. Серия 6. Материалы.- 1989.- Вып.3.- С.58-61. [49] Da Fonseca R.J.M., Saurel J.M., Foucoran A. et al. Acoustic investigation of porous silicon layers // Mater. Sci.- 1995.- V.30.- P.35-39. [50] Валиев К.А., Преображенский М.Н. Возможности акустической микроскопии при исследовании полупроводниковых структур // Труды ФТИАН.- 1997.- Т.12.- С.153-168. [51] Atalar A. A physical model for acoustic signature // J. Appl. Phys.- 1979.- V.50.- P.82378245. [52] Акустические кристаллы. Справочник / Блистанов А.А., Бондаренко В.С., Чкалова В.В. и др.- М.: Наука, 1982.- 632с. [53] Бирюков С.В., Гуляев Ю.В., Крылов В.В., Плесский В.П. Поверхностные акустические волны в неоднородных средах. М.:Наука, 1991.- 416с. [54] Yu Z., Boseck S. Scanning acoustic microscopy and its applications to material characterization // Rev. Mod. Phys.- 1995.- V.67.- P.863-891. [55] Преображенский М.Н., Бердников А.Е., Попов А.А. и др. Акустические исследования пленок аморфного гидрогенизированного кремния, полученного методом плазмостимулированного осаждения из газовой фазы / Материалы Х Международного симпозиума “Тонкие пленки в электронике”. Ярославль.- 1999. - Часть 1.- С. 204-208. [56] Bukhny M.A., Chernosatonsky L.A., Maev R.G. Methods of acoustic microscopy in investigation of hygh-temperature superconductors. In: Physical Acoustics. Fundamentals and Applications. Ed. by O. Lerey and M. Breazeale.-N-Y.: Plenum Press, 1991.- P.253-259. [57] Pavesi L. Porous silicon: route towards a Si-based photonics? // Microelectronics J.- 1996.V.27.- P.437-448. [58] Bellet D. Elastic properties of porous silicon / In: Properties of porous silicon. Ed. by Canham L., DERA.- 1997.- P.127-137. [59] Audoly G., Dumery G. Acoustic wave propagation in media containing two-dimensional periodically spaced elastic inclusions. In: Physical Acoustics. Fundamentals and Applications. Ed. by O. Lerey and M. Breazeale.-N-Y.: Plenum Press, 1991.- P.219-224. Обзоры по электронной технике. Серия 6. Материалы.- 1990. [60] Biot M.A. Mechanics of deformation and acoustic propagation in porous media // J. Appl. Phys.- 1962.- V.33.- P.1482-1498. [61] Дульнев Г.Н., Новиков В.В. Процессы переноса в неоднородных средах.- Л.: Энергоатомиздат, 1991.- 248с. [62] Палатник Л.С., Черемской П.Г., Фукс М.Я. Поры в пленках.- М.: Энергоатомиздат, 1982.- 216с. [63] Черемской П.Г., Слезов В.В., Бетехтин В.И. Поры в твердом теле.- М.: Энергоатомиздат, 1990.- 376с. [64] Гегузин Я.Е. Макроскопические дефекты в металлах.- М.: Металлургия, 1962.-252с. [65] Поляков В.В., Головин А.В. Влияние пористости на скорости ультразвуковых волн в металлах // Письма в ЖТФ.- 1990.- Т.20, вып.11.- С.54-57. [66] Полякова А.Л. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов.- М.: Энергия, 1979.- 166с. [67] Halimaoui A. Porous silicon: material processing, properties and applications // In: “Porous silicon. Science and technology”, edited by Vial J.-C., Derrien J.- Springer Verlad, 1995.- P.33-52. [68] Компан М.Е., Шабанов И.Ю. О механизме самоформирования наноразмерных структур пористого кремния при бестоковом анодном травлении // ФТП.- 1995.-Т.29, вып. 10.- С.1859-1869. [69] Beale M.I.J., Bendjamin J.D., Uren M.J. et al. An experimental and theoretical study of the formation and microstructure of porous silicon // J. Cryst. Growth.- 1985.- V.73.- P.622-636. [70] Andersen O.K., Frello T., Vejie E. Photoinduced synthesis of porous silicon without anodization // J. Appl. Phys.- 1995.- V.78.- P.6189- 6192. [71] Koker L., Kolasinski K.W. Photoelectrochemical etching of Si in aqueous HF // Phys. Chem. Chem. Phys.- 2000.- V.2.- P.277-281. [72] Lysenko V., Remaki B., Barbier D. Double-Side mesoporous silicon formation for the thermal insulating applications // Adv. Mater.- 2000.- V.12.-P.516-519. [73] Биленко Д.И., Абаньшин Н.И., Галишникова Ю.Н. и др. Электрические и оптические свойства пористого кремния // ФТП.- 1983.- Т.17, вып.11.- С.2090-2092. [74] Richter A., Steiner P., Kozlowski F., Lang W. Current-induced light emission from porous silicon device // IEEE Electron Dev. Lett.- 1991.- V.12.- P.691-692. [75] Halimaoui A., Oules C., Bomchil G. et al. Electroluminescence of the visible range during anodic oxidation of porous silicon films // Appl. Phys. Lett.- 1991.- V.59.- P.304-306.

[76] Anderson R.C., Muller R.S., Tobias C.W. Investigations of the electrical properties of porous silicon // J. Electrochem. Soc.- 1991.- V.138.- P.3406-3411. [77] Read A.J., Nedds R.J., Nash K.J., Canham L.T. et al. First-Principles calculations of the electronic properties of silicon quantum wires // Phys. Rev. Lett.- 1992.- V.69.- 1232-1235. [78] Tsu R., Babic D. Doping of a quantum dot // Appl. Phys. Lett.- 1994.- V.64.- P.1806-1808. [79] Lehmann V., Hofmann F., Muller F. et al. Resistivity of porous silicon: a surface effect // Thin Sol. Films.- 1995.- V.255.- P.20-22. [80] Ben-Chorin M., Muller F., Koch F. еt al. Hopping transport on a fractal: ac conductivity of porous silicon // Phys. Rev.B.- 1995.- V.51.- p.2199-2213. [81] Simons A.J., Cox t.I., Uren M.J., Calcott P.D.J. The electrical properties of porous silicon produced from n+ silicon substrates // Thin Sol. Films.- 1995.- V.255.- P.12-15. [82] Peng C., Hirschman K.D., Fauchet P.M. Carrier transport in porous silicon light-emitting devices // J. Appl. Phys.- 1996.- V.80.- P.295-300. [83] Аверкиев Н.С., Шик А.Я. Контактные явления в квантовых нитях и пористом кремнии // ФТП.- 1996.- Т.30, вып.2.- С. 199-207. [84] Аверкиев Н.С., Капитонова Л.М., Лебедев А.А. и др. Частотная зависимость емкости в структурах на основе пористого кремния // ФТП.- 1996.- Т.30, вып.12.- С.2178-2182. [85] Тимошенко В.Ю., Константинова Е.А., Дитрих Е. Исследование фотоэдс в структурах пористый кремний / кремний ФТП.- 1998.- Т.32, вып.5.- С.613-619. [86] Timoshenko V.Yu., Kashkarov P.K., Matveeva A.B. et al. Influence of photoluminescence and traping on the photovoltage at the por-Si/p-Si structure // Thin Sol. Films.- 1996.- V.276.P.216-218. [87] Balagurov L.A., Yarkin D.G., Petrova E.A. Electronic transport in porous silicon of low porosity made on a p+ substrate // Mater. Sc. and Engin.- 2000.- V.B69-70.- P.127-131. [88] Mathur R.G., Vivechana, Mehra R.M. et al. Electron transport in porous silicon // Thin Sol. Films.- 1998.- V.312.- P.254-258. [89] Yeh E.C.C., Chiou M.S., Hsu Y.J. Computer simulation of percolated porous Si structure and its application to electrical conductivity simulation // Thin Sol. Films.- 1997.- V.297.- P.8891. [90] Кучис Е.В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. М.: Радио и связь, 1990.- 264с. методом импульсного фотонапряжения // [91] Гусев С.А., Короткова Н.А., Розенштейн Д.Б. и др. Получение и исследование ферромагнитных нитей в матрице из пористого кремния // Письма в ЖТФ.- 1994.- Т.20, вып.11.- С.50-53. [92] Herino R. Pore size distribution in porous silicon / In: Properties of porous silicon. Ed. by Canham L., DERA.- 1997.- P.89-98. [93] Petritz R.L. Theory of experiment for measuring the mobility and density of carriers in the space-charge region of a semiconductor surface // Phys. Rev.- 1958.- V.110.- P.1254-1262. [94] Блад П., Ортон Дж. В. Методы измерения электрических свойств полупроводников // Зарубежная радиоэлектроника.- 1981.- Вып.1.- С.3-50. [95] Stievenard D., Deresmes D. Are electrical properties of an aluminum-porous silicon junction governed by dangling bonds? // Appl. Phys. Lett.- 1995.- V.67.- P.1570-1572. [96] Ben-Chorin M. Resistivity of porous silicon / In: Properties of porous silicon. Ed. by Canham L., DERA.- 1997.- P.165-175. [97] Cadet C., Deresmes D., Vuillaume D. et al. Influence of surface defects on the electrical behavior of aluminum- porous silicon junctions // Appl. Phys.Lett.- 1994.- V.64.- P.2827-2829. [98] Grosman A., Ortega C. Dopants in porous silicon / In: Properties of porous silicon. Ed. by Canham L., DERA.- 1997.- P.328-335. [99] Polisski G., Dollinger G., Bergmaier A. et al. Acceptor depletion in p-type porous silicon // Phys. Stat.Sol. (a).- 1998.- V.168.- P.R1-R2. [100] Pearton S.J., Corbett J.W., Shi T.S. Hydrogen in crystalline semiconductors // Appl. Phys. A.- 1987.- V.43.- P.153-195. [101] Sopori B.L., Deng X., Benner J.P. et al. Hydrogen in silicon: A discussion of diffusion and passivation mechanisms // Solar Energy Materials and Solar Cells.- 1996.- V.41/42.- P.160169. [102] Рытова Н.С. О пассивации электрически активных центров в полупроводниках нейтральным атомарным водородом // ФТП.- 1991.- Т.25.- С.316-322. [103] Pankove J.I., Zanzucchi P.J., Magee C.W. et al. Hydrogen localization near boron in silicon // Appl. Phys. Lett.- 1985.- V.46.- P.421-423. [104] Fukata N., Sasaki S., Fujimura S. et al. Hydrogen passivation of donors and hydrogeh states in heavy doped n-type silicon // Jpn. J. Appl. Phys.- 1996.- V.35.- Part 1.- P.3937- 3941. [105] Мукашев Б.Н.. Тамендаров М.Ф., Токмолдин С.Ж. Состояния водорода и механиэмы пассивации примесей и радиационных дефектов в кристаллическом кремнии // ФТП.- 1992.- Т.26.- С.1124-1134.

[106] Yokoto K., Hosokawa K., Terada K. et al. Hydrogenation of high-concentration arsenicdoped silicon using radio frequency hydrogen plasma // Jpn. J. Appl. Phys.- 1997.- V.36.- Part 1.- P.4355- 4358. [107] Grosman A., Ortega C. Chemical composition of fresh porous silicon / In: Properties of porous silicon. Ed. by Canham L., DERA.- 1997.- P.145-154. [108] Allongue P., Henry de Villeneuve C., Pinsard L. et al. Evidence for hydrogen incorporation during porous silicon formation // Appl. Phys. Lett.- 1995.- V.67.- P.691-694. [109] Allongue P., Henry de Villeneuve C., Bernard M.C. et al. Relationship between porous silicon formation and hydrogen incorporation // Thin Sol. Films.- 1997.- V.297.- P.1-4. [110] Fellah S., Gabouze N., Ozanam F. et al. Pit formation on p-Si during hydrogen evolution in HF electrolyte // Phys. Stat. Sol. (a).- 2000.- V.182.- P.31-36. [111] Болтакс В.Б. Диффузия в полупроводниках.- М.: Наука, 1962.- 412с. [112] Capizzi M., Mittiga A. Hydrogen in crystalline silicon: A deep donor? // Appl. Phys.Lett.- 1987.- V.50.- P.918-920. [113] Zundel T., Weber J. Dissiciation energies of shallow-acceptor - hydrogen pairs in silicon // Phys. Rev. B.- 1989.- V.39.- P.13549-13552. [114] Маркевич В.П., Мурин Л.И., Lindstrom J.L. и др. Начальные стадии преципитации кислорода в кремнии: влияние водорода // ФТП.- 2000.- Т.34.- С.1039-1045. [115] Herring C., Jonson N.M. Hydrogen in semiconductors // Semicond. and Semimet.- 1991.V.34.- Chap.10. [116] Александров О.В. Влияние эффекта экранирования на пассивацию дырочного кремния водородом // ФТП.- 2002.- Т.36.- С.24-28. [117] Феклистова О.В., Якимов Е.Б., Ярыкин Н.А. Моделирование проникновения водорода в кремний p-типа в процессе жидкостного химического травления // ФТП.2002.- Т.36.- С.301-304. [118] Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х книгах. Кн.1.- М.: Мир, 1984.456с. [119] Вашпанов Ю.А., Халмурат Азат, Смынтина В.А. Релаксация тока в микропористом кремнии // ЖТФ.- 1999.- Т.69, вып.11.- С.141-142. [120] Ben-Chorin M., Muller F., Koch F. Nonlinear electrical transport in porous silicon // Phys. Rev. B.- 1994.- V.49.- P.2981-2984. [121] Mares J.J., Kristofik J., Pangras J. et al. On the transport mechanism in porous silicon // Appl. Phys. Lett.- 1993.- V.63.- P.180-182.

[122] Lue J.T., Chang C.S., Chen C.Y. et al. The bistable switching property of a poros- silicon Schottky barrier diode during the charging period // Thin Sol. Films.- 1999.- V.399.- P.294298. [123] Pulsford N.J., Rikken G.L.J.A., Kessener Y.A.R.R. et al. Carrier injection and transport in porous silicon Schottky diodes // J. of Lumin.- 1993.- V.57.- P.181-184. [124] Яркин Д.Г. Транспортные свойства и фоточувствительность структур металл / пористый кремний / с-Si // ФТП.- 1999.- Т.33.- С.211-214. [125] Ben-Chorin M., Kux A., Schechter I. Adsorbate effects on photoluminescence and electrical conductivity of porous silicon // Appl. Phys. Lett.- 1994.- V.64.- P.481-483. [126] Жерздев А.В., Кудоярова В.Х., Медведев А.В. и др. Электролюминесцентная ячейка на пористом кремнии // Письма в ЖТФ.- 1993.- Т.19, вып.23.- С.87-90. [127] Yen E.C., Chan J.H., Shien T.H. et al. Study on the electrical conduction of p+ porous silicon // Phys. Stat. Sol. (a).- 1998.- V.165.- P.63-65. [128] Лаптев А.Н., Проказникоа А.В., Рудь Н.А. Гистерезис вольт-амперных характеристик светоизлучающих структур на пористом кремнии // Письма в ЖТФ.1997.- Т.23, вып.11.- С.59-63. [129] Cтриха В.И. Теоретические основы работы контакта металл - полупроводник.Киев, 1974.- 264с. [130] Koyama H., Koshida N. Electrical properties of luminescent porous silicon // J. of Lumin.- 1993.- V.57.- P.293-300. [131] Fejfar A., Pelant I., Sipek E. et al. Transport study of self-supportind porous silicon // Appl.Phys. Lett. - 1995.- V.66.- P.1098-1100. [132] Diligenti A., Nannini A., Pennelli G. et al. Carrent transport in free-standing porous silicon // Appl. Phys. Lett.- 1996.- V.68.- P.687- 689. [133] Schwarz R., Wang F., Ben-Chorin M. et al. Photocarrier grating technique in mesoporous silicon // Thin Sol. Films.- 1995.- V.255.- P.23-26. [134] Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников.- М.: Наука, 1979.- 416с. [135] Lannoo M., Delerue C., Allan G. Screeninig in semiconductor nanocrystallites and its consequences for porous silicon // Phys. Rev. Lett.- 1995.- V.74.- P.3415-3418. [136] Delerue C., Allan G., Martin E., Lannoo M. Theory of silicon crystalites. Part II/ In: Porous silicon. Science and technology. Edited by J.-C. Vial and J.Derrien.- Springer Verlad, Berlin Heidelberg and Les Edition de Physique, Les Ulis, 1995.- P.91-109.

[137] Timoshenko V.Yu., Lysenko V., Dittrich Th. et al. Electrical conductivity of mesoporous Si: effect of the condensation of polar liquids // Phys. Stat.Sol (a).- 2000.- V.182.P.163-168. [138] Gupta C.L. Electron paramagnetic resonance of porous p-silicon // J. Appl. Phys.- 1994.V.76.- P.4800-4804. [139] Polisski G., Kovalev D., Dollinger G. et al. Boron in mesoporous Si - Where have all the carriers gone? // Physica B.- 1999.- V.273-274.- P.951-954. [140] Dimova-Malinovska D., Tzolov M., Tzenov N. et al. Electrical, photoelectrical and electroluminescent properties of porous silicon - c-Si heterojunctions // Thin Sol. Films.- 1997.V.297.- P.285-290. [141] Balagurov L.A., Yarkin D.G., Petrovicheva G.A. et al. Highly sensitive porous silicon based photodiode structures // J. Appl. Phys.- 1997.- V.82.- P.4647-4650. [142] Balagurov L.A., Orlov A.F., Petrova E.A. et al. Effect of high concentration of defects states at PS/c-Si heterointerface on transport properties of Al/PS/c-Si photodiode structures // Mater. Res. Soc.- 1998.- V.486.- P.305-310. [143] Ben-Chorin M., Muller F., Koch F. Band alignment and carrier injection at the porous silicon - crystalline silicon interface // J. Appl. Phys.- 1995.- V.77.- P.4482-4488. [144] Бучин Э.Ю., Лаптев А.Н., Проказников А.В. и др. Электролюминесценция и вольтамперные характеристики структур на основе пористого кремния // Письма в ЖТФ.- 1997.- Т.23, вып. 11.- С.70-76. [145] Астрова Е.В., Лебедев А.А., Ременюк А.Д. и др. Фоточувствительность гетерограницы пористый кремний - кремний // ФТП.- 1997.- Т.31.- С.159-161. [146] Каганович Э.Б., Манойлов Э.Г., Свечников С.В. Фоточувствительные структуры на пористом кремнии // ФТП.- 1999.- Т.33.- С.327-631. [147] Oguro T., Koyama H., Ozaki T. et al. Mechanism of the visible electroluminescence from metal/porous silicon/n-Si devices // J. Appl. Phys.- 1997.- V.81.- P.1407-1412. [148] Балагуров Л.А., Смирнов Н.Б., Кожухова Е.А. и др. Характеристики контакта металл/ пористый кремний // Известия РАН. Серия Физическая.- 1994.- Т.58, вып.7.С.78-82. [149] Lubianiker Y., Balberg I. Two Meyer-Neldel rules in porous silicon // Phys. Rev. Lett.1997.- V.78.- P.2433-2436. [150] Lubianiker Y., Balberg I. A comporative study of Meyer-Neldel rule in porous silicon and hydrogenated amorphous silicon // J. Non-Cryst. Solids.- 1998.- V.227-230.- P.180-184.

[151] Balberg I. Transport in porous silicon: the pea-pod model // Philos. Magaz.- 2000.- V.80.P.691-703. [152] Stuke J. Problems in the understanding of electronic properties of amorphous silicon // J. Non-Cryst. Solids.- 1987.- V.97-98.- P.1-14. [153] Карлсон Д., Вронски К. Солнечные батареи из аморфного кремния / В кн.: Аморфные полупроводники. Под ред. М.Бродски.- М.:Мир, 1982.- С.355-412. [154] Theiss W. Optical properties of porous silicon // Surf. Sci. Rep.- 1997.- V.29.- P.91-192. [155] Корсунская Н.Е., Торчинская Т.В., от Джумаев состава Б.Р. и др. на Зависимость поверхности фотолюминесценции пористого кремния вещества кремниевых нитей // ФТП.- 1996.- Т.30.- С.1507-1515. [156] George T., Anderson M.S., Pike W.T. et al. Microstructural investigations of lightemitting porous Si layers // Appl. Phys. Lett.- 1992.- V.60.- P.2359-2361. [157] Bardeleben H.J., Cantin J.L. Paramagnetic defects in porous silicon / In: Properties of porous silicon. Ed. by Canham L., DERA.- 1997.- P.319-327. [158] Решина И.И., Гук Е.Г. Комбинационное рассеяние и люминесценция пористого кремния // ФТП.- 1993.- Т.27.- С.728-735. [159] Беляков Л.В., Макарова Т.Л., Сахаров В.И. Состав и пористость многокомпонентных структур: пористый кремний как трехкомпонентная система // ФТП.- 1998.- Т.32.- С.1122-1125. [160] Бару В.Г., Колмакова Т.П., Ормонт А.Б. и др. Пространственная локализация, состав и некоторые свойства люминесцентно-активного слоя в пористом кремнии // Письма в ЖТФ.- 1994.- Т.20, вып.20.- С.62-66. [161] Голикова О.А., Кузнецов А.Н., Кудоярова В.Х. и др. Модификация структуры и электрических параметров пленок аморфного гидрированного кремния, имплантированного ионами Si+ // ФТП.- 2000.- Т.34.- С.86-89. [162] Голикова О.А., Богданов Е.В., Кузнецов А.Н. и др. Структурная сетка кремния в пленках a-Si:H, содержащих упорядоченные включения // ФТП.- 2001.- Т.35.- С.600-604. [163] Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах.- М.: Мир, 1973.- 416с. [164] Лейдерман А.Ю., Минбаева М.К. Механизм быстрого роста прямого тока в полупроводниковых диодных структурах // ФТП.- 1996.- Т.30.- С.1729-1738. [165] Стриха В.И., Бузанева Е.В., Радзиевский И.А. Полупроводниковые приборы с барьером Шотки.- М.: Сов. Радио, 1974.- 248с.

[166] Cлободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В. и др. Об электрических и фотоэлектрических свойствах структуры Pd/p0-Si/ p-Si с разупорядоченным промежуточным слоем p0 // ФТП.- 1997.- Т.31.- С.15-18. [167] Cлободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В. О токопереносе в пористом p-Si и структурах Pd/ пористый Si // ФТП.- 1998.- Т.32.- С.1073-1075. [168] Лебедев Э.А., Диттрих Т. Ток, ограниченный пространственным зарядом, в пористом кремнии и анатазе (TiO2) // ФТП.- 2002.- Т.36.- С.1268-1271. [169] Matsumoto T., Mimura H., Koshida N. et al. Deep level energy states in porous silicon and porous silicon carbide determined by space-charge-limited current measurements // Appl. Surf. Sci.- 1999.- V.142.- P.569-573. [170] Аверкиев Н.С., Казакова Л.П., Лебедев Э.А. и др. Оптические и электрические свойства пористого арсенида галлия // ФТП.- 2000.- Т.34.- С.757-761. [171] Спир В. Перенос с участием состояний хвостов зон в аморфном кремнии / В кн.: Аморфный кремний и родственные материалы. Под ред. Фрицше Х.- М.:Мир. 1991.С.315-349. [172] Шифф Э., Силвер М. Сильно неравновесная дрейфовая подвижность в гидрированном аморфном кремнии / В кн.: Аморфный кремний и родственные материалы. Под ред. Фрицше Х.- М.:Мир. 1991.- С.381-402. [173] Физика гидрогенизированного аморфного кремния. Под ред. Джоунополоса Дж. и Люковски Дж. В 2-х книгах.- М.:Мир, 1987. [174] Иванов П.А., Коньков О.И., Теруков Е.И. Вольтамперные характеристики структур Ме/a-Si:H/c-Si, изготовленных магнетронным распылением // ФТП.- 2000.- Т.34.С.617-621. [175] Mackenzie K.D., Le Comber P.G., Spear W.E. The density of states in amorphous silicon determined by space-charge-limited current measurements // Philos. Magaz.- 1982.- V.46.P.377-389. [176] Греков Е.В., Сухоруков О.Г. Определение плотности локализованных состояний в a-Si:H при измерении токов, ограниченных пространственным зарядом // ФТП.- 1988.Т.22.- С.735-737. [177] Голикова О.А. Легирование и псевдолегирование аморфного гидрированного кремния (обзор) // ФТП.- 1991.- Т.25.- С.1517-1535.

[178] Gunes M., Wronski C.R. // Differences in the densities of charger defect states and kinetics of Staebler-Wronski effect in undoped (nonintrinsic) hydrogenated amorphous silicon thin films // J. Appl. Phys.- 1997.- V.81.- P.3526-3536. [179] Matsumoto T., Jifa Qi., Masumoto Y. et al. Determination of localized states in porous silicon // J. of Lumin.- 1999.- V.80.- P.203-206. [180] Белов С.В., Лебедев А.А. Импульсные исследования диодных структур на основе кремний-водородных пленок // ФТП.- 1998.- Т. 32.- С.889-891. [182] Аверкиев Н.С., Казакова Л.П., Лебедев Э.А. и др. Дрейфовая подвижность носителей заряда в пористом кремнии // ФТП.- 2001.- Т. 35.- С.609-611. [182] Lebedev E.A., Smorgonskaya E.A., Polisski G. Drift mobility of excess carriers in porous silicon // Phys. Rev. B.- 1998.- V.57.- P.14607-14610. [183] Аверкиев Н.С., Казакова Л.П., Смирнова Н.Н. Перенос носителей заряда в пористом кремнии // ФТП.- 2002.- Т. 36.- С.355-359. [184] Коугия К.В., Теруков Е.И., Фус В. Рекомбинация в аморфном гидрогенизированном кремнии // ФТП.- 1998.- Т.32.- С.923-931. [185] Спир У., Ле-Комблер П. Фундаментальные и прикладные исследования / В кн: Физика аморфного гидрогенизированного кремния. Под ред. Джоунопулоса Дж. и Люковски Дж. М.:Мир, 1987.- Т.1.- С.85-158. [186] Lehmann V., Gosele U. Porous silicon formation: a quantum wire effect // Appl. Phys. Lett.- 1991.- V.58.- P.856-858. [187] Lust S., Levy-Clement C. Macropore formation on medium doped p-type silicon // Phys. Stat. Sol. (a).- 2000.- V.182.- P.17-21. [188] Canham L.T. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers // Appl. Phys. Lett.- 1990.- V.57.- P.1046-1048. [189] Hybertsen M.S. Mechanism for light emission from nanoscale silicon / In: Porous silicon. Science and technology. Edited by J.-C. Vial and J.Derrien.- Springer Verlad, Berlin Heidelberg and Les Edition de Physique, Les Ulis, 1995.- P.67-90. [190] Delerue C., Allan G., Lannoo M. Optical band gap of Si nanoclusters // J. of Lumin.1999.- V.80.- P.65-73. [191] Pivac B., Rakvin B., Pavesi L. Paramagnetic centers at and near the Si/SiOx interface in porous silicon // Appl. Phys. Lett.- 1994.- V.65.- P.3260-3262. [192] Петров А.В., Петрухин А.Г. Оптическое заряжение пористого кремния // ФТП.1994.- Т.28.- С.82-85.

[193] Белогорохов А.И., Белогорохова Л.И. Оптические свойства слоев пористого кремния, полученных с использованием электролита HCl:HF:C2H5OH // ФТП.- 1999.Т.33.- С.198-204. [194] Lysenko V., Boarino L., Bertola M. et al. Theoretical and experimental study of heat conduction in as-prepared and oxidized meso-porous silicon // Microelectron. J.- 1999.- V.30.P.1141-1147. [195] Chazalviel J.-N., Ozanam F. Surface chemistry of porous silicon // Mat. Res. Soc. Symp. Proc.- 1999.- V.536.- P.155-166. [196] Makara V.A., Odarych V.A., Vakulenko O.V. et al. Ellipsometric studies of porous silicon // Thin Sol. Films.- 1999.- V.342.- P.230-237. [197] Копылов А.А., Холодилов А.Н. Инфракрасное поглощение в пористом кремнии, полученном в электролитах, содержащих этанол // ФТП.- 1997.- Т.31.- С.556-558. [198] Rossow U. Optical characterization of porous materials // Phys.Stat. Sol. (a).-2001.V.184.- P.51-78. [199] Колмакова Т.П., Бару В.Г., Малахов Б.А. и др. Электро- и фотолюминесценция в тонких пленках пористого кремния // Письма в ЖЭТФ.- 1993.- Т.57.- С.398-401. [200] Dalba G., Daldosso N., Fornasini P. et al. Quantum confinement in porous silicon as a function of size distribution of luminescent sites // Electrochem. Soc. Proc.-1999.- V.99-22.P.10-21. [201] Morazzani V., Chamarro M., Grosman A. Partial oxidation of porous silicon by thermal process: study of structure and electronic defects // J. of Lumin.- 1993.- V.57.- P.45-49. [202] Canham L.T. Chemical composition of intentionally oxidised porous silicon // In: Properties of porous silicon. Ed. by Canham L., DERA.- 1997.- P.158-1161. [203] Hurley P.K., Kiely C.J., Hall S. et al. Partial oxidation of porous silicon // Semicond. Sci. and Technol.- 1993.- V.8.- P.2168-2175. [204] Grosman A., Chamarro M., Morazzani V. et al. Study of anodic oxidation of porous silicon: relation between growth and physical properties // J. of Lumin.- 1993.- V.57.- P.13-18. [205] Голубев В.Г., Жерздев А.В., Мороз Г.К. и др. Сильное фотоиндуцированное увеличение интенсивности люминесценции анодно окисленного пористого кремния // ФТП.- 1996.- Т.30.- С.852-863. [206] Salonen J., Lehto V.-P., Bjorkqvist M. et al. A role of illumination during etching to porous silicon oxidation // Appl. Phys. Lett.- 1999.- V.75.- P.826-828.

[207] Salonen J., Lehto V.-P., Laine E. Photo-oxidation studies of porous silicon using microcalorimetric method // J. Appl. Phys.- 1999.- V.86.- P.1-6. [208] Draghici M., Miu M., Langu V. et al. Oxidation-induced modifications of trap parameters in nanocrystalline porous silicon // Phys. Stat. Sol. (a).- 2000.- V.182.- P.239-243. [209] Башченко С.Н., Блонский И.В., Бродун М.С. и др. Эффект воздействия ультрафиолетового излучения на температурную зависимость фотолюминесценции в пористом кремнии // ЖТФ.- 2001.- Т.71.- С.66-71. [210] Демидов Е.С., Карзанов В.В., Шенгуров В.Г. Дискретное туннелирование дырок в пористом кремнии // Письма в ЖЭТФ.- 1998.- Т.67.- С.794-797. [211] Simons A.J. Carrier mobility in porous silicon / In: Properties of porous silicon. Ed. by Canham L., DERA.- 1997.- P.176-184. [212] Лебедев Э.А., Полисский Г., Петрова-Кох В. Дисперсионный перенос дырок в пористом кремнии // ФТП.- 1996.- Т.30.- С.2108-2111. [213] Казакова Л.П., Лебедев Э.А. Переходный ток в структурах аморфный, пористый полупроводник - кристаллический полупроводник // ФТП.- 1998.- Т.32.- С.187-191. [214] Fauchet P.M., Behren J., Hirschman K.D. et al. Porous silicon physics and device application: a status report // Phys. Stat. Sol. (а).- 1998.- V.165.- P.25-35. [215] Демидович В.М., Демидович Г.Б., Козлов С.Н. и др. Адсорбционно-управляемая “канальная” проводимость в окисленном пористом кремнии // Письма в ЖТФ.- 1998.Т.24, вып.2.- С.27-31. [216] Козлов С.Н., Невзоров А.Н. Влияние адсорбции воды на импеданс системы кремний - пористый кремний - металл // Вестник МГУ. Сер.3- 1989.- Вып.1.- С.63-64. [217] Konstantinov A.V., Harris C.I., Janzen E. Electrical properties and formation mechanism of porous silicon carbide // Appl. Phys. Lett.- 1994.- V.65.- P.2699-32701. [218] Якимов А.И., Двуреченский А.В. Анизотропное отрицательное магнетосопротивление в одномерных каналах пористого кремния // Письма в ЖЭТФ.1999.- Т.69, вып.3.- С.189-193. [219] Yakimov A.I., Dvurechenskii A.V., Stepina N.P. et al. The temperature-induced transition from 3d to 1d hopping conduction in porous amorphous Si1-cMnc // J. Phys.: Condens. Mater.- 1997.- V.9.- P.889-899. [220] Якимов А.И., Степина Н.П., Двуреченский А.В. Подавление фрактального канала проводимости и эффектов суперлокализации в пористом a-Si:H // ЖЭТФ.- 1997.- Т.112.С.926-935.

[221] Yakimov A.I., Stepina N.P., Dvurechenskii A.V. et al. Current-voltage characteristics of porous amorphous Si1-xMnx in the one-dimensional hopping regime // Philos. Magaz. Lett.1996.- V.73.- P.17-26. [222] Слободчиков С.В.. Горячев Д.Н.. Салихов Х.М. и др. Электрические и фотоэлектрические характеристики диодных структур n-Si / пористый кремний / Pd и влияние на них газообразного водорода // ФТП.- 1999.- Т.33.- С.340-343. [223] Deresmes D., Marissael V., Stievenard D. et al. Electrical behaviour of aluminium porous silicon junctions // Thin Sol. Films.- 1995.- V.255.- P.258-261. [224] Беляков Л.В., Горячев Д.Н., Сресели О.М. и др. Светочувствительные структуры Шоттки на пористом кремнии // ФТП.- 1993.- Т.27.- С.1371-1374. [225] Pulsford N.J., Rikken G.L.J.A., Kessener Y.A.R.R. et al. Behavior of a rectifying junction at the interface between porous silicon and its substrate // J. Appl. Phys.- 1994.- V.75.- P.636638. [226] Матвеева А.Б.. Константинова Е.А., Тимошенко В.Ю. и др. Исследование фотоэдс и фотоиндуцированного захвата заряда в пористом кремнии // ФТП.- 1995.- Т.29.С.2180-2188. [227] Астрова Е.В., Лебедев А.А., Ременюк А.Д. и др. Фоточувствительность гетерограницы пористый кремний - кремний // Известия ВУЗов. Материалы электронной техники.- 1998.- Вып.2.- С.67-69. [228] Pavesi L., Guardini R., Bellutti P. Porous silicon n-p light emitting diode // Thin Sol. Films.- 1997.- V.297.- P.272-276. [229] Astrova E.V., Lebedev A.A., Remenyuk A.D. et al. Photosensitivity of silicon-porous silicon geterostructures // Thin Sol. Films.- 1997.- V.297.- P.129-131. [230] Koshida N., Koyama M. Visible electroluminescence from porous silicon // Appl. Phys. Lett.- 1992.- V.60.- P.347-349. [231] Namavar F., Maruska H.P., Kalkhoron N.M. Visible electroluminescence from porous silicon np hetrojunction diodes // Appl. Phys. Lett.- 1992.- V.60.- P.2514-2516. [232] Simons A.J. Porous silicon diodes / In: Properties of porous silicon. Ed. by Canham L., DERA.- 1997.- P.192-199. [233] Родерик Э.Х. Контакты металл-полупроводник.- М.: Радио и связь, 1982.- 209с. [234] Найтс Дж. Структурная и химическая характеризация / В кн: Физика аморфного гидрогенизированного кремния. Под ред. Джоунопулоса Дж. и Люковски Дж. М.:Мир, 1987.- Т.1.- С.13-84.

[235] Меден А., Шо М. Физика и применение аморфных полупроводников. М.: Мир, 1991.- 670с. [236] Cox R.H., Strack M. Ohmic contacts for GaAs devices // Solid State Electron.- 1962.V.10.- P.1213-1217. [237] Валиев К.А., Дягилев В.Н., Лебедев В.И. и др. Микромощные интегральные схемы.- М.: Советское радио, 1975.- 365с. [238] Canham L.T. Pore type, shape, size, volume and surface area in porous silicon / In: Properties of porous silicon. Ed. by Canham L., DERA.- 1997.- P.83-88. [239] Dhar S., Chakrabarti S. Electroless nickel plated contacts on porous silicon // Appl. Phys. Lett.- 1996.- V.68.- P.1392-1394. [240] Беляков Л.В., Горячев Д.Н., Сресели О.М. Фотоответ и электролюминесценция структур кремний - пористый кремний - химически осажденный металл // ФТП.- 2000.Т.34.- С.1386-1389. [241] Jeske M., Schultze J.W., Thonissen M. et al. Electrodeposition metals into porous silicon // Thin Sol. Films.- 1995.- V.255.- P.63-66. [242] Технология СБИС. Под ред. С.Зи.- М.: Мир, 1986.- 420с. [243] Pavesi L. Porous silicon dielectric multilayers and microcavities // Rivista Del Nuovo Cimento.- 1997.- V.20.- P.1-76. [244] Berger M.G., Frohnhoff St., Theiss W. et al. Porous silicon: From single porous layers to porosity superlattices / In: Porous silicon. Science and technology. Edited by J.-C. Vial and J.Derrien.- Springer Verlad, Berlin Heidelberg and Les Edition de Physique, Les Ulis, 1995.P.345-356. [245] Астрова Е.В., Лебедев А.А., Ременюк А.Д. и др. Поглощение и фотолюминесценция свободного пористого кремния // ФТП.- 1995.- Т.29.- С.1649-1656. [246] Белогорохов А.И., Караванский В.А., Белогорохова Л.И. Взаимосвязь между сигналом фотолюминесценции и поверхностными состояниями пористого кремния, в том числе “свободных” пленок пористого кремния // ФТП.- 1996.- Т.30.- С.1177-1185. [247] Милнс А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл - полупроводник.- М.: Мир, 1975.- 432с. [248] Chen Y.A., Liang N.Y., Laih L.H. et al. Improvement of current injection of porous silicon // Jpn. J. Appl. Phys.- 1997.- V.36.- P.1574-1577. [249] Tsao S.S. Porous silicon techniques for SOI structures // IEEE Circ. and Dev. Mag.1987.- Iss.11.- P.3-7.

[250] Tsai C., Li K.H., Snin S. et al. Thermal treatment studies of photoluminescence intensity of porous silicon // Appl. Phys. Lett.- 1991.- v.59.- P.2814-2816. [251] Костишко Б.М., Пузов И.П., Нагорнов Ю.С. Стабилизация светоизлучающих свойств пористого кремния термовакуумным отжигом // Письма в ЖТФ.- 2000.- Т.26, вып.1.- С.50-55. [252] Костишко Б.М., Орлов А.М., Емельянова Т.Г. Эволюция фотолюминесценции пористого кремния при одновременном термическом и лазерном воздействии // Письма в ЖТФ.- 1996.- Т.22, вып.10.- С.68-73. [253] Костишко Б.М., Нагорнов Ю.С., Апполонов С.В. и др. Роль молекул водорода в стоке заряда с поверхности пористого кремния // Уч. Записки Ульяновского ун-та. Сер. Физ.-1999.- Вып.2(7).- С.97-102. [254] Орлов А.М., Скворцов А.А., Клементьев А.Г. и др. Адсорбционные изменения на поверхности пористого кремния в процессе естественного и высокотемпературного старения // Письма в ЖТФ.- 2001.- Т.27, вып.2.- С.76-83. [255] Robinson M.B., Dillon A.C., Haynes D.R. et al. Effect of thermal annealing and surface coverage on porous silicon photoluminescence // Appl. Phys. Lett.- 1992.- V.61.- P.1414-1416. [256] Pathma V., Goldspink G. An investigation into silane evolution from porous silicon by temperature programmed desorbtion method / Mater. Intern. Conf. “Porous semiconductors science and technology”, 1998.- Spain, Mallorca.- P.109-110. [257] Martin P., Fernandez F., Sanchez C. TDS applied to investigation the hydrogen and silane desorption kinetics from porous silicon / Mater. Intern. Conf. “Porous semiconductors - science and technology”, 2000.- Spain, Madrid.- P.236-237. [258] Laiho R., Vlasenko L.S. Electron paramagnetic resonance of dangling bond centers in vacuum-annealed porous silicon // J. Appl. Phys.- 1995.- V.78.- P.2857- 2859. [259] Herino R., Perio A., Barla K. et al. Microstructure of porous silicon and its evolution with temperature // Mater. Lett.- 1984.- V.2.- P.519-523. [260] Labunov V., Bondarenko V., Glinenko L. et al. Heat treatment effect on porous silicon // Thin Sol. Films.- 1986.- V.137.- P.123-134. [261] Halimaoui A. Porous silicon: material processing, properties and applications / In: Porous silicon. Science and technology. Edited by J.-C. Vial and J.Derrien.- Springer Verlad, Berlin Heidelberg and Les Edition de Physique, Les Ulis, 1995.- P.33-53.

[262] Лукьянова Е.Н., Козлов С.Н., Демидович В.М. и др. Особенности электропереноса в нанопористом кремнии и оксиде кремния с адсорбированной водой // Письма в ЖТФ.2001.- Т.27, вып.11.- С.1-6. [263] Salonen J., Lehto V.-P., Laine E. Thermal oxidation of free-standing porous silicon films // Appl. Phys. Lett.- 1997.- V.70.- P.637-639. [264] Kimoto K., Arai T. Photoluminescence of rapid thermal treated porous Si in nitrogen atmosphere // Phys. stat. Sol. (a).- 2000.- V.182.- P.133-137. [265] Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур.- М.: Радио и связь, 1985.- 264с. [266] Павлов Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов.- М.: Высшая школа, 1975.- 206с. [267] Wagner P., Hage J. Thermal double donors in silicon // Appl. Phys. A.- 1989.- V.A49.P.123-138. [268] Родес Р.Г. Несовершенства и активные центры в полупроводниках.- М.: Металлургия, 1968.- 327с. [269] Cazcarra V., Zunino P. Influence of oxygen on silicon resistivity // J. Appl. Phys.- 1980.V.51.- P.4206-4209. [270] Батавин В.В., Сальник З.А. Природа термодоноров в кремнии, содержащем кислород // Неорганические материалы.- 1982.- Т.18, вып.2.- С.185-191. [271] Неймаш В.Б., Сирацкий В.М., Крайчинский А.Н. и др. Электрические свойства кремния, термообработанного при 530С и облученного электронами // ФТП.- 1998.Т.32.- С.1049-1053. [272] Курова И.А., Мелешко Н.В., Ларина Э.В. и др. Влияние высокотемпературного отжига на электрические и фотоэлектрические свойства пленок a-Si:H, легированных фосфором // ФТП.- 1996.- Т.30.- С.12-16. [273] Антонова И.В., Стась В.Ф., Попов В.П. и др. Проводимость структур кремний-наизоляторе, полученных сращиванием пластин кремния с подложкой с использованием имплантации водорода // ФТП.- 2000.- Т.34.- С.1095-1098. [274] Ельцов К.Н., Караванский В.А., Мартынов В.В. Модификация пористого кремния в сверхвысоком вакууме и вклад нанокристаллитов графита в фотолюминесценцию // Письма в ЖЭТФ.- 1996.- Т.63, вып.2.- С.106-111.

[275] Терехов В.А., Хохлов А.Ф., Ковалева Н.С. и др. Изменения локальной плотности электронных состояний и ближнего порядка в аморфных пленках гидрированного кремния // ФТТ.- 1997.- Т.39.- С.243-245. [276] Wilson J.I.B. Density of states in annealed GD a-Si:H / In : Properties of amorphous silicon.- EMIS Datareviews, INPEC, 1989.- P.150-153. [277] Курова И.А., Лупачева А.Н., Мелешко Н.В. и др. Влияние теплового отжига на фотоэлектрические свойства легированных бором пленок a-Si:H // ФТП.- 1994.- Т.28.С.1092-1096. [278] Kniffler N., Muller W.W., Pirrung J.M. et al. Annealing and hydrogenation behaviour of evaporated and sputtered high-purity amorphous silicon films // J. De Physique.- 1981.- V.42.P.c4-811 - c4-814. [279] Zellama K., Germain P., Picard C. A theoretical study of hydrogen exodiffusion in aSi:H, comparison P.c4-815 c4-818. [280] Андреев А.А., Сидорова Т.А., Казакова Е.А. и др. Электропроводность и структура слоев аморфного кремния // ФТП.- 1986.- Т.20.- С.1469-1475. [281] Yang S.H., Lee C. Mechanism of the high-temperature conductivity kinks in hydrogenated amorphous silicon // Philos. Magaz.B.- 1986.- V.53.- 293-300. [282] Курова И.А., Ормонт Н.Н., Теруков Е.И., Афанасьев В.П. и др. Электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si:H и влияние на них термического отжига // ФТП.- 2001.- Т.35.- С.367-370. [283] Курова И.А., Мирошник О.Н., Ормонт Н.Н. и др. Влияние высокотемпературного отжига на электрические свойства компенсированных пленок a-Si:H, содержащих бор и фтор // ФТП.- 1996.- Т.30.- С.727-729. [284] Chou J.-C., Hsiung S.-K., Lu C.-Y. Characterization of a-Si:H phase transition and crystallization by isotermal annealing // Jap. J. Appl. Phys.- 1987.- V.26.- P.1971-1977. [285] Казанский А.Г., Миличев Е.П. Дефектообразование в a-Si:H при дегидрогенизации и оптической деградации // ФТП.- 1989.- Т.23.- С.2027-2029. [286] Рахимов Н., Бабаходжаев У., Мавлянов Х. и др. Влияние внешних воздействий на фотоэлектрические параметры аморфного гидрированного кремния в зависимости от исходных характеристик пленок // ФТП.- 2001.- Т.35.- С.985-986. with conductivity measurements // J. De Physique.- 1981.- V.42. [287] Augelli V. Conductivity of undoped GD a-Si:H / In : Properties of amorphous silicon.EMIS Datareviews, INPEC, 1989.- P.185-190. [288] Качурин Г.А., Яновская С.Г., Ruault M.-O. и др. Действие облучения и последующего отжига на нанокристаллы Si, сформированные в слоях SiO2 // ФТП.2000.- Т.34.- С.1004-1009. [289] Лебедев А.А., Иванов А.М., Ременюк А.Д. и др. Влияние -облучения на фотолюминесценцию пористого кремния // ФТП.- 1996.- Т.30.- С.188-190. [290] Астрова Е.В., Емцев В.В., Лебедев А.А. и др. Деградация фотолюминесценции пористого кремния под действием -облучения 60Co // ФТП.- 1995.- Т.29.- С.1301-1305. [291] Астрова Е.В., Витман Р.Ф., Емцев В.В. и др. Влияние -облучения на свойства пористого кремния // ФТП.- 1996.- Т.30.- С.507-514. [292] Ушаков В.В., Дравин В.А., Мельник Н.Н. и др. Радиационная стойкость пористого кремния // ФТП.- 1997.- Т.31.- С.1126-1129. [293] Maurice J.-L., Riviere A., Alapini A. et al. Electron beam irradiation of n-type porous silicon obtained by photoelectrochemical etching // Appl. Phys. Lett.- 1995.- V.66.- P.1665-0 1667. [294] Костишко Б.М., Орлов А.М., Фролов В.А. Энергия активации электронностимулированного гашения фотолюминесценции пористого кремния n-типа // Письма в ЖТФ.- 1997.- Т.23, вып.18.- С.44-50. [295] Костишко Б.М., Орлов А.М., Пирогов А.В. Изменение электронной структуры и энергии активации гашения фотолюминесценции пористого кремния n-типа электронном облучении // Неорганические материалы.- 1999.- Т.35.- С.280-285. [296] Костишко Б.М., Орлов А.М. Влияние последовательного электронного и лазерного облучения на фотолюминесценцию пористого кремния // ЖТФ.- 1998.- Т.68.- С.58-63. [297] Костишко Б.М., Атажанов Ш.Р., Миков С.Н. Влияние электронного облучения на фотолюминесценцию карбонизированного пористого кремния / Материалы VIII межнационального совещания “Радиационная физика твердого тела”, Севастополь, 1998.- С.170-174. [298] Calliari L., Anderle M., Ceschini M. et al. Electron bombardment effects on light emitting porous silicon // J. Lumin.- 1993.- V.57.- P.83-87. [299] Попов В.Ф., Горин Ю.Н. Процессы и установки электронно-ионной технологии.М.: Высшая школа, 1988.- 255с. при [300] Коноплева Р.Ф., Литвинов В.Л., Ухин Н.А. Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий.- М.: Атомиздат, 1971.- 176с. [301] Вавилов В.С., Кекелидзе Н.П., Смирнов Л.С. Действие излучений на полупроводники.- М.:Наука, 1988.- 192с. [302] Кузнецов Н.В., Соловьев Г.Г. Радиационная стойкость кремния.М.: Энергоатомиздат, 1989.- 96с. [303] Емцев В.В., Машовец Т.В., Абдусаттаров А.Г. Взаимодействие собственных точечных дефектов с примесными атомами фосфора в кремнии n-типа при электронном импульсном облучении // ФТП.- 1987.- Т.21.- С.2106-2109. [304] Конозенко И.Д., Семенюк А.К., Хиврич В.И. Радиационные дефекты в кремнии.К.: Наукова думка, 1974.- 200с. [305] Левчук Л.В., Галушка А.П., Конозенко И.Д. Радиационные нарушения в p-Si с примесью водорода, созданные быстрыми электронами / Материалы симпозиума “Радиационные дефекты в полупроводниках”, Минск, БГУ, 1972.- С.76-77. [306] Шнайдер У., Шредер Б. Метастабильные дефекты в гидрированном аморфном кремнии, создаваемые электронным облучением / В кн.: Аморфный кремний и родственные материалы. Под ред. Фрицше Х.- М.:Мир, 1991.- С. 290-314. [307] Казанский А.Г., Король А.С., Милевич Е.П. и др. Влияние облучения электронами на фотопроводимость аморфного гидрогенизированного кремния // ФТП.- 1986.- Т.20.С.1594-11597. [308] Street R., Biegelsen D., Stuke J. Defects in bombarded amorphous silicon // Philos. Magaz. B.- 1979.- V.40.- P.451-464. [309] Yacobi B.G., Roedern B. Electrical conductivity of electron-irradiated hydrogenated amorphous silicon // J. Appl. Phys.- 1986.- V.59.- P.2590-2591. [310] Dersch H., Schweizer l., Stuke J. Recombination processes in a-Si:H: Spin-dependent photoconductivity // Phys. Rev. B.- 1983.- V.28.- P.4678-4684. [311] Katayama M., Morimoto H., Sugawara K. Electron irradiation effects on amorphous silicon solar cells // Phys. Stat. Sol. (a).- 1983.- V.78.- P.K5-K8. [312] Navkhandewala R.V., Narashimhan K.L., Guha S. Effect of electron irradiation on the dark and photoconductivity of amorphous hydrogenated silicon // Phys. Rev. B.- 1981.- V.24.P.7443-7446. [313] Navkhandewala R.V., Narashimhan K.L., Guha S. Electron irradiation in hydrogenated silicon // J. De Physique.- 1981.- V.42.- P.C4-803 - C4-806.

[314] Аблова М.С., Куликов Г.С., Першеев С.К.

Метастабильные состояния нелегированного аморфного гидрогенизированного кремния, создаваемые -облучением // ФТП.- 2002.- Т.36.- С.1001-1005. [315] Голикова О.А. Дефекты в пленках -Si:H, наведенные ионной имплантацией кремния // ФТП.- 1999.- Т.33.- С.464-467. [316] Аблова М.С., Куликов Г.С., Першева С.К. Гамма-индуцированные метастабильные состояния легированного аморфного гидрированного кремния // ФТП.- 1998.- Т.32.С.245-248. [317] Берман Л.С. Емкостные методы исследования полупроводников.- Л.:Наука, 1972.103с. [318] Брыксин В.В., Дьяконов М.Н., Ханин С.Д. Анализ характера прыжковой проводимости по частотной зависимости тангенса угла потерь // ФТТ.- 1982.- Т.23.С.1516-1519. [319] Астрова Е.В., Белов С.В., Лебедев А.А. Термостимулированная емкость в диодах на основе пористого кремния // ФТТ.- 1996.- Т.38.- С.702-710. [320] Ciurea M.L., Batlog I., Lazar M. et al. Electrical behaviour of fresh and stored porous silicon films // Thin Sol. Films.- 1998.- V.325.- P.271-277. [321] Cox T.I. Porous silicon layer capacitance / In: Properties of porous silicon. Ed. by Canham L., DERA.- 1997.- P.185-199. [322] Аверкиев Н.С., Капитонова Л.М., Лебедев А.А. и др. Зависимость емкости наноструктур из пористого кремния от магнитного поля // Письма в ЖТФ.- 1996.- Т. 22., вып.17.- С.15-17. [323] Аверкиев Н.С., Капитонова Л.М., Лебедев А.А.и др. Магнитополевая и частотная зависимости емкости наноразмерных техники.- 1998.- Вып.2.- С.60-63. [324] Якобсон Р. Неоднородные и совместно напыленные однородные пленки для оптических измерений. В кн.: Физика тонких пленок. - М.: Мир, 1967.- Т.8.- С.61-105. [325] Cмас Ч. Диэлектрические явления. В кн.: Физика и химия твердого состояния органических соединений. -М.: Мир, 1967.- С.621-659. [326] Aspens D.E., Theeten J.B. Dielectric function of Si-SiO2 and Si-Si3N4 mixtures// J. Appl. Phys.- 1979.- V.50.- P. 4928-4935. [327] Cканави Г.И. Физика диэлектриков.- М.: Физматгиз, 1949.- 525с. // Известия ВУЗов. Материалы электронной [328] Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред.- М.: Наука, 1982.621с. [329] Таблицы физических величин. Под ред. И.К.Кикоина.- М.: Атомиздат, 1976.-1006с. [330] Тутов Е.А., Андрюков А.Ю., Бормонтов Е.Н. Адсорбционно-емкостная порометрия // ФТП.- 2001.- Т.35.- С.850-853. [331] Тутов Е.А., Андрюков А.Ю., Кашкаров В.М. Определение структурно-фазовых параметров пористого кремния из измерений емкости // ЖПХ.- 2000.- Т.73.- С.1071-1074. [332] Anderson R.C., Muller R.S., Tobias C.W. Investigations of porous silicon for vapour sensing // Sens. Actuators.- 1990.- V.A21-23.- P.835-839. [333] Тутов Е.А., Андрюков А.Ю., Рябцев С.В. Неравновесные процессы в емкостных сенсорах на основе пористого кремния // Письма в ЖТФ.- 2000.- Т.26, вып.17.- С.53-58. [334] Rittersma Z.M., Zaagman W.J., Zelstra M. et al. A monitoring instrument with capasitive porous silicon humidity sensors // Smart Mater. Struct.- 2000.- V.9.- P.351-356. [335] Ковалевский А.А., Баранов И.Л., Снитовский Ю.П. Влияние имплантированного палладия в пористый кремний на чувствительность элементов датчиков // Микроэлектроника.- 1996.- Т.25.- С.295-297. [336] Демидович В.Н., Демидович Г.Б., Добренкова Е.И. и др. Адсорбционночувствительный диод на пористом кремнии // Письма в ЖТФ.- 1992.- Т.18, вып.14.- С.5759. [337] Polishchuk V., Souteyrand E., Martin J.R. et al. A study of hydrogen detection with palladium modified porous silicon // Analytica Chimica Acta.- 1998.- V.375.- P.205-210. [338] Магунов А.Н. Температурная зависимость показателя преломления монокристалла кремния в диапазоне 300-700К // Оптика и спектроскопия.- 1992.- Т.73.- С.352-354. [339] Monastyrskii L.S. Features of electrical charge transfer in porous silicon // Semicond. Phys., Quant. Electron. and Optoelectron.- 2001.- V.4.- P.24-28. [340] Baratto C., Faglia G., Sberveglieri G. et al. Front-side micromachined porous silicon nitrogen dioxide gas sensor // Thin Sol. Films.- 2001.-V.391.- P.261-264. [341] Arita Y., Kuranari K. Characteristics of the electric capacitance and dielectric loss of the thermal oxide of porous silicon formed using highly phosphorus diffused silicon // Jpn. J. Appl. Phys.- 1997.- V.36, pt.1.- P.1035-1039. [342] Ben-Chorin M., Muller F., Koch F. AC conductivity in porous silicon // J. Lumin.- 1993.V.57.- P.150-162.

[343] Parkhutik V.P. Residual electrolyte as a factor influencing the electrical properties of porous silicon // Thin Sol. Films.- 1996.- V.276.- P.195-199. [344] Francia G.D., Ferrara V.L., Maddalena P. et al. AC conductivity of porous silicon: a fractal and surfase transport mechanism? // Nuovo Cimento.- 1996.- V.18D.- P.1187-1196. [345] Cruz H., Luis D., Capui N.E. et al. Two-dimensional tight-binding model of ac conductivity in porous silicon // J. Appl. Phys.-1998.- V.83.- P.7694-7698. [346] Shimakawa K., Watanabe A., Hattori K. Frequency-dependent transport in glowdischarge amorphous silicon // Philos. Mag. B.- 1986.- V.54.- P.391-414. [347] Вуль А.Я., Кидалов С.В. Влияние неоднородного распределения примесей на фотоэлектрические характеристики резисторных структур на основе твердых растворов GaAs1-xSbx // ФТП.-1987.- Т.21.- С.804-809. [348] Сагинов Л.Д., Федирко В.А., Стафеев В.И. и др. Влияние флуктуации состава на оптические свойства CdxHg1-xTe // ФТП.- 1982.- Т.16.- С.1256-1261. [349] Немов С.А., Потапова Д.А., Равич Ю.И., Ханин С.Д. Плотность локализованных состояний в твердых растворах (Pb0,78Sn0,22)0,95In0,05Te // ФТП.-2001.- Т.35.- С.1197-1199. [350] Петросян С.Г., Шик А.Я. Фотопроводимость неоднородных полупроводниковых твердых растворов // Письма в ЖЭТФ.- 1982.- Т.35.- С.357-359. [351] Шик А.Я. Рекомбинация неравновесных носителей и фотопроводимость в неоднородных полупроводниках // ФТП.- 1975.- Т.9.- С.2129-2134. [352] Добрего В.П. Расчет кинетики спада фотопроводимости при наличии коллективных потенциальных барьеров // ФТП.- 1975.- Т.9.- С.2079-2083. [353] Шейнкман М.К., Шик А.Я. Долговременная релаксация и остаточная проводимость в полупроводниках // ФТП.- 1976.- Т.10.- С.209-233. [354] Алексеева Г.Т., Гуриева Г.А., Константинов П.П. и др. Дефекты в легированных Na халькогенидах свинца и олова: образование, взаимодействие, влияние на электронный спектр // ФТП.- 1996.- Т.30.- С.1653-1659. [355] Прокофьева Л.В., Виноградова М.Н., Зарубо С.В. Легирующий эффект олова в твердых растворах Pb1-xSnxSe и Pb1-xSnxS // ФТП.- 1980.- Т.14.- С.2201-2204. [356] Dawar A.L., Taneja O.P., Paradkar S.K. et al. Electrical effects of thallium, sodium and silver impurities on lead telluride thin films // Appl. Surf. Sci.- 1982.-V.11-12.- P.583-597. [357] Вейс А.Н., Кайданов В.И., Крупицкая Р.Ю. и др. Особенности эффекта Холла и спектров коэффициента поглощения в сильно компенсированных образцах халькогенидов свинца // ФТП.- 1980.- Т.14.- С.2349-2356.

[358] Алексеева Г.Т., Гуриева Г.А., Константинов П.П. и др. Природа центров локализации дырок в халькогенидах свинца с примесью натрия // ФТП.- 1997.- Т.31.С.528-532. [359] Житинская М.К., Немов С.А., Равич Ю.И. Влияние рассеяния фононов на нейтральных и заряженных примесных центрах на теплопроводность решетки в PbTe(Tl,Na) // ФТП.- 1998.- Т.32.- С.1206-1208. [360] Алексеева Г.Т., Гуриева Г.А., Константинов П.П. и др. К вопросу об ионизации изоэлектронной примеси олова в разбавленном твердом растворе Pb1-xSnxSe: Na // ФТП.1995.- Т.29.- С.1388-1395. [361] Алексеева Г.Т., Земсков Б.Г., Константинов П.П. и др. Роль дефектов в акцепторном легировании полупроводников типа PbТe элементами 1-й группы // ФТП.1992.- Т.26.- С.358-367. [362] Кайданов В.И., Немов С.А., Равич Ю.И. Резонансное рассеяние носителей тока в полупроводниках типа AIVBVI // ФТП.- 1992.- Т.26.- С.201-222. [363] Зимин С.П. Явления переноса в эпитаксиальных слоях Pb0,8Sn0,2Te и Pb0,8Sn0,2Te0,98S0,02 /

Автореферат кандидатской диссертации. Кишинев.- 1989.- 14с. [364] Зимин С.П., Бочкарева Л.В. Модифицированная установка для изучения явлений переноса в полупроводниках, эпитаксиальных пленках и полупроводниковых структурах / Информационный листок 489-89 межотраслевого центра НТиП, Ярославль.- 1989.-3с. [365] Jensen J.D., Schoolar R.B. Electrical properties of Pb1-xCdxS epitaxial films // J. of Electron. Mater.- 1978.-V.7.- P.237-252. [366] Stetiu P. About some transport phenomena in Pb1-xCdxS solid solutions // J. Phys.Chem. Solids.- 1976.-V.37.- P.457-460. [367] Dawar A.L., Taneja O.P., Kumar P. et al. Electrical transport properties of p-type Pb1-xCdxS epitaxial thin films // Thin Solid Films.- 1981.- V.79.- P.185-191. [368] Блохин Ю.Н., Луцкая О.Ф., Яськов Д.А. Структура и электрофизические свойства слоев твердых растворов Pb1-xCdxS // Изв. АН СССР. Неорган. матер.- 1987.- Т.23.- С.888891. [369] Sood A.K., Wu K., Zemel J.N. Metastable Pb1-xCdxS epitaxial films. Growth and physical properties // Thin Solid Films.- 1978.- V.48.- P.73-86. [370] Роках А.Г., Елагина Е.В., Матасова Л.П. и др. Состав для изготовления пленочных фоторезисторов / А.с. СССР 1110351. Заявл. 17.03.83.

[371] Равич Ю.И., Ефимова Б.А., Смиронов И.А.Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS. -М.: Наука, 1968.- 383с. [372] Абессонова Л.Н., Добровольский В.Н., Жарких Ю.С. и др. Об интерпретации результатов холловских измерений в неоднородных полупроводниках // ФТП.-1976.Т.10.- С.406-408. [373] Бакуева Л.Г., Захарова И.Б., Ильин В.И. и др. Электрические и фотоэлектрические свойства пленок Pb1-xSnxS // ФТП.-1988.- Т.22.- С.1896-1898. [374] Gudaev O.A., Malinovsky V.K., Paul E.E. The influence of photoexitation level on the process of charge transfer in polycrystalline PbS films // Thin Solid Films.- 1991.- V.198.P.35-41. [375] Шик А.Я. Кинетические явления в неоднородных полупроводниках (обзор) / Сб. Неоднородные и примесные полупроводники во внешних полях.- Кишинев: Штиинца, 1979.- С.22-40. [376] Ковалев А.Н., Остробородова В.В., Фоломин П.И. Однородность и особенности гальваномагнитных свойств нелегированных халькогенидов свинца / Сб. Структура и свойства соединений А4В6.- М.: Металлургия, 1990.- С.57-68. [377] Водопьянов В.Н., Кондратенко М.М. Высокотемпературная фотопроводимость легированных индием эпитаксиальных слоев твердого раствора Pb1-xSnxTe1-ySey // Письма в ЖТФ.- 1994.- Т.20, вып.23.- С.73-75. [378] Piotrowski J., Gawron W., Djuric Z. New generation of nea-room-temperature photodiodes // Opt. Engin.- 1994.- V.33.- P.1413-1421. [379] Зайкина Р.Ф., Зайкин Ю.А., Потатий К.В. и др. О дозовой зависимости концентрации носителей заряда в сульфиде свинца, облученном электронами // ЖТФ.1996.- Т.66, вып.3.- С.67-74. [380] Palmetshofer L. Ion implantation in IV-VI semiconductors // Appl. Phys. A.- 1984.V.43.- P.139-153. [381] Аброян И.А., Алиев Б.З., Иматкулиев С.Д. и др. Электрофизические свойства пленок PbTe, облученных ионами аргона // ФТП.-1989.- Т.23.- С.352-355. [382] Выдрик В.Н., Зубкова В.И., Путиловская М.Ю. и др. Влияние имплантационного легирования на структурные характеристики пленок теллурида свинца // Поверхность.1988.- Вып.2.- С.104-109. [383] Скипетров Е.П., Некрасова А.Н. Влияние облучения электронами на электрофизические свойства сплавов n-Pb1-xSnxTe // ФТП.-1997.- Т.31.- С.264-267.

[384] Лидоренко Н.С., Вейс А.Н., Дашевский З.М. и др. Исследование эффектов, возникающих в PbTe при ионной имплантации большими дозами // ДАН-1990.- Т.315.С.600-603. [385] Вейс А.Н. Энергетический спектр вакансий халькогена в ионно-имплантированном сульфиде свинца // ФТП.-1993.- Т.27.- С.1384-1387. [386] Wilson I.H., Zheng N.J., Knipping U. Scanning tunneling microscopy of an ionbombarded PbS (001) surface // Appl. Phys. Lett.- 1988.- V.53.- P.2039-2041. [387] Исаев Ф.К., Заитов Ф.А., Матершев Ю.В. Действие ионизирующих излучений на фоточувствительные пленки халькогенидов свинца и кадмия.- Баку: Элм, 1988.- 71с. [388] Maier H., Hesse J. Growth, properties and applications of narrow-gap semiconductors / In: Organic Crystals Germanates Semiconductors.- Berlin, 1980.- P.145-219. [389] Ковалев А.Н., Горелик С.С., Сагалова Т.Б. Рекристаллизация поликристаллических пленок сульфида свинца при активационном отжиге // Кристаллография.-1986.- Т.31.С.1032-1035. [390] Зайкин Ю.В., Зарифьянц Ю.А., Зломанов В.П. Влияние фазового состава на энергетический спектр ловушек в структуре PbS // Изв. ВУЗов. Сер. физич.-1976.Вып.2.- С.75-79. [391] Favre J., Konczykowski M., Desueur D. Defauts d`irradiation dans les sels de plomb: PbTe, PbSe // Annales de Physique.- 1989.- V.14, N2.- P.157-165. [392] Пляцко С.В. Особенности роста и физических свойств PbTe/BaF2, полученного в неравновесных условиях // ФТП.-1998.- Т.32.- С.257-260. [393] Maksimov M.N., Vassilev L.V., Besedin Yu.G. et al. Deep levels and persistent photoconductivity effects in undoped p-type PbTe films // Infrared Phys.- 1991.- V.31.- P. 199205. [394] Трофимов В.Т., Селиванов Ю.Г., Чижевский Е.Г. Фотопроводимость тонких эпитаксиальных слоев селенида свинца // ФТП.-1996.- Т.30.- С.755-763. [395] Бакланов К.А., Крылов И.П. Замороженная фотопроводимость в пленках PbTe:O // ЖЭТФ.-1992.- Т.101.- С.294-326. [396] Frello T., Veje E., Leistiko O. Observation of time-varying photoconductivity and persistent photoconductivity in porous silicon // J. Appl. Phys.- 1996.- V.79.- P.1027-1031. [497] Frello T., Veje E. Time-varying phenomena in photoelectric properties of porous silicon // J. Appl. Phys.- 1997.- V.81.- P.6978-6985.

[398] Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П., Кайпер Р. и др. Электронная теория неупорядоченных полупроводников.- М.: Наука, 1981.-384с. [399] Balagurov L.A., Bayliss S.C., Orlov A.F. et al. Electrical properties of metal / porous silicon / p-Si structures with thin porous silicon layer // J. Appl. Phys.- 2001.- V.90.- P.41844190. [400] Balagurov L.A., Bayliss S.C., Andrushin S.Ya. et al. Metal/PS/c-Si photodetectors based on unoxidized and oxidized porous silicon // Sol. State Electron.- 2001.- V.45.- P.1607- 1611. [401] Yakimov A.I., Stepina N.P., Dvurechenskii A.B. et al. Low-dimensional hopping conduction in porous amorphous silicon // Physica B.- 1995.-V.205.- P.298-304. [402] Якимов А.И., Степина Н.П., Двуреченский А.В. и др. Электрические свойства фрактальных систем на основе пористого аморфного кремния // ЖЭТФ.- 1996.- Т.110.С.322-333. [403] Naudon A., Goudeau P., Vezin V. Scatering of X-rays / In: Porous silicon. Science and technology. Edited by J.-C. Vial and J.Derrien.- Springer Verlad, Berlin Heidelberg and Les Edition de Physique, Les Ulis, 1995.- P.257-275. [404] Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках.М.: Физматлитература, 1963.- 478с. [405] Комаров Е.П. Исследование электрических и емкостных свойств слоев пористого кремния различной морфологии и пористости / Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук, Ярославль.- 2002.- 23с. [406] Konaka S., Tabe M., Sakai T. A new silicon-on-insulator structure using a silicon molecular beam epitaxial growth on porous silicon // Appl. Phys. Lett.- 1982.- V.41.- P. 86-88. [407] Bomchil G., Halimaoui A., Herino R. Porous silicon: the material and its application in silicon-on-insulator technologies // Appl. Surf. Sci.- 1989.- V.41/42.- P.604-613. [408] Шенгуров В.Г., Шабанов В.Н., Гудкова Н.В. и др. Выращивание методом МЛЭ гомоэпитаксиальных слоев кремния на поверхности пористого кремния после низкотемпературной очистки ее в вакууме // Микроэлектроника.- 1993.- Т.22, вып.1.С.19-21. [409] Новиков П.Л., Александров Л.Н., Двуреченский А.В. и др. Механизм эпитаксии кремния на пористых слоях кремния // Письма в ЖТЭФ.- 1998.- Т.67.- С.512-517. [410] Lin T.L., Sadwick L., Wang K.L. et al. Growth and characterization of molecular beam epitaxial GaAs layers on porous silicon // Appl. Phys. Lett.- 1987.- V.51.- P.814-816.

[411] Kang T.W., Leem J.Y., Kim T.W. Growth of GaAs epitaxial layers on porous silicon // Microelectron.J.- 1996.- V.27.- P.423-436. [412] Saravanan S., Hayashi Y., Soga T. et al. Growth and characterization of GaAs epitaxial layers on Si/porous silicon/ Si substrates by chemical beam epitaxy // J. Appl. Phys.- 2001.V.89.- P.5215-5218. [413] Бондаренко В.П.. Ворозов Н.Н., Дикарева В.В. и др. Гетероэпитаксия сульфида свинца на кремнии // Письма в ЖТФ.- 1994.- Т.20, вып.10.- С.51-54. [414] Levchenko V.I., Postnova L.I., Bondarenko V.P. et al. Heteroepitaxy of PbS on porous silicon // Thin Solid Films.- 1999.- V.348.- P.141-144. [415] Беляков Л.В., Захарова И.Б., Зубкова Т.И. и др. Исследование ИК фотодиодов на основе PbTe, полученных на буферном подслое пористого кремния // ФТП.-1997.- Т.31.С.93-95. [416] Chang C.C., Lee C.H. Characterization and fabrication of ZnSe epilayer on porous silicon substrate // Thin Solid Films.- 2000.- V.379.- P.287-291. [417] Hsieh W.T., Fang Y.K., Wu K.H. et al. Using porous silicon as semi-insulating substrate for -SiC high temperature optical-sensing devices // IEEE Trans. Electron. Devices.- 2001.V.48.- P.801-803. [418] Luryi S., Suhir E. New approach to the high quality epitaxial growth of latticemismatched materials // Appl. Phys. Lett.- 1986.- V.49.- P.140-142. [419] Jesser W.A., Kuhlmann-Wilsdorf D. On the theory of interfacial energy and elastic strain of epitaxial overgrowths in parallel alignment on single crystal substrates // Phys. Stat. Sol.1967.- V.19.- P.95-105. [420] Солдатенков Ф.Ю., Улин В.П., Яковенко А.А. и др. Ненапряженные эпитаксиальные пленки InxGa1-xAs, полученные на пористом GaAs // Письма в ЖТФ.1999.- Т.25, вып.21.- С.15-20. [421] Орлов Л.К., Ивина Н.Л., Дроздов Ю.Н. и др. Релаксация упругих напряжений в буферных слоях на основе пористых напряженных сверхрешеток InGaAs/GaAs // Письма в ЖТФ.- 2002.- Т.28, вып.24.- С.1-7. [422] Kao Y.C., Wang K.L., Wu B.J. et al. Molecular beam epitaxial growth of CoSi2 on porous silicon // Appl. Phys. Lett.- 1987.- V.51.- P.1809-1811. [423] Romanov S.I., Mashanov V.I., Sokolov L.V. et al. GeSi films with reduced dislocation density grown by molecular-beam epitaxy on compliant substrates based on porous silicon // Appl. Phys. Lett.- 1999.- V.75.- P.4118-4120.

[424] Xie Y.H., Bean J.C. Heteroepitaxy of GexSi1-x on porous silicon substrates // J. Appl. Phys.- 1990.- V.67.- P.792-795. [425] Мамутин В.В., Улин В.П., Третьяков В.В. и др. Получение кубического GaN молекулярно-пучковой эпитаксией но подложках пористого GaAs // Письма в ЖТФ.1999.- Т.25, вып.1.- С.3-9. [426] Chen Q., Wu W.B., Mak C.L. et al. Growth of highly oriented of Pb(ZrxTi1-x)O3 film on porous silicon // Thin Solid Films.- 2001.- V.397.- P.1-3. [427] Бондаренко В.П., Борисенко В.Е. Структура пленок силицида кобальта, сформированных на пористом кремнии // Поверхность.- 1989.- Вып.1.- С.38-40. [428] Миркин Л.И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов. М.: Физматгиз.- 1961.-860с. [429] D’Heurle F., Berenbaum L., Rosenberg R. On the structure of aluminium films // Trans. Met. Soc. AIME.- 1968 - V.242.- P.502-511. [430] Технология СБИС. Под ред. Зи С. М.: Мир, 1986.- Т.2.- 453с. [431] Д’Орль. Электродиффузия и отказы в электронике/ Cб. “Технология толстых и тонких пленок”.- М.: Мир, 1972.- С.35-45. [432] Kodric S., Augur R.A., Dirks A.G. Stress voidind and electromigration phenomena in aluminium films // Appl. Sufr. Sci.- 1995.- V.91.- P.197-207. [433] Dorgelo A.M., Vroemen J.A.M.W., Wolters R.A.M. An additional effect of texture on the electromigration behavior of aluminium / Materials of the European Workshop “ Materials for Advanced Metallization”, Streza, Italy.- 2000.- P.146-147. [434] Борисова З.У. Халькогенидные полупроводниковые стекла.-Л.: изд-во ЛГУ, 1983.344с. [435] Сарсембинов Ш.Ш., Приходько О.Ю., Мальтекбасов М.Ж. и др. Биполярная фотопроводимость в аморфных пленках As2Se3 // ФТП.- 1991.- Т.25.- С.564-566. [436] Rogalski A. New trends in semiconductor infrared detectors // Opt. Engin.- 1994.- V.33.P.1395-1412. [437] Zogg H., John J. Lead chalcogenide on silicon infrared sensor arrays // Optoelectron. Rev.- 1998.- V.6.- P.37-46. [438] Muller P., Fach A., John J. et al. Structure of epitaxial PbSe grown on Si(111) and Si(100) without a fluoride buffer layer // J. Appl. Phys..- 1996.- V.79.- P.1911-1916. [439] Muller P., Zogg H., Fach A. et al. Reduction of threading dislocation densities in heavily lattice mismatched PbSe on Si(111) by glide // Phys. Rev. Lett.- 1997.- V.78.- P.3007-3010.

[440] Гладкий С.В., Рудаков В.И., Саунин И.В. Изготовление и свойства ИК-приемников на пленках PbTe, выращенных на Si с промежуточным слоем BaF2 / Труды ИМРАН.Ярославль, 1991.- С.120-125. [441] Tetyorkin V.V., Sipatov A. Yu., Sizov F.F. et al. (001)-oriented lead selenide films grown on silicon substrates // Infrared Phys.- 1996.- V.37.- P.379-384. [442] Yakovtseva V., Vorozov N., Dolgi L. et al. Porous silicon: a buffer layer for PbS heteroepitaxy // Phys. Stat. Sol. (a).- 2000.- V.182.-P.195-199. [443] Ressler K.J., Sonnenberg N.,Cima M.J. The development of biaxial alignment in yttriastabilized zirconia films fabricated by ion beam assisted deposition // J. Electron. Mater.1996.- V.25.- P.35-42. [444] Egerton R.F., Crocker A.J. The electrical effect of atomic hydrogen on lead telluride // Surf. Sci.- 1971.- V.27.- P.117-124.

Pages:     | 1 |   ...   | 2 | 3 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.